CN103779472A - 半导体发光元件和发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。半导体发光元件（1）具备：n型半导体层（120）、发光层（130）和p型半导体层（140）、与p型半导体层（140）连接的p侧电极部（150）、与n型半导体层（120）连接的n侧电极部（160）。n侧电极部（160）具有n侧供电电极（162）、n侧辅助电极（163）和n侧连接电极（164），n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）从发光层（130）看设置在p型半导体层（140）的内侧。在p型半导体层（140）之上，设置有对于从发光层（130）输出的波长的光透明的供电绝缘层（170），例如成为n侧供电电极（162）和n侧辅助电极（163）的下方的部位，被设定为容易反射来自发光层（130）的光的厚度，其他的部位被设定为容易透射来自发光层（130）的光的厚度。

Description

半导体发光元件和发光装置
技术领域
本发明涉及半导体发光元件和发光装置。
背景技术
采用GaInN、AlInGaP、GaAlAs等的发光层的半导体发光元件，作为发光效率高的发光二极管利用。例如，采用GaInN等的Ⅲ族氮化物半导体的半导体发光元件，是例如在蓝宝石等的基板上，形成含有发光层的Ⅲ族氮化物半导体层而构成的。并且，存在对于配线基板以面朝上装配半导体发光元件，由此将从发光层输出的光向外部射出的发光元件。
作为公报记载的现有技术，存在下述半导体发光元件：在基板上层叠n型半导体层、发光层和p型半导体层，在成为与基板相对的一侧的p型半导体层上形成p电极，并且一部分地除去p型半导体层和发光层二者，由此在与基板相对的一侧露出的n型半导体层上形成了n电极（参照专利文献1）。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2012-28495号公报
发明内容
但是，在为了形成n电极而采用通过除去p型半导体层和发光层二者来使n型半导体层露出的结构的情况下，半导体发光元件中的发光层的面积减少，相应地有来自半导体发光元件的光输出降低的可能性。
另外，在采用不除去p型半导体层和发光层二者，在与发光层相对的部位配置n电极的结构的情况下，从发光层输出的光被n电极吸收，作为结果，有来自半导体发光元件的光输出难以增加的可能性。
本发明的目的是使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。
本发明的半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层，其由具有第1导电类型的化合物半导体构成；发光层，其在上述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置，由化合物半导体构成并且通过通电而发光；第2半导体层，其在上述发光层上与该发光层接触地设置，由具有与上述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成；第1供电电极，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与上述第1半导体层电连接；第2供电电极，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与上述第2半导体层电连接；和透明绝缘层，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由具有对于从上述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成，并将上述第1供电电极和上述第2供电电极电绝缘，上述透明绝缘层，具有：第1透明绝缘部，其被设定为从上述发光层输出的光容易透射的第1厚度，从上述发光层看配置在上述第2半导体层的背面侧、且上述第1供电电极和上述第2供电电极不存在的部位；和第2透明绝缘部，其被设定为从上述发光层输出的光容易反射的第2厚度，配置在上述第2半导体层和上述第1供电电极之间以及该第2半导体层和上述第2供电电极之间。
在这样的半导体发光元件中，其特征在于，还具有：第1连接电极，上述第1连接电极经由贯通上述透明绝缘层、上述第2半导体层和上述发光层的孔，与上述第1半导体层电连接；和第1辅助电极，上述第1辅助电极从该发光层看设置在该第2半导体层的背面侧，将该第1连接电极和上述第1供电电极电连接。
另外，其特征在于，上述第1辅助电极由金属构成，上述第2透明绝缘部还配置在上述第2半导体层和上述第1辅助电极之间。
此外，其特征在于，上述第1连接电极和上述第1辅助电极由透明导电材料构成，上述透明导电材料具有电导性和对于从上述发光层输出的光的透射性。
另外，其特征在于，上述化合物半导体包含Ⅲ族氮化物半导体，上述第1半导体层直接或者隔着其他层在基板之上层叠。
另外，从其他的观点着眼，本发明的发光装置，其特征在于，包含形成有第1配线和第2配线的基部、和对于该基部面朝上连接的半导体发光元件，上述半导体发光元件，具备：第1半导体层，其由具有第1导电类型的化合物半导体构成；发光层，其在上述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置，由化合物半导体构成并且通过通电而发光；第2半导体层，其在上述发光层上与该发光层接触地设置，由具有与上述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成；第1供电电极，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与上述第1半导体层电连接，还与设置在上述基部的上述第1配线电连接；第2供电电极，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与上述第2半导体层电连接，还与设置在上述基部的上述第2配线电连接；和透明绝缘层，其从上述发光层看设置在上述第2半导体层的背面侧，由具有对于从上述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成，并将上述第1供电电极和上述第2供电电极电绝缘，上述透明绝缘层，具有第1透明绝缘部，其被设定为从上述发光层输出的光容易透射的第1厚度，从上述发光层看配置在上述第2半导体层的背面侧、且上述第1供电电极和上述第2供电电极不存在的部位；和第2透明绝缘部，其被设定为从上述发光层输出的光容易反射的第2厚度，配置在上述第2半导体层和上述第1供电电极之间以及该第2半导体层和上述第2供电电极之间。
根据本发明，能够使来自面朝上装配中使用的半导体发光元件的光的输出增加。
附图说明
图1是实施方式1中的半导体发光元件的俯视图的一例。
图2是图1中的Ⅱ-Ⅱ截面图。
图3是图1中的Ⅲ-Ⅲ截面图。
图4是图1中的Ⅳ-Ⅳ截面图。
图5是表示实施方式1中的p侧供电部的结构的一例的图。
图6是表示实施方式1中的n侧供电部的结构的一例的图。
图7是表示供电绝缘层的结构的一例的图。
图8是表示搭载了半导体发光元件的发光装置的结构的一例的图。
图9是实施方式2中的半导体发光元件的俯视图的一例。
图10是图9中的Ⅹ-Ⅹ截面图。
图11是图9中的Ⅺ-Ⅺ截面图。
图12是图9中的Ⅻ-Ⅻ截面图。
图13是实施方式3中的半导体发光元件的俯视图的一例。
图14是图13中的ⅩⅣ-ⅩⅣ截面图。
图15是图13中的ⅩⅤ-ⅩⅤ截面图。
图16是图13中的ⅩⅥ-ⅩⅥ截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式详细地说明。再者，在以下的说明中参照的附图中的各部分的大小、厚度等，有时与实际的半导体发光元件等的尺寸不同。
＜实施方式1＞
图1是实施方式1中的半导体发光元件1的俯视图的一例。另外，图2是图1中的Ⅱ-Ⅱ截面图，图3是图1中的Ⅲ-Ⅲ截面图，图4是图1中的Ⅳ-Ⅳ截面图。在此，本实施方式的半导体发光元件1，例如图1所示从上方看时呈长方形，图中的纵向为短边侧，图中的横向为长边侧。再者，在以下的说明中，根据需要，有时将图1中的纵向称为宽度方向，将图1中的横向称为长度方向。
（半导体发光元件）
本实施方式的半导体发光元件1，具备：基板110；在基板110之上层叠的n型半导体层120；在n型半导体层120之上层叠的发光层130；和在发光层130之上层叠的p型半导体层140。再者，在以下的说明中，根据需要，有时将该n型半导体层120、发光层130和p型半导体层140统称为叠层半导体层100。另外，在基板110和n型半导体层120之间，根据需要也可以设置中间层（未图示）和/或基底层（未图示）。
在此，n型半导体层120具备：在基板110上层叠的n接触层121；和在n接触层121上层叠并且成为发光层130的叠层对象的n覆盖层122。再者，在此对于详情没有说明，但对于p型半导体层140，也可以设为含有在发光层130上层叠p覆盖层（未图示）、和在p覆盖层上层叠的p接触层的结构。
另外，半导体发光元件1具备：与p型半导体层140电连接的p侧供电部150；和与n型半导体层120电连接的n侧供电部160。此外，半导体发光元件1，在p侧供电部150和n侧供电部160之间，具备：将该p侧供电部150和n侧供电部160电绝缘的供电绝缘层170；和保护发光层130等不受从外部要进入半导体发光元件1的内部的水分影响，并且将p侧供电部150和n侧供电部160电绝缘的保护绝缘层180。再者，在图1中，省略了本来位于最上层（最前侧）的保护绝缘层180的记载。
在此，p侧供电部150具备：在p型半导体层140上层叠并且成为供电绝缘层170的叠层对象的p侧透明导电层151；在供电绝缘层170上形成的p侧供电电极152和p侧辅助电极153；以及经由贯通供电绝缘层170的孔，将p侧透明导电层151与p侧供电电极152或p侧辅助电极153电连接的多个（该例中为7个）p侧连接电极154。
在本实施方式的p侧供电部150中，p侧透明导电层151以覆盖p型半导体层140的上表面之中的、将周缘部除外的大致整个面的方式形成。
另外，本实施方式的p侧供电部150中，作为第2供电电极的一例的p侧供电电极152，配置在半导体发光元件1的上表面之中的、长度方向上的一端侧（图1中为右侧）且宽度方向上的中央部，从上面侧看时呈圆形。在p侧供电电极152的上表面，没有层叠保护绝缘层180（例如参照图3），p侧供电电极152在外部露出。并且，p侧供电电极152被用于使用了未图示的接合线等的与外部的电连接。
此外，在本实施方式的p侧供电部150中，p侧辅助电极153具有：一端侧与p侧供电电极152一体化，并且另一端侧沿半导体发光元件1的长度方向延伸的L字状的p侧第1辅助电极153a；和一端侧与p侧供电电极152一体化，并且另一端侧沿半导体发光元件1的长度方向延伸的L字状的p侧第2辅助电极153b。在此，本实施方式中，p侧第1辅助电极153a在半导体发光元件1的宽度方向一端侧（图1中的上部侧）偏向存在，并且p侧第2辅助电极153b在半导体发光元件1的宽度方向另一端侧（图1中的下部侧）偏向存在而配置，由此p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b不直接接触。并且，在该p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b的上表面，层叠有保护绝缘层180（例如参照图2、图4）。另外，本实施方式中，在p侧供电电极152的下方设置有1个p侧连接电极154，在p侧第1辅助电极153a的下方设置有3个p侧连接电极154，在p侧第2辅助电极153b的下方设置有3个p侧连接电极154。
另一方面，n侧供电部160具备：在供电绝缘层170上形成的n侧供电电极162和n侧辅助电极163；以及经由贯通供电绝缘层170、p侧供电部150中的p侧透明导电层151、p型半导体层140、发光层130和n型半导体层120中的n覆盖层122的孔，将n型半导体层120中的n接触层121和n侧供电电极162或n侧辅助电极163电连接的多个（该例中为3个）n侧连接电极164。
在本实施方式的n侧供电部160中，作为第1供电电极的一例的n侧供电电极162，配置在半导体发光元件1的上表面之中的、长度方向上的一端侧（图1中为左侧）且宽度方向上的中央部，从上面侧看时呈半圆形。另外，在n侧供电电极162的上表面，没有层叠保护绝缘层180（例如参照图3），n侧供电电极162在外部露出。并且，n侧供电电极162被用于经由未图示的接合线等的与外部的电连接。
另外，在本实施方式的n侧供电部160中，作为第1辅助电极的一例的n侧辅助电极163，仅设置了一个一端侧与n侧供电电极162一体化，并且另一端侧沿半导体发光元件1的长度方向且朝向p侧供电电极152延伸的电极。由此，n侧辅助电极163配置在由p侧供电部150中的p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b夹住的区域。并且，在n侧辅助电极163的上表面，层叠有保护绝缘层180（例如参照图3）。另外，在本实施方式中，在n侧供电电极162的下方设置有1个n侧连接电极164，在n侧辅助电极163的下方设置有2个n侧连接电极164。
在此，在与作为第1连接电极的一例的各n侧连接电极164对应地设置的多个孔的各自的侧壁上，设置有上述的供电绝缘层170。由此，各n侧连接电极164至少与p侧透明导电层151、p型半导体层140和发光层130不直接接触。另一方面，在该多个孔各自的下端部，没有设置供电绝缘层170，各n侧连接电极164和n接触层121直接接触。
并且，本实施方式中，例如图1所示那样从上面侧看时，2个p侧连接电极154和1个n侧连接电极164以呈三角形的方式配置，或者，1个p侧连接电极154和2个n侧连接电极164以呈三角形的方式配置。再者，在半导体发光元件1中，p侧供电部150（p侧透明导电层151、p侧供电电极152、p侧辅助电极153和p侧连接电极154）和n侧供电部160（n侧供电电极162、n侧辅助电极163和n侧连接电极164），其配置被规定，使得二者没有直接接触。
另外，供电绝缘层170具有：厚膜部172，其设置在成为构成p侧供电部150的p侧供电电极152和p侧辅助电极153的下方的部位，以及成为构成n侧供电部160的n侧供电电极162和n侧辅助电极163的下方的部位；和薄膜部171，其设置在厚膜部172以外的部位，膜厚比厚膜部172薄。再者，对于供电绝缘层170中的薄膜部171和厚膜部172的关系稍后叙述。
此外，保护绝缘层180覆盖着将p侧供电部150中的p侧供电电极152和n侧供电部160中的n侧供电电极162除外的半导体发光元件1的上表面。
再者，在本实施方式的半导体发光元件1中，例如图2～图4所示那样，供电绝缘层170和保护绝缘层180，进一步覆盖发光层130和p型半导体层140的侧面。
在该半导体发光元件1中，以p侧供电部150中的p侧供电电极152作为正极，并且以n侧供电部160中的n侧供电电极162作为负极，通过从p侧供电电极152向n侧供电电极162流通电流，使发光层130发光。
本实施方式的半导体发光元件1，是将从发光层130输出的光从形成p侧供电部150和n侧供电部160的一侧取出的面朝上型的发光二极管。在此，本实施方式的半导体发光元件1中，构成p侧供电部150的p侧透明导电层151、p侧供电电极152、p侧辅助电极153和p侧连接电极154，以及构成n侧供电部160的n侧供电电极162和n侧辅助电极163，从发光层130看时，配置在与p型半导体层140相比的内侧。另外，从其他观点来看，本实施方式的半导体发光元件1中，在构成p侧供电部150的p侧透明导电层151、p侧供电电极152、p侧辅助电极153和p侧连接电极154的下方，以及构成n侧供电部160的n侧供电电极162和n侧辅助电极163的下方（但是，将n侧连接电极164的形成部位的下方除外），存在发光层130。
接着，一边参照图1～图4，一边对于半导体发光元件1的各构成要素，进行更详细的说明。
再者，在以下的说明中，关于作为化合物半导体和Ⅲ族氮化物半导体的一例的AlGaN、GaN、GaInN，有时以省略了各元素的组成比的形式记述。
<基板>
作为基板110，只要是Ⅲ族氮化物半导体晶体可在表面外延生长的基板，就没有特别限定，可以选择使用各种基板材料。例如，可以采用包含蓝宝石、SiC、GaN、硅等的基板材料。
另外，上述基板材料之中，优选透明基板，特别是采用以C面为主面的蓝宝石作为基板110，从品质、成本方面优选。在使用蓝宝石作为基板110的情况下，优选在蓝宝石的C面上，对表面实施凹凸加工，形成中间层（缓冲层）。
<中间层>
中间层优选是由多晶的AlxGa1-xN（0≤x≤1）构成的层，更优选为单晶的AlxGa1-xN（0≤x≤1）的层，例如，可以是由多晶的AlxGa1-xN（0≤x≤1）构成的厚度为10～500nm的层。再者，中间层具有缓和基板110与后述的基底层的晶格常数的差异，使在基板110的（0001）面（C面）上C轴取向了的单晶层的形成变容易的作用。因此，在中间层之上层叠单晶的基底层时，可以形成结晶性更好的叠层半导体层100。
<基底层>
作为基底层，可以采用AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x+y+z=1），采用AlxGa1-xN（0≤x＜1）时变得容易形成结晶性良好的基底层。
基底层的膜厚优选为0.1μm以上，设为该膜厚以上时容易得到结晶性良好的AlxGa1-xN层。上述优选填平凹凸加工基板的凹凸而平坦化的厚度。另外，基底层的膜厚优选为10μm以下。
<叠层半导体层>
含有Ⅲ族氮化物半导体而构成的叠层半导体层100，例如图2～图4所示那样，在基板110上，按顺序层叠n型半导体层120、发光层130和p型半导体层140的各层而构成。另外，n型半导体层120、发光层130和p型半导体层140的各层，也可以分别由多个半导体层构成。
在此，作为第1半导体层的一例的n型半导体层120，是以电子为载流子进行电传导的层，作为第2半导体层的一例的p型半导体层140，是以空穴为载流子进行电传导的层。在该例中，以电子为载流子的n型对应于第1导电类型，以空穴为载流子的p型对应于第2导电类型。
<n型半导体层>
n型半导体层120，由在基板110侧（该例中为基底层）层叠的n接触层121、和在n接触层121上层叠的n覆盖层122构成。但是，n接触层121也可兼作为n覆盖层122。另外，也可以将上述的基底层包含在n型半导体层120中。
n接触层121，是用于设置n侧供电部160（更具体的是n侧连接电极164）的层。作为n接触层121，优选采用AlxGa1-xN层（0≤x＜1，优选0≤x≤0.5，更优选0≤x≤0.1）。
n覆盖层122，是进行向发光层130的载流子（在此为电子）的注入和载流子的封入的层。n覆盖层可以由AlGaN、GaN、GaInN等形成。另外，也可以是这些结构的异质结或多次层叠了的超晶格结构。在将n覆盖层122由GaInN形成的情况下，优选带隙比后述的发光层130的GaInN大。
再者，在将n覆盖层122设为含有超晶格结构的层的情况下，也可以是包含下述结构的层，上述结构是由具有10nm以下的膜厚的Ⅲ族氮化物半导体构成的n侧第1覆盖层；和由组成与n侧第1覆盖层不同并且具有10nm以下的膜厚的Ⅲ族氮化物半导体构成的n侧第2覆盖层层叠而成的结构。
另外，n覆盖层122也可以是包含n侧第1覆盖层和n侧第2覆盖层交替层叠而成的结构的层，在该情况下，优选设为GaInN和GaN的交替结构或组成不同的GaInN彼此的交替结构。
<发光层>
作为发光层130，可以采用单量子阱结构或者多量子阱结构等。
作为量子阱结构的阱层，通常，采用由Ga1-yInyN（0＜y＜0.4）构成的Ⅲ族氮化物半导体层。作为阱层的膜厚，可以是可得到量子效应的程度的膜厚，例如1～10nm，优选为2～6nm时在发光输出方面优选。
另外，在多量子阱结构的发光层130的情况下，以上述Ga1-yInyN作为阱层，以带隙能比阱层大的AlzGa1-zN（0≤z＜0.3）作为势垒层。阱层和势垒层中可以掺杂杂质，也可以不掺杂。
<p型半导体层>
p型半导体层140，优选由层叠于发光层130的p覆盖层、和层叠于p覆盖层的p接触层构成。但是，p接触层也可以兼作为p覆盖层。
p覆盖层是进行向发光层130的载流子（在此为空穴）的封入和载流子的注入的层。作为p覆盖层，是比发光层130的带隙能大的组成，能够进行向发光层130的载流子的封入的层则没有特别限定，例如可以采用AlxGa1-xN（0＜x≤0.4）。
p覆盖层由这样的AlGaN构成时，在向发光层130的载流子的封入方面优选。p覆盖层的膜厚，没有特别限定，优选为1～400nm，更优选为5～100nm。
另外，p覆盖层也可以与上述的n覆盖层122同样设为多次层叠了的超晶格结构，该情况下，优选为AlGaN和组成不同的AlGaN的交替结构或者AlGaN和GaN的交替结构。
p接触层是用于设置p侧供电部150（更具体的是p侧透明导电层151）的层。p接触层优选为AlxGa1-xN（0≤x≤0.4）。p接触层中的Al组成为上述范围时，在能够维持良好的结晶性和维持与p侧透明导电层151的良好的欧姆接触方面优选。
p接触层的膜厚，没有特别限定，优选为10～500nm，更优选为50～200nm。将p接触层的膜厚设为该范围时，在能够降低正向电压Vf方面优选。
<p侧供电部150>
图5是表示实施方式1中的p侧供电部150的结构的一例的图。在此，图5表示了图3所示的区域Ⅴ即p侧供电电极152和p侧连接电极154的边界部的放大截面图。但是，与p侧供电电极152和p侧连接电极154一起构成p侧供电部150的p侧辅助电极153（p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b）、以及设置于p侧辅助电极153侧的p侧连接电极154（参照图2），也与它们具有相同的结构。
[p侧透明导电层]
p侧透明导电层151，以覆盖p型半导体层140的上表面之中的、将周缘部除外的大致整个面的方式形成。
p侧透明导电层151，优选采用与p型半导体层140取得欧姆接触，并且与p型半导体层140的接触电阻小的层。另外，该半导体发光元件1中，将来自发光层130的光经由p侧透明导电层151从保护绝缘层180侧取出，因此p侧透明导电层151优选采用光透射性优异的层。此外，为了使电流在p型半导体层140的整个面均匀扩散，p侧透明导电层151优选使用具有优异的导电性，并且电阻分布少的层。
再者，p侧透明导电层151的厚度可以从2nm～500nm的范围选择。在此，如果p侧透明导电层151的厚度比2nm薄，则有时与p型半导体层140难以取得欧姆接触，另外，如果p侧透明导电层151的厚度比500nm厚，则有时在对于从发光层130输出的光的光透射性方面不优选。
作为p侧透明导电层151，例如可以采用氧化物的导电性材料的、对于从发光层130射出的波长的光的光透射性好的层。对于从发光层130输出的波长的光的透射率优选为90%以上，希望是95%以上。特别地，含In的氧化物的一部分，与其他的透明导电膜相比在光透射性和导电性二者均优异方面优选。作为含有In的导电性的氧化物，例如可列举IZO（氧化铟锌（In2O3-ZnO））、ITO（氧化铟锡（In2O3-SnO2））、IGO（氧化铟镓（In2O3-Ga2O3））、ICO（氧化铟铈（In2O3-CeO2））等。再者，它们之中，例如添加氟等的掺杂剂也没关系。另外，例如也可以采用不含有In的氧化物，例如掺杂了载流子的SnO2、ZnO2、TiO2等的导电性材料。
通过采用该技术领域公知的惯用手段设置这些材料，可以形成p侧透明导电层151。并且，形成p侧透明导电层151后，通过实施热处理促进结晶化，p侧透明导电层151的光透射率上升，并且薄膜电阻下降，由此变得容易取得欧姆接触。
在本实施方式中，p侧透明导电层151可以使用结晶化了的结构的层，特别是可以优选使用含有具有六方晶体结构或方铁锰矿（bixbyite）结构的In2O3晶体的透光性材料（例如IZO、ITO等）。
另外，作为用于p侧透明导电层151的膜，优选使用比电阻低的组成。例如，IZO中的ZnO浓度优选为1～20质量%，更优选为5～15质量%的范围，特别优选为10质量%。
此外，p侧透明导电层151，从提高得到的膜的密合性的观点来看，希望采用例如溅射法形成。
[p侧供电电极、p侧辅助电极和p侧连接电极]
p侧供电部150中的p侧供电电极152、p侧辅助电极153和p侧连接电极154，通过从接近于成为连接对象的p侧透明导电层151的一侧依次层叠p侧第1供电层1501、p侧第2供电层1502和p侧第3供电层1503来构成。在本实施方式中，p侧第1供电层1501由TaN构成，p侧第2供电层1502由Pt构成，p侧第3供电层1503由Au构成。另外，p侧第1供电层1501的膜厚为1nm左右，p侧第2供电层1502的膜厚为100nm左右，p侧第3供电层1503的膜厚为1000nm左右。
它们之中，p侧第1供电层1501，作为具有电导性，并且用于提高与供电绝缘层170的密合性的密合层发挥功能。另外，p侧第2供电层1502，作为具有电导性，防止构成p侧第1供电层1501的TaN向p侧第3供电层1503侧扩散，并且防止构成p侧第3供电层1503的Au向p侧第1供电层1501侧扩散的扩散防止层发挥功能。此外，p侧第3供电层1503，作为具有电导性，具有化学稳定性，并且例如用于在p侧供电电极152与外部的电连接的表面层发挥功能。
另外，本实施方式中，p侧连接电极154从上方看时呈圆形（参照图1），其直径约为10μm，具有随着接近于p侧透明导电层151直径变小的锥状的截面形状。并且，p侧连接电极154中的侧壁的倾斜角度约为80°。
<n侧供电部160>
图6是表示实施方式1中的n侧供电部160的结构的一例的图。再者，图6表示了图3所示的区域Ⅵ即n侧供电电极162和n侧连接电极164的边界部的放大截面图。但是，与n侧供电电极162和n侧连接电极164一起构成n侧供电部160的n侧辅助电极163、以及设置于n侧辅助电极163侧的n侧连接电极164（参照图3），也具有与它们相同的结构。
[n侧供电电极、n侧辅助电极和n侧连接电极]
n侧供电部160中的n侧供电电极162、n侧辅助电极163和n侧连接电极164，通过从接近于成为连接对象的n型半导体层120中的n接触层121的一侧依次层叠n侧第1供电层1601、n侧第2供电层1602、n侧第3供电层1603来构成。在本实施方式中，n侧第1供电层1601由TaN构成，n侧第2供电层1602由Pt构成，n侧第3供电层1603由Au构成。另外，n侧第1供电层1601的膜厚为1nm左右，n侧第2供电层1602的厚度为100nm左右，n侧第3供电层1603的厚度为1000nm左右。
它们之中，n侧第1供电层1601，作为具有电导性，并且用于提高与供电绝缘层170的密合性的密合层发挥功能。另外，n侧第2供电层1602，作为具有电导性，防止构成n侧第1供电层1601的TaN向n侧第3供电层1603侧扩散，并且防止构成n侧第3供电层1603的Au向n侧第1供电层1601侧扩散的扩散防止层发挥功能。此外，n侧第3供电层1603，作为具有电导性，具有化学稳定性，并且例如用于在n侧供电电极162中与外部的电连接的表面层发挥功能。
这样，本实施方式中，p侧供电部150中的p侧供电电极152、p侧辅助电极153和p侧连接电极154，以及n侧供电部160中的n侧供电电极162、n侧辅助电极163和n侧连接电极164，具有相同的结构。
另外，在本实施方式中，n侧连接电极164从上方看时呈圆形（参照图1），其直径约为10μm，具有随着接近于n接触层121直径变小的锥状的截面形状。并且，n侧连接电极164的侧壁的倾斜角度约为80°。
<供电绝缘层>
图7是表示图1～图4等所示的供电绝缘层170的结构的一例的图。在此，图7表示图2中的区域Ⅶ的放大截面图。但是，图7中记载了设置在供电绝缘层170的下方的p侧透明导电层151，另一方面，对于设置在供电绝缘层170的上方的各层省略其记载。
本实施方式中，作为透明绝缘层的一例的供电绝缘层170，具有对于从发光层130输出的光的透射性、和将p侧供电部150与n侧供电部160电绝缘的绝缘性。作为构成供电绝缘层170的材料，例如可以使用SiO2（氧化硅）、MgF2（氟化镁）、CaF2（氟化钙）、Si3N4（氮化硅）、Al2O3（氧化铝）。再者，该例中，作为供电绝缘层170，使用了绝缘性高、折射率小（1.4～1.5）、而且耐湿性优异的SiO2（二氧化硅）。
另外，本实施方式的供电绝缘层170，如上所述，具有作为第1透明绝缘部的一例的薄膜部171、和作为第2透明绝缘部的一例的厚膜部172。在此，在将薄膜部171的膜厚设为第1厚度t1，将厚膜部172的膜厚设为第2厚度t2时，二者具有t1＜t2的关系。在供电绝缘层170中，薄膜部171的第1厚度t1，由从发光层130输出的光的波长中难以发生全反射的值中选择。另一方面，厚膜部172的第2厚度t2，由从发光层130输出的光的波长中容易发生全反射的值中选择。因此，第1厚度t1和第2厚度t2也可能具有t1＞t2的关系。再者，本实施方式中，从发光层130输出的光的波长为450nm，以及供电绝缘层170具有上述的折射率，由此第1厚度t1被设定为87nm，第2厚度t2被设定为150nm。
此外，本实施方式的供电绝缘层170，不仅将p侧供电部150和n侧供电部160电绝缘，也具有将p型半导体层140以及发光层130和n侧供电部160电绝缘的功能。并且，供电绝缘层170也具备用于使从p侧供电部150对于p型半导体层140的供电位置分散的功能。
<保护绝缘层>
本实施方式中，保护绝缘层180与供电绝缘层170同样，具有对于从发光层130输出的光的透射性、和将p侧供电部150与n侧供电部160电绝缘的绝缘性。作为构成保护绝缘层180的材料，例如可以使用SiO2（氧化硅）、MgF2（氟化镁）、CaF2（氟化钙）、Si3N4（氮化硅）、Al2O3（氧化铝）。再者，该例中，作为保护绝缘层180，与供电绝缘层170同样使用了SiO2（二氧化硅）。在此，保护绝缘层180的膜厚优选为90nm左右。（发光装置）
图8是表示搭载了图1等所示的半导体发光元件1的发光装置30的结构的一例的图。在此，图8（a）表示发光装置30的俯视图，图8（b）是图8（a）的ⅧB-ⅧB截面图。再者，图8所示的发光装置30也有时称为「发光芯片」或者「灯」。
该发光装置30具备：在一侧形成有凹部31a的框体31；形成于框体31的由引线框构成的p引线部32和n引线部33；安装在凹部31a的底面的半导体发光元件1；和以覆盖凹部31a的方式设置的密封部34。再者，在图8（a）中，省略了密封部34的记载。
作为基部的一例的框体31，通过在包含作为第2配线的一例的p引线部32和作为第1配线的一例的n引线部33的金属引线部上，将白色的热塑性树脂射出成型来形成。
p引线部32和n引线部33为具有0.1～0.5mm左右的厚度的金属板，以作为加工性、热传导性优异的金属的例如铁/铜合金作为基体，在其上作为镀层层叠数μm的镍、钛、金、银等而构成。并且，本实施方式中，p引线部32和n引线部33的一部分在凹部31a的底面露出。另外，p引线部32和n引线部33的一端部侧在框体31的外侧露出，并且，从框体31的外壁面向里面侧弯曲。
另外，半导体发光元件1，介由基板110（参照图2），通过粘接等被安装在凹部31a的底部的中央部。此外，p引线部32和在半导体发光元件1中的p侧供电电极152（参照图1），通过未图示的接合线电连接，n引线部33和在半导体发光元件1中的n侧供电电极162（参照图1），通过未图示的接合线电连接。
并且，密封部34由在可见光区域的波长中光透射率高的透明树脂构成。作为满足构成密封部34的耐热性、耐候性和机械强度高的特性的树脂，例如可以使用环氧树脂或硅树脂。并且，本实施方式中，构成密封部34的透明树脂中，含有将从半导体发光元件1射出的光的一部分转变为绿色光和红色光的荧光体。再者，也可以替代这样的荧光体，含有将蓝色光的一部分转变为黄色光的荧光体，或者，将蓝色光的一部分转变为黄色光和红色光的荧光体。另外，作为密封部34，采用不含有荧光体的透明树脂也没关系。
再者，装入了本实施方式的发光装置30的背光源、移动电话、显示器、各种面板类、计算机、游戏机、照明等的电子设备、装入了这些电子设备的汽车等的机械装置，成为具备具有优异的发光特性的半导体发光元件1的设备。特别地，在背光源、移动电话、显示器、游戏机、照明等的进行电池驱动的电子设备中，可以提供具备具有优异的发光特性的半导体发光元件1的优异制品，从而优选。另外，具备半导体发光元件1的发光装置30的结构，并不限定于图8所示的结构，也可以采用例如被称为炮弹型的封装结构。
那么，对于图8所示的发光装置30以及装入到发光装置30的本实施方式的半导体发光元件1的发光动作进行说明。
在发光装置30中，对于半导体发光元件1，从p引线部32向n引线部33流通电流时，半导体发光元件1中，从p侧供电部150经由p型半导体层140、发光层130和n型半导体层120（从n覆盖层122向n接触层121），向n侧供电部160流通电流。此时，p侧供电部150中，从p侧供电电极152直接或者经由p侧辅助电极153（p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b），向7个p侧连接电极154供给电流，从各p侧连接电极154经由p侧透明导电层151向p型半导体层140流通电流。另一方面，n侧供电部160中，从n型半导体层120中的n接触层121向3个n侧连接电极164流通电流，从它们之中的2个n侧连接电极164经由n侧辅助电极163，以及从剩余的1个n侧连接电极164直接向n侧供电电极162流通电流。与此相伴，发光层130输出对应于其组成的光（例如蓝色光）。
并且，从发光层130输出的光，输出到半导体发光元件1的外部，其一部分通过密封部34所含的荧光体变换为其他颜色（红色和绿色）。其后，含有蓝色光、绿色光和红色光的光直接或者在设置于框体31的凹部31a的内壁面反射后，从密封部34的上表面输出到发光装置30的外部。
接着，对于在图1等所示的半导体发光元件1中，从发光层130输出的光的行为进行说明。
在半导体发光元件1中，从发光层130，主要输出向p型半导体层140侧的光、和向n型半导体层120侧的光。
它们之中，从发光层130向n型半导体层120侧的光，在例如n接触层121（实际是基底层）和基板110的边界部，由于二者折射率的不同而被反射。另外，进入到基板110内的光，在基板110和p引线部32、n引线部33的边界部被反射。并且，这些反射了的光经由发光层130射向p型半导体层140侧。
另外，从发光层130向p型半导体层140侧的光，经由p型半导体层140和p侧透明导电层151到达供电绝缘层170。在此，到达了供电绝缘层170之中的薄膜部171的光，通过薄膜部171，并且还通过保护绝缘层180射出到外部。与此相对，到达了供电绝缘层170之中的厚膜部172的光，被厚膜部172反射，经由p侧透明导电层151和p型半导体层140朝向发光层130侧。并且，通过被厚膜部172反射而到达了发光层130的光，与从发光层130向n型半导体层120的光一同向基板110侧行进，其后，通过上述那样的过程被反射，再次经由发光层130向p型半导体层140侧行进，经由p侧透明导电层151、供电绝缘层170的薄膜部171和保护绝缘层180射出到外部。
在此，本实施方式中，在n侧供电部160中将多个n侧连接电极164电连接的n侧供电电极162和n侧辅助电极163，从发光层130看设置在p侧供电部140的背面侧，因此变得无需为了将它们连接而刮掉发光层130。因此，能够抑制相同面积的半导体发光元件1中的发光层130的面积的减少，作为结果，变得能够抑制输出的光量的降低。
而且，本实施方式中，通过在p型半导体层140的上方，在p侧供电部150中的p侧供电电极152和p侧辅助电极153（p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b）的下方（但是，将p侧连接电极154的形成部位除外）、以及n侧供电部160中的n侧供电电极162和n侧辅助电极163的下方（但是，将n侧连接电极164的形成部位除外），设置供电绝缘层170中的厚膜部172，由此将从发光层130向上述各部的光利用厚膜部172反射。由此，从发光层130输出的光，难以被上述各部吸收，能够进一步抑制输出的光量的下降。特别地，本实施方式中，作为p侧供电部150和n侧供电部160中的密合层（p侧第1供电层1501和n侧第1供电层1601）采用呈现茶褐色或黑色的TaN，变得容易吸收从发光层130输出的光，因此这样的结构的应用是有效的。
并且，本实施方式中，通过在p型半导体层140的上方，没有成为p侧供电电极152、p侧辅助电极153、n侧供电电极162和n侧辅助电极163的下方的部位，设置供电绝缘层170中的薄膜部171，由此从发光层130向这些部位的光，在薄膜部171透射。由此，从发光层130输出的光，容易输出到外部，能够进一步抑制输出的光量的下降。
＜实施方式2＞
实施方式1中，构成n侧供电部的n侧供电电极162、n侧辅助电极163和n侧连接电极164，全部由金属材料构成。与此相对，本实施方式中，n侧供电部160之中的n侧供电电极162由金属材料构成，另一方面，n侧辅助电极163和n侧连接电极164由透明导电材料构成。再者，在本实施方式中，对于与实施方式1同样的元件附带相同的标记，省略其详细说明。
图9是实施方式2中的半导体发光元件1的俯视图的一例。另外，图10是图9中的Ⅹ-Ⅹ截面图，图11是图9中的Ⅺ-Ⅺ截面图，图12是图9中的Ⅻ-Ⅻ截面图。
本实施方式的半导体发光元件1具备：基板110；在基板110之上层叠的n型半导体层120（n接触层121和n覆盖层122）；在n型半导体层120之上层叠的发光层130；和在发光层130之上层叠的p型半导体层140。另外，半导体发光元件1具备：与p型半导体层140电连接的p侧供电部150；和与n型半导体层120电连接的n侧供电部160。此外，半导体发光元件1，在p侧供电部150和n侧供电部160之间，具备：将该p侧供电部150和n侧供电部160电绝缘的供电绝缘层170；和保护发光层130等不受从外部要进入半导体发光元件1的内部的水分的影响，并且将p侧供电部150和n侧供电部160电绝缘的保护绝缘层180。再者，在图9中，省略了本来位于最上层（最前侧）的保护绝缘层180的记载。
在此，p侧供电部150具备：在p型半导体层140之上层叠并且成为供电绝缘层170的叠层对象的p侧透明导电层151；在供电绝缘层170上形成的p侧供电电极152和p侧辅助电极153；以及经由贯通供电绝缘层170的孔，将p侧透明导电层151和p侧供电电极152或p侧辅助电极153电连接的多个（该例中为3个）p侧连接电极154。
在本实施方式的p侧供电部150中，p侧透明导电层151以覆盖p型半导体层140的上表面之中的、将周缘部除外的大致整个面的方式形成。
另外，在本实施方式的p侧供电部150中，p侧供电电极152，配置在半导体发光元件1的上表面之中的、长度方向上的一端侧（图9中为右侧）且宽度方向上的中央部，从上面侧看时呈圆形。在p侧供电电极152的上表面，没有层叠保护绝缘层180（例如参照图11），p侧供电电极152在外部露出。
此外，在本实施方式的p侧供电部150中，p侧辅助电极153，仅设置了一个一端侧与p侧供电电极152一体化，并且另一端侧沿半导体发光元件1的长度方向且朝向n侧供电电极162延伸的电极。并且，在p侧辅助电极153的上表面，层叠有保护绝缘层180（例如参照图11）。另外，本实施方式中，在p侧供电电极152的下方设置1个p侧连接电极154，在p侧辅助电极153的下方设置2个p侧连接电极154。
另一方面，n侧供电部160具备：n侧透明导电层161，其是横跨供电绝缘层170之上、和贯通供电绝缘层170、p侧供电部150中的p侧透明导电层151、p型半导体层140、发光层130及n型半导体层120中的n覆盖层122的多个孔（该例中为4个）的内部而形成的；以及n侧供电电极162，其是在位于供电绝缘层170上的n侧透明导电层161之上形成的。
在本实施方式的n侧供电部160中，n侧透明导电层161，以覆盖供电绝缘层170的上表面之中的、将p侧供电部150中的p侧供电电极152和p侧辅助电极153的形成部位（更具体地讲，是供电绝缘层170之中的与p侧供电电极152和p侧辅助电极153对应地设置的厚膜部172的形成部位）除外的大致整个面的方式形成。
另外，在本实施方式的n侧供电部160中，n侧供电电极162，配置在半导体发光元件1的上表面之中的、长度方向上的另一端侧（图9中为左侧）且宽度方向上的中央部，从上面侧看时呈圆形。在n侧供电电极162的上表面，没有层叠保护绝缘层180（例如参照图11），n侧供电电极162在外部露出。
在此，在本实施方式中，n侧透明导电层161之中，在供电绝缘层170之上形成的部位作为n侧辅助电极163发挥功能，在4处孔的内部形成的部位分别作为n侧连接电极164（在该例中为4个）发挥功能。因此，上述的n侧供电电极162，以在作为n侧辅助电极163发挥功能的n侧透明导电层161之上，与n侧透明导电层161电连接的状态配置。
另外，在与构成各n侧连接电极164的n侧透明导电层161对应地设置的多个孔的每一个的侧壁上，设置有上述的供电绝缘层170。由此，各n侧连接电极164至少与p侧透明导电层151、p型半导体层140和发光层130不直接接触。另一方面，在该多个孔分别的下端部，没有设置供电绝缘层170，各n侧连接电极164和n接触层121直接接触。
再者，该例中，在n侧供电电极162的下方未设置n侧连接电极164，但与实施方式1同样地在n侧供电电极162的下方设置n侧连接电极164也没关系。
另外，本实施方式中，供电绝缘层170中的厚膜部172，设置在成为构成p侧供电部150的p侧供电电极152和p侧辅助电极153的下方的部位，以及成为构成n侧供电部160的n侧供电电极162的下方的部位，薄膜部171设置在厚膜部172以外的部位。因此，本实施方式中，在构成n侧供电部160的n侧辅助电极163的下方（将n侧供电电极162的形成部位的下方除外）配置有供电绝缘层170中的薄膜部171，这点与实施方式1不同。
此外，保护绝缘层180覆盖将p侧供电部150中的p侧供电电极152和n侧供电部160中的n侧供电电极162除外的半导体发光元件1的上表面。该例中，在与n侧连接电极164对应地设置的4个孔的内部，也层叠有保护绝缘层180。
再者，在本实施方式的半导体发光元件1中，例如图10～图12所示那样，供电绝缘层170、n侧透明导电层161和保护绝缘层180还覆盖发光层130和p型半导体层140的侧面。但是，由于存在供电绝缘层170，n侧透明导电层161与n型半导体层120的侧面、发光层130和p型半导体层140不直接接触。
那么，对在本实施方式中作为特征的构成要素的n侧透明导电层161，进行更详细说明。
[n侧透明导电层]
n侧透明导电层161，优选采用与n型半导体层120中的n接触层121取得欧姆接触，并且与n接触层121的接触电阻小的层。另外，该半导体发光元件1中，来自发光层130的光，经由n侧透明导电层161从保护绝缘层180侧取出，因此n侧透明导电层161优选采用光透射性良好的层。此外，为了使电流遍及n型半导体层120的整个面均匀地扩散，n侧透明导电层161优选使用具有优异的导电性，并且电阻分布少的层。
再者，n侧透明导电层161的厚度可以从2nm～500nm的范围选择。在此，n侧透明导电层161的厚度比2nm薄时，有时与n接触层121难以取得欧姆接触，另外，n侧透明导电层161的厚度比500nm厚时，有时在对于从发光层130输出的光的光透射性方面不优选。
作为构成n侧透明导电层161的材料，可以利用实施方式1中p侧透明导电层151的部分说明的材料。再者，本实施方式中，n侧透明导电层161采用与p侧透明导电层151相同的材料构成。
再者，本实施方式中的n侧供电电极162的构成，与实施方式1同样，将包含TaN的n侧第1供电层1601、包含Pt的n侧第2供电层1602、和包含Au的n侧第3供电层1603层叠而构成。因此，在本实施方式中，p侧供电部150中的p侧供电电极152、p侧辅助电极153和p侧连接电极154、n侧供电部160中的n侧供电电极162，具有共同的构成。
本实施方式的半导体发光元件1，与实施方式1中说明的同样地可以装入图8所示的发光装置30中使用。以下，对于图8所示的发光装置30、以及装入发光装置30的本实施方式的半导体发光元件1的发光动作进行说明。
在发光装置30中，对于半导体发光元件1，从p引线部32向n引线部33流通电流时，半导体发光元件1中，从p侧供电部150经由p型半导体层140、发光层130和n型半导体层120（从n覆盖层122到n接触层121），向n侧供电部160流通电流。此时，p侧供电部150中，从p侧供电电极152直接或者经由p侧辅助电极153，向3个p侧连接电极154供给电流，从各p侧连接电极154经由p侧透明导电层151向p型半导体层140流通电流。另一方面，n侧供电部160中，从n型半导体层120中的n接触层121向4个n侧连接电极164流通电流，从4个n侧连接电极164经由n侧辅助电极163向n侧供电电极162流通电流。改变看法的话，则n侧供电部160中，从n接触层121中的4个部位（各孔的形成处），经由n侧透明导电层161向n侧供电电极162流通电流。与此相伴，发光层130输出对应于其组成的光（例如蓝色光）。
并且，从发光层130输出的光，输出到半导体发光元件1的外部，其中一部分被密封部34所含的荧光体变换为其他颜色（红色和绿色）。其后，包含蓝色光、绿色光和红色光的光直接或者在设置于框体31的凹部31a的内壁面反射后，从密封部34的上表面输出到发光装置30的外部。
接着，对于在图9等所示的半导体发光元件1中，从发光层130输出的光的行为进行说明。
在半导体发光元件1中，从发光层130，主要输出向p型半导体层140侧的光、和向n型半导体层120侧的光。
它们之中，从发光层130向n型半导体层120的光，例如在n接触层121（实际是基底层）和基板110的边界部，由于二者折射率的不同而被反射。另外，进入到基板110内的光，在基板110和p引线部32或n引线部33的边界部被反射。并且，这些反射的光经由发光层130射向p型半导体层140侧。
另外，从发光层130向p型半导体层140侧的光，经由p型半导体层140和p侧透明导电层151到达供电绝缘层170。在此，到达了供电绝缘层170之中的薄膜部171的光，通过薄膜部171，并且还通过n侧透明导电层161（n侧辅助电极163）和保护绝缘层180射出到外部。与此相对，到达了供电绝缘层170之中的厚膜部172的光，在厚膜部172被反射，经由p侧透明导电层151和p型半导体层140向发光层130侧。并且，由于被厚膜部172反射而到达了发光层130的光，与从发光层130向n型半导体层120的光一同向基板110侧行进，其后，通过上述那样的过程被反射，再次经由发光层130向p型半导体层140侧行进，经由p侧透明导电层151、供电绝缘层170的薄膜部171、n侧透明导电层161和保护绝缘层180射出到外部。
在此，本实施方式中，在n侧供电部160中将多个n侧连接电极164电连接的n侧供电电极162和n侧辅助电极163，从发光层130看设置在p侧供电部140的背面侧，因此无需为了将它们连接而刮掉发光层130。因此，能够抑制相同面积的半导体发光元件1中的发光层130的面积的减少，作为结果，变得能够抑制输出的光量的降低。
另外，本实施方式中，将n侧供电部160中的n侧辅助电极163和多个n侧连接电极164由透明导电材料构成，并且在n侧辅助电极163的背面侧配置供电绝缘层170中的薄膜部171，因此与实施方式1的情况相比，能够使从发光层130向n侧辅助电极163的光原样地透射。因此，能够降低在半导体发光元件1内反复反射的光量，相应地，能够使光的输出提高。
另外，在本实施方式中，在n侧供电部160之中由金属材料构成的n侧供电电极162的背面侧，与实施方式1同样地配置供电绝缘层170中的厚膜部172，因此从发光层130向n侧供电电极162的光被厚膜部172反射，从而难以被n侧供电电极162吸收，相应地能够进一步抑制输出的光量的下降。
＜实施方式3＞
本实施方式与实施方式2大致相同，但半导体发光元件1中的p侧供电部150和n侧供电部160的构成和配置，与实施方式2的构成和配置不同。再者，在本实施方式中，对于与实施方式2同样的元件附带相同的标记，省略其详细说明。
图13是实施方式3中的半导体发光元件1的俯视图的一例。另外，图14是图13中的ⅩⅣ-ⅩⅣ截面图，图15是图13中的ⅩⅤ-ⅩⅤ截面图，图16是图13中的ⅩⅥ-ⅩⅥ截面图。
本实施方式的半导体发光元件1具备：基板110；在基板110之上层叠的n型半导体层120（n接触层121和n覆盖层122）；在n型半导体层120之上层叠的发光层130；在发光层130之上层叠的p型半导体层140。另外，半导体发光元件1具备：与p型半导体层140电连接的p侧供电部150；和与n型半导体层120电连接的n侧供电部160。此外，半导体发光元件1具备：在p侧供电部150和n侧供电部160之间，将该p侧供电部150和n侧供电部160电绝缘的供电绝缘层170；和保护发光层130等不受从外部要进入半导体发光元件1的内部的水分影响，并且将p侧供电部150和n侧供电部160电绝缘的保护绝缘层180。再者，在图13中，省略了本来位于最上层（最前侧）的保护绝缘层180的记载。
在此，p侧供电部150具备：在p型半导体层140上层叠并且成为供电绝缘层170的叠层对象的p侧透明导电层151；在供电绝缘层170上形成的p侧供电电极152和p侧辅助电极153；以及经由贯通供电绝缘层170的孔，将p侧透明导电层151和p侧供电电极152或p侧辅助电极153电连接的多个（该例中为7个）p侧连接电极154。
在本实施方式的p侧供电部150中，p侧透明导电层151以覆盖p型半导体层140的上表面之中的、将周缘部除外的大致整个面的方式形成。
另外，在本实施方式的p侧供电部150中，p侧供电电极152配置在半导体发光元件1的上表面之中的、长度方向上的一端侧（图13中为右侧）且宽度方向上的中央部，从上面侧看时呈圆形。另外，在呈圆形的p侧供电电极152的上表面，没有层叠保护绝缘层180（例如参照图15），p侧供电电极152在外部露出。
此外，在本实施方式的p侧供电部150中，p侧辅助电极153具有：一端侧与p侧供电电极152一体化，并且另一端侧沿半导体发光元件1的长度方向延伸的L字状的p侧第1辅助电极153a；和一端侧与p侧供电电极152一体化，并且另一端侧沿半导体发光元件1的长度方向延伸的L字状的p侧第2辅助电极153b。在此，本实施方式中，p侧第1辅助电极153a在半导体发光元件1的宽度方向一端侧（图13中为上部侧）偏向存在，并且p侧第2辅助电极153b在半导体发光元件1的宽度方向另一端侧（图13中为下部侧）偏向存在而配置，由此，p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b不直接接触。并且，在该p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b的上表面，层叠有保护绝缘层180（例如参照图14、图16）。另外，在本实施方式中，在p侧供电电极152的下方设置有1个p侧连接电极154，在p侧第1辅助电极153a的下方设置有3个p侧连接电极154，在p侧第2辅助电极153b的下方设置有3个p侧连接电极154。
另一方面，n侧供电部160具备：n侧透明导电层161，其是横跨供电绝缘层170之上、和贯通供电绝缘层170、p侧供电部150中的p侧透明导电层151、p型半导体层140、发光层130及n型半导体层120中的n覆盖层122的多个孔（该例中为2个）的内部而形成的；和n侧供电电极162，其是在位于供电绝缘层170上的n侧透明导电层161之上形成的。
在本实施方式的n侧供电部160中，n侧透明导电层161以覆盖供电绝缘层170的上表面之中的、将p侧供电部150的形成部位（更具体地讲，是供电绝缘层170之中的与p侧供电电极152和p侧辅助电极153对应地设置的厚膜部172的形成部位）除外的大致整个面的方式形成。
另外，在本实施方式的n侧供电部160中，n侧供电电极162配置在半导体发光元件1的上表面之中的、长度方向上的另一端侧（图13中为左侧）且宽度方向中的中央部（由构成p侧供电部150的p侧第1辅助电极153a和p侧第2辅助电极153b夹住的区域），从上面侧看时呈圆形。另外，在n侧供电电极162的上表面，没有层叠保护绝缘层180（例如参照图15），n侧供电电极162在外部露出。
在此，本实施方式中，n侧透明导电层161之中的、形成于供电绝缘层170之上的部位作为n侧辅助电极163发挥功能，形成于2处孔的内部的部位分别作为n侧连接电极164（该例中为2个）发挥功能。因此，上述的n侧供电电极162，以在作为n侧辅助电极163发挥功能的n侧透明导电层161之上，与n侧透明导电层161电连接的状态配置。
另外，在与构成各n侧连接电极164的n侧透明导电层161对应地设置的多个孔的每一个的侧壁，设置有上述的供电绝缘层170。由此，各n侧连接电极164至少与p侧透明导电层151、p型半导体层140和发光层130不直接接触。另一方面，在该多个孔的下端部，没有设置供电绝缘层170，各n侧连接电极164和n接触层121直接接触。
再者，该例中，在n侧供电电极162的下方没有设置n侧连接电极164，但与实施方式1同样地在n侧供电电极162的下方设置n侧连接电极164也没关系。
另外，在本实施方式中，供电绝缘层170中的厚膜部172，设置在成为构成p侧供电部150的p侧供电电极152和p侧辅助电极153的下方的部位，以及成为构成n侧供电部160的n侧供电电极162的下方的部位，薄膜部171设置在厚膜部172以外的部位。
此外，保护绝缘层180覆盖将p侧供电部150中的p侧供电电极152和n侧供电部160中的n侧供电电极162除外的半导体发光元件1的上表面。该例中，在与n侧连接电极164对应地设置的2个孔的内部，也层叠有保护绝缘层180。
再者，在本实施方式的半导体发光元件1中，例如图14～图16所示那样，供电绝缘层170、n侧透明导电层161和保护绝缘层180还覆盖发光层130和p型半导体层140的侧面。但是，由于存在供电绝缘层170，n侧透明导电层161与n型半导体层120的侧面、发光层130和p型半导体层140不直接接触。
本实施方式的半导体发光元件1，与实施方式1中说明的同样，可以装入图8所示的发光装置30中使用。其中，在图8所示的发光装置30中装入本实施方式的半导体发光元件1情况的发光动作的内容，基本上与实施方式2中说明的相同，因此在此省略其详细说明。
再者，实施方式1～3中，以作为化合物半导体含有Ⅲ族氮化物半导体的半导体发光元件1为例进行了说明，但并不限定于此，也可以是含有Ⅲ-Ⅴ族半导体或Ⅱ-Ⅵ族半导体的半导体发光元件。
附图标记说明
1...半导体发光元件、30...发光装置、110...基板、120...n型半导体层、121...n接触层、122...n覆盖层、130...发光层、140...p型半导体层、150...p侧供电部、151...p侧透明导电层、152...p侧供电电极、153...p侧辅助电极、153a...p侧第1辅助电极、153b...p侧第2辅助电极、154...p侧连接电极、160...n侧供电部、161...n侧透明导电层、162...n侧供电电极、163...n侧辅助电极、164...n侧连接电极、170...供电绝缘层、171...薄膜部、172...厚膜部、180...保护绝缘层、1501...p侧第1供电层、1502...p侧第2供电层、1503...p侧第3供电层、1601...n侧第1供电层、1602...n侧第2供电层、1603...n侧第3供电层、t1...第1厚度、t2...第2厚度。

Claims (6)

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：
第1半导体层，其由具有第1导电类型的化合物半导体构成；
发光层，其在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置，由化合物半导体构成并且通过通电而发光；
第2半导体层，其在所述发光层上与该发光层接触地设置，由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成；
第1供电电极，其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与所述第1半导体层电连接；
第2供电电极，其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与该第2半导体层电连接；和
透明绝缘层，其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧，由具有对于从所述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成，并将所述第1供电电极和所述第2供电电极电绝缘，
所述透明绝缘层，具有：
第1透明绝缘部，其被设定为从所述发光层输出的光容易透射的第1厚度，从所述发光层看配置在所述第2半导体层的背面侧、且所述第1供电电极和所述第2供电电极不存在的部位；和
第2透明绝缘部，其被设定为从所述发光层输出的光容易反射的第2厚度，配置在所述第2半导体层和所述第1供电电极之间以及该第2半导体层和所述第2供电电极之间。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，还具有：第1连接电极，所述第1连接电极经由贯通所述透明绝缘层、所述第2半导体层和所述发光层的孔，与所述第1半导体层电连接；和第1辅助电极，所述第1辅助电极从该发光层看设置在该第2半导体层的背面侧，将该第1连接电极和所述第1供电电极电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，
所述第1辅助电极由金属构成，
所述第2透明绝缘部还配置在所述第2半导体层和所述第1辅助电极之间。
4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第1连接电极和所述第1辅助电极由透明导电材料构成，所述透明导电材料具有电导性和对于从所述发光层输出的光的透射性。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，
所述化合物半导体包含Ⅲ族氮化物半导体，
所述第1半导体层直接或者隔着其他层在基板之上层叠。
6.一种发光装置，其特征在于，包含形成有第1配线和第2配线的基部、和对于该基部面朝上连接的半导体发光元件，
所述半导体发光元件，具备：
第1半导体层，其由具有第1导电类型的化合物半导体构成；
发光层，其在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置，由化合物半导体构成并且通过通电而发光；
第2半导体层，其在所述发光层上与该发光层接触地设置，由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成；
第1供电电极，其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与所述第1半导体层电连接，还与设置在所述基部的所述第1配线电连接；
第2供电电极，其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧，由金属构成并且与所述第2半导体层电连接，还与设置在所述基部的所述第2配线电连接；和
透明绝缘层，其从所述发光层看设置在所述第2半导体层的背面侧，由具有对于从所述发光层输出的波长的光的透射性的材料构成，并将所述第1供电电极和所述第2供电电极电绝缘，
所述透明绝缘层，具有：
第1透明绝缘部，其被设定为从所述发光层输出的光容易透射的第1厚度，从所述发光层看配置在所述第2半导体层的背面侧、且所述第1供电电极和所述第2供电电极不存在的部位；和
第2透明绝缘部，其被设定为从所述发光层输出的光容易反射的第2厚度，配置在所述第2半导体层和所述第1供电电极之间以及该第2半导体层和所述第2供电电极之间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104810440A (zh) * 2015-05-12 2015-07-29 杭州士兰明芯科技有限公司 一种倒装led芯片及其制作方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106463578B (zh) * 2014-05-08 2019-11-22 Lg伊诺特有限公司 发光器件
KR20160017905A (ko) * 2014-08-07 2016-02-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
CN105895758A (zh) * 2014-10-23 2016-08-24 北京中科天顺信息技术有限公司 发光二极管、发光二极管模块及其制作方法
KR20160051394A (ko) * 2014-11-03 2016-05-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
JP6545981B2 (ja) 2015-03-12 2019-07-17 アルパッド株式会社 半導体発光装置
DE102015111130B9 (de) 2015-07-09 2022-09-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
JP6519464B2 (ja) * 2015-12-24 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光素子及びその製造方法
DE102018124341A1 (de) * 2018-10-02 2020-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement mit vergrößerter aktiver Zone und Verfahren zur Herstellung
US11282984B2 (en) * 2018-10-05 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101438423A (zh) * 2006-05-19 2009-05-20 普瑞光电股份有限公司 发光二极管的低光损失电极结构
CN101794804A (zh) * 2009-01-22 2010-08-04 索尼公司 发光元件
WO2012067311A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311677A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP4330476B2 (ja) * 2004-03-29 2009-09-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
JP4956928B2 (ja) 2004-09-28 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP4777757B2 (ja) * 2005-12-01 2011-09-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US8022419B2 (en) * 2005-12-19 2011-09-20 Showa Denko K.K. Flip-chip type semiconductor light-emitting device, method for manufacturing flip-chip type semiconductor light-emitting device, printed circuit board for flip-chip type semiconductor light-emitting device, mounting structure for flip-chip type semiconductor light-emitting device, and light-emitting diode lamp
JP5082504B2 (ja) * 2006-03-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP5486759B2 (ja) * 2006-04-14 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP5130730B2 (ja) * 2007-02-01 2013-01-30 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
CN102779918B (zh) 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
TW200919768A (en) * 2007-10-19 2009-05-01 Huga Optotech Inc Semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
US7911397B2 (en) 2008-04-02 2011-03-22 Apple Inc. Antennas for electronic devices
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
JP5713650B2 (ja) * 2009-12-08 2015-05-07 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光素子およびその製造方法
JP5637210B2 (ja) * 2010-06-25 2014-12-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP2012028495A (ja) 2010-07-22 2012-02-09 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置
JP5170325B2 (ja) * 2010-07-23 2013-03-27 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP5633477B2 (ja) 2010-08-27 2014-12-03 豊田合成株式会社 発光素子
TW201216517A (en) * 2010-10-06 2012-04-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device and manufacturing method thereof
KR101194844B1 (ko) * 2010-11-15 2012-10-25 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP5605189B2 (ja) * 2010-11-26 2014-10-15 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP5777879B2 (ja) 2010-12-27 2015-09-09 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP5582054B2 (ja) * 2011-02-09 2014-09-03 豊田合成株式会社 半導体発光素子
KR101883842B1 (ko) * 2011-12-26 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
JP5633056B2 (ja) * 2011-12-28 2014-12-03 豊田合成株式会社 半導体発光素子、発光装置
JP5720601B2 (ja) * 2012-02-14 2015-05-20 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP2014160736A (ja) 2013-02-19 2014-09-04 Toshiba Corp 半導体発光装置及び発光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101438423A (zh) * 2006-05-19 2009-05-20 普瑞光电股份有限公司 发光二极管的低光损失电极结构
CN101794804A (zh) * 2009-01-22 2010-08-04 索尼公司 发光元件
WO2012067311A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104810440A (zh) * 2015-05-12 2015-07-29 杭州士兰明芯科技有限公司 一种倒装led芯片及其制作方法
CN104810440B (zh) * 2015-05-12 2018-11-09 杭州士兰明芯科技有限公司 一种倒装led芯片及其制作方法

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