CN103715890A - 控制电源转换器输出固定功率的控制器及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种控制电源转换器输出固定功率的控制器，包含一电流感测模块、一电压产生模块及一电压调节模块。该电流感测模块根据流经该电源转换器的二次侧的输出电流，产生一感测电流；该电压产生模块根据该感测电流，产生和该感测电流的倒数相关的一设定电压；该电压调节模块根据该设定电压和有关该电源转换器的二次侧的输出电压的一感测电压，产生一调节电压至该电源转换器的二次侧的一回授电路，其中该回授电路和该电源转换器的一次侧根据该调节电压，调节该输出电压；其中该输出电压和该输出电流的乘积是一定值。因此，相较于现有技术，当该电源转换器的二次侧超载时，本发明可确保该电源转换器的的二次侧的输出功率维持一定值。

Description

控制电源转换器输出固定功率的控制器及方法

技术领域

本发明涉及一种控制电源转换器输出固定功率的控制器及方法，尤其涉及一种在电源转换器的二次侧控制电源转换器输出固定功率的控制器及方法。

背景技术

在现有技术中，当电源转换器的二次侧超载(overload)时，电源转换器的二次侧的输出电流会增加以因应电源转换器的二次侧的超载。此时，因为电源转换器的二次侧的输出电流增加，所以电源转换器的二次侧的回授电路(例如光耦合器)所产生的回授电流减少，导致电源转换器的一次侧的功率开关控制器增加一次侧的功率开关的占空比(duty cycle)。此时，虽然一次侧的功率开关控制器已进入极度连续电流导通模式(Continuous Current Mode,CCM)，但因为在过电流保护模式下，电源转换器的一次侧的功率开关的占空比无法无限增加，所以电源转换器的二次侧无法维持固定的输出电压，导致电源转换器的二次侧的输出功率逐渐降低。另外，现有技术可通过一次侧调节定电流/定电压(Primary-Side Regulation constant current/constant voltage)的技术同时控制电源转换器的二次侧的输出电流和输出电压。但在一次侧调节定电流/定电压的技术中，如果电源转换器的二次侧的输出电流超过了定电流值，则电源转换器的二次侧的输出电流仍会被限制在定电流值，导致电源转换器的二次侧的输出功率仍然无法维持一定值。因此，当电源转换器的二次侧超载时，因为电源转换器的二次侧的输出功率无法维持定值，所以耦接于电源转换器的二次侧的下一级电路可能无法正常操作。

发明内容

有鉴于上述现有技术的问题，本发明公开一种控制电源转换器输出固定功率的控制器及方法，以控制电源转换器输出固定功率。

为达到上述的目的，本发明的一实施例公开一种控制电源转换器输出固定功率的控制器。该控制器包含一电流感测模块、一电压产生模块及一电压调节模块。该电流感测模块是耦接于该电源转换器的二次侧，用以根据流经该电源转换器的二次侧的输出电流，产生一感测电流；该电压产生模块是耦接于该电流感测模块，用以根据该感测电流，产生和该感测电流的倒数相关的一设定电压；该电压调节模块是耦接于该电压产生模块和该电源转换器的二次侧，用以根据该设定电压和有关该电源转换器的二次侧的输出电压的一感测电压，产生一调节电压至该电源转换器的二次侧的一回授电路，其中该回授电路和该电源转换器的一次侧是根据该调节电压，调节该输出电压；其中该输出电压和该输出电流的乘积是一定值。

为达到上述的目的，本发明的另一实施例公开一种控制电源转换器输出固定功率的方法。该方法包含根据流经该电源转换器的二次侧的输出电流，产生一感测电流；根据该感测电流，产生和该感测电流的倒数相关的一设定电压；根据该设定电压和有关该电源转换器的二次侧的输出电压的一感测电压，产生一调节电压至该电源转换器的二次侧的一回授电路；根据该调节电压，调节该输出电压；其中该输出电压和该输出电流的乘积是一定值。

本发明公开一种控制电源转换器输出固定功率的控制器及方法。该控制器和该方法是利用一电流感测模块根据流经该电源转换器的二次侧的输出电流，产生一感测电流，利用一电压产生模块根据该感测电流，产生和该感测电流的倒数相关的一设定电压，以及利用一电压调节模块根据该设定电压和有关该电源转换器的二次侧的输出电压的一感测电压，产生一调节电压至该电源转换器的二次侧的一回授电路。然后，该回授电路和该电源转换器的一次侧即可根据该调节电压，调节该电源转换器的二次侧的输出电压。如此，本发明所提供的该控制器和该回授电路即可重复上述步骤直到该感测电压等于该设定电压。当该感测电压等于该设定电压时，该电源转换器的输出电压和输出电流的乘积是定值。因此，相较于现有技术，当该电源转换器的二次侧超载时，本发明可确保该电源转换器的的二次侧的输出功率维持一定值。

附图说明

图1是一种控制电源转换器输出固定功率的控制器的示意图。

图2是充电时间、第一电容的第一端的电压和参考电压的关系示意图。

图3是本发明的一种控制电源转换器输出固定功率的方法流程图。

其中，附图标记说明如下：

100                电源转换器

102                回授电路

104                感测电阻

106                功率开关控制器

108                功率开关

200                控制器

202                电流感测模块

204                电压感测模块

206                电压调节模块

2022               运算放大器

2024               第一电阻

2026               第二电阻

2028               第一金属氧化物半导体晶体管

2042               充电时间产生单元

2044               设定电压产生单元

2062               第二比较器

20422              第一电流源

20424              第二金属氧化物半导体晶体管

20426              第一电容

20428              第一比较器

20442              第二电流源

20444              反相器

20446              第三金属氧化物半导体晶体管

20448              第二电容

20450              第四金属氧化物半导体晶体管

20452              第三电容

20454              第五金属氧化物半导体晶体管

GND                地端

IOUT               输出电流

IS                 感测电流

IREF               参考电流

IF                 回授电流

PRI                一次侧

SEC                二次侧

TC                 充电时间

VSET               设定电压

VOUT               输出电压

VS                 感测电压

VR                 调节电压

VREF               参考电压

V1                 第一电压

V2                 第二电压

V3                 第三电压

VA、VB、VC、VD、VE 电压

300-316            步骤

具体实施方式

请参照图1，图1是一种控制电源转换器100输出固定功率的控制器200的示意图。如图1所示，控制器200包含一电流感测模块202、一电压产生模块204及一电压调节模块206。电流感测模块202是根据流经电源转换器100的二次侧SEC的输出电流IOUT，产生一感测电流IS；电压产生模块204是根据感测电流IS，产生和感测电流IS的倒数相关的一设定电压VSET；电压调节模块206是根据设定电压VSET和有关电源转换器100的二次侧SEC的输出电压VOUT的一感测电压VS，产生一调节电压VR至电源转换器100的二次侧SEC的一回授电路102(例如一光耦合模块)，其中回授电路102和电源转换器100的一次侧PRI是根据调节电压VR，调节输出电压VOUT，且输出电压VOUT和输出电流IOUT的乘积是一定值。另外，感测电压VS和输出电压VOUT是成比例，例如输出电压VOUT是感测电压VS的N倍，其中N是一正实数。

如图1所示，电流感测模块202包含一运算放大器2022、一第一电阻2024、一第二电阻2026及一第一金属氧化物半导体晶体管2028，其中第一金属氧化物半导体晶体管2028是一N型金属氧化物半导体晶体管。但本发明并不受限于第一金属氧化物半导体晶体管2028是一N型金属氧化物半导体晶体管。第一电阻2024具有一第一端，耦接于电源转换器100的二次侧SEC的一感测电阻104的第一端，及一第二端，耦接于运算放大器2022的第一输入端，其中输出电流IOUT流经感测电阻104；第二电阻2026具有一第一端，耦接于感测电阻104的第二端，及一第二端，耦接于运算放大器2022的第二输入端；第一金属氧化物半导体晶体管2028具有一第一端，用以接收一第一电压V1，一第二端，耦接于运算放大器2022的输出端，及一第三端，耦接于运算放大器2022的第二输入端。

当运算放大器2022正常操作时，因为运算放大器2022的第一输入端的电压与运算放大器2022的第二输入端的电压相等，所以第二电阻2026的第一端与第二电阻2026的第二端之间跨压是等于VA-VB，其中运算放大器2022的第一输入端的电压与运算放大器2022的第二输入端的电压皆等于VA，且感测电阻104的第二端的电压是VB。因此，第一金属氧化物半导体晶体管2028和第二电阻2026即可根据第二电阻2026的第一端与第二电阻2026的第二端之间跨压VA-VB和式(1)，产生感测电流IS：

$\mathrm{IS}=\frac{\mathrm{VA}-\mathrm{VB}}{R_{2026}}---\left(1\right)$

其中R₂₀₂₆是第二电阻2026的电阻值。另外，输出电流IOUT可根据式(2)决定：

$\mathrm{IOUT}=\frac{\mathrm{VA}-\mathrm{VB}}{R_{104}}---\left(2\right)$

其中R₁₀₄是感测电阻104的电阻值。由式(1)和式(2)可知，感测电流IS和输出电流IOUT之间的关系可根据式(3)决定：

$\mathrm{IS}=\frac{R_{104}}{R_{2026}}\×\mathrm{IOUT}=K\×\mathrm{IOUT}---\left(3\right)$

如式(3)所示，K等于

因此，由式(3)可知，感测电流IS是和输出电流IOUT成比例(K)。

如图1所示，电压产生模块204包含一充电时间产生单元2042和一设定电压产生单元2044，其中充电时间产生单元2042是用以根据感测电流IS，决定一充电时间TC；设定电压产生单元2044是用以根据充电时间TC，产生设定电压VSET。充电时间产生单元2042包含一第一电流源20422、一第二金属氧化物半导体晶体管20424、一第一电容20426及一第一比较器20428。第一电流源20422具有一第一端，用以接收一第二电压V2，及一第二端，其中第一电流源20422是用以镜像(mirror)并提供感测电流IS，且第二电压V2和第一电压V1可相同或不同；第二金属氧化物半导体晶体管20424具有一第一端，耦接于第一电流源20422的第二端，一第二端，及一第三端，耦接于一地端GND，其中第二金属氧化物半导体晶体管20424是一N型金属氧化物半导体晶体管；第一电容20426具有一第一端，耦接于第一电流源20422的第二端，及一第二端，耦接于地端GND；第一比较器20428具有一第一输入端，耦接于第一电流源20422的第二端，一第二输入端，用以接收一参考电压VREF，及一输出端，耦接于第二金属氧化物半导体晶体管20424的第二端，其中参考电压VREF是用以设定电源转换器100的二次侧SEC的输出功率。

如图1所示，设定电压产生单元2044包含一第二电流源20442、一反相器20444、一第三金属氧化物半导体晶体管20446、一第二电容20448、一第四金属氧化物半导体晶体管20450、一第三电容20452及一第五金属氧化物半导体晶体管20454，其中第四金属氧化物半导体晶体管20450、第三电容20452及第五金属氧化物半导体晶体管20454是N型金属氧化物半导体晶体管。但本发明并不受限于第五金属氧化物半导体晶体管20454是一N型金属氧化物半导体晶体管。亦即第五金属氧化物半导体晶体管20454亦可是一P型金属氧化物半导体晶体管惑一传输闸。第二电流源20442具有一第一端，用以接收一第三电压V3，及一第二端，其中第二电流源20442是用以提供一参考电流IREF，且第一电压V1、第二电压V2和第三电压V3可相同或不同；反相器20444具有一第一端，耦接于第一比较器20428的输出端，及一第二端；第三金属氧化物半导体晶体管20446具有一第一端，耦接于第二电流源20442的第二端，一第二端，耦接于反相器20444的第二端，及一第三端；第二电容20448具有一第一端，耦接于第三金属氧化物半导体晶体管20446的第三端，及一第二端，耦接于地端GND；第四金属氧化物半导体晶体管20450具有一第一端，耦接于第二电容20448的第一端，一第二端，耦接于反相器20444的第二端，及一第三端；第三电容20452具有一第一端，耦接于第四金属氧化物半导体晶体管20450的第三端，及一第二端，耦接于地端GND，用以输出设定电压VSET；第五金属氧化物半导体晶体管20454具有一第一端，耦接于第二电容20448的第一端，一第二端，耦接于反相器20444的第二端，及一第三端，耦接于地端GND。另外，当第五金属氧化物半导体晶体管20454是一P型金属氧化物半导体晶体管惑一传输闸时，第五金属氧化物半导体晶体管20454的耦接方式将不同于图1的耦接方式，而会被对应地修改。

如图1所示，电压调节模块206包含一第二比较器2062。第二比较器2062具有一第一输入端，耦接于第四金属氧化物半导体晶体管20450的第三端，一第二输入端，用以接收感测电压VS，及一输出端，用以输出调节电压VR至回授电路102，其中回授电路102是用以根据调节电压VR，产生一回授电流IF至电源转换器100的一次侧PRI的功率开关控制器106。

请参照图2，图2是说明充电时间TC、第一电容20426的第一端的电压VC和参考电压VREF的关系示意图。如图1所示，当电源转换器100的二次侧SEC超载(overload)时，电源转换器100的二次侧SEC的输出电流IOUT会增加以因应电源转换器100的二次侧SEC的超载。此时，因为电源转换器100的二次侧SEC的输出电流IOUT增加，所以由式(3)可知，电流感测模块202根据输出电流IOUT，所产生的感测电流IS亦会增加。

如图1和图2所示，当充电时间产生单元2042开始运作时，感测电流IS开始对第一电容20426充电。因为第一电容20426的第一端的电压VC小于参考电压VREF，所以第一比较器20428的输出端的电压VD是处于一低电平，导致第二金属氧化物半导体晶体管20424关闭。因此，第一电容20426的第一端的电压VC逐渐增加直到第一电容20426的第一端的电压VC大于参考电压VREF。当第一电容20426的第一端的电压VC大于参考电压VREF时，因为第一比较器20428的输出端的电压VD是处于一高电平，所以第二金属氧化物半导体晶体管20424开启，导致第一电容20426的第一端的电压VC下降。另外，第二金属氧化物半导体晶体管20424可被设计以使第一电容20426的第一端的电压VC很快地降至零。因此，如图2所示，充电时间产生单元2042所决定的充电时间TC即为第一电容20426的充电时间(亦即充电时间TC可随感测电流IS改变)，其中第一电容20426、参考电压VREF和感测电流IS可根据式(4)决定充电时间TC：

$\mathrm{TC}=\frac{C_{20426}\×\mathrm{VREF}}{\mathrm{IS}}---\left(4\right)$

其中C₂₀₄₂₆是第一电容20426的电容值。

如图1和图2所示，在充电时间TC(第一电容20426的第一端的电压VC小于参考电压VREF)中，第一比较器20428的输出端的电压VD是处于低电平，所以反相器20444的第二端的电压VE是处于高电平。因此，在充电时间TC中，第五金属氧化物半导体晶体管20454关闭、第三金属氧化物半导体晶体管20446开启以及第四金属氧化物半导体晶体管20450开启。当第五金属氧化物半导体晶体管20454关闭、第三金属氧化物半导体晶体管20446开启以及第四金属氧化物半导体晶体管20450开启时，第二电流源20442根据参考电流IREF对第二电容20448和第三电容20452充电，其中参考电流IREF、第二电容20448、第三电容20452和充电时间TC可根据式(4)和式(5)决定设定电压VSET：

$\mathrm{VSET}=\frac{\mathrm{IREF}\×C_{20426}\×\mathrm{VREF}}{(C_{20448}+C_{20452})\×\mathrm{IS}}---\left(5\right)$

其中C₂₀₄₄₈是第二电容20448的电容值以及C₂₀₄₅₂是第三电容20452的电容值。如式(5)所示，参考电压VREF、参考电流IREF、为第一电容20426的电容值、第二电容20448的电容值以及第三电容20452的电容值皆已知，所以设定电压VSET和感测电流IS的倒数相关，亦即设定电压VSET和感测电流IS成反比。

另外，当第一电容20426的第一端的电压VC大于参考电压VREF时，因为第一比较器20428的输出端的电压VD是处于高电平，所以第五金属氧化物半导体晶体管20454开启、第三金属氧化物半导体晶体管20446关闭以及第四金属氧化物半导体晶体管20452关闭，导致第二电容20448的第一端的电压下降。另外，第五金属氧化物半导体晶体管20454可被设计以使第二电容20448的第一端的电压很快地降至零。

当设定电压产生单元2044根据充电时间TC，产生设定电压VSET后，如果感测电压VS小于设定电压VSET，则电压调节模块206所产生的调节电压VR是处于高电平，导致回授电路102根据调节电压VR，产生较小的回授电流IF至电源转换器100的一次侧PRI的功率开关控制器106。因此，功率开关控制器106即可根据较小的回授电流IF，调节电源转换器100的一次侧PRI的功率开关108的占空比以增加感测电压VS(因为感测电压VS和输出电压VOUT成比例)。如果感测电压VS仍小于设定电压VSET，则控制器200可重复上述过程直到感测电压VS等于设定电压VSET。

设定电压VSET和感测电流IS的乘积可通过改写式(5)而产生：

$\mathrm{VSET}\×\mathrm{IS}=\frac{\mathrm{IREF}\×C_{20426}\×\mathrm{VREF}}{(C_{20448}+C_{20452})}---\left(6\right)$

将输出电压VOUT和输出电流IOUT代入式(6)可得式(7)：

$\mathrm{VOUT}\×\mathrm{IOUT}=\frac{\mathrm{IREF}\×C_{20426}\×\mathrm{VREF}}{(C_{20448}+C_{20452})}\×\frac{N}{K}---\left(7\right)$

由式(7)可知，输出电压VOUT和输出电流IOUT的乘积是定值，所以控制器200可控制电源转换器100输出固定功率。

请参照图1、图2和图3，图3是本发明的另一实施例说明一种控制电源转换器输出固定功率的方法的流程图。图3的方法是利用图1的控制器200说明，详细步骤如下：

步骤300：开始；

步骤302：电流感测模块202根据流经电源转换器100的二次侧SEC的输出电流IOUT，产生一感测电流IS；

步骤304：充电时间产生单元2042根据感测电流IS，决定一充电时间TC；步骤306：设定电压产生单元2044根据充电时间TC，产生一设定电压VSET；

步骤308：电压调节模块206根据设定电压VSET和有关电源转换器100的二次侧SEC的输出电压VOUT的一感测电压VS，产生一调节电压VR至电源转换器100的二次侧SEC的回授电路102；

步骤310：回授电路102根据调节电压VR，产生一回授电流IF至电源转换器100的一次侧PRI的功率开关控制器106；

步骤312：功率开关控制器106根据回授电流IF，控制电源转换器100的一次侧PRI的功率开关108的占空比以调节输出电压VOUT；

步骤314：感测电压VS是否等于设定电压VSET；如果是，进行步骤316；如果否，跳回步骤302；

步骤316：结束。

在步骤302中，如图1所示，当运算放大器2022正常操作时，因为运算放大器2022的第一输入端的电压与运算放大器2022的第二输入端的电压相等，所以第二电阻2026的第一端与第二电阻2026的第二端之间跨压是等于VA-VB，其中运算放大器2022的第一输入端的电压与运算放大器2022的第二输入端的电压皆等于VA，且感测电阻104的第二端的电压是VB。因此，电流感测模块202即可根据第二电阻2026的第一端与第二电阻2026的第二端之间跨压VA-VB和式(1)，产生感测电流IS，其中由式(3)可知，感测电流IS是和输出电流IOUT成比例(K)。

在步骤304中，如图1和图2所示，当充电时间产生单元2042开始运作时，感测电流IS开始对第一电容20426充电。因为第一电容20426的第一端的电压VC小于参考电压VREF，所以第一比较器20428的输出端的电压VD是处于一低电平，导致第二金属氧化物半导体晶体管20424关闭。因此，第一电容20426的第一端的电压VC逐渐增加直到第一电容20426的第一端的电压VC大于参考电压VREF。当第一电容20426的第一端的电压VC大于参考电压VREF时，因为第一比较器20428的输出端的电压VD是处于一高电平，所以第二金属氧化物半导体晶体管20424开启，导致第一电容20426的第一端的电压VC下降。另外，第二金属氧化物半导体晶体管20424可被设计以使流经第二金属氧化物半导体晶体管20424到地端GND的放电电流远大于感测电流IS。如此，第一电容20426的第一端的电压VC将很快地降至零。因此，如图2所示，充电时间产生单元2042所决定的充电时间TC即为第一电容20426的充电时间，其中第一电容20426、参考电压VREF和感测电流IS可根据式(4)决定充电时间TC。

在步骤306中，如图1和图2所示，在充电时间TC(第一电容20426的第一端的电压VC小于参考电压VREF)中，第一比较器20428的输出端的电压VD是处于低电平，所以反相器20444的第二端的电压VE是处于高电平。因此，在充电时间TC中，第五金属氧化物半导体晶体管20454关闭、第三金属氧化物半导体晶体管20446开启以及第四金属氧化物半导体晶体管20450开启。当第五金属氧化物半导体晶体管20454关闭、第三金属氧化物半导体晶体管20446开启以及第四金属氧化物半导体晶体管20450开启时，第二电流源20442根据参考电流IREF对第二电容20448和第三电容20452充电，其中参考电流IREF、第二电容20448、第三电容20452和充电时间TC可根据式(4)和式(5)决定设定电压VSET。如式(5)所示，参考电压VREF、参考电流IREF、为第一电容20426的电容值、第二电容20448的电容值以及第三电容20452的电容值皆已知，所以设定电压VSET和感测电流IS的倒数相关，亦即设定电压VSET和感测电流IS成反比。

另外，当第一电容20426的第一端的电压VC大于参考电压VREF时，因为第一比较器20428的输出端的电压VD是处于高电平，所以第五金属氧化物半导体晶体管20454开启、第三金属氧化物半导体晶体管20446关闭以及第四金属氧化物半导体晶体管20452关闭，导致第二电容20448的第一端的电压下降。另外，第五金属氧化物半导体晶体管20454可被设计以使第二电容20448的第一端的电压很快地降至零。

在步骤308和步骤310中，当设定电压产生单元2044根据充电时间TC，产生设定电压VSET后，如果感测电压VS小于设定电压VSET，则电压调节模块206所产生的调节电压VR是处于高电平，导致回授电路102根据调节电压VR，产生较小的回授电流IF至电源转换器100的一次侧PRI的功率开关控制器106。

在步骤312中，功率开关控制器106即可根据较小的回授电流IF，调节电源转换器100的一次侧PRI的功率开关108的占空比以增加感测电压VS(因为感测电压VS和输出电压VOUT成比例)。如果感测电压VS仍小于设定电压VSET，则控制器200可重复上述过程直到感测电压VS等于设定电压VSET。另外，由式(7)可知，输出电压VOUT和输出电流IOUT的乘积是定值，所以控制器200可控制电源转换器100输出固定功率。

综上所述，本发明所公开的控制电源转换器输出固定功率的控制器和控制电源转换器输出固定功率的方法是利用电流感测模块根据流经电源转换器的二次侧的输出电流，产生感测电流，利用电压产生模块根据感测电流，产生和感测电流的倒数相关的设定电压，以及利用电压调节模块根据设定电压和有关电源转换器的二次侧的输出电压的感测电压，产生调节电压至电源转换器的二次侧的回授电路。然后，回授电路和电源转换器的一次侧即可根据调节电压，调节电源转换器的二次侧的输出电压。如此，本发明所公开的控制器和电源转换器的二次侧的回授电路即可重复上述步骤直到感测电压等于设定电压。当感测电压等于设定电压时，电源转换器的输出电压和输出电流的乘积是定值。因此，相较于现有技术，当电源转换器的二次侧超载时，本发明可确保电源转换器的的二次侧的输出功率维持定值。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种控制电源转换器输出固定功率的控制器，其特征在于包含：

一电流感测模块，耦接于该电源转换器的二次侧，用以根据流经该电源转换器的二次侧的输出电流，产生一感测电流；

一电压产生模块，耦接于该电流感测模块，用以根据该感测电流，产生和该感测电流的倒数相关的一设定电压；及

一电压调节模块，耦接于该电压产生模块和该电源转换器的二次侧，用以根据该设定电压和有关该电源转换器的二次侧的输出电压的一感测电压，产生一调节电压至该电源转换器的二次侧的一回授电路，其中该回授电路和该电源转换器的一次侧根据该调节电压，调节该输出电压；

其中该输出电压和该输出电流的乘积是一定值。

2.如权利要求1所述的控制器，其特征在于：该感测电流是和该输出电流成比例。

3.如权利要求1所述的控制器，其特征在于：该电流感测模块包含：一运算放大器；

一第一电阻，具有第一端和第二端，所述第一端耦接于该电源转换器的二次侧的一感测电阻的第一端，所述第二端耦接于该运算放大器的第一输入端，其中该输出电流流经该感测电阻；

一第二电阻，具有第一端和第二端，所述第一端耦接于该感测电阻的第二端，所述第二端耦接于该运算放大器的第二输入端；及

一第一金属氧化物半导体晶体管，具有第一端和第二端，所述第一端用以接收一第一电压，所述第二端耦接于该运算放大器的输出端，还具有耦接于该运算放大器第二输入端的第三端；

其中该第一金属氧化物半导体晶体管和该第二电阻根据该第二电阻的第一端与该第二电阻的第二端的跨压，产生所述感测电流。

4.如权利要求1所述的控制器，其特征在于：该电压产生模块包含：

一充电时间产生单元，用以根据该感测电流，决定一充电时间；及

一设定电压产生单元，用以根据该充电时间，产生所述设定电压。

5.如权利要求4所述的控制器，其特征在于

该充电时间产生单元包含：

一第一电流源，具有一第一端，用以接收一第二电压，及一第二端，其中该第一电流源是用以镜像(mirror)并提供该感测电流；

一第二金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第一电流源的第二端，一第二端，及一第三端，耦接于一地端；

一第一电容，具有一第一端，耦接于该第一电流源的第二端，及一第二端，耦接于该地端；及

一第一比较器，具有一第一输入端，耦接于该第一电流源的第二端，一第二输入端，用以接收一参考电压，及一输出端，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的第二端，其中该感测电流、该第一电容和该参考电压是用以决定该充电时间；及

该设定电压产生单元包含：

一第二电流源，具有一第一端，用以接收一第三电压，及一第二端，其中该第二电流源是用以提供一参考电流；

一反相器，具有一第一端，耦接于该第一比较器的输出端，及一第二端；

一第三金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二电流源的第二端，一第二端，耦接于该反相器的第二端，及一第三端；

一第二电容，具有一第一端，耦接于该第三金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该地端；

一第四金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二电容的第一端，一第二端，耦接于该反相器的第二端，及一第三端；

一第三电容，具有一第一端，耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该地端，用以输出该设定电压；及

一第五金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二电容的第一端，一第二端，耦接于该第一比较器的输出端，及一第三端，耦接于该地端；

其中该参考电流、该第二电容、该第三电容和该充电时间是用以决定该设定电压。

6.如权利要求5所述的控制器，其特征在于：当该第一电容的第一端的电压不大于该参考电压时，该第二金属氧化物半导体晶体管以及该第五金属氧化物半导体晶体管关闭，而该第三金属氧化物半导体晶体管以及该第四金属氧化物半导体晶体管开启。

7.如权利要求6所述的控制器，其特征在于：当该第二金属氧化物半导体晶体管以及该第五金属氧化物半导体晶体管关闭而该第三金属氧化物半导体晶体管以及该第四金属氧化物半导体晶体管开启时，该第一电流源对该第一电容充电，以及该第二电流源对该第二电容和该第三电容充电。

8.如权利要求5所述的控制器，其特征在于当该第一电容的第一端的电压大于该参考电压时，该第二金属氧化物半导体晶体管以及该第五金属氧化物半导体晶体管开启而该第三金属氧化物半导体晶体管以及该第四金属氧化物半导体晶体管关闭。

9.如权利要求1所述的控制器，其特征在于：该电压调节模块包含：

一第二比较器，具有一第一输入端，耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二输入端，用以接收该感测电压，及一输出端，用以输出该调节电压至该回授电路，其中该回授电路用以根据该调节电压，产生一回授电流至该电源转换器的一次侧的功率开关控制器。

10.如权利要求9所述的控制器，其特征在于：该功率开关控制器是根据该回授电流，控制该电源转换器的一次侧的功率开关的占空比以调节该输出电压。

11.一种控制电源转换器输出固定功率的方法，其特征在于：

包括以下步骤：

根据流经该电源转换器的二次侧的输出电流，产生一感测电流；

根据该感测电流，产生和该感测电流的倒数相关的一设定电压；

根据该设定电压和有关该电源转换器的二次侧的输出电压的一感测电压，产生一调节电压至该电源转换器的二次侧的一回授电路；及

根据该调节电压，调节该输出电压；

其中该输出电压和该输出电流的乘积是一定值。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：该感测电流是和该输出电流成一第二比例。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于：根据该感测电流，产生和该感测电流的倒数相关的该设定电压包含：根据该感测电流，决定一充电时间；及根据该充电时间，产生该设定电压。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于：根据该调节电压，调节该输出电压包含：

根据该调节电压，产生一回授电流至该电源转换器的一次侧的功率开关控制器；及

根据该回授电流，控制该电源转换器的一次侧的功率开关的占空比以调节该输出电压。

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