CN110646364A - 气体红外探测器 - Google Patents
气体红外探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110646364A CN110646364A CN201810670530.5A CN201810670530A CN110646364A CN 110646364 A CN110646364 A CN 110646364A CN 201810670530 A CN201810670530 A CN 201810670530A CN 110646364 A CN110646364 A CN 110646364A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- infrared detector
- isolation layer
- graphene film
- graphene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 4
- RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N chromium gold Chemical compound [Cr].[Au] RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 2
- ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N gold titanium Chemical compound [Ti].[Au] ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- -1 graphite alkene Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种气体红外探测器，所述气体红外探测器包括第一电极、衬底、隔离层、第二电极、第三电极和石墨烯薄膜，所述衬底设在所述第一电极的上表面；所述隔离层设在所述衬底的上表面；所述第二电极和所述第三电极设在所述隔离层的上表面且彼此间隔设置；所述石墨烯薄膜覆设在所述隔离层的在所述第二电极和所述第三电极之间的上表面、所述第二电极的与所述第三电极相对的内侧面、所述第三电极的与所述第二电极相对的内侧面、第二电极的上表面和第三电极的上表面，所述隔离层的上表面的所述石墨烯薄膜具有周期性纳米结构。本发明的气体红外探测器增强了对红外光的吸收，能够仅吸收特定的红外波长，提高了探测器的性能。
Description
技术领域
本发明涉及光电探测技术领域，具体地涉及一种气体红外探测器。
背景技术
气体传感器是基于不同气体分子的近红外光谱选择吸收特性，利用气体浓度与吸收强度关系鉴别气体组分并确定其浓度的气体传感装置。相关技术中，石墨烯光电晶体管是光电效应的红外光电探测器，其包括源电极、漏电极和栅电极，当源电极和漏电极之间施加电压后，无光照时，石墨烯薄膜内产生暗电流，石墨烯薄膜吸收的入射红外光波所产生的光生载流子被源漏电极之间的电场分离，形成光生电流。
然而，现有的石墨烯光电晶体管可实现宽光谱的吸收，不能仅吸收特征波长的光波，降低了探测器的选择性能。
发明内容
为此，本发明提出一种气体红外探测器,该气体红外探测器增强了对红外光的吸收，能够仅吸收特定的红外波长，提高了探测器的性能。
根据本发明的实施例的气体红外探测器包括：第一电极；衬底，所述衬底设在所述第一电极的上表面；隔离层，所述隔离层设在所述衬底的上表面；第二电极和第三电极，所述第二电极和所述第三电极设在所述隔离层的上表面且彼此间隔设置；石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜覆设在所述隔离层的在所述第二电极和所述第三电极之间的上表面、所述第二电极的与所述第三电极相对的内侧面、所述第三电极的与所述第二电极相对的内侧面、第二电极的上表面和第三电极的上表面，所述隔离层的上表面的所述石墨烯薄膜具有周期性纳米结构。
根据本发明的实施例的气体红外探测器，通过在石墨烯薄膜上设置周期性纳米结构，增强了对红外光的吸收，能够仅吸收特定的红外波长，提高了探测器的性能。
在一些实施例中，所述石墨烯薄膜在所述第二电极的上表面的覆盖面积小于所述第二电极的上表面面积，所述石墨烯薄膜在所述第三电极的上表面的覆盖面积小于所述第三电极的上表面面积。
在一些实施例中，所述周期性纳米结构包括多个孔状结构。
在一些实施例中，所述孔状结构的横切面呈圆形、方形、菱形或三角形。
在一些实施例中，所述隔离层为二氧化硅隔离层。
在一些实施例中，所述衬底包括N型和P型硅材料。
在一些实施例中，所述第二电极和所述第三电极为金属薄膜电极，所述金属为铝、金或金铬合金。
在一些实施例中，所述第一电极为金属薄膜电极，所述金属为镓铟合金、钛金合金或铝。
在一些实施例中，所述石墨烯薄膜为单层或多层。
在一些实施例中，所述气体红外探测器能够通过调节所述第三电极的电压改变所述石墨烯薄膜的化学势。
附图说明
图1是根据发明的实施例的气体红外探测器的剖面图；
图2是根据发明的实施例的未覆设石墨烯薄膜的气体红外探测器的俯视图。
附图标记：
第一电极1，衬底2，隔离层3，隔离层的部分上表面31，第二电极4，第三电极5，石墨烯薄膜6，周期性纳米结构61。
具体实施方式
下面详细描述发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释发明，而不能理解为对发明的限制。在发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“内”、“外”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对发明的限制。而且，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
如图1、2所示，界定气体红外探测器的高度方向为上下方向，气体红外探测器的宽度方向为左右方向，气体红外探测器的长度方向为横向。
如图1、2所示，根据发明实施例的气体红外探测器包括第一电极1、衬底2、隔离层3、第二电极4、第三电极5和石墨烯薄膜6，衬底2设在第一电极1的上表面，具体地，衬底2的材料在本领域内通常采用硅，即硅衬底，具体地，该硅衬底包含N型和P型硅材料，电阻率为<0.01Ω·㎝，本领域内衬底2还可采用锗或砷化镓等窄带隙半导体材料；隔离层3设在衬底2的上表面,具体地，隔离层3为二氧化硅隔离层，二氧化硅隔离层的厚度为100nm～1000nm，本发明并不限于此，隔离层3的材料本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
第二电极4和第三电极5设在隔离层3的上表面且彼此间隔设置，换言之，第二电极4和第三电极5并排且间隔地设置在隔离层3的上表面。具体地，第二电极4和第三电极5之间暴露出部分的隔离层3的上表面，该暴露出的上表面称之为隔离层3的部分上表面31，而且，第二电极4的与第三电极5相对的侧面为第二电极4的内侧面，第三电极5的与第二电极4相对的侧面为第三电极5的内侧面，由此，可以理解的是，第二电极4和第三电极5之间的间隙由第二电极4的内侧面、隔离层3的部分上表面31和第三电极5的内侧面51围成。更具体地，如图1所示，第二电极4和第三电极5在左右方向上间隔布置，且左侧的为第二电极4，右侧的为第三电极5，第二电极4的左侧边位于隔离层3的左侧边的右侧，第三电极5的右侧边位于隔离层3的右侧边的左侧，第二电极4的右侧面为第二电极4的内侧面，第三电极5的左侧面为第三电极5的内侧面。
石墨烯薄膜6覆设在隔离层3的在第二电极4和第三电极5之间的上表面(即隔离层3的部分上表面31)、第二电极4的与第三电极5相对的内侧面、第三电极5的与第二电极4相对的内侧面、第二电极4的上表面和第三电极5的上表面。换言之，如图1所示，石墨烯薄膜6对应第二电极4和第三电极5之间的间隙设置，且石墨烯薄膜6从左到右依次贴合第二电极4的上表面、第二电极4的右侧面、隔离层3的部分上表面31、第三电极5的左侧面和第三电极5的上表面。更具体地，石墨烯薄膜6的左右方向上的长度大于第二电极4和第五电极5之间的间隙，以使石墨烯薄膜6的左边界位于第二电极4的上表面且石墨烯薄膜6的右边界位于第三电极5的上表面。
可以理解的是，石墨烯薄膜6既是滤波器，能够吸收特征波长，又是有源薄膜，由于石墨烯具有金属特性，和二氧化硅/硅衬底相结合，可形成场效应晶体管光电探测器。石墨烯薄膜6吸收的特征红外光波产生的光生载流子被源漏电极之间的电场快速分离，形成光生电流，根据本发明实施例的气体红外探测器具有时间响应快，不受外界热源的影响的优点。
其中隔离层3的部分上表面31上的石墨烯薄膜6具有周期性纳米结构61。换言之，石墨烯薄膜6的在隔离层3的部分上表面31上的部分具有周期性纳米结构61。具体地，周期性纳米结构61包括多个孔状结构，孔状结构的横截面呈圆形或呈方形、菱、三角形等的多边形。例如图1所示，孔状结构的横截面呈多边形，孔状结构的横截面形状本发明并不限于此，本领域技术人员根据实际需要能够进行选择。在发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
可以理解的是，气体红外探测器采用具有周期性纳米结构61的石墨烯薄膜6作为滤波器，能够增强对红外光的吸收，且仅吸收特定的红外波长，以探测特定的气体，提高了探测器的选择性能，而且可以减小气体红外探测器的体积，易于制备和降低成本。
进一步地，第一电极1、衬底2和隔离层3从下到上依次设置，且隔离层3的上表面设有并排且间隔设置的第二电极4和第三电极5，可以理解的是，在本领域内，第一电极1通常称为底电极，能够与衬底2形成欧姆接触，第一电极1是金属薄膜电极，其金属材料为镓铟合金、钛合金或铝等；第二电极4称之为源电极，第三电极5称之为漏电极，第二电极4和第三电极5也均为金属薄膜电极，该金属材料为铝、金或金铬合金等。
在一些实施例中，石墨烯薄膜6在第二电极4的上表面的覆盖面积小于第二电极4的上表面面积，石墨烯薄膜6在第三电极5的上表面的覆盖面积小于第三电极5的上表面面积。更进一步地，石墨烯薄膜6的左边界在第二电极4的左边界的右侧，即石墨烯薄膜6的左侧边在第二电极4的上表面，且石墨烯薄膜6的左侧边与第二电极4的左侧边间隔设置，以便于在第二电极4的上表面留出接电的位置，即在第二电极4的上表面的没有石墨烯薄膜6的位置接电。石墨烯薄膜6的右边界在第三电极5的右边界的左侧，即石墨烯薄膜6的右侧边在第三电极5的上表面，且石墨烯薄膜6的右侧边与第三电极5的右侧边间隔设置，以便于在第三电极5的上表面留出接电的位置，即在第三电极5的上表面的没有石墨烯薄膜6的位置接电。
在一些实施例中，石墨烯薄膜6为单层或多层。其中采用多层石墨烯薄膜6，吸收峰产生蓝移而靠近近红外光波段，有利于气体的探测，同时增加特征波长的吸收。
在一些实施例中，气体红外探测器能够通过调节第三电极5的电压改变石墨烯薄膜6的化学势。具体地，通过调节第三电极5的电压掺杂石墨烯薄膜6，能够增大石墨烯薄膜6的化学势，有利于特征吸收峰位于近红外光波段，便于气体的探测，而且，通过调节第三电极5的电压能够实现对不同特定气体的探测，从而通过该气体红外探测器探测多种特定的气体。
下面参考附图1和图2描述本发明具体实施例的气体红外探测器。
如图1、2所示，根据本发明实施例的气体红外探测器包括第一电极1、衬底2、隔离层3、第二电极4、第三电极5和石墨烯薄膜6，第一电极1是金属薄膜电极，其金属材料为镓铟合金、钛合金或铝等，第二电极4和第三电极5也均为金属薄膜电极，该金属材料为铝、金或金铬合金等。
衬底2设在第一电极1的上表面，衬底2的材料为硅，即衬底2为硅衬底，该硅衬底包含N型和P型硅材料，电阻率为<0.01Ω·㎝。隔离层3设在衬底2的上表面，隔离层3为二氧化硅隔离层，二氧化硅隔离层的厚度为100nm～1000nm。第二电极4和第三电极5并排且间隔设置在隔离层3的上表面，且第二电极4和第三电极5从左到右依次设置，第二电极4的左侧边位于隔离层3的左侧边的右侧，第三电极5的右侧边位于隔离层3的右侧边的左侧，第二电极4的右侧面和第三电极5的左侧面相对，第二电极4和第三电极5之间的隔离层3的上表面为隔离层3的部分上表面31。
石墨烯薄膜6从左向右依次贴合第二电极4的上表面、第二电极4的右侧面、隔离层3的部分上表面31、第三电极5的左侧面和第三电极5的上表面。石墨烯薄膜6为多层，且石墨烯薄膜6的左侧边位于第二电极4的左侧边的右侧，石墨烯薄膜6的右侧边位于第三电极5的右侧边的左侧。可以理解的是，通过调节第三电极5的电压掺杂石墨烯薄膜6，能够增大石墨烯薄膜6的化学势，有利于特征吸收峰位于近红外光波段，便于气体的探测。石墨烯薄膜6的位于隔离层3的部分上表面31的部分具有周期性纳米结构61。周期性纳米结构61包括多个孔状结构，孔状结构的横截面呈多边形。采用具有周期性纳米结构61的石墨烯薄膜6作为滤波器，能够增强对红外光的吸收，且仅吸收特定的红外波长，提高了探测器的性能，而且可以减小气体红外探测器的体积，易于制备和降低成本。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对发明的限制，本领域的普通技术人员在发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种气体红外探测器，其特征在于，包括：
第一电极；
衬底，所述衬底设在所述第一电极的上表面；
隔离层，所述隔离层设在所述衬底的上表面；
第二电极和第三电极，所述第二电极和所述第三电极设在所述隔离层的上表面且彼此间隔设置；
石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜覆设在所述隔离层的在所述第二电极和所述第三电极之间的上表面、所述第二电极的与所述第三电极相对的内侧面、所述第三电极的与所述第二电极相对的内侧面、第二电极的上表面和第三电极的上表面，所述隔离层的上表面的所述石墨烯薄膜具有周期性纳米结构。
2.根据权利要求1所述的气体红外探测器，其特征在于，所述石墨烯薄膜在所述第二电极的上表面的覆盖面积小于所述第二电极的上表面面积，所述石墨烯薄膜在所述第三电极的上表面的覆盖面积小于所述第三电极的上表面面积。
3.根据权利要求1所述的气体红外探测器，其特征在于，所述周期性纳米结构包括多个孔状结构。
4.根据权利要求3所述的气体红外探测器，其特征在于，所述孔状结构的横切面呈圆形、方形、菱形或三角形。
5.根据权利要求1所述的气体红外探测器，其特征在于，所述隔离层为二氧化硅隔离层。
6.根据权利要求1所述的气体红外探测器，其特征在于，所述衬底包括N型和P型硅材料。
7.根据权利要求1所述的气体红外探测器，其特征在于，所述第二电极和所述第三电极为金属薄膜电极，所述金属为铝、金或金铬合金。
8.根据权利要求1所述的气体红外探测器，其特征在于，所述第一电极为金属薄膜电极，所述金属为镓铟合金、钛金合金或铝。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的气体红外探测器，其特征在于，所述石墨烯薄膜为单层或多层。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的气体红外探测器，其特征在于，所述气体红外探测器能够通过调节所述第三电极的电压改变所述石墨烯薄膜的化学势。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810670530.5A CN110646364A (zh) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | 气体红外探测器 |
| EP19825414.6A EP3783669B1 (en) | 2018-06-26 | 2019-06-26 | Infrared sensor and infrared gas detector |
| PCT/CN2019/092986 WO2020001471A1 (zh) | 2018-06-26 | 2019-06-26 | 红外传感器和红外气体探测器 |
| US17/044,315 US11187653B2 (en) | 2018-06-26 | 2019-06-26 | Infrared sensor and infrared gas detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810670530.5A CN110646364A (zh) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | 气体红外探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110646364A true CN110646364A (zh) | 2020-01-03 |
Family
ID=68988942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810670530.5A Pending CN110646364A (zh) | 2018-06-26 | 2018-06-26 | 气体红外探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110646364A (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040201009A1 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-14 | National Taiwan University | Infrared photodetector |
| CN103715291A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-09 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种太赫兹光电探测器 |
| CN104280357A (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-14 | 河南汉威电子股份有限公司 | 红外气体传感器 |
| CN105679857A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-06-15 | 浙江大学 | 一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器 |
| CN106169516A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-11-30 | 杭州紫元科技有限公司 | 一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN106601857A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-04-26 | 浙江大学 | 基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法 |
| CN106793733A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-05-31 | 哈尔滨工业大学 | 双网孔式红外波段双带通光学窗电磁屏蔽结构 |
| CN106784122A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | 浙江大学 | 基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法 |
| CN107479296A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-12-15 | 安徽大学 | 一种可调谐中红外窄带吸收体 |
| CN107728342A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-02-23 | 安徽大学 | 一种中红外窄带可调谐滤波器 |
| CN108107609A (zh) * | 2017-12-17 | 2018-06-01 | 安徽大学 | 一种基于石墨烯中红外可调谐窄带带通滤波器 |
-
2018
- 2018-06-26 CN CN201810670530.5A patent/CN110646364A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040201009A1 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-14 | National Taiwan University | Infrared photodetector |
| CN103715291A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-09 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种太赫兹光电探测器 |
| CN104280357A (zh) * | 2014-09-05 | 2015-01-14 | 河南汉威电子股份有限公司 | 红外气体传感器 |
| CN105679857A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-06-15 | 浙江大学 | 一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器 |
| CN106169516A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-11-30 | 杭州紫元科技有限公司 | 一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器及其制备方法 |
| CN106601857A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-04-26 | 浙江大学 | 基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法 |
| CN106784122A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | 浙江大学 | 基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法 |
| CN106793733A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-05-31 | 哈尔滨工业大学 | 双网孔式红外波段双带通光学窗电磁屏蔽结构 |
| CN107479296A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-12-15 | 安徽大学 | 一种可调谐中红外窄带吸收体 |
| CN107728342A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-02-23 | 安徽大学 | 一种中红外窄带可调谐滤波器 |
| CN108107609A (zh) * | 2017-12-17 | 2018-06-01 | 安徽大学 | 一种基于石墨烯中红外可调谐窄带带通滤波器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11222756B2 (en) | Graphene-semiconductor based wavelength selective photodetector for sub-bandgap photo detection | |
| Ray et al. | One-dimensional Si/Ge nanowires and their heterostructures for multifunctional applications—a review | |
| US9680038B2 (en) | Photodetectors based on double layer heterostructures | |
| Lee et al. | Hybrid structures of organic dye and graphene for ultrahigh gain photodetectors | |
| US8368051B2 (en) | Complementary barrier infrared detector (CBIRD) | |
| US20100159631A1 (en) | Reduced dark current photodetector | |
| US11695090B2 (en) | Nanophotonic hot-electron devices for infrared light detection | |
| CN106711249A (zh) | 一种基于铟砷锑（InAsSb）材料的双色红外探测器的制备方法 | |
| KR102523974B1 (ko) | 전하 배리어층을 포함한 광전 소자 | |
| JP6918631B2 (ja) | 光検出素子 | |
| US20120261658A1 (en) | ZnO-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
| Wu et al. | Core–shell silicon nanowire array–Cu nanofilm Schottky junction for a sensitive self-powered near-infrared photodetector | |
| Nasiri et al. | Nanomaterials-based UV photodetectors | |
| Scagliotti et al. | Large-area, high-responsivity, fast and broadband graphene/n-Si photodetector | |
| US20210391373A1 (en) | Optical device, photoelectric converter, and fuel generator | |
| Kim et al. | Extremely high-performing heterojunction device by surficial length enhanced effect | |
| CN110646364A (zh) | 气体红外探测器 | |
| US11688820B2 (en) | Photodetectors | |
| Zhang et al. | Vertical Schottky ultraviolet photodetector based on graphene and top–down fabricated GaN nanorod arrays | |
| JP2009532852A5 (zh) | ||
| US20230343882A1 (en) | Electromagnetic wave detector and electromagnetic wave detector array | |
| CN110646369A (zh) | 气体红外探测器 | |
| US20110215434A1 (en) | Thin-film photoelectric conversion device and method of manufacturing thin-film photoelectric conversion device | |
| JP6214037B2 (ja) | 光検知素子 | |
| TWI503999B (zh) | Solar cell and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200103 |