CN103715291B - 一种太赫兹光电探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。
Description
技术领域
本发明涉及太赫兹波探测技术领域，涉及一种太赫兹光电探测器，特别是涉及一种利用石墨烯光电导特性探测太赫兹波的光电探测器。
背景技术
太赫兹波段是介于中红外与微波之间的、在频谱上未被完全开发的波段，被称为“太赫兹空隙”。它在物理学、材料科学、生命科学、天文学、信息和国防科技等方面具有重大的科学意义和应用前景。由于太赫兹波段的重要学术意义和应用价值，近几年来太赫兹物理、器件及应用已成为国际上最热门的前沿研究领域之一。
石墨烯是一种新型的二维材料，由于其独特的性质，包括最薄、最牢固、高热导率、高硬度、高电子迁移率、零有效质量、室温弹道输运、耐受电流密度比铜高6个数量级等，在下一代晶体管、传感器、透明导电极、柔性显示屏等领域有着巨大的潜在应用。它的发现获得了2010年的诺贝尔奖。常规的石墨烯制备方法包括：微机械剥离、热解碳化硅（SiC）、在过渡金属上的化学气相沉积（CVD）以及化学插层法。
太赫兹探测在太赫兹应用中占有极其重要的地位。目前太赫兹的探测器主要有Siblometer、和量子阱探测器等。这些探测器都存在着各自的弱点，比如量子阱探测器只能工作在<40K的环境下，Siblometer不能探测具体频率等。因此在太赫兹波段缺乏一种能工作在常温下、可动态调节探测频率峰值位置的探测器。这种探测器将在太赫兹成像，太赫兹危险品检测等方面有着重要的应用。
石墨烯的出现给太赫兹领域带来了更多机遇。研究表明，无外加偏压的情况下，石墨烯在太赫兹波段的光电导呈一条直线，并无任何特征峰。但外加偏压后，考虑自旋-轨道耦合后，石墨烯的光电导在太赫兹波段存在特征峰。当改变外加偏压时，自旋-轨道耦合相互作用导致的特征峰会发生频移，因此石墨烯的光电导特性特别适合宽频太赫兹波探测，从而提出了一种太赫兹宽频探测器。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种太赫兹光电探测器，用于解决现有技术中太赫兹光电探测器不可动态调节探测频率峰值位置的探测器的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述衬底为N型重掺杂硅衬底。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述介质层为二氧化硅层。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述单层石墨烯的厚度小于10nm。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述单层石墨烯的厚度范围为2～5nm。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述第一金属电极为Au、Ag或Al。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述第一金属电极之间的距离范围为0.8～1.2μm，所述第一金属电极的宽度范围为200～300nm。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述第二金属电极为。Au、Ag或Al。
作为本发明太赫兹光电探测器的一种优化的方案，所述电压源提供的偏置电压的范围为0.1～0.3V。
如上所述，本发明的太赫兹光电探测器，包括结构：表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测；当连续调节所述偏置电压时，可以进一步实现太赫兹宽频探测。
附图说明
图1A～图L为本发明太赫兹光电探测器的的制备工艺流程所对应的结构示意图。
图2为本发明太赫兹光电探测器的俯视图。
图3为本发明太赫兹光电探测器在不同的自旋-轨道耦合强度下计算得到的光电导-频率曲线。
元件标号说明
1N型重掺杂硅衬底
2二氧化硅介质层
3、6第一金属电极
4第二金属电极
5单层石墨烯层
7电流源
8电压源
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种太赫兹光电探测器，用于探测太赫兹波源的太赫兹波，如图1L所示，所述太赫兹光电探测器至少包括：表面覆盖有介质层2的衬底1、形成于所述介质层2表面的单层石墨烯5、设置于所述单层石墨烯5两端的第一金属电极3、6以及形成于所述衬底1背面的第二金属电极4；所述第一金属电极3、6之间设置有测量电压变化的电流源7；所述第二金属电极4与单层石墨烯5其中一端的第一金属电极6之间设置有提供偏置电压的电压源8，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯5光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。
所述太赫兹光电探测器的基本工艺如下：
首先，提供一厚度为1mm的高定向裂解石墨(Highly-OrientedPyrolyticGraphite,HOPG)，用氧等离子体高定向裂解石墨表面进行刻蚀，使其表面有多个深度为5微米的平台；接着在HOPG上面涂光刻胶，之后将玻璃片压在上述平台上，在一定温度下对它们进行烘烤，等到玻璃片和石墨块粘在一起，再把石墨块拿下来，从而获得由HOPG上剥落下来的少量石墨层。
用胶带反复粘贴平台，最后就得到了只有原子级厚度的石墨层，将粘有少量石墨层的胶带放入丙酮溶液中用超声处理，再把覆盖有300纳米厚的二氧化硅的硅衬底放入丙酮溶液中。在范德瓦尔斯力的作用下，厚度小于10nm的石墨薄层吸附在二氧化硅表面，进行烘干后便得到了结构稳定的单层石墨烯，在衬底上获得的单层石墨烯5结构示意图请参阅图1A。本实施例中，所述单层石墨烯的厚度范围为2～5nm。
之后，采用双层PMMA（PMMA495/PMMA950）作为电子束曝光的光刻胶（抗蚀剂），采用1500rpm的转速旋涂一层PMMA495，然后在热板上180℃进行前烘5分钟，增加PMMA与衬底之间的吸附力，并且去除PMMA中的有机溶剂。然后，再次旋涂一层PMMA950，参数：2500rpm，10s，前烘10min，如图1B所示。然后采用ZeissSEM加载的DY2000的纳米图形发生器进行EBL曝光。参数：视场光阑为20μm，光阑束流为315.0pA，剂量为220pA，如图1C所示。采用MIKB：IPA=1:3的比例配置的显影液，显影时间为25s，如图1D所示。采用O-RIE除去石墨烯周围多余的石墨烯，刻蚀时间为10s，然后用丙酮去除PMMA，刻蚀后的石墨烯形状，除了设计的受到PMMA保护区域的石墨烯，周围的石墨烯和石墨都完全被O-RIE完全去除，最终获得所需尺寸的单层石墨烯5结构，如图1E～3F所示。
利用如上相同的光刻与显影技术，在衬底及的单层石墨烯上旋涂双层PMMA光刻胶，经过光刻与显影技术后，采用电子束蒸发蒸镀双层金属Ti/Au（5nm/45nm），生长的金属电极作为第一金属电极3、6。在热丙酮中浸泡几个小时，除去PMMA。制作的所述第一金属电极3、6之间的距离范围可在0.8～1.2之间选择，所述第一金属电极3、6的宽度范围为200～300nm之间。本实施例中，所述第一金属电极3、6之间的间隔为1μm、电极宽度为250nm，如图1G～图1J。所述第一金属电极的材料可以是Au、Ag或者Al。本实施例中以Ag电极为例进行说明。
再制作第二金属电极4，如图1K所示，具体地，可通过In片作为中间连接片，将以上制作好的器件与一金属热沉黏合退火，该金属热沉即为第二金属电极，从而达到能外加偏压的目的。所述第二金属电极的材料可以是Au、Ag或者Al。本实施例中以Ag电极为例进行说明。
制作好光电器件后，在第一金属电极3、6之间加载一用于测量电压变化的电流源7，在一个第一金属电极6和第二金属电极4之间加载一用于提供偏置电压的电压源8，从而得到一个完整的太赫兹光电探测器结构，如图1L和图2所示。
在使用本发明的太赫兹光电探测器时，首先，将来自太赫兹波辐射源（未予以图示）的待探测太赫兹波直射到所述单层石墨烯上，再调节加载在第一金属电极和第二金属电极上的电压源，使电压源提供的偏置电压在一定范围内变化，直至调制出电流源测试的电压出现峰值，该电压的峰值对应着单层石墨烯光电导的峰值。
需要说明的是，探测不同频率的太赫兹波需要不同的外加偏置电压，在不同的外加偏压下，单层石墨烯中自旋-轨道耦合的相互作用能量大小不同，因此，单层石墨烯的光电导峰值的位置也就有所不同。
优选地，在具体使用该太赫兹光电探测器时，应该首先利用已知频率的太赫兹波进行试探，将外加偏压与光电导的特征峰位置关系进行一一对应，若不对应，可以对探测器进行初始校准调试；然后，入射一未知频率的太赫兹波，调节外加偏压寻找单层石墨烯的光电导特征峰值，从而定位该太赫兹波的频率，进行探测。
再需要说明的是，若连续调节外加偏压，则可以对太赫兹波进行宽频探测。
请参阅图3，为本发明太赫兹光电探测器在不同的自旋-轨道耦合强度下计算得到的光电导-频率曲线。
其中，横坐标中的t表示石墨烯中电子格点间的跃迁能量，t=2.7eV，从而计算得到横坐标的一个单位为6.68THz；纵坐标为图2中单层石墨烯yy方向的光电导，纵坐标的单位为一个普适电导。从图3中可看出，外加偏压为0时，单层石墨烯的自旋轨道强度为Δ=0，其光电导无特征峰值；外加偏压约为0.17V时，自旋轨道强度Δ=0.1，单层石墨烯的光电导在1.3THz附近存在一个特征峰值，即该探测器探测到的太赫兹波的频率为1.3THz；外加偏压约为0.212V时，自旋轨道强度Δ=0.15，单层石墨烯的光电导在3.4THz附近存在一个特征峰值，即该探测器探测到的太赫兹波的频率约为3.4THz；外加偏压为0.245V时，自旋轨道强度Δ=0.2，单层石墨烯的光电导在8.6THz附近存在一个特征峰值，即该探测器探测到的太赫兹波的频率约为8.6THz。
综上所述，本发明提供一种太赫兹光电探测器，所述太赫兹光电探测器包括表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (9)
1.一种太赫兹光电探测器，其特征在于，所述太赫兹光电探测器至少包括：
表面覆盖有介质层的衬底、形成于所述介质层表面的单层石墨烯、设置于所述单层石墨烯两端的第一金属电极以及形成于所述衬底背面的第二金属电极；所述第一金属电极之间设置有测量电压变化的电流源；所述第二金属电极与单层石墨烯其中一端的第一金属电极之间设置有提供偏置电压的电压源，利用自旋-轨道耦合效应，通过调节所述偏置电压来调制所述单层石墨烯光电导的特征峰位置，从而实现太赫兹频率的探测。
2.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述衬底为N型重掺杂硅衬底。
3.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述介质层为二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述单层石墨烯的厚度小于10nm。
5.根据权利要求4所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述单层石墨烯的厚度范围为2～5nm。
6.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述第一金属电极为Au、Ag或Al。
7.根据权利要求6所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述第一金属电极之间的距离范围为0.8～1.2μm，所述第一金属电极的宽度范围为200～300nm。
8.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述第二金属电极为Au、Ag或Al。
9.根据权利要求1所述的太赫兹光电探测器，其特征在于：所述电压源提供的偏置电压的范围为0.1～0.3V。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409984A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-02-15 | 中北大学 | “三明治”型超快光电探测金属超结构的制作方法 |
Families Citing this family (22)
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|---|---|---|---|---|
| CN104062676A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-09-24 | 中国空间技术研究院 | 基于石墨烯电场效应的x射线和带电粒子探测器及探测方法 |
| CN104316498B (zh) * | 2014-11-13 | 2017-07-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种表面等离子体共振的太赫兹传感器 |
| CN105892105B (zh) * | 2014-11-28 | 2019-06-04 | 中国计量学院 | 基于石墨烯表面等离子体波的太赫兹调制器 |
| CN104659152B (zh) * | 2015-02-13 | 2016-08-17 | 北京大学 | 一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法 |
| CN105514128B (zh) * | 2015-12-01 | 2017-10-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种石墨烯室温太赫兹波探测器及制备方法 |
| CN106129167B (zh) * | 2016-07-20 | 2017-10-31 | 电子科技大学 | 一种石墨烯太赫兹探测器及其制备方法 |
| CN108075009A (zh) * | 2016-11-09 | 2018-05-25 | 香港生产力促进局 | 基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器及其制备方法 |
| CN106442424B (zh) * | 2016-12-08 | 2024-01-30 | 中国计量大学 | 利用石墨烯太赫兹表面等离子效应的酒精浓度测量装置及其方法 |
| CN106803528A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-06 | 泰州巨纳新能源有限公司 | 基于石墨烯的位置灵敏光探测器 |
| CN106684199B (zh) * | 2017-02-13 | 2018-04-03 | 中北大学 | 金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构 |
| CN107482109A (zh) * | 2017-07-02 | 2017-12-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于石墨烯热电效应的室温太赫兹探测器及其制备方法 |
| CN108281504B (zh) * | 2018-01-08 | 2019-07-05 | 华东师范大学 | 一种室温高灵敏硅基光电导太赫兹检测器及其制备方法 |
| CN110646364A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 浙江三花智能控制股份有限公司 | 气体红外探测器 |
| CN110646368A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 浙江三花智能控制股份有限公司 | 空气质量监测装置 |
| CN110646366A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 浙江三花智能控制股份有限公司 | 车载空气质量监测装置 |
| US11187653B2 (en) | 2018-06-26 | 2021-11-30 | Hangzhou Sanhua Research Institute Co., Ltd. | Infrared sensor and infrared gas detector |
| CN110648488A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 浙江三花智能控制股份有限公司 | 基于石墨烯红外探测器的智能安防装置 |
| CN108899413A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-27 | 江苏心磁超导体有限公司 | 石墨烯tes超导器件及其制作方法 |
| CN109216497A (zh) * | 2018-09-05 | 2019-01-15 | 中国科学院半导体研究所 | 基于二维各向异性材料的片上光探测器及其制造方法 |
| CN110335900B (zh) * | 2019-05-06 | 2021-03-23 | 北京工业大学 | 一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法 |
| CN110473935A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-11-19 | 电子科技大学 | 基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹探测器及其制备方法 |
| CN110444612B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-09-01 | 南京大学 | 用于增加太赫兹探测器响应带宽的多层介质复合结构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203288593U (zh) * | 2013-05-30 | 2013-11-13 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 天线集成石墨烯pin结太赫兹探测器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5473616B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2014-04-16 | 独立行政法人理化学研究所 | テラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法 |
-
2013
- 2013-12-30 CN CN201310746552.2A patent/CN103715291B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN203288593U (zh) * | 2013-05-30 | 2013-11-13 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 天线集成石墨烯pin结太赫兹探测器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409984A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-02-15 | 中北大学 | “三明治”型超快光电探测金属超结构的制作方法 |
| CN106409984B (zh) * | 2016-12-02 | 2017-10-24 | 中北大学 | 一种“三明治”型超快光电探测金属超结构的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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