CN103762294A - 具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法 - Google Patents
具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103762294A CN103762294A CN201410054232.5A CN201410054232A CN103762294A CN 103762294 A CN103762294 A CN 103762294A CN 201410054232 A CN201410054232 A CN 201410054232A CN 103762294 A CN103762294 A CN 103762294A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- ntc
- sintering
- temperature sensing
- aluminium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 40
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 3
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 abstract 4
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 abstract 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011469 building brick Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法，该陶瓷基板包括分割成多个COB封装基板的氧化铝陶瓷基板；每个COB封装基板上靠近预定贴装LED裸片的位置上均烧结有NTC传感器，每个NTC传感器上丝印有保护釉；氧化铝陶瓷基板上印刷有分别与LED裸片电连接的正极电源线和负极电源线，且氧化铝陶瓷基板上还印刷有分别与NTC传感器电连接的正极引线和负极引线。本发明将NTC传感器烧结在氧化铝陶瓷基板上，使得该陶瓷基板具有感温功能，能够输出LED裸片的温度信号，在工作时NTC传感器把感温信号输出给驱动电源，驱动电源根据LED裸片的工作温度调节电源功率输出，保证LED光源始终工作在安全温度以下。
Description
技术领域
本发明涉及COB封装领域，尤其涉及一种具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法。
背景技术
陶瓷COB（chip on board）封装因其高密度、大功率、低成本的优势已经成为LED封装的发展趋势。由于LED发光芯片固有的负温度系数特性，需采用恒流输出的驱动电源，或者采用正温度系数补偿方案，防止LED裸片过热烧毁或者因过热而降低寿命。目前一般都采用恒流输出电源，但比恒压输出电源效率低10%以上，成本高30%以上；采用正温度系数补偿方案的效率更低。恒压源的效率虽然较高，但无法保证LED光源始终工作在安全温度以下，需要电源根据LED 的工作温度调整输出电压。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种成本低、工作安全、工序简单的具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法，保证了测温的可靠性。
为实现上述目的，本发明提供一种具有温感功能的陶瓷基板，包括分割成多个COB封装基板的氧化铝陶瓷基板；每个COB封装基板上靠近预定贴装LED裸片的位置上均烧结有NTC传感器，每个NTC传感器上丝印有保护釉；所述氧化铝陶瓷基板上印刷有分别与LED裸片电连接的正极电源线和负极电源线，且所述氧化铝陶瓷基板上还印刷有分别与NTC传感器电连接的正极引线和负极引线。
其中，所述NTC传感器由NTC陶瓷浆料丝印而成。
其中，所述保护釉为玻璃釉。
为实现上述目的，本发明还提供一种具有温感功能的陶瓷基板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、丝印NTC陶瓷浆料：在氧化铝陶瓷基板的每个COB封装基板上靠近预定贴装LED裸片的位置上均丝印NTC陶瓷浆料；
步骤2，第一次烧结：将丝印好NTC陶瓷浆料的氧化铝陶瓷基板置于烘箱中，经过第一次烧结使NTC陶瓷浆料形成NTC传感器，并与氧化铝陶瓷基板烧结为一体；
步骤3，第二次烧结：采用银浆在每个COB封装基板上丝印LED裸片的互连导线，并经过第二次烧结后，在每个COB封装基板上均形成银导电线路；
步骤4，第三次烧结：在NTC传感器上丝印上保护釉，经过第三次烧结并包封，使得该氧化铝陶瓷基板具有感温功能。
其中，所述步骤3中的互连导线包括分别与LED裸片电连接的正极电源线及负极电源线和分别与NTC传感器电连接的正极引线及负极引线。
其中，所述步骤2中的烧结温度在1150-1250℃之间，烧结时间在60-120分钟之间。
其中，所述步骤3中的烧结温度在830-890℃之间，烧结时间在15-30分钟之间。
其中，所述步骤4中的烧结温度在500-850℃之间。
与现有技术相比，本发明提供的具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法，具有以下有益效果：
1）将NTC传感器烧结在氧化铝陶瓷基板上，使得该陶瓷基板具有感温功能，能够输出LED裸片的温度信号，在工作时NTC传感器把感温信号输出给驱动电源，驱动电源根据LED裸片的工作温度调节电源功率输出，保证LED光源始终工作在安全温度以下；这种驱动模式还可补偿市电电压变化和环境温度变化产生的影响，确保LED光源工作的可靠性；
2）NTC传感器在靠近预定贴装LED裸片的位置设置，不仅保证了测温的可靠性，而且就简化了LED发光组件的组装；
3）该制作方法只需增加极少的生产工序，使LED光源组装工序简化、所需设备少，达到了成本低廉的效果；
4）本发明不仅可用于LED发光组件的COB封装，而且可用于其他需要温度检测的陶瓷印制电路板，以满足高功率密度电子组件的需要。
附图说明
图1为本发明中丝印有NTC传感器的氧化铝陶瓷基板的结构图；
图2为本发明中完成了银导电线路的陶瓷基板的结构图；
图3为本发明中分割后单个COB封装基板的结构图；
图4为本发明中贴装了LED裸片并完成引线键合的陶瓷基板的结构图；
图5为本发明中分割后的单个COB封装基板中LED发光组件的结构图；
图6为本发明的制作流程图。
主要元件符号说明如下：
10、氧化铝陶瓷基板 11、NTC传感器
12、正极电源线 13、负极电源线
14、正极引线 15、负极引线
16、LED裸片 17、键合引线
18、COB密封胶 100、COB封装基板
具体实施方式
为了更清楚地表述本发明，下面结合附图对本发明作进一步地描述。
请参阅图1-5，本发明提供的具有温感功能的陶瓷基板，包括分割成多个COB封装基板100的氧化铝陶瓷基板10；每个COB封装基板100上靠近预定贴装LED裸片16的位置上均烧结有NTC传感器11，每个NTC传感器11上丝印有保护釉(图未示)；氧化铝陶瓷基板10上印刷有分别与LED裸片16电连接的正极电源线12和负极电源线13，且氧化铝陶瓷基板10上还印刷有分别与NTC传感器11电连接的正极引线14和负极引线15。
本发明是将该氧化铝陶瓷基板10分割为8行5列的矩形状COB封装基板100。当然，本发明并不局限于上述的分割方式，还可以可以根据实际情况对氧化铝陶瓷基板10的分割方式进行改变，如果是对氧化铝陶瓷基板10分割方式的改变，均落入本发明的保护范围内。
在本实施例中，正极电源线12和负极电源线13均呈弧形状，且正极电源线12和负极电源线13对称印刷后围合成预定贴装LED裸片16的位置。本发明最佳的实施方式是将正负极电源线印刷成弧形状的。当然，本发明并不局限于上述的形状，还可以可以根据实际情况对正负极电源线的形状进行改变，如果是对正负极电源的形状的改变，均落入本发明的保护范围内。
在本实施例中，正极电源线12和负极电源线13之间形成一间隙，NTC传感器11置于该间隙内。这种印刷方式不仅方便上述导线的印刷，合理利用空间，而且加快印制导线的固化。当然，也可以根据实际情况对导线位置的改变。
在本实施例中，NTC传感器11由NTC陶瓷浆料丝印而成。在每个COB封装基板100上靠近预定贴装LED裸片16的位置上，丝印NTC陶瓷浆料并通过烧结后形成NTC传感器11，且与氧化铝陶瓷基板10烧结为一体。
在本实施例中，保护釉为玻璃釉。玻璃釉具有高亮度、高抗菌、高自洁、高防水等特性，将该玻璃釉用于NTC传感器11上，可保证NTC传感器11表面的高度平滑，而且极易清洁，提高了使用的方便性。当然，本发明并不局限于保护釉的类型，如果是对保护釉类型的改变，均落入本发明的保护范围内。
请参阅图6，本发明还提供了具有温感功能的陶瓷基板的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1、丝印NTC陶瓷浆料：在氧化铝陶瓷基板10的每个COB封装基板100上靠近预定贴装LED裸片16的位置上均丝印NTC陶瓷浆料；该NTC陶瓷浆料具有较高的温度测量、传感、控制精度及负温度系数，可与LED裸片16的负温度系数配合工作。
步骤S2，第一次烧结：将丝印好NTC陶瓷浆料的氧化铝陶瓷基板10置于烘箱中，经过第一次烧结使NTC陶瓷浆料形成NTC传感器11，并与氧化铝陶瓷基板10烧结为一体；该步骤中的烧结温度在1150-1250℃之间，烧结时间在60-120分钟之间。
步骤S3，第二次烧结：采用银浆在每个COB封装基板100上丝印LED裸片16的互连导线，并经过第二次烧结后，在每个COB封装基板100上均形成银导电线路；该步骤中的烧结温度在830-890℃之间，烧结时间在15-30分钟之间。该导线包括与LED裸片16电连接的正极电源线12及负极电源线13和分别与NTC传感器11电连接的正极引线14和负极引线15。
步骤S4，第三次烧结：在NTC传感器11上丝印上保护釉，经过第三次烧结并包封，使得该氧化铝陶瓷基板具有感温功能。该步骤中保护釉烧结温度在500-850℃之间，当然可以保护釉的特性选择烧结温度。
通过上述的四个步骤，即完成了具有温感功能的陶瓷基板，然后在该陶瓷基板10上贴装好LED裸片16后进行引线键合、滴注三基色荧光粉等典型的LED封装工序，即构成能够输出温度信号的LED 发光组件。上述封装工序包括以下有两种方案：第一种，按照图2中的分割方式将陶瓷基板分割成多个具有感温功能的LED陶瓷基板，分割结构如图3所示。第二种，整块陶瓷基板暂不分割，在整块陶瓷基板上贴装LED裸片16，并进行引线键合，LED裸片16与LED裸片16及LED裸片16与正负极电源线之间通过键合引线17连接。再采用半透明的COB密封胶18对氧化铝陶瓷基板10上各个LED组件，LED组件包括LED裸片16、键合引线17以及NTC温度传感器11，进行密封，完成陶瓷COB封装的全套工序；最后将包封好的各个LED组件按照图2中的分割成一个个单独的LED组件，最终结果显示如图5。
本发明提供的具有温感功能的陶瓷基板及制作方法，具有以下优势：
1）将NTC传感器11烧结在氧化铝陶瓷基板10上，使得该陶瓷基板具有感温功能，能够输出LED裸片16的温度信号，在工作时NTC传感器11把感温信号输出给驱动电源，驱动电源根据LED裸片16的工作温度调节电源功率输出，保证LED光源始终工作在安全温度以下。这种驱动模式还可补偿市电电压变化和环境温度变化产生的影响，确保LED光源工作的可靠性。
2）NTC传感器11在靠近预定贴装LED裸片16的位置设置，不仅保证了测温的可靠性，而且就简化了LED发光组件的组装。
3）该制作方法只需增加极少的生产工序，使LED光源组装工序简化、所需设备少，达到了成本低廉的效果。
4）本发明不仅可用于LED发光组件的COB封装，而且可用于其他需要温度检测的陶瓷印制电路板，以满足高功率密度电子组件的需要。
以上公开的仅为本发明的几个具体实施例，但是本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种具有温感功能的陶瓷基板，其特征在于，包括分割成多个COB封装基板的氧化铝陶瓷基板；每个COB封装基板上靠近预定贴装LED裸片的位置上均烧结有NTC传感器，每个NTC传感器上丝印有保护釉；所述氧化铝陶瓷基板上印刷有分别与LED裸片电连接的正极电源线和负极电源线，且所述氧化铝陶瓷基板上还印刷有分别与NTC传感器电连接的正极引线和负极引线。
2.根据权利要求1所述的具有温感功能的陶瓷基板，其特征在于，所述NTC传感器由NTC陶瓷浆料丝印而成。
3.根据权利要求1所述的具有温感功能的陶瓷基板，其特征在于，所述保护釉为玻璃釉。
4.一种具有温感功能的陶瓷基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、第一次烧结：在氧化铝陶瓷基板的每个COB封装基板上靠近预定贴装LED裸片的位置上均丝印NTC陶瓷浆料；
步骤2，将丝印好NTC陶瓷浆料的氧化铝陶瓷基板置于烘箱中，经过第一次烧结使NTC陶瓷浆料形成NTC传感器，并与氧化铝陶瓷基板烧结为一体；
步骤3，第二次烧结：采用银浆在每个COB封装基板上丝印LED裸片的互连导线，并经过第二次烧结后，在每个COB封装基板上均形成银导电线路；
步骤4，第三次烧结：在NTC传感器上丝印上保护釉，经过第三次烧结并包封，使得该氧化铝陶瓷基板具有感温功能。
5.根据权利要求3、4所述的具有温感功能的陶瓷基板，其特征在于，所述步骤3中的互连导线包括分别与LED裸片电连接的正极电源线及负极电源线和分别与NTC传感器电连接的正极引线及负极引线。
6.根据权利要求4所述的具有温感功能的陶瓷基板，其特征在于，所述步骤2中的烧结温度在1150-1250℃之间，烧结时间在60-120分钟之间。
7.根据权利要求4所述的具有温感功能的陶瓷基板，其特征在于，所述步骤3中的烧结温度在830-890℃之间，烧结时间在15-30分钟之间。
8.根据权利要求4所述的具有温感功能的陶瓷基板，其特征在于，所述步骤4中的烧结温度在500-850℃之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410054232.5A CN103762294B (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410054232.5A CN103762294B (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103762294A true CN103762294A (zh) | 2014-04-30 |
| CN103762294B CN103762294B (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=50529500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410054232.5A Active CN103762294B (zh) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103762294B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024647A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-10-12 | 重庆切普电子技术有限公司 | 一种cob封装器件低成本生产工艺 |
| CN106986665A (zh) * | 2017-05-03 | 2017-07-28 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 薄膜集成电路用99.6% Al2O3 陶瓷基片的制备方法 |
| CN107546308A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种高亮度大功率车用led光源模组 |
| CN111463335A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-07-28 | 福建省信达光电科技有限公司 | 一种led支架、led灯珠和led灯具 |
| CN111554787A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-18 | 珠海市宏科光电子有限公司 | 一种便于调光调色的cob结构封装工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090283765A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor unit |
| CN201487842U (zh) * | 2009-09-01 | 2010-05-26 | 福建科维光电科技有限公司 | 具有温度补偿功能的led灯灯杯 |
| CN102376697A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-03-14 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 高显白光led模组 |
| CN203707180U (zh) * | 2014-02-18 | 2014-07-09 | 深圳市安培盛科技有限公司 | 具有温感功能的陶瓷基板 |
-
2014
- 2014-02-18 CN CN201410054232.5A patent/CN103762294B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090283765A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor unit |
| CN201487842U (zh) * | 2009-09-01 | 2010-05-26 | 福建科维光电科技有限公司 | 具有温度补偿功能的led灯灯杯 |
| CN102376697A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-03-14 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 高显白光led模组 |
| CN203707180U (zh) * | 2014-02-18 | 2014-07-09 | 深圳市安培盛科技有限公司 | 具有温感功能的陶瓷基板 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106024647A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-10-12 | 重庆切普电子技术有限公司 | 一种cob封装器件低成本生产工艺 |
| CN107546308A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种高亮度大功率车用led光源模组 |
| CN106986665A (zh) * | 2017-05-03 | 2017-07-28 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 薄膜集成电路用99.6% Al2O3 陶瓷基片的制备方法 |
| CN106986665B (zh) * | 2017-05-03 | 2020-04-28 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 薄膜集成电路用99.6％Al2O3 陶瓷基片的制备方法 |
| CN111463335A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-07-28 | 福建省信达光电科技有限公司 | 一种led支架、led灯珠和led灯具 |
| CN111554787A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-18 | 珠海市宏科光电子有限公司 | 一种便于调光调色的cob结构封装工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103762294B (zh) | 2016-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103762294A (zh) | 具有温感功能的陶瓷基板及其制作方法 | |
| KR101132422B1 (ko) | 발광소자 실장용 기판 및 발광소자 모듈 | |
| CN102201524A (zh) | 发光元件用基板及发光装置 | |
| CN102376697B (zh) | 高显白光led模组 | |
| CN102856464B (zh) | 发光二极管封装结构及封装方法 | |
| WO2011112302A1 (en) | Color control of light emitting devices | |
| CN108122651B (zh) | 一种陶瓷薄膜玻璃封装电阻及其制备方法 | |
| JP2012018948A (ja) | 素子用基板、発光装置及び素子用基板の製造方法 | |
| CN105280795A (zh) | 发光单元与发光模块 | |
| KR101221492B1 (ko) | 온도 조절용 써어미스터를 내장하는 ｌｅｄ 및 ｌｅｄ 조명 및 그 제조방법 | |
| CN203707180U (zh) | 具有温感功能的陶瓷基板 | |
| CN203707177U (zh) | 可感测温度的led陶瓷封装基板 | |
| TW201424054A (zh) | Ｌｅｄ元件搭載用基板、ｌｅｄ光源及ｌｅｄ顯示器 | |
| CN201829496U (zh) | 用于照明或显示设备的高亮度led彩色光学模组 | |
| CN104362256A (zh) | 封装结构及其制造方法、显示面板 | |
| JP2014168051A (ja) | 発光デバイス及び発光デバイスにおける温度補償方法 | |
| EP2500955A1 (en) | Substrate for light-emitting elements and light-emitting device | |
| US9391053B2 (en) | Non-shrink varistor substrate and production method for same | |
| CN107768366A (zh) | 一种填埋热保护ic的cob封装及其封装方法 | |
| JP2013197236A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
| CN201845773U (zh) | 大功率led封装模组 | |
| CN203466188U (zh) | 一种新型条形cob器件 | |
| JP2007110113A (ja) | Ｌｅｄパッケージ | |
| CN101266851A (zh) | 静电应对部件和利用了该静电应对部件的电子部件模块 | |
| CN103596339A (zh) | 全芯片集成ac led光源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 518111 Guangdong City, Longgang District, Pinghu street Pinghu community Fumin Industrial Zone, Beverly Road, No. 65, building two, No. 43 to the four floor Patentee after: SHENZHEN AMPRON TECHNOLOGY CORPORATION Address before: 518111 building 2-4, west block, Fukang Road, Fumin Industrial Zone, Longgang District, Shenzhen, Guangdong, Pinghu, China Patentee before: Shenzhen Ampron Technology Co., Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |