CN103730397B - 图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置 - Google Patents
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Abstract
本申请案涉及一种图像传感器中的部分埋入式沟道传送装置。图像传感器像素包含光敏元件、浮动扩散“FD”区域及传送装置。所述光敏元件安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷。所述FD区域安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷。所述传送装置安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域。所述传送装置包含栅极、埋入式沟道掺杂剂区域及表面沟道区域。所述栅极安置于所述光敏元件与所述FD区域之间。所述埋入式沟道掺杂剂区域经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方。所述表面沟道区域安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方。
Description
技术领域
本发明一般来说涉及光学器件，且明确地说(但非排他地)涉及图像传感器。
背景技术
图像传感器广泛用于数字静物相机、蜂窝式电话、安全相机中以及医疗、汽车及其它应用中。使用互补金属氧化物半导体(“CMOS”)技术来在硅衬底上制造较低成本的图像传感器。在大量图像传感器中，图像传感器通常包含数百个、数千个或甚至数百万个光传感器单元或像素。典型个别像素包含微透镜、滤光器、光敏元件、浮动扩散区域及用于从光敏元件读出信号的一个或一个以上晶体管。典型像素中所包含的晶体管中的一者通常称为传送晶体管，所述传送晶体管包含安置于光敏元件与浮动扩散部之间的传送栅极。所述传送栅极安置于栅极氧化物上。光敏元件、浮动扩散区域及栅极氧化物安置于衬底上。
在典型像素的操作期间，当将偏置电压施加到传送栅极时可在所述传送栅极下方形成导电沟道区域，以使得图像电荷从光敏元件传送到浮动扩散区域。然而，常规像素通常遭受图像滞后、模糊及制造挑战。
图像滞后可由常规传送晶体管不能从光敏元件移除所有信号以使得在像素的连续读取期间残留信号仍保留造成。保留于光敏元件中的此残余信息通常称为图像滞后、残留图像、重影或帧间滞留。
模糊可由图像的致使光生过剩电荷载子溢出到邻近光敏元件中的高强度部分造成。在传送晶体管的一种设计中，如在标准NMOS晶体管中，N掺杂的多晶硅栅极电极控制表面沟道晶体管。在此设计中，晶体管的阈值电压为低的，且在积分周期期间通常需要施加负栅极偏置，且需要大的栅极电压摆幅来最小化图像滞后。在此情形中，模糊可产生且模糊可限制成像传感器的动态范围且可限制成像传感器的商业应用的类型。
常规像素中的制造挑战可起源于光敏元件相对于传送栅极的位置敏感放置。放置的敏感性质可导致各部分中的增加的缺陷及增加的制造成本。
发明内容
本申请案的一方面提供一种图像传感器像素，其包括：光敏元件，其安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷；浮动扩散(“FD”)区域，其安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷；及传送装置，其安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域，所述传送装置包含：栅极，其安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区域之间；埋入式沟道掺杂剂区域，其经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方；及表面沟道区域，其安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方。
本申请案的另一方面提供一种成像系统，其包括：成像像素阵列；及读出电路，其耦合到所述成像像素阵列以从图像传感器像素中的每一者读出图像数据，其中所述成像像素阵列中的每一成像像素包含：光敏元件，其安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷；浮动扩散(“FD”)区域，其安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷；及传送装置，其安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域，所述传送装置包含：栅极，其安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区域之间；埋入式沟道掺杂剂区域，其经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方；及表面沟道区域，其安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方。
本申请案的又一方面提供一种制作图像传感器像素的方法，所述方法包括：在半导体结构上形成埋入式沟道装置掩模，从而隔离埋入式沟道装置将安置之处；使用高能量离子植入将第一掺杂剂植入到埋入式沟道掺杂剂区域中，其中包含所述第一掺杂剂的离子束在植入到所述埋入式沟道掺杂剂区域中之前行进通过多晶硅栅极，所述埋入式沟道掺杂剂区域安置于所述图像传感器像素的光敏元件与所述图像传感器像素的浮动扩散(“FD”)区域之间；移除所述埋入式沟道装置掩模；在所述半导体结构上形成表面沟道装置掩模，从而隔离表面沟道装置将安置之处；及将第二掺杂剂植入到表面沟道掺杂剂区域中，所述表面沟道掺杂剂区域安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽性实施例，其中除非另有规定，否则贯穿各个视图相似参考编号指代相似部件。
图1是包含常规传送栅极结构及常规光敏元件结构的常规图像传感器像素的截面图。
图2是图解说明根据本发明的实施例的图像传感器的功能框图。
图3是图解说明根据本发明的实施例的图像传感器内的两个图像传感器像素的样本像素电路的电路图。
图4A是沿图4B的A-A’线的截面图，其图解说明根据本发明的实施例的包含传送装置的图像传感器像素的一部分。
图4B是根据本发明的实施例的光敏元件、传送栅极及浮动扩散区域的结构的俯视图。
图5是图解说明根据本发明的实施例的电子与结构的相对能级之间的关系的图表。
图6是图解说明根据本发明的实施例的用于制造传送装置的过程的流程图。
具体实施方式
本文中描述具有部分埋入式沟道传送栅极的图像传感器的设备、系统及制造方法的实施例。在以下说明中，陈述众多特定细节以提供对实施例的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将认识到，可在不具有所述特定细节中的一者或一者以上的情况下或者借助其它方法、组件、材料等来实践本文中所描述的技术。在其它例子中，未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作以避免使特定方面模糊。
本说明书通篇中对“一个实施例”或“一实施例”的提及意指与所述实施例一起描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施例中。因此，在本说明书通篇中的各个地方中出现的短语“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必全部指代同一实施例。此外，可以任何适合方式将所述特定特征、结构或特性组合于一个或一个以上实施例中。
图1是包含常规传送栅极结构及常规光敏元件结构的常规图像传感器像素的截面图。图像像素100包含接收入射于图像像素100上的光105的光敏元件115。为实施彩色像素，图像像素100进一步包含安置于微透镜140下方的色彩滤光器145。微透镜140有助于将光105聚焦到光敏元件115上。一般来说，图像传感器包含在较大衬底中(即，延伸超过如所展示的衬底135)布置成一个二维行及列阵列的许多图像像素100。图像像素100进一步包含安置于衬底135上的浮动扩散(“FD”)区域130及光敏元件115(例如，光电二极管)。衬底135可包含在衬底上生长的外延层。传送栅极120安置于光敏元件115与FD区域130之间且用以将从光敏元件115输出的信号传送到FD区域130。FD区域130由形成于衬底135中的P型阱132环绕。当将阈值栅极电压(即，偏置电压)施加到传送栅极120时，可在衬底135中传送栅极120下方及栅极绝缘层125下方形成导电沟道(未图解说明)。P型钉扎层110可安置于光敏元件115上方。颈部区150为包含P型钉扎层110、光敏元件115、传送栅极120与衬底135的相交点的区域。
像素100如下操作。在积分周期(还称为曝光或积累周期)期间，光105入射于光敏元件115上。光敏元件115响应于入射光而产生电信号(光生电荷)。所述电信号保持于光敏元件115中。在此阶段处，传送栅极120可关断。当传送栅极120上的偏置电压未达到其阈值电压时，传送栅极120关断，且光敏元件115与FD区域130之间的衬底能抵抗电子流。
在积分周期之后，接通传送栅极120以从光敏元件115读出信号。举例来说，将正偏置电压施加到传送栅极120，且当传送栅极120上的偏置电压增加时，传送栅极120下面靠近浮动扩散区域130的衬底首先变为导电。传送栅极120下面的在将偏置电压施加到传送栅极120时变为导电的衬底称为沟道区域(未图解说明)。随着接近阈值电压，所述沟道区域继续朝向光敏元件115逐渐变为导电。当满足阈值电压时，所述沟道区域导电，从而允许电荷载子在光敏元件115与FD区域130之间流动，因此将由光敏元件115保持的电信号传送到FD区域130。在已将光敏元件115中的电信号传送到浮动扩散区域130之后，关断传送栅极120以待下一积分周期。
图2是图解说明根据本发明的实施例的成像系统200的框图。成像系统200的所图解说明实施例包含像素阵列205、读出电路210、功能逻辑215及控制电路220。
像素阵列205为一个二维(“2D”)成像传感器或像素(例如，像素P1、P2、…、Pn)阵列。在一个实施例中，每一像素为互补金属氧化物半导体(“CMOS”)成像像素。如所图解说明，每一像素布置成行(例如，行R1到Ry)及列(例如，列C1到Cx)以采集人、地方或对象的图像数据，接着可使用所述图像数据来再现所述人、地方或对象的2D图像。
在每一像素已采集其图像数据或图像电荷之后，所述图像数据由读出电路210读出且传送到功能逻辑215。读出电路210可包含放大电路、模/数(“ADC”)转换电路或其它。功能逻辑215可仅存储所述图像数据或甚至通过应用后图像效应(例如，剪裁、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵所述图像数据。在一个实施例中，读出电路210可沿读出列线一次读出一行图像数据(所图解说明)或可使用多种其它技术(未图解说明)同时读出图像数据，例如串行读出或所有像素的并行读出。控制电路220耦合到像素阵列205以控制像素阵列205的操作特性。举例来说，控制电路220可产生用于控制图像采集的快门信号。
图3是图解说明根据本发明的实施例的成像阵列内的两个四晶体管(“4T”)像素的像素电路300的电路图。像素电路300为用于实施图2的像素阵列205内的每一像素的一个可能像素电路架构。然而，应了解，本发明的实施例并不限于4T像素架构；而是，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解本发明教示还适用于3T设计、5T设计及各种其它像素架构。
在图3中，像素Pa及Pb布置成两行及一列。每一像素电路300的所图解说明实施例包含光电二极管PD、传送晶体管T1、复位晶体管T2、源极跟随器(“SF”)晶体管T3、选择晶体管T4及存储电容器C1。在操作期间，传送晶体管T1接收传送信号TX，传送信号TX将在光电二极管PD中积累的电荷传送到浮动扩散节点FD。在一个实施例中，浮动扩散节点FD可耦合到用于暂时存储图像电荷的存储电容器。
复位晶体管T2耦合于电源轨VDD与浮动扩散节点FD之间以在复位信号RST的控制下对像素进行复位(例如，将FD及PD放电或充电到预设定电压)。浮动扩散节点FD经耦合以控制SF晶体管T3的栅极。SF晶体管T3耦合于电源轨VDD与选择晶体管T4之间。SF晶体管T3作为提供到浮动扩散部FD的高阻抗连接的源极跟随器而操作。最后，选择晶体管T4在选择信号SEL的控制下将像素电路300的输出选择性地耦合到读出列线。在一个实施例中，TX信号、RST信号及SEL信号由控制电路220产生。
图4A及图4B图解说明根据本发明的实施例的包含传送装置425的图像像素400的一部分。图4B是图像像素400的俯视图且图4A是沿图4B的A-A’线的截面图。图4A的图像像素400为像素阵列205内的像素P1到Pn的一个可能实施方案。图像像素400的所图解说明实施例包含P钉扎层405、光敏元件410、浮动扩散区域415、经掺杂阱435、衬底层420及传送装置425。光敏元件410、经掺杂阱435及浮动扩散区域415安置于衬底层420内。P钉扎层405安置于光敏元件410上方。传送装置425安置于光敏元件410与浮动扩散区域415之间。
传送装置425的所图解说明实施例包含共用栅极电极440、埋入式沟道掺杂剂区域450、表面沟道掺杂剂区域455及栅极绝缘层470。可将VTX430施加到共用栅极电极440以激活传送装置425。在所图解说明的实施例中，栅极电极440除安置于表面沟道掺杂剂区域455上方(形成表面沟道装置)之外还安置于埋入式沟道掺杂剂区域450上方(形成埋入式沟道装置)。所述埋入式沟道装置及所述表面沟道装置串联耦合于光敏元件410与浮动扩散区域415之间。埋入式沟道掺杂剂区域450可在共用栅极电极440下方对准，且埋入式沟道掺杂剂区域450的右边缘可与共同栅极电极440的右边缘齐平。表面沟道掺杂剂区域455可在共同栅极电极440下方且表面沟道区域455的左边缘可邻接光敏元件410的右边缘。
VTX430可达到传送装置425的阈值电压，从而接通传送装置425。当接通传送装置425时，埋入式沟道460及表面沟道465形成串联，从而允许电荷载子在光敏元件410与浮动扩散区域415之间流动。埋入式沟道460及表面沟道465共同构成传送装置425的沟道。在一个实施例中，传送装置425可经配置以接收-1.2伏的VTX430以使传送装置425保持关断。
在所图解说明的实施例中，光敏元件410及浮动扩散区域415为N型掺杂的，而阱435与光敏元件410及浮动扩散区域415的N型掺杂剂相反地(P型)掺杂。埋入式沟道掺杂剂区域450掺杂为N型。在所图解说明的实施例中，表面沟道掺杂剂区域455为P型掺杂的。在替代实施例中，表面沟道区域455可掺杂为N型或根本不掺杂。所属领域的技术人员将理解，在替代实施例中，可使所图解说明实施例中的掺杂极性相反。
在所图解说明的实施例中，埋入式沟道掺杂剂区域450及光敏元件410两者均为N型掺杂的，而表面沟道掺杂剂区域455为P型掺杂的，从而有助于来自光电二极管的电子的更受控传送，这是因为存在用于传送电子的轻微能量势垒。埋入式沟道掺杂剂区域450可意指传送装置425称为部分埋入式沟道传送栅极。表面沟道掺杂剂区域455的长度由埋入式沟道掺杂剂区域450的存在限制且致使势垒有效性的减小。在曝光周期(传送装置425关断)期间，由N型掺杂的光敏元件410积累的电荷可保持于光敏元件410内，除非其几乎为全容量或接近全容量。在一个实例中，进入表面沟道掺杂剂区域455的电子可“穿通”到埋入式沟道掺杂剂区域450及浮动扩散区域415。所图解说明实施例的此特征促使电荷载子从光敏元件410溢出到浮动扩散区域415中而非流动到相邻像素的光敏元件而引起模糊。通过调整埋入式沟道掺杂剂区域450与表面沟道区域455的长度之间的比率，可调谐模糊阈值。举例来说，当表面沟道区域455变短时，对过剩电荷溢出到浮动扩散区域415中的势垒减小，借此进一步抑制模糊。
在所图解说明的实施例中，埋入式沟道掺杂剂区域450与衬底相反地掺杂。因此，当接通传送装置425时，电荷载子在表面下面(意指在栅极绝缘层470与埋入式沟道掺杂剂区域450的相交点下面)被推动。埋入式沟道460图解说明在表面下面流动的电荷载子。在表面下面流动的电荷载子可将较少噪音引入到电信号中，这是因为所述电荷载子不会遇到栅极绝缘层(例如，氧化硅)与埋入式沟道掺杂剂区域(例如，N型掺杂的硅)之间的非均匀性。
图5是图解说明根据本发明的实施例的电子与结构的相对能级之间的关系的图表。图5图解说明电子可在图像像素400中经历的相对能级。在所述图表上，表面沟道掺杂剂区域455具有最高能级；埋入式沟道掺杂剂区域450具有第二高能级；光敏元件410具有第三高能级；浮动扩散区域415具有最低相对能级。当电子在表面沟道掺杂剂区域455中时，图4A中所图解说明的结构的能级促使电子朝向浮动扩散区域415流动，而不论传送栅极425是接通还是关断。当传送栅极关断时，与P型表面沟道掺杂剂区域455及N型埋入式沟道区域450组合的N型栅极440致使使敏感元件410溢流的电子朝向浮动扩散区域415流动。当接通传送栅极时，尽管表面沟道装置具有比埋入式沟道装置低的阈值电压，但仍大多维持图5中的相对能级。结果为在传送装置425下方产生的任何暗电流可能朝向浮动扩散区域415漂移。此特征防止白色像素形成，且通过阻止电子在传送事件之后被往回发送到光敏元件410而减小图像滞后。
图6是图解说明根据本发明的实施例的用于制造传送装置的过程的流程图。过程600为如何制作图像像素400的传送装置425的一个实例。过程框中的一些或所有过程框在每一过程中出现的次序不应视为限制性。而是，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可以未图解说明的多种次序或甚至并行执行过程框中的一些过程框。
在过程框605中，在现有结构上形成埋入式沟道装置掩模。在现有结构上图案化所述埋入式沟道装置掩模以隔离所述埋入式沟道装置将驻留的区域。现有结构的一实例可为P钉扎层405、光敏元件410、浮动扩散区域415、衬底层420、栅极440、埋入式沟道掺杂剂区域450及表面沟道区域455的组合。然而，在过程框605处，栅极440、埋入式沟道掺杂剂区域450及表面沟道区域455可能尚未含有图4A中所图解说明的掺杂。举例来说，在过程框605处，将使埋入式沟道掺杂剂区域450及表面沟道掺杂剂区域455在“epi”层中轻掺杂为P。
在过程框610处，可使用高能量离子植入在埋入式沟道掺杂剂区域450中植入N型掺杂剂(例如，砷或磷)。用以植入磷的能级可为150千电子伏特(keV)。磷的掺杂剂植入剂量可为1×1012cm-2。在一个实施例中，N型掺杂剂在埋入式沟道区域450中的深度为10nm到30nm。高能量离子束在其通往植入埋入式沟道掺杂剂区域450的道路上通过栅极440。在过程框615中，移除埋入式沟道装置掩模。在过程框620中，形成表面沟道装置掩模。在过程框625中，在表面沟道区域455中形成表面沟道掺杂剂(图4A中的所图解说明实施例中的P型掺杂剂)。
包含发明摘要中所描述的内容的本发明的所图解说明实施例的以上说明并不打算为穷尽性或将本发明限制于所揭示的精确形式。虽然出于说明性目的而在本文中描述本发明的特定实施例及实例，但如所属领域的技术人员将认识到，可在本发明的范围内做出各种修改。
可依据以上详细说明对本发明做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应理解为将本发明限制于说明书中所揭示的特定实施例。而是，本发明的范围将完全由所附权利要求书确定，所述权利要求书将根据权利要求解释的所创建原则来加以理解。
Claims (18)
1.一种图像传感器像素，其包括：
光敏元件，其安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷；
浮动扩散“FD”区域，其安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷；及
传送装置，其安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域，所述传送装置包含：
栅极，其安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区域之间；
埋入式沟道掺杂剂区域，其经安置而邻近于所述FD区域且在所述栅极下方；及
表面沟道区域，其安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方，其中所述埋入式沟道掺杂剂区域的长度与所述表面沟道区域的长度的比率经调谐以在所述光敏元件接近全容量且所述传送装置关断时允许电子从所述光敏元件穿通到所述埋入式沟道掺杂剂区域。
2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其进一步包括形成于所述衬底层中的经掺杂阱，其中所述FD区域安置于所述经掺杂阱中，所述经掺杂阱在所述FD区域下面延伸且在所述FD区域与所述表面沟道掺杂剂区域之间延伸。
3.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述埋入式沟道掺杂剂区域邻接所述FD区域。
4.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述栅极及所述埋入式沟道掺杂剂区域形成埋入式沟道装置，且其中所述栅极及所述表面沟道区域形成表面沟道装置，其中所述表面沟道装置具有比所述埋入式沟道装置低的阈值电压。
5.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述光敏元件、所述FD区域、所述埋入式沟道掺杂剂区域及所述栅极为N型掺杂的。
6.根据权利要求5所述的图像传感器像素，其中所述表面沟道区域为P型掺杂的。
7.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述传送装置经配置而以负电压关断。
8.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述表面沟道区域与所述埋入式沟道区域串联耦合于所述光敏元件与所述FD区域之间。
9.一种成像系统，其包括：
成像像素阵列；及
读出电路，其耦合到所述成像像素阵列以从图像传感器像素中的每一者读出图像数据，其中所述成像像素阵列中的每一成像像素包含：
光敏元件，其安置于衬底层中以用于响应于光而积累图像电荷；
浮动扩散“FD”区域，其安置于所述衬底层中以从所述光敏元件接收所述图像电荷；及
传送装置，其安置于所述光敏元件与所述FD区域之间以将所述图像电荷从所述光敏元件选择性地传送到所述FD区域，所述传送装置包含：
栅极，其安置于所述光敏元件与所述浮动扩散区域之间；
埋入式沟道掺杂剂区域，其经安置而邻近于所述FD区域处且在所述栅极下方；及
表面沟道区域，其安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间且安置于所述栅极下方，其中所述埋入式沟道掺杂剂区域的长度与所述表面沟道区域的长度的比率经调谐以在所述光敏元件接近全容量且所述传送装置关断时允许电子从所述光敏元件穿通到所述埋入式沟道掺杂剂区域。
10.根据权利要求9所述的成像系统，其进一步包括形成于所述衬底层中的经掺杂阱，其中所述FD区域安置于所述经掺杂阱中，所述经掺杂阱在所述FD区域下面延伸且在所述FD区域与所述表面沟道掺杂剂区域之间延伸。
11.根据权利要求9所述的成像系统，其中所述埋入式沟道掺杂剂区域邻接所述FD区域。
12.根据权利要求9所述的成像系统，其中所述栅极及所述埋入式沟道掺杂剂区域形成埋入式沟道装置，且其中所述栅极及所述表面沟道区域形成表面沟道装置，其中所述埋入式沟道装置具有比所述表面沟道装置高的阈值电压。
13.根据权利要求9所述的成像系统，其中所述光敏元件、所述FD区域、所述埋入式沟道掺杂剂区域及所述栅极为N型掺杂的。
14.根据权利要求13所述的成像系统，其中所述表面沟道区域为P型掺杂的。
15.根据权利要求9所述的成像系统，其中所述传送装置经配置而以负电压关断。
16.根据权利要求9所述的成像系统，其中所述表面沟道区域与所述埋入式沟道区域串联耦合于所述光敏元件与所述FD区域之间。
17.一种制作图像传感器像素的方法，所述方法包括：
在半导体结构上形成埋入式沟道装置掩模，从而隔离埋入式沟道装置将安置之处；
使用高能量离子植入将第一掺杂剂植入到埋入式沟道掺杂剂区域中，其中包含所述第一掺杂剂的离子束在植入到所述埋入式沟道掺杂剂区域中之前行进通过多晶硅栅极，所述埋入式沟道掺杂剂区域安置于所述图像传感器像素的光敏元件与所述图像传感器像素的浮动扩散“FD”区域之间；
移除所述埋入式沟道装置掩模；
在所述半导体结构上形成表面沟道装置掩模，从而隔离表面沟道装置将安置之处；及
将第二掺杂剂植入到表面沟道掺杂剂区域中，所述表面沟道掺杂剂区域安置于所述埋入式沟道掺杂剂区域与所述光敏元件之间，其中所述埋入式沟道掺杂剂区域的长度与所述表面沟道掺杂剂区域的长度的比率经调谐以在所述光敏元件接近全容量且传送装置关断时允许电子从所述光敏元件穿通到所述埋入式沟道掺杂剂区域。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述埋入式沟道掺杂剂区域邻接所述浮动扩散区域。
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