CN103715586A - 制备与pcb板连接的金属导电连接件的方法及连接件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种制备与PCB板连接的金属导电连接件的方法及采用该方法制备的连接件,所述方法包括在带有凹槽的金属基材的所述凹槽内嵌合镶嵌层,嵌合位置进行轧制复合以形成复合金属带材的步骤,其中,所述金属基材为铜材或者不锈钢材,所述镶嵌层为铜层、银层或表面为银的铜-银复合层;对轧制后的所述复合金属带材进行至少两次软化退火及轧制处理,两次软化退火间的轧制变形率不大于60%的步骤;对所需规格厚度的复合金属带材进行冲压,以形成金属导电连接件的步骤。本发明制备方法工艺环保,所制备的导电连接件导电性高、与PCB板的结合稳定性强且成型性较高好。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备与PCB板连接的金属导电连接件的方法及采用该方法制备的金属导电连接件,属于复合金属材料制备技术领域。
背景技术
移动电子产品(如智能手机、平板电脑)的普及和迅猛发展,使得人们对上述产品的性能提出了更高要求,而其中用于PCB电路板连接的导电连接件能否将PCB电路板可靠连接对最终产品质量的可靠性和稳定性影响很大,尤其是影响产品内阻、温升等重要性能指标的关键性因素。
目前,用于PCB电路板连接的导电连接件较多选用耐蚀性较好的纯镍材料或不锈钢材料,例如锂电池电源管理系统(BMS)的PCB电路板经常用纯镍片作导电连接件,纯镍片直接焊接在扣式电池外壳上,而与PCB板之间起到导电连接作用的基材则为不锈钢材质。然而,无论是纯镍材料还是不锈钢材料都很难与锡形成牢固的合金层,因此,直接由这些材质所制成的连接件与PCB电路板上锡膏的连接要么稳定性差(对纯镍而言),要么根本无法钎焊(对不锈钢而言)。
美国专利文献US 4572925提供了一种通过在镍基材上镀铜来改善导电连接件与PCB电路板上焊锡性能的技术方案。但该技术方案存在以下问题:1)镀覆法镀层较厚时无法满足材料之间的结合强度,原因在于:电化学沉积工艺过程决定了逐渐沉积的材料原子间为化学键合,而化学键合导致镀层内部组织的致密度较差,而且镀层越厚其致密度下降越剧烈,而致密度较差使得镀层与基材的结合稳定性下降,容易出现剥离现象,进而影响与PCB电路板的连接性能;另外,镀覆工艺所产生的废液排放问题难以回避。2)镀覆法镀层较薄时不利于提高导电连接件的导电性,而这对达到某些高端产品的应用性能指标是非常不利的,对于纯镍(电阻率83μΩ·cm左右)或者不锈钢(电阻率50~80μΩ·cm)基材来说,其导电性能较差,因此,现有镀覆法很难得到导电性较高的导电连接件。
中国专利文献200920130921.4公开了一种用于PCB电路板的导电连接件,包括连接在PCB电路板上的纯镍或镀镍连接片,所述连接片在与PCB电路板相接触的表面上设有铜层。该方案中所设铜层与镍层仅通过单面结合,结合强度很低,无法保证结合稳定性;尤其是后续需要弯折变形时,由于铜层与镍层的结合面的边沿处是连接片与PCB电路板的弱连接位置,在冲压折弯过程中,折弯外缘的铜镍结合面边沿位置附近就成为冲压变形的应力集中处,铜层非常容易从应力集中位置开始,沿铜镍结合面产生局部脱层,即便在冲压弯折过程中没有产生上述脱层现象,该部分也将成为后续与PCB电路板连接过程中产生脱层问题的隐患。
综合上述分析,如何提供一种能够与PCB板牢固结合、成型性较好且环境友好的用于PCB板的金属导电连接件以及其制备工艺是现有技术中还没有解决的技术难题。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的导电连接件的制备工艺使得导电连接件与PCB板的结合稳定性、成型性的综合性能方面较差的技术缺陷,从而提供一种使得导电连接件与PCB板牢固结合且成型性较好的导电连接件的制备工艺。
本发明要解决的再一个技术问题在于现有技术中的导电连接件与PCB板的结合稳定性、成型性的综合性能方面较差的技术缺陷,从而提供一种与PCB板的结合稳定性强且成型性较好的导电连接件。
为此,本发明提供一种制备用于与PCB板连接的金属导电连接件的方法,包括如下步骤:
步骤(1):在带有凹槽的金属基材的所述凹槽内嵌合镶嵌层,并对所述金属基材的嵌合位置进行轧制复合,以形成复合金属带材;
其中,所述金属基材为铜材或者不锈钢材,所述镶嵌层为铜层、银层或表面为银的铜-银复合层;
步骤(2):对轧制后的所述复合金属带材进行至少两次软化退火以及轧制处理,得到所需规格厚度的复合金属带材,其中两次软化退火间的轧制变形率不大于60%;
步骤(3):对所需规格厚度的复合金属带材进行冲压,以形成平直的金属导电连接件。
在所述步骤(1)中的轧制之前,所述镶嵌层的厚度占所述复合金属基带材未开槽部分的厚度的6%~52%。
所述镶嵌层为表面为银的铜-银复合层,在所述步骤(1)中的轧制之前,所述的铜-银复合层中银层厚度占所述金属基材未开槽部分的厚度整个复合金属带材厚度的2%~7%。
所述金属基材的总变形率超过80%,其中总变形率=(基材变形前厚度-成品金属导电连接件厚度)/基材变形前厚度*100%。
所述软化退火为光亮退火。
所述软化退火的温度为600℃~950℃,优选700℃~900℃。
所述软化退火的速度为1.5米/分钟至5米/分钟,优选为2米/分钟至4.5米/分钟。
所述步骤(2)中的软化退火过程在保护气氛或还原气氛下进行。
所述步骤(1)中,在所述步骤(㈠的轧制之前,所述镶嵌层的宽度为所述凹槽总宽度的90%-99%。
所述步骤(1)轧制复合过程的金属基材的轧制变形率为30%-60%。
本发明还提供一种利用上述方法制备的金属导电连接件。
所述镶嵌层的厚度占所述复合金属带材厚度的5%~50%。
所述镶嵌层为表面为银的铜-银复合层,所述铜-银复合层中银层厚度约占整个复合金属带材厚度的1%-5%。
本发明还提供一种用于与PCB板连接的弯折金属导电连接件的制备方法,包括上述的制备复合金属导电连接件的步骤,还包括在所述步骤(3)之后的弯折步骤(4)。
所述弯折步骤(4)中,将所述复合金属带材的没有安装所述镶嵌层的一端弯折以形成基本垂直于金属基材表面的弯折端。
本发明还提供一种利用上述方法制备的用于与PCB板连接的弯折金属导电连接件。
所述镶嵌层的厚度占所述复合金属带材厚度的5%~50%。
所述镶嵌层为表面为银的铜-银复合层,所述铜-银复合层中银层厚度约占整个复合金属带材厚度的1%~5%。
本发明还提供一种扣式电池的电池焊脚,包括PCB板,以及由以上所述任一金属导电连接件的制备方法所制备的金属导电连接件,该金属导电连接件的镶嵌层的表面与所述PCB板贴合连接。
本发明还提供一种扣式电池的电池焊脚,包括PCB板,以及由以上所述任一弯折金属导电连接件的制备方法所制备的弯折金属导电连接件,该弯折金属导电连接件的镶嵌层的表面与所述PCB板贴合连接。本发明提供的制备用于与PCB板连接的金属导电连接件的制备方法、金属导电连接件、弯折金属导电连接件以及扣式电池的电池焊脚具有以下优点:
1.本发明提供的金属导电连接件的制备方法首先在带有凹槽的金属基材的所述凹槽内嵌合镶嵌层,对所述复合金属带材的嵌合位置进行轧制;然后对轧制后的所述复合金属带材进行至少两次软化退火及轧制处理,得到所需规格厚度的复合金属带材,其中,两次软化退火间的轧制变形率不大于60%,最后对所需规格厚度的复合金属带材进行冲压,以形成平直或弯折的金属导电连接件。通过采用至少两次软化退火,使金属基材与镶嵌层之间的互扩散层逐次加厚,增强金属基材与镶嵌层的牢固性,使得两者之间的物理冶金键合强度很高,并使得复合金属带材后续的加工性好;并且,严格控制两次软化退火之间的轧制变形率,不但优化了金属基材与镶嵌层之间的结合强度,也优化了金属导电连接件成型性,并且提高了工艺效率,降低了工艺成本。
在该方法中,所述金属基材为铜材或者不锈钢材,所述镶嵌层为铜层、银层或表面为银的铜-银复合层。在铜材或者不锈钢材的金属基材上镶嵌铜层、银层或表面为银的铜-银复合层,可以提高复合金属带材的钎焊性能,由于基材纯镍的导电性只有铜或银的20%左右,因此在复合金属带材中镶嵌铜层或银层,则使得整个由镶嵌复合金属结构所构成的导电连接件较纯镍材料的导电性显著提高。另外,以纯镍基材镶嵌复合金属带材为例,其中铜单价是镍单价的1/3,而镍单价则是银单价的1/20,因此在复合金属带材中镶嵌铜层或银层,有利于降低成本,这对不锈钢基材镶嵌复合金属带材同样适用。
2.本发明提供的金属导电连接件的制备方法,所述软化退火为光亮退火,所述软化退火的温度为600℃~950℃,优选为700℃~900℃,所述软化退火的速度为1.5米/分钟至5米/分钟,优选为2米/分钟至4.5米/分钟。在上述温度以及速度下进行的软化退火过程,出乎意料地,所述金属基材与镶嵌层之间结合强度最高,金属导电连接件不易出现脱层现象,并且,金属导电连接件成型性最好。
3.本发明提供的金属导电连接件的制备方法,在所述步骤(1)中的轧制之前,所述镶嵌层的厚度占所述金属基材未开槽部分厚度的6%~52%。,经过长期生产实践证明,镶嵌复合金属的镶嵌层与复合金属带材的比例在6%~52%时,材料一次复合的合格率相对较高;而对于镶嵌复合金属中银层厚度比例只有2%~7%的情况,则需要采取两次复合工艺来减低制造过程难度,即第一次复合先制备出铜-银面复合金属带材,然后将该带材轧薄至合适厚度后再进行镶入基材的第二次复合(注:第二次复合为镶嵌轧制复合)。并且,由于基材纯镍的导电性只有铜或银的20%左右,因此增加铜层或银层在整个镶嵌复合金属带材中的相对厚度比例,使得整个金属导电连接件的导电性相对于纯镍材料来说显著提高。同时,以纯镍基材镶嵌复合金属带材为例,其中铜单价是镍单价的1/3,而镍单价则是银单价的1/20,因此镶嵌铜层比例较高或尽量降低银层厚度比例均有利于材料成本优化。
4.本发明提供的金属导电连接件的制备方法,在所述步骤(1)的轧制之前,所述镶嵌层的宽度为所述凹槽总宽度的90%-99%。所述步骤(1)后,所述金属基材的变形率为30%-60%。通过控制所述镶嵌层宽度为所述凹槽总宽度的90%-99%,以及控制所述复合金属带材的轧制变形率,从而使得轧制变形过程中,所述镶嵌层随着轧制过程的进行,能够在所述凹槽内合理变形,促使所述镶嵌层的边缘能够与所述凹槽很好的接触,从而使得该工序能够与后续软化退火及轧制工序完美结合,最终使得镶嵌层与所述凹槽之间具有较高的结合强度。
5.本发明提供的金属导电连接件的制备方法,所述金属基材的总变形率超过80%,通过极大程度提高材料从镶嵌轧制复合工序开始至成品整个过程的总轧制变形率,增加了镶嵌层新鲜表面的形成率,使得异质金属间的待结合面面积大大增强,增强了金属基材与所镶嵌层的牢固性。
6.本发明还提供一种弯折金属导电连接件的制备方法,包括上述制备复合金属导电连接件的步骤,还包括在所述步骤(3)之后的弯折步骤(4)。所述弯折步骤(4)中,将所述复合金属带材的没有安装所述镶嵌层的一端弯折以形成基本垂直于金属基材表面的弯折端。由于上述弯折金属导电连接的步骤(1)-步骤(3)与上述金属导电连接件的制备方法相同,因此,本发明的弯折金属导电连接件的制备方法具有上述金属导电连接件制备方法具备的所有优点。另外,由于所述镶嵌层位于所述凹槽内,其至少底面与侧面与所述金属基材接触,在弯折过程中,不易导致镶嵌层与所述凹槽的脱层,保证了弯折过程中复合金属带材的成型性以及结合强度;使镶嵌复合金属带材中金属基材与嵌材的牢固结合面更多,形成的“半包裹”式结构确保了所制备的导电连接件的抗折弯断裂性明显提高,增强了所制备的导电连接件的成型性。同时,通过控制软化退火的次数至少为两次,使金属基材与镶嵌层的相邻侧面的互扩散层逐次加厚,增强金属基材与所镶嵌材料的牢固性。
7.本发明提供的弯折金属导电连接件的制备方法,其基本原理由三方面机制综合构成:1)极大程度提高材料从镶嵌轧制复合工序开始至成品整个过程的总轧制变形率,即增加材料新鲜表面的形成率,也可理解为异质金属间的待结合面(特别是侧面)面积大大增强,这样侧面间新鲜接触面积尽可能增加从而为形成牢固的物理冶金键合奠定基础。2)同时增加软化退火过程的次数可解释为使基材与所镶嵌材料的相邻侧面的互扩散层逐次加厚,直至确保在侧面之间形成牢固的物理冶金键合。3)轧制过程会同时形成侧面复合强度破坏与侧面复合强度增强两种平衡机制。金属基材与所镶嵌层间随着轧制变形率不断加大而增加彼此间的变形不均匀性(注:镍及不锈钢基材与铜或银嵌材的加工硬化率相差较大,基材明显较高),由此金属基材侧所形成的拉应力对异质材料间侧面的结合强度破坏程度加剧;同时由于轧制变形率增加又使得异质金属相邻侧面附近新鲜材料表面增多有利于形成结合。因此必须控制结合强度破坏与增强的两种机制的平衡度,即需要控制两次软化退火间的轧制变形率至合适的范围来确保侧面复合强度增强。
本发明所提出的制备方法正是综合考虑了上述三种机制,因而确保了基材与所镶嵌材料的侧面与底面均为牢固的物理冶金键合。较现有镀覆结构基材与覆材只有单面结合的特征,显然镶嵌复合金属带材中基材与嵌材的牢固结合面更多而形成的“半包裹”式结构确保了所制备的导电连接件的抗折弯断裂性明显提高,即增强了该导电连接件的成型性。轧制复合工艺属于通过不同组元材料间的大塑性变形及适当的能量引入实现异质材料间物理冶金键合过程,其生产流程的绿色环保性实际上已得到公认。
由上可见,与现有的纯镍或不锈钢基材表面镀覆技术及其材料性能相比较而言,本发明所述制造方法除了明显的环保优势外,用该方法所制备的弯折金属导电连接件的钎焊性、成型性、导电性等综合性能优异而且稳定一致性好。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解,下面根据本发明的具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中
图1为弯折金属导电连接件的结构示意图;
图2为金属导电连接件的俯视图;
图3为金属导电连接件的横截面图;
图4为弯折金属导电连接件与PCB板连结的结构示意图
图中附图标记表示为:1-金属基材;2-镶嵌层;3-PCB板。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
实施例1
本实施例提供一种制备用于与PCB板连接的金属导电连接件的方法,该方法采用的原材料:包括30mm(宽)*1.5mm(厚)的镍基材,0.15mm(厚)*8mm(宽)的纯铜卷带。
该方法包括如下步骤:
步骤(1):在纯镍带材1表面连续刨出截面为矩形的凹槽,槽宽为8.1mm,深为0.15mm在纯镍基材的所述凹槽内嵌合纯铜卷带作为镶嵌层,在相应嵌合位置经过60%轧制变形率的冷复合轧制形成厚度为0.6mm的复合金属带材。其中,轧制复合前所述镶嵌层-铜带的宽度为所述凹槽总宽度的98.77%;
步骤(2):对冷复合轧制后的复合金属带材进行三次软化退火过程、退火过程间进行多道次轧制、分条剪切等工序,其中,三次软化退火的带材厚度及退火速度分别为0.6mm/1.8mpm、0.3mm/3mpm、0.13mm/5mpm,退火温度均为850℃,通氨分解气还原气体保护。由上可见,两次软化退火过程间的轧制变形率分别为50%、57%,镶嵌复合前金属基材至成品带材的总轧制变形率为93%。
步骤(3):对所需规格厚度后的复合金属带材进行冲压,以形成平直的金属导电连接件。
如图2、图3所示,利用本实施例的上述制备方法制备得到0.1mm(厚)*25mm(宽)的金属导电连接件,镶嵌层2铜片的尺寸为0.08mm(厚度)*4mm(宽度)。所述镶嵌层2的底面、侧面与所述纯镍金属基材1之间物理冶金键合。镶嵌层2的厚度为该金属导电连接件总厚度的8%。
作为对本实施例的制备方法的一种变形,所述软化退火的温度还可以在600℃~950℃范围内选择,优选在700℃~900℃范围内进行选择,例如,软化退火温度可以选择600℃、650℃、700℃、750℃、800℃、900℃等等。
作为本实施例的制备方法的另一种变形,所述软化退火的速度还可以在1.5米/分钟至5米/分钟范围内选择,优选在2米/分钟至4.5米/分钟的范围内进行选择,例如,所述软化退火的温度可以为1.5米/钟、1.8米/钟、2米/钟、2.5米/钟、2.8米/钟、3米/钟、3.5米/钟、4米/钟以及4.5米/钟。
作为本实施的制备方法的再一种变形,在步骤(1)中所述轧制复合过程的变形率可以根据金属基材以及镶嵌层的厚度关系在30%-60%的范围内进行变化(注:50%以上一般为冷复合,30%~50%范围则采用可控气氛热复合,气氛为氨分解气或氢气)。例如,复合金属带材的轧制变形率为30%、35%、40%、45%、48%、50%、52%、58%等等。
需要说明的是,在所述步骤(1)中的冷复合轧制之前,保证所述镶嵌层的厚度占所述金属基材未开槽部分厚度的6%~52%,可以获得镶嵌层的厚度占整个金属基材厚度5-50%的复合金属带材。
实施例2
本实施例提供一种制备用于与PCB板连接的金属导电连接件的方法,原材料为30mm(宽)*1.5mm(厚)的镍基材,0.3mm(厚)*8mm(宽)的铜-银层状复合材料,其中铜-银层状复合材料中银层占总厚为10%,铜层占90%,铜-银层状复合材料采用现有制备技术复合。
该方法包括如下步骤:
步骤(1):在纯镍带材表面连续刨出截面为矩形的凹槽,槽宽为8.2mm,深为0.3mm,在纯镍基材的所述凹槽内嵌合铜-银层状复合材料作为镶嵌层,在相应嵌合位置经过60%轧制变形率的冷复合轧制得到厚度为0.6mm的复合金属带材。其中,轧制复合前所述镶嵌层-铜带的宽度为所述凹槽总宽度的97.56%,所述镶嵌层在所述间隙内变形;
步骤(2):对冷复合轧制后的复合金属带材进行三次软化退火过程、热处理过程间进行多道次轧制、分条剪切等工序,其中,三次软化退火的带材厚度及退火速度分别为0.6mm/1.5mpm、0.4mm/2.5mpm、0.18mm/5mpm,退火温度均为600℃,通氨分解气还原气体保护。由上可见,两次软化退火过程间的轧制变形率分别为33%、55%,镶嵌复合前金属基材至成品带材的总轧制变形率为90%。
步骤(3):对所需规格厚度的复合金属带材进行冲压,以形成平直的金属导电连接件。
如图2、图3所示,利用本实施例的上述制备方法制备得到0.15mm(厚)*25mm(宽)的金属导电连接件,镶嵌层2的尺寸为0.025mm(厚度)*4mm(宽度)。所述镶嵌层的底面与所述纯镍金属基材之间物理冶金键合。镶嵌层2的厚度为该金属导电连接件总厚度的16.7%。
在所述步骤(1)的冷复合轧制之前,保证所述铜-银复合层中银层厚度占整个金属基材未开槽部分厚度的2%~7%,可以获得所述铜-银复合层中银层厚度占整个金属基材厚度的1%~5%的复合金属带材。
实施例3
本实施例是在实施例1的基础上的改进,提供一种弯折金属导电连接件的方法。该方法包括实施例1所述制备方法的步骤1~3,还包括步骤(4):将步骤(3)所得的导电连接件进行折弯成型。
根据镶嵌铜材容易氧化变色的特性,一般对冲压成型后的导电连接件要进行相关表面处理和保护,以利于后续的钎焊过程。
经过SMT工序,镶嵌层2的外表面与PCB板3通过焊锡进行连接。经大批量测试,金属导电连接件与PCB板3间的抗剥离拉拔力均在1.6kgf以上,远超过1.2kgf的标准应用要求。
实施例4
本实施例是在实施例2的基础上的改进,提供一种弯折金属导电连接件的方法。该方法包括实施例2所述制备方法的步骤1~3,还包括步骤(4):将步骤(3)所得的金属导电连接件折弯成型。
经过SMT工序,镶嵌层2铜-银层状复合材料的银层外表面与PCB板3过焊锡进行连接。经大批量测试,金属导电连接件与PCB板间的抗剥离拉拔力均在1.6kgf以上。
实施例5
本实施例提供一种扣式电池的电池焊脚的制备方法及扣式电池的电池焊脚。
该方法采用的原材料:60mm(宽)*1.5mm(厚)的SUS430铁素体不锈钢带材,0.15mm(深)*12mm(宽)的纯铜卷带。
该方法包括如下步骤:
步骤(1)在不锈钢带材两表面的中心对称位置连续刨出截面为矩形的槽,槽宽为12.3mm,深为0.15mm;在不锈钢带材的所述凹槽内嵌合纯铜卷带作为镶嵌层,在相应嵌合位置经过40%的轧制变形率的可控气氛热复合,轧制复合温度为600℃,通氨分解气还原保护气体,得到厚度为0.9mm的复合金属带材;
步骤(2):对可控热复合轧制后的复合金属带材进行四次软化退火过程,热处理过程间进行多道次轧制、分条剪切等工序,其中,四次软化退火的带材厚度及退火速度分别为0.9mm/1.5mpm、0.45mm/2.5mpm、0.25mm/3.5mpm、0.15mm/4mpm,退火温度均为925℃,通氨分解气还原气体保护。由上可见,四次软化退火过程间的轧制变形率分别为50%、44%、40%,镶嵌复合前基材至成品带材的总轧制变形率为90%;
步骤(3):对复合金属带材进行冲压,制备所需规格为0.15mm(厚)*56mm(宽)的金属导电连接件。
步骤(4):将0.15mm(厚)*56mm(宽)的金属导电连接件进行折弯成型,得到弯折金属导电连接件;
步骤(5):将上述弯折金属导电连接件与PCB板钎焊连结,得到扣式电池焊脚。
在本实施例中,步骤(3)后,得到所需规格的0.15mm(厚)*56mm(宽)的金属导电连接件,所述镶嵌层的底面、侧面与所述金属基材之间物理冶金键合,具有较好的结合强度,该金属导电连接件的后续成型性较好。
在本实施例中,步骤(5)后,得到的扣式电池的电池焊脚,PCB板与430不锈钢基材两面所镶嵌的铜材实现了牢固钎焊连接,而且焊脚的导电性较原有材质(430不锈钢镀镍后再局部镀锡)的加工件显著提高。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (22)
1.一种制备与PCB板连接的金属导电连接件的方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤(1):在带有凹槽的金属基材的所述凹槽内嵌合镶嵌层,并对所述金属基材的嵌合位置进行轧制复合,以形成复合金属带材,
其中,所述金属基材为铜材或者不锈钢材,所述镶嵌层为铜层、银层或表面为银的铜-银复合层;
步骤(2):对轧制后的所述复合金属带材进行至少两次软化退火,以及轧制处理,得到所需规格厚度的复合金属带材,其中,两次软化退火间的轧制变形率不大于60%;
步骤(3):对所需规格厚度的复合金属带材进行冲压,以形成平直的金属导电连接件。
2.根据权利要求1所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:在所述步骤(1)中的轧制之前,所述镶嵌层的厚度占所述金属基材未开槽部分厚度的6%~52%。
3.根据权利要求1或2所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述镶嵌层为表面为银的铜-银复合层,在所述步骤(1)中的轧制之前,所述铜-银复合层中银层厚度占所述金属基材未开槽部分厚度的2%~7%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述金属基材的总变形率超过80%。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述软化退火为光亮退火。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述软化退火的温度为600℃~950℃。
7.根据权利要求6所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述软化退火的温度为700℃~900℃。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述软化退火的速度为1.5米/分钟至5米/分钟。
9.根据权利要求8所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述软化退火的速度为2米/分钟至4.5米/分钟。
10.根据权利要求1-9中所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的软化退火过程在保护气氛或还原气氛下进行。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:在所述步骤(1)的轧制之前,所述镶嵌层材料的宽度为所述凹槽总宽度的90%-99%。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)轧制复合过程金属基材的轧制变形率为30%-60%。
13.一种与PCB板连接的弯折金属导电连接件的制备方法,其特征在于:包括权利要求1-13中任一项所述的制备金属导电连接件的步骤,还包括在所述步骤(3)之后的弯折步骤(4)。
14.根据权利要求13所述的制备与PCB板连接的弯折金属导电连接件的制备方法,其特征在于:所述弯折步骤(4)中,将所述复合金属带材的没有安装所述镶嵌层的一端弯折以形成基本垂直于金属基材表面的弯折端。
15.一种与PCB板连接的金属导电连接件,其特征在于:采用权利要求1-12中任一项所述的制备方法制备而成。
16.根据权利要求15所述的金属导电连接件,其特征在于:所述镶嵌层的厚度占所述复合金属带材厚度的5%~50%。
17.根据权利要求16所述的金属导电连接件,其特征在于:所述镶嵌层为表面为银的铜-银复合层,所述铜-银复合层中银层厚度占所述复合金属带材厚度的1%~5%。
18.一种与PCB板连接的弯折金属导电连接件,其特征在于:采用权利要求13或14所述的制备方法制备而成。
19.根据权利要求18所述的弯折金属导电连接件,其特征在于:所述镶嵌层的厚度占所述复合金属带材厚度的5%~50%。
20.根据权利要求19所述的弯折金属导电连接件,其特征在于:所述镶嵌层为表面为银的铜-银复合层,所述铜-银复合层中银层厚度占整个复合金属带材厚度的1%~5%。
21.一种扣式电池的电池焊脚,包括PCB板,其特征在于:还包括权利要求15-17中任一项所述的金属导电连接件所述金属导电连接件的镶嵌层的表面与所述PCB板贴合连接。
22.一种扣式电池的电池焊脚,包括PCB板,其特征在于:还包括权利要求18-20中任一项所述的弯折金属导电连接件,所述弯折金属导电连接件的镶嵌层的表面与所述PCB板贴合连接。
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