CN103698946B - 一种tn型液晶面板及其制备方法、以及液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种TN型液晶面板及其制备方法、以及液晶显示装置，该TN型液晶面板包括：通过封框胶对盒连接的上基板和下基板，上基板朝向下基板的一面具有第一导电层，下基板朝向上基板的一面具有公共电极和栅极移位寄存器，封框胶内具有导通第一导电层和公共电极的金球；上基板朝向下基板的一面还设有挡墙，封框胶和栅极移位寄存器分别位于挡墙的两侧。本发明提供的TN型液晶面板中，封框胶和栅极移位寄存器分别位于挡墙的两侧，以避免金球与栅极移位寄存器接触而造成栅极移位寄存器短路，因而，可以将栅极移位寄存器与封框胶之间的距离做的很小，从而有利于实现TN型液晶面板的窄边框设计。

Description

一种TN型液晶面板及其制备方法、以及液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置制造技术领域，特别涉及一种TN型液晶面板及其制备方法、以及液晶显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，近年来得到飞速的发展，已经成为目前市场上显示器的主流。在TFT-LCD快速发展的同时，窄边框结构成为其未来发展中很重要的一个方向。TFT-LCD主要由液晶显示面板和背光模组所构成，窄边框的市场需求也主要是体现在液晶显示面板的周边结构上。

液晶显示面板的制作过程主要包括：在上基板上形成彩膜阵列，在下基板上形成TFT阵列，液晶滴注在其中的一个基板上，封框胶涂覆在另一个基板之上，最后在真空条件下将上基板和下基板进行对合，并在封框胶固化后，上、下基板相粘接形成液晶显示面板。

阵列基板行驱动(Gate Driver On Array，GOA)技术是液晶显示面板中窄边框设计方案非常重要的实施途径之一，其通过将栅电极的驱动电路内置到TFT基板中而减少周边边框的宽度，以此实现液晶显示面板的窄边框设计。如图1中所示，采用GOA技术设计制备的扭曲向列型(Teisted nematic，TN)液晶面板中，第一导电层(图中未示出)位于上基板010朝向下基板020的一面，公共电极(图中未示出)位于下基板020朝向上基板010的一面，并在上基板010和下基板020之间的封框胶030中加入金球040以起到导通第一导电层和公共电极的作用。为了避免金球040与下基板020朝向上基板010一面设置的栅极移位寄存器050接触而造成的栅极移位寄存器050短路，则要求栅极移位寄存器050与含有金球040的封框胶030必须保持一定的安全距离，这个安全距离至少得保证要大于封框胶030的涂覆精度，以满足封框胶030的涂覆要求，因而较难实现TN型液晶显板的窄边框设计。

发明内容

本发明提供了一种TN型液晶面板及其制备方法、以及液晶显示装置，以便于实现TN型液晶面板的窄边框设计。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一方面，本发明提供了一种TN型液晶面板，包括：通过封框胶对盒连接的上基板和下基板，所述上基板朝向所述下基板的一面具有第一导电层，所述下基板朝向所述上基板的一面具有公共电极和栅极移位寄存器，所述封框胶内具有导通所述第一导电层和公共电极的金球；所述上基板朝向所述下基板的一面还设有挡墙，所述封框胶和栅极移位寄存器分别位于所述挡墙的两侧。

本发明提供的TN型液晶面板中，上基板朝向下基板的一面设置了挡墙，且封框胶和栅极移位寄存器分别位于挡墙的两侧，通过挡墙的阻隔来防止封框胶中的金球与栅极移位寄存器接触，以避免金球与栅极移位寄存器接触而造成栅极移位寄存器短路的问题出现，因而，也就可以将栅极移位寄存器与封框胶之间的距离做的很小，从而有利于实现TN型液晶面板的窄边框设计。

优选地，所述挡墙为掩膜版曝光形成的柱状隔垫物。通过掩膜版曝光形成柱状隔垫物的方式较为简单，有利于提高挡墙的设置效率，从而提高本发明TN型液晶面板的生产效率。

优选地，所述挡墙为密封环状结构的环形挡墙。这样，栅极移位寄存器位于环形挡墙所围区域内，含有金球的封框胶位于环形挡墙所围区域外，且环形挡墙为密封环状结构，进一步提高了挡墙对金球的阻隔效率，以保证金球不会穿过挡墙与栅极移位寄存器接触。

优选地，所述挡墙的厚度小于50μm。这样，有利于减小栅极移位寄存器与封框胶之间的间距，进而有利于实现本发明TN型液晶面板的窄边框设计。

优选地，所述挡墙与所述下基板之间间隙的高度h小于所述金球的直径D。以保证封框胶中的金球无法穿过挡墙与栅极移位寄存器接触，而且不含金球的封框胶还可以渗入挡墙与下基板之间的间隙内，从而也提高了封框胶的粘接面积。

另一方面，本发明提供了一种液晶显示装置，包括上述任一技术方案所提供的TN型液晶面板。

由于上述方案所提供的TN型液晶面板中，可以将栅极移位寄存器与封框胶之间的距离做的很小，因此，本发明提供的具有上述TN型液晶面板的液晶显示装置中，该液晶显示装置的边框也可以做的很小，以利于实现液晶显示装置的窄边框化设计。

此外，本发明还提供了一种上述方案所提供的TN型液晶面板的制备方法，包括：

在上基板的第一导电层上制备挡墙，在下基板的公共电极上制备栅极移位寄存器；

在上基板上涂覆含有金球的封框胶；

将上基板与下基板对盒连接；其中，封框胶与栅极移位寄存器位于挡墙的两侧；

沿涂覆有封框胶的区域切割，形成多个TN型液晶面板。

由于上述技术方案所提供的TN型液晶面板中，可以将栅极移位寄存器与封框胶之间的距离做的很小，因而采用本发明提供的制备方法制备TN型液晶面板的过程中，可以较为方便地实现TN型液晶面板的窄边框设计。

优选地，所述沿涂覆有封框胶的区域切割，具体为：沿涂覆有封框胶区域的中心线切割。这样，切割后相邻两块TN型液晶面板中的封框胶宽度相同，以保证切割后的每一块液晶面板中的封框胶都能够有效粘接上基板和下基板，避免出现粘接不良的问题出现。

优选地，所述挡墙的厚度小于50μm。这样，有利于减小栅极移位寄存器与封框胶之间的间距，进而有利于实现本发明TN型液晶面板的窄边框设计。

优选地，对盒后，所述挡墙与所述下基板之间的间隙小于所述金球的直径。以保证封框胶中的金球无法穿过挡墙与栅极移位寄存器接触，而且在对盒后，不含金球的封框胶还可以渗入挡墙与下基板之间的间隙内，以增加封框胶的粘接面积。

附图说明

图1为现有技术中TN型液晶面板的边缘结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的一种TN型液晶面板的边缘结构示意图；

图3为本发明实施例三提供的一种TN型液晶面板的制备方法流程图；

图4a为本发明实施例三中制备挡墙后的上基板结构示意图；

图4b为本发明实施例三中制备栅极移位寄存器后的下基板结构示意图；

图4c为本发明实施例三中涂覆封框胶后的上基板结构示意图；

图4d为本发明实施例三中上基板和下基板对盒连接后的结构示意图；

图4e为本发明实施例三中沿涂覆有封框胶的区域切割后形成TN型液晶面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

请参考图2，本实施例一提供了一种TN型液晶面板，包括：通过封框胶110对盒连接的上基板120和下基板130，上基板120朝向下基板130的一面具有第一导电层(图中未示出)，下基板130朝向上基板120的一面具有公共电极(图中未示出)和栅极移位寄存器140，封框胶110内具有导通第一导电层和公共电极的金球150；上基板120朝向下基板130的一面还设有挡墙160，封框胶110和栅极移位寄存器140分别位于挡墙160的两侧。

本实施例提供的TN型液晶面板中，上基板120朝向下基板130的一面设置了挡墙160，且封框胶110和栅极移位寄存器140分别位于挡墙160的两侧，从而可以通过挡墙160的阻隔来防止封框胶110中的金球150与栅极移位寄存器140接触，以避免金球150与栅极移位寄存器140接触而造成栅极移位寄存器140短路的问题出现，这样，也就可以将栅极移位寄存器140与封框胶110之间的距离做的很小。

如，栅极移位寄存器140与挡墙160之间的间距只需要满足曝光的公差范围即可，而通常使用的曝光设备的曝光公差范围可以控制在10μm以内，因此，栅极移位寄存器140与挡墙160之间的间距最小可控制在10μm以内，进而有利于实现TN型液晶面板的窄边框设计。

在一些较优的实施方式中，上述挡墙160为掩膜版曝光形成的柱状隔垫物。通过掩膜版曝光形成柱状隔垫物的方式较为简单，有利于提高挡墙160的设置效率，从而提高本发明TN型液晶面板的生产效率。

当然，上述的挡墙160也可以是通过现有技术中已知的其他方式设置于上基板120的第一导电层上，只要挡墙160能够防止封框胶110中的金球150与栅极移位寄存器140接触即可，此处不再一一赘述。

上述各实施方式中，上述挡墙160可以仅仅设置于封框胶110与栅极移位寄存器140之间的分段式挡墙，还可以为具有密封环状结构的环形挡墙。这样，栅极移位寄存器140位于环形挡墙所围区域内，含有金球150的封框胶110位于环形挡墙所围区域外，且环形挡墙为密封环状结构，进一步提高了挡墙对金球150的阻隔效果，以保证金球150不会穿过挡墙160与栅极移位寄存器140接触。

而且，环形挡墙所围的区域内为TN型液晶面板的显示区域，在环形挡墙所围区域的外侧涂覆含有金球150的封框胶110，从而不需要考虑环形挡墙160边缘封框胶110的涂覆精度问题，进而可以提高封框胶110的涂覆效率。

在上基板120设置环形挡墙后，封框胶110可以沿环形挡墙的外侧边缘进行涂覆，使得封框胶110可以涂覆的更为均匀，从而提高封框胶110对上基板120和下基板130边缘处的粘接效果。

另外，本实施例提供的TN型液晶面板中，挡墙160的主要作用是防止封框胶110中的金球150与栅极移位寄存器140接触，所以，挡墙160的厚度可以设置的较小，只要挡墙160能够有效防止金球150和栅极移位寄存器140接触即可，例如，在一些可选地实施方式中，上述挡墙160的厚度最小可以设置在50μm以内，这样也有利于将栅极移位寄存器140和封框胶110之间的间距做的更小，进而有利于实现TN型液晶面板的窄边框设计。

请继续参考图2，一种优选地实施方式中，挡墙160与下基板130之间留有间隙，且该间隙的高度h小于金球150的直径D，以保证封框胶110中的金球150无法越过挡墙与栅极移位寄存器140接触。而且，不含金球150的封框胶110还可以渗入挡墙160与下基板130之间的间隙内，从而也增加了封框胶110的粘接面积。

在一些具体地实施方式中，本实施例中的上基板120可以是彩膜基板，而下基板130可以是阵列基板。

实施例二

在上述实施例一提供的TN型液晶面板的基础上，本实施例二提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置中具有上述实施例一所提供的TN型液晶面板。

由于上述实施例所提供的TN型液晶面板中，可以将栅极移位寄存器与封框胶之间的距离做的很小，从而有利于实现TN型液晶面板的窄边框设计，因此本实施例提供的具有上述TN型液晶面板的液晶显示装置，也有利于实现液晶显示装置的窄边框化设计。

实施例三

在图3的基础上请参考图4a～图4e，本实施例提供了一种制备实施例一所提供的TN型液晶面板的制备方法，包括：

步骤201，如图4a所示，在上基板120的第一导电层上制备挡墙160；如图4b所示，在下基板130的公共电极上制备栅极移位寄存器140；

步骤202，如图4c所示，在上基板120上涂覆含有金球150的封框胶110；

步骤203，如图4d所示，将上基板120与下基板130对盒连接；其中，封框胶110与栅极移位寄存器140位于挡墙160的两侧；

步骤204，如图4d和图4e所示，沿涂覆有封框胶110的区域切割，形成多个TN型液晶面板。

本实施例提供的液晶面板的制备方法可以制备实施例一所提供的TN型液晶面板，由于实施例一提供的TN型液晶面板中，封框胶110与栅极移位寄存器140之间设有挡墙160，使用该方法制备TN型液晶面板时可以将栅极移位寄存器140与封框胶110之间的距离做的很小，进而可以较为方便地实现液晶面板的窄边框设计。

另外，在切割后，封框胶110区域的切割面与上基板120及下基板130的切割面齐平，提高了封框胶110在上基板120及下基板130边缘处的有效粘接面积，从而可以降低上基板120和下基板130之间出现封框胶110粘接不良的概率。

步骤201中，较佳地，挡墙160采用掩膜版曝光工艺形成于上基板120的第一导电层上，使得挡墙160的形成过程更为简单，以方便在上基板120的第一导电层上制备挡墙160。

步骤203中，具体地，上基板120与下基板130在真空条件下进行对盒连接。

步骤204中，如图4d和图4e所示，沿涂覆有封框胶110的区域切割，具体为：沿涂覆有封框胶110区域的中心线切割。这样，切割后相邻两块TN型液晶面板中的封框胶110宽度相同，以保证切割后的每一块TN型液晶面板中的封框胶110能够有效粘接上基板120和下基板130，避免出现粘接不良的问题出现。

由于挡墙160的主要作用是防止封框胶110中的金球150与栅极移位寄存器140接触，所以在步骤201中，较佳地，挡墙160的厚度可以设置的较小，只要挡墙160能够有效防止金球150和栅极移位寄存器140接触即可，例如，在一些具体地实施方式中，上述挡墙160的厚度最小可以设置在50μm以内。这样也有利于将栅极移位寄存器140和封框胶110之间的间距做的更小，进而利于实现TN型液晶面板的窄边框设计。

步骤203中，如图4d所示，较佳地，对盒后，挡墙160与下基板130之间留有间隙，且该间隙的高度h小于金球150的直径D，以保证封框胶110中的金球150无法穿过挡墙160与栅极移位寄存器140接触。而且，不含金球150的封框胶110还可以渗入挡墙160与下基板130之间的间隙内，从而也增加了封框胶110的粘接面积。

此外，传统的TN型液晶面板在制备过程中，封框胶直接涂覆于上基板，在进行对盒连接后，受到上基板和下基板的挤压，容易造成TN型液晶面板拐角处的封框胶宽度往往要比TN型液晶面板直角边处的封框胶的宽度大，从而导致液晶面板拐角处的封框胶与栅极移位寄存器之间的间距较小，使得栅极移位寄存器与封框胶中的金球接触而造成栅极移位寄存器短路的风险增大。采用本实施例提供的制备方法在制备TN型液晶面板时，由于在上基板120的第一导电层上设置了挡墙160，在上基板120涂覆完封框胶110再进行对盒连接后，挡墙160位于封框胶110和栅极移位寄存器140之间，即使在TN型液晶面板的拐角处，挡墙160也是位于封框胶110和栅极移位寄存器140之间，封框胶110受到上基板120和下基板130的挤压时，封框胶110中的金球150也无法穿过挡墙160向靠近栅极移位寄存器140的一侧渗透，因此，即使在TN型液晶面板的拐角处，挡墙160也可以防止金球150与栅极移位寄存器140接触，从而避免金球150造成栅极移位寄存器140短路的问题出现。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种TN型液晶面板，包括：通过封框胶对盒连接的上基板和下基板，所述上基板朝向所述下基板的一面具有第一导电层，所述下基板朝向所述上基板的一面具有公共电极和栅极移位寄存器，所述封框胶内具有导通所述第一导电层和公共电极的金球；其特征在于，所述上基板朝向所述下基板的一面还设有挡墙，所述封框胶和栅极移位寄存器分别位于所述挡墙的两侧。

2.根据权利要求1所述的TN型液晶面板，其特征在于，所述挡墙为掩膜版曝光形成的柱状隔垫物。

3.根据权利要求1所述的TN型液晶面板，其特征在于，所述挡墙为密封环状结构的环形挡墙。

4.根据权利要求1所述的TN型液晶面板，其特征在于，所述挡墙的厚度小于50μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的TN型液晶面板，其特征在于，所述挡墙与所述下基板之间间隙的高度小于所述金球的直径。

6.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的TN型液晶面板。

7.一种如权利要求1～5任一项所述TN型液晶面板的制备方法，其特征在于，包括：

在上基板的第一导电层上制备挡墙，在下基板的公共电极上制备栅极移位寄存器；

在上基板上涂覆含有金球的封框胶；

将上基板与下基板对盒连接；其中，封框胶与栅极移位寄存器位于挡墙的两侧；

沿涂覆有封框胶的区域切割，形成多个TN型液晶面板。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述沿涂覆有封框胶的区域切割，具体为：沿涂覆有封框胶区域的中心线切割。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述挡墙的厚度小于50μm。

10.根据权利要求7～9任一项所述的制备方法，其特征在于，对盒后，所述挡墙与所述下基板之间间隙的高度小于所述金球的直径。