CN103745747A

CN103745747A - 电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法

Info

Publication number: CN103745747A
Application number: CN201410010129.0A
Authority: CN
Inventors: 杨光军
Original assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Current assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date: 2014-01-09
Filing date: 2014-01-09
Publication date: 2014-04-23
Anticipated expiration: 2034-01-09
Also published as: CN103745747B

Abstract

本发明公开一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法，该电可擦可编程只读存储器的位线分为两组，每组分别于不同金属层走线，两不同金属层间用较短的走线和过孔进行连接，通过本发明，可减小位线间的耦合电容，提高存储器的速度，减小浪费。

Description

电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法

技术领域

本发明关于一种半导体存储器件，特别是涉及一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法。

背景技术

在半导体存储装置中，电可擦可编程只读存储器（EEPROM）是一种易失性存储器，且属于可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EPROM）。电可擦可编程只读存储器（EEPROM）的优点是其可针对整个存储器区块进行擦除，且擦除速度快，约需一至两秒。因此，近年来，电可擦可编程只读存储器（EEPROM）已运用于各种消费性电子产品中，例如：数码相机、数码摄影机、移动电话或笔记本电脑等。

现有技术中，一般EEPROM的字线和位线在走线时相互垂直，为了走线的便利，EEPROM的位线即存储器单元的源极S、漏极D的走线均在同一层金属如M1，如图1所示，这样位线间耦合较大，会引起EEPROM读写速度降低和功耗浪费，严重时甚至会导致读写错误。

发明内容

为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法，其通过将位线分组，使不同组的位线在不同金属层走线，和存储器电接触点不同金属层的走线通过一段与存储器电接触点同层的较短的走线和过孔与本走线相连，减小了位线间的耦合电容，提高了存储器的读写速度和可靠性，减小了功率浪费。

为达上述及其它目的，本发明提供了一种电可擦可编程只读存储器，其中，该电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别于不同金属层走线，与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。

进一步地，该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。

进一步地，该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。

进一步地，该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极

为达到上述目的，本发明还提供一种电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，包括如下步骤：

将电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别在不同的金属层走线；

与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。

进一步地，将该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。

与现有技术相比，本发明一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法通过将位线分组，使不同组的位线在不同金属层走线，和存储器电接触点不同金属层的走线通过一段与存储器电接触点同层的较短的走线和过孔与本走线相连，减小了位线间的耦合电容，提高了存储器的读写速度和可靠性，减小了功率浪费。

附图说明

图1为现有技术中一种EEROM之位线布线的结构示意图；

图2为本发明一种EEROM之位线布线的结构示意图；

图3为本发明一种EEPROM的位线布线方法的步骤流程图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。

图2为本发明一种EEROM之位线布线的结构示意图。如图2所示，本发明一种电可擦可编程只读存储器（EEROM），包括两组位线，其中一组位线走线放在一层金属层M1，另一组位线的走线在另一层金属层，如M2，该组位线通过过孔与放在金属层M1的很短的走线和存储器电接触点相连。在本发明较佳实施例中，将EEPROM的位线按按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线（漏极D）走线放在一层金属如M1，而偶数编号的位线（源极S）走线放在另一层如M2，仅在金属层M1用很短的走线（记长度为d）和过孔连接至位于金属层M2的偶数编号的位线（源极S），如图2中，横向是字线（WL0,WL1，…WLj），纵向是位线（BL0，BL1,…BLi，BL(i+1)）。

记存储器相邻单元垂直间隔距离为l，走线间隔距离为s，走线宽度为w。现有技术相邻单元走线间耦合电容为c，根据平板电容计算公式，电容c和l成正比、和s成反比。而在本发明较佳实施例中，在金属层M1只有长度为d的一段区域存在相邻位线的耦合。根据图中漏极D和源极S的物理位置，简单推算可知发明相邻位线耦合电容大小为原来的

记

则本发明相邻位线间耦合电容

由于l>d，则m>1，电容本发明相邻位线间耦合电容C1小于现有技术相邻位线间耦合电容c，且d越小则相邻位线间耦合电容C1越小。

发明之间隔位线间耦合电容C2计算：先不考虑d这段线，间隔位线总耦合电容为

C_{Σ} = \frac{s}{2 s + w} c

d这段短走线和相邻位线间耦合电容为

C_{d} = C_{Σ} \times \frac{d}{l}

由于C_d已经在相邻位线总电容中计算，故间隔位线间电容为

C 2 = C_{Σ} - C_{d} = C_{Σ} (1 - \frac{d}{l})

记

x = \frac{2 s + w}{s},

则

C 2 = \frac{m - 1}{xm} c

因x>2且m>1，故C2<c/2，较现有技术之间隔位线间耦合电容C2＝c/2小。

图3为本发明一种EEPROM的位线布线方法的步骤流程图。如图3所示，本发明一种EEPROM的位线布线方法，包括如下步骤：

步骤301，将EEPROM的位线分为两组，每组分别在不同的金属层走线。在本发明较佳实施例中，将EEPROM的位线按按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线（漏极D）走线放在一层金属如M1，而偶数编号的位线（源极S）走线放在另一层如M2。

步骤302，与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。在本发明较佳实施例中，仅在金属层M1用很短的走线（记长度为d）和过孔连接至金属层M2。

综上所述，本发明一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法通过将位线分组，使不同组的位线在不同金属层走线，两金属层间利用较短的走线和过孔连接，减小了位线间的耦合电容，提高了存储器的读写速度和稳定性，减小了功率浪费。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims

1.一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别于不同金属层走线，与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。

2.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。

3.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。

4.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极。

5.一种电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，包括如下步骤：

6.如权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于：将该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。

7.如权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于：该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。

8.如权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于：该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极。