CN103725080B

CN103725080B - 涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法

Info

Publication number: CN103725080B
Application number: CN201310702497.7A
Authority: CN
Inventors: 林云; 刘欢; 林展如
Original assignee: Sichuan Normal University
Current assignee: Sichuan Normal University
Priority date: 2013-12-19
Filing date: 2013-12-19
Publication date: 2015-08-26
Anticipated expiration: 2033-12-19
Also published as: CN103725080A

Abstract

涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法。该复合吸波材料由式（Ⅰ）所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35重量份、电损耗材料添加剂5~40重量份，涂层基材20~60重量份均匀混合组成，其中的二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂应为30~60份；涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂组成。该复合吸波材料可方便地喷凃于任何形状的金属基材表面，生成坚韧弹性的轻质，宽频及强吸收的吸波凃层，吸波范围可广泛盖复S、X及Ku波段的2~16GHz频段。

Description

涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法

技术领域

本发明涉及一种涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料，特别是可用于2~16GHz广泛频段（即可覆盖S，L及X波段）雷达吸波的轻质、宽频及强吸收的涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料，及其制备方法。

背景技术

现代无线电技术和雷达探测系统的迅猛发展，极大地提高了飞行器探测系统的搜索、跟踪目标的能力，传统作战武器所受到的威胁越来越严重。隐身技术，即谋求武器装备的隐身化，作为提高武器系统生存、突防，尤其是纵深打击能力的有效手段，已成为军事强国角逐军事高新技术的热点。目前，多数吸波材料已广泛用作隐身材料。吸波材料通常可按损耗机理、吸收机理和化学成分等多种方法分类。其中，吸波材料按化学成分可分为：（1）无机吸波材料，包括铁氧体、金属粉、金属纤维、炭黑、碳纤维、石墨粉及其纤维、陶瓷及其纤维等；（2）有机高分子吸波材料，包括导电高分子（聚乙炔、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等）、高分子视黄基席夫（Schiff）碱盐和有机金属配合物等。

以铁氧体、羰基铁、超细磁性金属粉为主的吸波材料的研制和开发已经取得了很大进展，并已在军工和高科技领域上获得广泛应用。但铁氧体材料比重大，通常仅在低频段有较大优势；而金属粉（例如：羰基Fe，Co，Ni）则常用于高频段的吸收。炭黑、碳纤维和陶瓷的密度小，但没有磁性，单独使用不易制成宽带的吸波材料。为了研发新的比重轻、吸收频带宽、温度系数小的电磁波吸收材料，国际上正开展一系列新的研究工作，例如近十年来，吸波材料的研究中已出现了包括手性材料、多晶铁纤维及纳米材料等。这些新材料克服了早期的铁氧体等吸波材料比重大和温度性能差等缺点，但仍存在吸收频带窄，面密度大和效率低等缺点，应用上受到一定限制。

对采用导电高分子或使其和磁性材料匹配，以探索新的电磁波吸波材料，也已有多方面的研究。如法国的Laurent Olmedo等研究了聚吡咯、聚苯胺、聚-3-辛基噻吩在0~20GHz范围内的微波吸收性能，表明聚-3-辛基噻吩可平均衰减8dB，频带宽为3.0GHz（邢丽莫等编著，隐身材料，北京化工出版社，2004）。美国已研制出一种导电高分子材料与氰酸须复合的吸波材料，具有光学透明特性，可以喷涂在飞机座舱盖、精确制导武器和巡航导弹的光学透明窗口上。Stein等研究的导电吡咯聚合物，虽然在10~20GHz内对电磁波的最大衰减达到26dB，但衰减为10dB时的频宽也仅有3.0GHz。牛志成等将聚苯胺分别与Mn-Zn铁氧体和Fe₃O₄复合，制成导电导磁复合聚苯胺，在8-14GHz衰减为10dB 的频宽可为3.6GHz。研究表明，仅用无机磁体和导电高分子复合的方法展宽频带是有限的。目前，常用复合化及结构多层化来展宽吸收频带。

此外，目前已出现了从分子设计出发，将含有共轭基团的有机配体和过渡金属配位，从而提高共轭电子的离域程度来探讨新电磁波介质材料的研究思路。如Curric等报道（Adv.Tech.2000,15(1):62）用高分子视黄基Schiff碱盐（Retimyl Shifflas Salts）制成的吸波涂层可使雷达散射截面积（RCS）减缩80%，而比重却只有铁氧体的10%，引起了各国科学家的高度重视。王少敏等报道（宇航材料工艺,2000,2:41），高分子视黄基Schiff碱铁盐及吡啶铁配位聚合物在8~12GHz时，其吸收衰减大于10dB；茹海红等（宇航材料工艺，1989,4:33）报道，将四羧基酞菁铁接到高分子上合成一种吸波材料，它在4~8GHz也有良好的吸波性能；本申请的发明人也曾发表过关于轻质二茂铁型的吸波材料（功能材料，2001,32(5)及功能材料，2006增刊(37)卷1133）。尽管如此，上述报道的隐身材料仍都存在频带窄，效率低，密度大等缺点，应用上受到一定限制。

近年來，隐身涂料作为一种方便，经济，适应性好的隐身技术，己在航空航天，军事装备上得到广泛应用，但实际上任何类型的隐身技术尚难以同时达到面密度小、质量轻、材料厚度簿、隐身频段宽和吸波性能强（即轻，薄，宽，强）等各方面都满意的性能，往往只能顾及其主要应用范围方面的特点和性能指标。

发明内容

针对上述情况，本发明提供了一种涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料及制备方法。该涂层型材料能方便地喷凃于任何形状的金属基材表面，生成坚韧弹性的轻质，宽频及强吸收的吸波凃层，其吸波范围可盖复S、X及Ku波段，即2-16GHz的广泛频段。

本发明的涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料，是由式（Ⅰ）所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35份、电损耗材料添加剂5~40重量份，涂层基材20~60重量份，且二茂铁高分子磁体-半导体配合物和高电损耗材料添加剂之和为30~60重量份，其中，涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂组成；所说的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物的平均粒径优选为100~600nm，粉体平均粒径的更好范围是200-400nm。

（Ⅰ）。

式（Ⅰ）中，n为5~l2的整数；M为Fe，Cd，Cr或Mn；式（Ⅰ）中的半导体基元R为间苯二胺基（），2,5-噻吩二胺基（），2,5-吡咯二胺基（），2,5-呋喃二胺基（），3,5-吡啶二胺基（）或1,8-萘二胺基（）中的一种；

所说的电损耗材料添加剂为导电炭黑，碳纤维，碳化硅纤维，铜纤维，羰基铁纤维，炭纳米管，纳米碳化硅粉，Si-C-N纳米陶瓷粉体或Si-C-N-O纳米陶瓷粉体中的一种；

所说的涂料树脂为聚烯烃类、聚酯类，聚乙烯醇缩甲醛，聚甲基苯基硅氧烷，三聚氰胺甲醛树脂，醇酸树脂，环氧树脂类，聚氨酯类，合成橡胶类成分中的一种；

所说的涂料树脂固化剂为胺类成分，包括乙酸酐、顺丁烯二酸酐等在内的酸酐类成分，以及聚乙二醇化合物中的一种（优选分子量4000的聚乙二醇）；

所说的固化剂促进剂为苯酚，间苯二酚，吡啶中的一种。

在上述组成的基础上，所说涂料树脂中的聚烯烃类树脂，优选的是聚氯乙烯，氯磺化聚氯乙烯，间规聚1,2-丁二烯中的一种。

所说聚酯类成分中，优选的是聚丙烯酸甲酯或聚苯二甲酸二烯丙酯。

所说的环氧树脂类成分中，可优选环氧树脂618，环氧树脂648，环氧树脂TDE-85，环氧树脂AS-70中的一种。

所说的聚氨酯成分，可优选为聚氨酯DW-1。

所说的合成橡胶类成分，可优选为聚硫橡胶或氯丁橡胶。

此外，上述复合吸波材料中所说涂料树脂固化剂中的胺类成分，可以优选乙二胺，二乙烯胺，己二胺，二乙胺基丙胺中的一种。

所说的涂料树脂固化剂中的酸酐类成分，优选的是顺丁烯二酸酐或均苯四甲酸二酐。

本发明上述涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料的基本制备方法，是将上述组成中的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10-30重量份、电损耗材料添加剂5~40重量份，与涂层基材20~60重量份均匀混合即可。其中，所说的二茂铁高分子磁体-半导体配合物和高电损耗材料添加剂之和应为30~60份；涂层基材由涂料树脂以及分别为基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂和余量的稀释溶剂（通常可为30~60毫升）组成。

所说的稀释溶剂范围和种类可包括多种常用溶剂，如丙酮，二甲基甲酰胺，四氢呋喃，环己酮，二氯甲烷，氯仿，苯，甲苯，二甲苯，吡咯烷酮，环已烷或二甲基亚砜等中的至少一种。根据所使用的涂料树脂成分，可以选用相适应的不同溶剂，例如，环氧树脂类涂料树脂成分可以选择如丙酮，环己酮等溶剂；聚氨酯类成分可以选用如二甲基甲酰胺，二氧六环或四氢呋喃等溶剂；氯磺化聚乙烯，聚硫橡胶及氯丁橡胶等类成分，都可选择如二甲基甲酰胺，吡咯烷酮或环己酮等作为溶剂。

检测表明，本发明上述复合材料在3.0GHz下的本征性磁导率μ'一般可达1.1~1.5，磁损耗μ''最低为0.5 (2.0GHz)，最高达2.3 (8.0GHz)，介电常数ε'为2.5~5.0，介电损耗ε''最低为0.3，最高达5.5，导电率为2×10^-2～2×10^-5S/cm。因此该复合吸波材料可方便地喷凃于任何形状的金属基材表面，生成坚韧弹性的轻质，宽频及强吸收的吸波凃层，其吸波范围可为盖复S、X及Ku波段的2-16GHz的广泛频段。

以下通过实施例的具体实施方式再对本发明的上述内容作进一步的详细说明。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实例。在不脱离本发明上述技术思想情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段做出的各种替换或变更，均应包括在本发明的范围内。

具体实施方式

实施例1

二茂铁高分子磁体-半导体配合物吸波复合材料的二茂铁高分子磁性基元可参照公开号 CN1267893A、CN101692366A等中国专利文献，以及林云等“二茂铁Schiff碱缩聚物的合成与表征”（四川师范大学学报,1998,21(5):540-544）报道的方式制备得到聚二甲酰二茂铁2,5-二胺基噻吩（即式(Ⅰ)中R为噻吩的二茂铁高分子磁体-半导体基元，或可为R是间苯二胺基、 2,5-吡咯二胺基、2,5-呋喃二胺基、3,5-吡啶二胺基或1,8-萘二胺基等相应形式的二茂铁高分子磁体-半导体基元）。

将1.0摩尔的聚二甲酰二茂铁2,5-二胺基噻吩（或其它相应形式的二茂铁高分子磁体-半导体基元）及100毫升二甲基甲酰胺在70~80^oC剧烈搅拌，待完全溶解后，缓慢滴入由150毫升及1.2摩尔乙酸锰（或为Fe、Cd、Cr的乙酸盐）组成的溶液，再升温至130~140℃回流30分钟，得到产率为85%的黑色聚二茂铁磁体2,5-二胺基噻吩锰配合物（或式(Ⅰ)中其它取代形式的相应配合物），在3.0GHz下的本征性磁导率μ' =1.3；磁损耗μ'' =1.3 ；介电常数ε' =4.1；介电损耗ε''=2.5导电率为2×10^-2 S/cm备用。

实施例2

将15份按实施例1方式制备得到的平均粒径为200nm的聚二甲酰二茂铁2,5-二胺基噻吩锰配合物（聚合度n=8），与20份导电炭黑（乙炔炭黑，粒径150nm）充分混合备用，再将55份环氧树脂618及分别为树脂重量的5%固化剂乙二胺及2%的固化剂促进剂苯酚，并用30毫升环己酮均匀调配成粘调的液体，再将混合粉体倒入并充分搅拌均匀成复合形式的涂料，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上，经50~60^oC真空抽除溶剂后形成膜厚为2.0+0.2.1mm凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试凃层的反射率dB(或吸收量)，测试表明，它在2~l2GHz全频段平均反射率R<-10dB，最大衰减达-14.5dB（l0.5GHz），且频宽为5.6GHz，而涂层面密度仅2.5/kg.m²。

实施例3

将35份按实施例1方式制备得到的平均粒径为300nm的聚二甲酰二茂铁2,5-二胺基吡咯铁配合物（聚合度n=6，在3.0GHz下的本征性磁导率μ' =1.2；磁损耗μ'' =1.4；介电常数ε'=4.5；介电损耗ε''=3.5导电率为1×10^-3S/cm，与5份碳纤维（直径2μm，长度50μm）充分混合备用，再将50份环氧树脂TDE-85及分别为树脂重量5%的固化剂己二胺和2%的固化剂促进剂吡啶（滴加），用40毫升二甲苯均匀调配成粘调的液体，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上经50-60^oC真空抽除溶剂后形成（l20mm×l20mm）膜厚为2.0+0.2mm凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试凃层的反射率dB(或吸收量)，测试表明，它在2~l2GHz全频段平均反射率R<-10dB，最大衰减达-12dB(8.5GHz)，频宽为3.6GHz，而涂层面密度仅2.3/kg.m²。

实施例4

将30份按实施例1方式制备得到的平均粒径为100nm的聚二甲酰二茂铁2,5-二胺基呋喃镉配合物（聚合度n=8），在3.0GHz下的本征性磁导率μ'=1.3；磁损耗μ''=2.5 ；介电常数ε'=3.5；介电损耗ε''=4.5导电率为1×10^-4 S/cm，与20份铜纤维（直径2μm，长度150μm）充分混合备用，再将20份聚氨酯DW-1及分别为树脂重量8%的固化剂间苯二胺和2%的固化剂促进剂吡啶（滴加），用40毫升环已烷均匀调配成粘调的液体，再将上述的混合粉体倒入并充分搅拌均匀成复合形式的涂料，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上，经60~70^oC真空抽除溶剂后形成膜厚为2.0+0.2mm凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试凃层的反射率dB（或吸收量），测试表明，它在l2GHz全频段平均反射率R<-10dB，最大衰减达-12dB（6.5GHz），频宽为4.6GHz，而涂层面密度仅2.5/kg.m²。

实施例5

将25份按实施例1方式制备得到的平均粒径为350nm的聚二甲酰二茂铁间苯二胺铬配合物（聚合度n=12）在5.0GHz下的本征性磁导率μ'=1.2；磁损耗μ''=2.3 ；介电常数ε'=4.0；介电损耗ε''=4.5导电率为3×10^-4S/cm，与20份碳化硅纤维（直径3um，长度250um）充分混合备用，再将45份聚氨酯DW-1及分别为树脂重量8%的固化剂间苯二胺和2%的固化剂促进剂吡啶，用40毫升四氢呋喃配成粘调的液体，再将混合物倒入并充分搅拌均匀成复合形式的涂料，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上，经60~70^oC真空抽除溶剂后形成形成膜厚为2.0+0.2mm的凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试凃层的反射率dB（或吸收量），测试表明，它在2~l2GHz全频段平均反射率R<-10dB，最大衰减达-12dB(8.0GHz)，频宽为5.6GHz，而密度为2.4克/cm²。

实施例6

将20份按实施例1方式制备得到的平均粒径为600nm的聚二甲酰二茂铁间苯二胺铬配合物（聚合度n=12）本征性磁导率μ'=1.1；磁损耗μ''=2.2；介电常数ε'=4.2；介电损耗ε''=4.5导电率为2×10^-4S/cm，与20份炭纳米管（外径为40~70nm，内径为7~10nm，长度为50~800um）充分混合备用，再将50份聚乙烯醇缩甲醛及分别为树脂重量5%的固化剂间苯二胺和2%的固化剂促进剂吡啶，用45毫升二甲基甲酰胺配成粘调的液体，再将混合物倒入并充分搅拌均匀成复合形式的涂料，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上，经80~90^oC真空抽除溶剂后形成形成膜厚为2.0+0.2mm的凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试贴片的反射率dB（或吸收量），测试表明，它在2~l2GHz全频段平均反射率R<-10dB，最大衰减达-16dB（10.0GHz），频宽为6.5GHz，而密度为2.4克/cm²。

实施例7

将25份按实施例1方式制备得到的平均粒径为400nm的聚二甲酰二茂铁1，8-萘二胺铬配合物（聚合度n=10）本征性磁导率μ'=1.2；磁损耗μ''=2.0；介电常数ε'=4.8；介电损耗ε''=4.5导电率为3×10^-4S/cm，与20份羰基铁纤维的直径（1~5μm，长度为20-300μm）45份聚硫橡胶，与分别为树脂重量6%的固化剂乙二醇胺和2%苯酚固化剂促进剂，再用45毫升吡咯烷酮配成粘调的液体，再将混合物倒入并充分搅拌均匀凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）经80~90^oC真空抽除溶剂后形成形成膜.厚为2.0+0.2mm的凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试贴片的反射率dB（或吸收量），测试表明，它在2~l2GHz全频段平均反射率R<-10dB，最大衰减达-18dB（8.0GHz），频宽为5.5GHz，而密度为3.3克/cm²。

实施例8

将10份按实施例1方式制备的平均粒径为500nm的聚二甲酰二茂铁吡啶铬配合物（聚合度n=10）本征性磁导率μ'=1.2；磁损耗μ''=2.2；介电常数ε'=4.5；介电损耗ε''=5.5导电率为1×10^-4S/cm，与40份纳米碳化硅粉（300nm）充分混合备用，再将40份聚乙烯醇缩甲醛及分别为树脂重量6%的固化剂乙酸酐和2%的间苯二酚固化剂促进剂，用50毫升二甲基亚砜配成粘调的液体，再将混合物倒入并充分搅拌均匀成复合形式的涂料，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上，经80~90^oC真空抽除溶剂后形成形成膜厚为2.0+0.2mm的凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试贴片的反射率dB（或吸收量），测试表明，它在2~l6GHz全频段平均反射率R<-12dB，最大衰减达-16dB（10.0GHz），频宽为6.5GHz，而密度为2.5克/cm²。

实施例9

将35份按实施例1方式制备的平均粒径为150nm的聚二甲酰二茂铁2，5-二胺基呋喃铁配合物（聚合度n=8）本征性磁导率μ'=1.5；磁损耗μ''=2.2；介电常数ε'=5.0；介电损耗ε''=5.5导电率为2×10^-4S/cm，与25份200nm Si-C-N 的纳米陶瓷粉未充分混合备用，再将30份聚丙烯酸甲酯及分别为树脂重量8%的固化剂顺丁烯二酸酐和2%的呲啶固化剂促进剂，用50毫升甲苯调成粘调的液体，再将混合物倒入并充分搅拌均匀成复合形式的涂料，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上，经70~75^oC真空抽除溶剂后形成形成膜厚为2.0+0.2mm的凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试贴片的反射率dB（或吸收量），测试表明，它在2~l4GHz全频段平均反射率R<-12dB，最大衰减达-14dB（10.0GHz），频宽为7.5GHz，而密度为2.3克/cm²。

实施例10

将25份按实施例1方式制备的平均粒径为100nm的聚二甲酰二茂铁1,8-二萘胺锰配合物（聚合度n=6）本征性磁导率μ'=1.2；磁损耗μ''=2.0；介电常数ε'=4.5；介电损耗ε''=4.8导电率为3×10^-4S/cm，与20份炭纳米管（外径为40~70nm，内径为7~10nm，长度为50~800μm）充分混合备用，再将45份三聚氰胺甲醛树脂及分别为树脂重量6%的聚乙烯醇(分子量4000)固化剂及3%的间苯二酚固化剂促进剂，用50毫升二甲苯调成粘调的液体，再将混合物倒入并充分搅拌均匀成复合形式的涂料，凃覆在铝扳（l20mm×l20mm）上，经80~85^oC真空抽除溶剂后形成形成膜厚为2.0+0.2mm的凃层。用HP8350E及HP9757E标网系统测试贴片的反射率dB（或吸收量），测试表明，它在2~l4GHz全频段平均反射率R<-12dB，最大衰减达-15dB（10.0GHz），频宽为5.5GHz，而密度为2.6克/cm²。

本发明的复合吸波材料具有轻质、宽频、基材簿及强吸收（即轻，宽，簿，强）同时兼顾的综合特点，与现有文献报道的隐身涂层的隐身效能比较如表1所示。其中，轻质（即面密度），宽频，及隐身性（含某一频点的隐身最大值）等项是重要的比较指标。由表中对比可见，对比例1与对比例3虽也具有频宽隐身性好的特点，但其面密度太大（即太重）。如对比例3，其涂层厚度虽仅有1.27nm，但面密度已达4.9 kg/m²，远大于本发明的复合吸波材料。

Claims

1.涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料，其特征是由式（Ⅰ）所示形式的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35份、电损耗材料添加剂5~40重量份，涂层基材20~60重量份，且二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂之和为30~60重量份组成，其中，涂层基材由涂料树脂及分别为涂层基材总重量5~8%的树脂固化剂和2~3%的固化剂促进剂以及余量的稀释溶剂组成，

（Ⅰ）

式中的n为5~l2的整数；M为Fe，Cd，Cr或Mn；式（Ⅰ）中的半导体基元R为，，，中的一种；

所说的电损耗材料添加剂为导电炭黑，碳纤维，碳化硅纤维，铜纤维，羰基铁纤维，碳纳米管，纳米碳化硅粉，Si-C-N纳米陶瓷粉体或Si-C-N-O纳米陶瓷粉体中的一种；

所说的涂料树脂固化剂为胺类成分，酸酐类成分，聚乙二醇中的一种；

所说的固化剂促进剂为苯酚，间苯二酚，吡啶中的一种。

2.如权利要求1所述的材料，其特征是所说的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物的平均粒径为100~600nm。

3.如权利要求2所述的材料，其特征是所说的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物的平均粒径为200~400nm。

4.如权利要求1所述的材料，其特征是所说的电损耗材料添加剂为粒径100~200nm的乙炔炭黑型。

5.如权利要求1所述的材料，其特征是所说的电损耗材料添加剂为直径1~3μm和长度30~l00μm的碳纤维。

6.如权利要求1所述的材料，其特征是所说的电损耗材料添加剂为直径1~5μm和长度30~200μm的碳化硅纤维。

7.如权利要求1所述的材料，其特征是所说的电损耗材料添加剂为直径1~5μm，长度为20~300μm的铜纤维。

8.如权利要求1所述的材料，其特征是所说的电损耗材料添加剂为直径1~5μm和长度20~300μm的羰基铁纤维。

9.如权利要求1所述的材料，其特征是所说的电损耗材料添加剂为外径40~70nm、内径7~10nm和长度50~800μm的碳纳米管。

10.如权利要求1所述的材料，其特征是所说涂料树脂中的聚烯烃类树脂为聚氯乙烯，氯磺化聚氯乙烯，间规聚1,2-丁二烯中的一种。

11.如权利要求1所述的材料，其特征是所说聚酯类成分为聚丙烯酸甲酯或聚苯二甲酸二烯丙酯。

12.如权利要求1所述的材料，其特征是所说环氧树脂类成分为环氧树脂618，环氧树脂648，环氧树脂TDE-85，环氧树脂AS-70中的一种。

13.如权利要求1所述的材料，其特征是所说聚氨酯成分为聚氨酯DW-1。

14.如权利要求1所述的材料，其特征是所说合成橡胶类成分为聚硫橡胶或氯丁橡胶。

15.如权利要求1至14之一所述的材料，其特征是所说涂料树脂固化剂中的胺类成分为乙二胺，二乙烯胺，己二胺，二乙胺基丙胺，三乙醇胺中的一种。

16.如权利要求1至14之一所述的材料，其特征是所说涂料树脂固化剂中的酸酐类成分为顺丁烯二酸酐或均苯四甲酸二酐。

17.权利要求1至16之一所述涂层型二茂铁高分子磁体-半导体配合物复合吸波材料的制备方法，其特征是将所述的纳米级粉体状二茂铁高分子磁体-半导体配合物10~35重量份、电损耗材料添加剂5~40重量份，与涂层基材20~60重量份均匀混合，其中，二茂铁高分子磁体-半导体配合物和电损耗材料添加剂之和应为30~60份，涂层基材由总重量85~95%的涂料树脂、5~8%的树脂固化剂、2~3%的固化剂促进剂和余量的稀释溶剂组成。

18.如权利要求17的制备方法，其特征是所说的稀释溶剂为丙酮，二甲基甲酰胺，四氢呋喃，环己酮，二氯甲烷，氯仿，苯，甲苯，二甲苯，吡咯烷酮，环已烷或二甲基亚砜中的至少一种。