CN103779272A - 晶体管阵列及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶体管阵列，包括基底以及共用该基底的若干个晶体管单元，所述晶体管单元包括：位于所述基底上的底电极和底电极连出线；所述底电极上的压电体，所述压电体为压电材料；所述压电体上的顶电极。相应地，本发明还提供一种晶体管阵列的制备方法。所述晶体管阵列的晶体管单元是两端器件，晶体管单元的顶电极和底电极之间采用具有压电性质的压电体，通过加在晶体管单元上的应力应变对晶体管阵列器件中晶体管单元的载流子输运过程进行有效地调控或触发。

Description

晶体管阵列及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件，特别涉及一种应用在压力传感成像方面的晶体管阵列及其制备方法。
背景技术
在透明柔性衬底上大规模地集成微小的功能单元对于传感器、能量采集和人机互动等领域有着重大的意义。目前基于柔性电子学的压力传感领域的研究热点之一是尽量减小衬底材料的弯曲形变对于制得的微纳压力传感器性能的影响。现有的压力传感技术多是基于平面型场效应晶体管。虽然此类技术十分成熟，但鉴于场效应晶体管单元的三端结构，通常不仅需要比较复杂的集成工艺，而且基于此类技术的晶体管阵列的压力传感器件缺乏外界环境与电子器件直接作用交互的机制。
另外，现有基于平面型场效应晶体管的柔性压力传感器器件的集成密度也受每个单元尺寸的影响，通常能达到的单元尺寸在几百微米量级，这严重影响了压力传感器集成密度和空间分辨率。
发明内容
本发明的目的是提供一种电学性能直接受到外界机械作用调控的晶体管阵列。
为实现上述目的，本发明提供一种晶体管阵列，包括基底以及共用该基底的若干个晶体管单元，所述晶体管单元包括：
位于所述基底上的底电极和底电极连出线；
所述底电极上的压电体，所述压电体为压电材料；
所述压电体上的顶电极。
优选地，所述晶体管单元的压电体具有极化取向。
优选地，所述晶体管单元的压电体的所述极化取向基本垂直与所述基底平面。
优选地，所述晶体管阵列中，每个所述晶体管单元的压电体的所述极化方向基本相同。
优选地，所述晶体管阵列的晶体管单元之间还包括柔性绝缘填充层，所述柔性绝缘填充层的上表面至少露出所述晶体管单元的顶电极。
优选地，所述晶体管单元还包括顶电极连出线，所述顶电极连出线用于将所述顶电极连出所述晶体管阵列。
优选地，所述晶体管阵列还包括封装层，所述封装层位于所述柔性绝缘填充层上，所述封装层使所述晶体管单元裸露在所述柔性绝缘填充层上表面的部分被封装。
优选地，所述晶体管单元的压电体为ZnO、GaN、CdS、InN、InGaN、CdTe、CdSe或ZnSnO3或锆钛酸铅的纳米线、纳米棒或薄膜，或者聚偏氟乙烯纳米纤维。
优选地，所述压电体为纳米线、纳米棒或纳米纤维，所述压电体的轴线方向基本垂直于底电极或基底表面。
优选地，所述晶体管单元在平行基底方向的截面尺寸为25平方微米或更小。
优选地，所述晶体管单元之间的距离为几微米至几毫米。
优选地，所述晶体管单元为轴线基本垂直于基底的圆柱形、四棱柱、六棱柱或不规则柱形。
优选地，每个所述晶体管单元的压电体采用相同的压电材料。
优选地，包括若干个相同的所述晶体管单元。
优选地，所述基底为柔性或硬性基底。
优选地，所述晶体管单元的顶电极和/或底电极采用导电氧化物、石墨烯或银纳米线涂层中的一种，或者采用金、银、铂、铝、镍、铜、钛、烙、硒或其合金中的一种。
相应的，本发明还提供一种晶体管阵列制备方法，包括步骤：
提供基底；
在所述基底上制备包括多个底电极的底电极阵列，以及底电极连出线；
在所述底电极上制备压电体，多个所述压电体形成压电体阵列；
在所述压电体上制备顶电极，多个所述顶电极形成顶电极阵列。
优选地，在所述底电极上制备压电体步骤之后还包括步骤：
在所述压电体之间制备柔性绝缘填充层，所述压电体的顶部暴露在所述柔性绝缘填充层外。
优选地，所述在所述压电体上制备顶电极步骤为：
在所述压电体和所述柔性绝缘填充层上制备所述顶电极和顶电极连出线，其中，所述顶电极制备在所述压电体上，顶电极连出线与所述顶电极电连接。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
本发明提供的晶体管阵列，包括基底以及共用该基底的若干个晶体管单元，所述晶体管单元包括：位于所述基底上的底电极和底电极连出线；所述底电极上的压电体，所述压电体为压电材料；所述压电体上的顶电极。区别与现有的采用场效应晶体管的压电感应晶体管阵列，本发明的晶体管阵列的晶体管单元是两端器件，由外加应力或应变调控晶体管单元的顶电极和底电极之间的传输性质，而不是场发射晶体管的门电压。当在晶体管阵列上施加应力或应变或者压强驱动使晶体管单元产生形变时，采用压电材料的压电体也会发生相应的形变，进而在压电体内部产生一端（底端）为正一端（顶端）为负的压电电势场。产生的压电电势场可以对晶体管单元中底电极（源极）或顶电极（漏极）附近的压电体和电极材料之间的界面势垒有效地调控，起到与场效应晶体管中施加在栅极的门电压相似的作用，通过加在晶体管单元上的应力应变对器件中的载流子输运过程进行有效地调控或触发。施加在不同晶体管单元上的应力或应变不同时，使压电体的形变也不同，进而使相应晶体管单元的传输性质不同，通过记录不同晶体管单元的传输性质变化可以记录应力或应变的强度以及应力或应变的空间分布
使晶体管阵列的压电体内部产生压电电势的机械驱动可以是由空气或水的流动，机器引擎的运转转动，人体运动、肌肉伸缩、呼吸、心跳或是血液流动等产生的机械振动信号。因此，本发明的晶体管阵列作为压力感应装置具有广阔的应用范围。
本发明的晶体管阵列中晶体管单元的结构简单并且可以单独访问，而且晶体管单元的尺寸可以达到25平方微米或更小，晶体管单元之间的距离可以为50微米或更小，作为压力感应成像器件，其空间分辨率明显高于现有场效应晶体管阵列的分辨率。另外，晶体管单元中的压电体采用压电纳米线、纳米棒、薄膜或纳米纤维，对压力的响应敏感，晶体管单元的压力分辨率可以达到1千帕或更小。
附图说明
通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为晶体管阵列实施例一的俯视示意图；
图2为晶体管阵列实施例一的截面结构示意图；
图3和图4为晶体管阵列实施例二的结构示意图；
图5为晶体管阵列制备方法的流程图；
图6至图10为晶体管阵列制备过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。
现有的压力传感技术多是基于平面型场效应晶体管，由于场效应晶体管单元的三端结构，通常不仅需要比较复杂的集成工艺，而且基于此类技术的晶体管阵列的压力传感器件缺乏外界环境与电子器件直接作用交互的机制。另外，现有基于平面型场效应晶体管的柔性压力传感器器件的集成密度也受每个单元尺寸的影响，通常能达到的单元尺寸在几百微米量级，这严重影响了压力传感器集成密度和空间分辨率。为了克服现有技术的缺点，本发明提供一种晶体管阵列，晶体管阵列由共用同一基底的多个独立工作的晶体管单元组成，所述晶体管单元的结构为金属、压电体和金属结构。本发明是利用垂直生长或放置的压电体（纳米压电材料）制成三维大规模压电电子学晶体管阵列，利用压电体受应力作用而产生的压电电势对制得的压电电子学晶体管的载流子输运进行有效调控，实现了利用压电势作为栅极电压调控晶体管的导通情况，以及实现了由应变、应力或压强驱动和控制的电子器件、纳微机电器件和传感器的新方法。
为使本发明的技术方案更清楚，下面结合附图详细介绍本发明的实施例。
实施例一：
本实施例的晶体管阵列参见图1和图2，其中，图1为晶体管阵列的俯视示意图，图2为晶体管阵列截面的结构示意图，包括基底100以及共用基底100的若干个（m×n个，m和n为任意大于等于1的自然数）晶体管单元200，其中，晶体管单元包括：位于基底100上的底电极201和底电极连出线（在图中未显示）、底电极201上的压电体202和压电体202上的顶电极203。压电体202采用压电材料，可以选择ZnO、GaN、CdS、InN、InGaN、CdTe、CdSe或ZnSnO3或锆钛酸铅（PZT）等材料的纳米线、纳米棒或薄膜，或者聚偏氟乙烯(PVDF，poly(vinylidene fluoride))纳米纤维。优选为，每个晶体管单元的压电体材料相同，即晶体管阵列中，所有晶体管单元的压电体采用相同的压电材料。压电体优选为具有压电性的纳米线、纳米棒或纳米纤维，压电体与底电极或基底的取向优选为压电体的轴线方向基本垂直于底电极或基底。
对于晶体管单元中的压电体，优选为压电体具有极化取向。可以通过生长方法获得单晶或者沉积方法获得多晶材料，现有的材料制备方法可以实现获得具有一致极化取向的材料，例如气相法或液相法沉积获得的c轴取向的ZnO纳米线作为压电体。由于c轴为ZnO的极化方向，当晶体管阵列受到应力或应变时，晶体管单元的压电体ZnO也会发生相应的变形，进而在ZnO内部沿着c轴方向产生一端为正一端为负的压电电势场。
在本发明的晶体管阵列，晶体管单元中压电体优选为具有极化取向，并且所述压电体材料的极化取向基本垂直于基底表面。例如晶体管阵列中，晶体管单元的压电体为c轴极化取向的ZnO纳米线，并且ZnO纳米线的c轴垂直于基底。更优选的，晶体管阵列中，每个晶体管单元的压电体的极化方向基本相同，这种结构使每个晶体管单元中的压电体的极化方向相同或相近，每个晶体管单元如果材料相同，对外界应力或应变的响应能力接近，则每个晶体管单元的性能也基本相同。
本实施例中，基底100可以为柔性或硬性基底，可以采用聚酰亚胺（polyimide）或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等柔性材料，也可以采用硅片或陶瓷之类的非柔性（硬性）材料。
晶体管单元200的底电极201和底电极连出线可以采用导电氧化物、石墨烯或银纳米线涂层中的一种，或者采用金、银、铂、铝、镍、铜、钛、烙、硒或其合金中的一种；底电极连出线的材料可以与底电极材料相同，底电极连出线的作用是将底电极引出晶体管阵列器件外，为晶体管单元的底电极连接外电路，例如晶体管单元的工作电源和测量设备等。顶电极203也可以采用导电氧化物、石墨烯或银纳米线涂层中的一种，或者采用金、银、铂、铝、镍、铜、钛、烙、硒或其合金中的一种。顶电极203和底电极201的材料可以相同，也可以不同，在这里不做限定。在实际使用中，采用常用的引出电气通路的方法将底电极和顶电极引出晶体管阵列，在每个晶体管单元的顶电极和底电极之间连接外电路。
图1所示的晶体管阵列中晶体管单元200的形状不限于图中所示的轴线垂直于基底表面的四棱柱，还可以为轴线基本垂直于基底表面的圆柱形或六棱柱等，以及不规则的柱状。晶体管阵列中，晶体管单元的横截面尺寸可以为25平方微米或更小，晶体管单元之间的距离可以为50微米或更小。
晶体管阵列中，优选为每个晶体管单元的尺寸、形状和材料相同。
场发射晶体管包括源极、漏极和栅极，由施加在栅极的门电压控制源极和漏极之间的沟道的宽度，对于三维垂直纳米线压电晶体管阵列的结构中，需要制备环绕栅极，这样的结构在制备技术上难度较大。
区别于现有的压电晶体管阵列，本发明的晶体管阵列的晶体管单元是两端器件，对顶电极和底电极之间的传输性质的控制由门电压转为外加应力或应变，也就是由外加应力或应变代替现有晶体管的第三端施加的门电压。当在晶体管阵列上施加应力或应变或者压强驱动而使晶体管单元产生形变时，采用压电材料的压电体也会发生相应的形变，进而在压电体内部产生一端为正一端为负的压电电势场。使压电体内部产生压电电势的机械驱动可以是由空气或水的流动，机器引擎的运转转动，人体运动、肌肉伸缩、呼吸、心跳或是血液流动等产生的机械振动信号。产生的压电电势场可以对晶体管单元中底电极（源极）或顶电极（漏极）附近的压电体和电极材料之间的界面势垒有效地调控，起到与场效应晶体管中施加在栅极的门电压相似的作用，通过加在晶体管单元上的应力应变对器件中的载流子输运过程进行有效地调控或触发。施加在不同晶体管单元上的应力或应变不同时，使压电体的形变也不同，进而使相应晶体管单元的传输性质不同，通过记录不同晶体管单元的传输性质可以记录应力或应变的强度和空间分布。
本实施例中采用只有两端的晶体管单元形成晶体管阵列，而且晶体管单元垂直与基底，是一种压电电子学晶体管，这样的结构不仅实现了机械压力与电子器件的直接交互，而且三维垂直压电晶体管阵列的结构也规避了传统三维垂直纳米线晶体管中难以实现的环绕栅电极的制备。
由于每个晶体管单元具有独立的顶电极和底电极，可以通过外围接口电路对每个晶体管单元进行独立寻址访问。本实施例中的晶体管阵列中，晶体管单元在平行基底表面方向的截面尺寸可以达到25平方微米或更小，晶体管单元之间的距离可以为50微米或更小，作为压力感应器件，其空间分辨率明显高于现有场效应晶体管阵列的分辨率。另外，晶体管单元中的压电体采用压电纳米线、纳米棒、薄膜或纳米纤维，对压力的响应敏感，晶体管单元的压力分辨率可以达到1千帕或更小。
实施例二：
参见图3，本实施例与实施例一的区别在于，在晶体管单元200之间填充柔性绝缘填充层300。柔性绝缘填充层300的填充高度可以略低于晶体管单元的压电体202，柔性绝缘填充层300的上表面至少露出晶体管单元200的顶电极203，参见图3中所示。本实施例中晶体管阵列的其他部分与实施例一中相同，在这里不再重复。
柔性绝缘填充层的材料可以采用聚二甲硅氧烷（PDMS）、SU-8环氧树脂或其他柔性绝缘材料。柔性绝缘填充层可以起到增强晶体管阵列器件机械强度和延长器件工作寿命的作用。
另外，为了保护晶体管阵列的机械结构，本实施例的晶体管阵列还可以包括封装层，可以将晶体管阵列中的顶电极进行封装。参见图4，将晶体管单元的顶电极电连接的顶电极连出线（即电气通路，在图中未示出）引出后在晶体管阵列的顶部用封装层400进行封装，封装层400位于柔性绝缘填充层300上，晶体管阵列中晶体管单元裸露在柔性绝缘填充层300上表面的部分被封装在封装层400内。这里所述的晶体管单元裸露在柔性绝缘填充层上表面的部分至少包括晶体管单元的顶电极203和顶电极连出线（图中未示出），以及未被柔性绝缘填充层材料包裹住的晶体管单元的压电体顶部。这样，晶体管阵列中，晶体管单元整体被封装在柔性绝缘填充层300和封装层400内。封装层400的材料可以为聚二甲硅氧烷（PDMS）等常用半导体封装材料，封装层可以增强晶体管阵列器件的机械强度，以及避免晶体管阵列器件受到外界环境中湿度等因素的影响。
本实施例中，顶电极连出线也可以采用导电氧化物、石墨烯或银纳米线涂层中的一种，或者金、银、铂、铝、镍、铜、钛、烙、硒或其合金中的一种。顶电极203和顶电极连出线的材料可以相同，也可以不同，在这里不做限定。每个晶体管单元的顶电极连出线和底电极连出线用于连接该晶体管单元的外电路。
本发明的晶体管阵列中，作为晶体管单元的顶电极、顶电极连出线、底电极或底电极连出线的导电氧化物可以为铟锡金属氧化物（ITO），掺铝氧化锌（AZO），掺镓氧化锌（GZO）和铟镓共掺氧化锌（IGZO）等导电氧化物材料。
实施例三：
本实施例中提供一种晶体管阵列的制备方法，图5为晶体管阵列制备方法的流程图，包括：
步骤S10，提供基底；
步骤S20，在所述基底上制备包括多个底电极的底电极阵列，以及每个底电极的连出线；
步骤S30，在所述底电极上制备压电体，多个所述压电体形成压电体阵列；
步骤S40，在所述压电体上制备顶电极，多个所述顶电极形成顶电极阵列。
下面结合附图具体介绍晶体管阵列的制备过程，包括以下步骤：
首先，提供基底。基底的材料可以为聚酰亚胺（polyimide）或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等柔性材料，也可以为硅片和陶瓷等非柔性材料。
在基底上制备包括多个底电极的底电极阵列，以及每个底电极的连出线。参见图6，在基底10上通过半导体加工工艺中的光刻掩膜和金属淀积技术，在基底材料上按设计图案选择性地淀积底电极阵列20，以及每个底电极的连出线（图中未显示）。底电极阵列中，每个底电极的尺寸、形状以及底电极之间的距离根据晶体管阵列的设计要求决定。底电极连出线的布线方式可以采用集成电路的布线方式，在这里不做特别限定。底电极连出线的作用是将晶体管单元的底电极电连接至晶体管阵列外，与其他驱动或测量设备等外电路连接。
在底电极上制备压电体，多个所述压电体形成压电体阵列。参见图7，首先，通过半导体加工工艺中的光刻掩膜和薄膜淀积技术，在前述制得的底电极20上按设计图案选择性地淀积压电体的籽晶材料。例如压电体采用ZnO纳米线，则籽晶材料也选择ZnO。然后，利用气相法或液相法在前述淀积了籽晶层的底电极20上沿竖直方向生长出具有一致极化取向的压电材料，形成压电体30，多个压电体30形成压电体阵列。例如采用常规水热合成方法在底电极20上的ZnO籽晶层上生长c轴取向的ZnO纳米线压电体。压电体的直径为几百纳米至几微米，长度为几百纳米至几十微米。单独一个压电体中可以包括一根或多根纳米线或纳米棒。
在底电极20上制备压电体30的步骤也可以采用微加工技术，将预先制备好的纳米材料放置在底电极上。
为了增强晶体管阵列的机械强度和延迟器件工作寿命，可以在底电极上制备压电体步骤之后还包括步骤：在压电体之间制备柔性绝缘填充层，所述压电体的顶部暴露在柔性绝缘填充层外。具体参见图8，可以利用半导体加工工艺中的甩膜技术在前述制得的器件上均匀甩一层厚度合适的填充材料，填充材料的厚度至少使底电极20和压电体30被填充材料掩盖，填充材料优选柔性绝缘填充材料，如聚二甲硅氧烷（PDMS）或SU-8环氧树脂等。将填充材料进行如加热或曝光等处理使其机械强度达到要求范围后，利用等离子体干法刻蚀技术将填充材料顶部均匀除去合适厚度后，将前述制得的压电体30的顶部露出适当高度，剩余的填充材料形成柔性绝缘填充层40。
在压电体上制备顶电极，多个所述顶电极形成顶电极阵列。该步骤中在制备顶电极时可以同时制备顶电极连出线，用于将顶电极引出晶体管阵列。参见图9，利用半导体加工工艺中的光刻掩膜和金属淀积技术，在前述制得的压电体阵列顶部和绝缘柔性填充层上按设计图案选择性地淀积顶电极50以及顶电极连出线（图中未显示），使得顶电极50制备在压电体上，顶电极连出线制备在所述柔性绝缘填充层上。顶电极与压电材料形成的压电体顶部形成电学接触。多个顶电极50形成顶电极阵列，完成晶体管阵列的制备。
制备顶电极连出线的步骤也可以在顶电极制备步骤之后单独进行。
为了增强晶体管阵列的机械强度，在前述制得的晶体管阵列器件的表面覆盖一层聚二甲硅氧烷（PDMS）等封装层60，将晶体管单元露出柔性绝缘填充层上表面的部分封装，参见图10，晶体管单元的顶电极50、顶电极连出线和压电体30露出柔性绝缘填充层40的部分封装在封装层60内。
为前述制得的晶体管阵列的晶体管单元的顶电极连出线和底电极的连出线之间接通电源，可以通过多通道电学测量系统对晶体管阵列器件内的每一个晶体管单元的电学性质进行检测。当外界环境中的机械信号（如空气或水的流动，机器引擎的运转转动，人体运动、肌肉伸缩、呼吸、心跳或是血液流动等产生的机械振动信号）作用于晶体管阵列器件时，由于机械应变引起的压电电势的存在，受机械应力作用的每个晶体管单元中的压电体的电学性质发生变化。多通道电学测量系统记录该变化，通过将采集得到的电学参数值和相应的晶体管单元对应，并利用诸如Matlab等处理软件进行绘图处理，即可得到对外界环境机械信号（如应力）的传感和成像信息。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (19)

1.一种晶体管阵列，其特征在于，包括基底以及共用该基底的若干个晶体管单元，所述晶体管单元包括：
位于所述基底上的底电极和底电极连出线；
所述底电极上的压电体，所述压电体为压电材料；
所述压电体上的顶电极。
2.根据权利要求1所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元的压电体具有极化取向。
3.根据权利要求2所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元的压电体的所述极化取向基本垂直与所述基底平面。
4.根据权利要求2或3所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管阵列中，每个所述晶体管单元的压电体的所述极化方向基本相同。
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管阵列的晶体管单元之间还包括柔性绝缘填充层，所述柔性绝缘填充层的上表面至少露出所述晶体管单元的顶电极。
6.根据权利要求5所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元还包括顶电极连出线，所述顶电极连出线用于将所述顶电极连出所述晶体管阵列。
7.根据权利要求6所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管阵列还包括封装层，所述封装层位于所述柔性绝缘填充层上，所述封装层使所述晶体管单元裸露在所述柔性绝缘填充层上表面的部分被封装。
8.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元的压电体为ZnO、GaN、CdS、InN、InGaN、CdTe、CdSe或ZnSnO3或锆钛酸铅的纳米线、纳米棒或薄膜，或者聚偏氟乙烯纳米纤维。
9.根据权利要求8所述的晶体管阵列，其特征在于，所述压电体为纳米线、纳米棒或纳米纤维，所述压电体的轴线方向基本垂直于底电极或基底表面。
10.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元在平行基底方向的截面尺寸为25平方微米或更小。
11.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元之间的距离为几微米至几毫米。
12.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元为轴线基本垂直于基底的圆柱形、四棱柱、六棱柱或不规则柱形。
13.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，每个所述晶体管单元的压电体采用相同的压电材料。
14.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，包括若干个相同的所述晶体管单元。
15.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，所述基底为柔性或硬性基底。
16.根据权利要求1-7任一项所述的晶体管阵列，其特征在于，所述晶体管单元的顶电极和/或底电极采用导电氧化物、石墨烯或银纳米线涂层中的一种，或者采用金、银、铂、铝、镍、铜、钛、烙、硒或其合金中的一种。
17.一种晶体管阵列制备方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上制备包括多个底电极的底电极阵列，以及底电极连出线；
在所述底电极上制备压电体，多个所述压电体形成压电体阵列；
在所述压电体上制备顶电极，多个所述顶电极形成顶电极阵列。
18.根据权利要求17所述的晶体管阵列的制备方法，其特征在于，在所述底电极上制备压电体步骤之后还包括步骤：
在所述压电体之间制备柔性绝缘填充层，所述压电体的顶部暴露在所述柔性绝缘填充层外。
19.根据权利要求18所述的晶体管阵列的制备方法，其特征在于，所述在所述压电体上制备顶电极步骤为：
在所述压电体和所述柔性绝缘填充层上制备所述顶电极和顶电极连出线，其中，所述顶电极制备在所述压电体上，顶电极连出线与所述顶电极电连接。
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