CN103688160A - 发热点检测方法及发热点检测装置 - Google Patents

Abstract

发热点检测方法包含：步骤（S01、S02），其对集成电路（S）施加低频率的偏压，并取得对应于此而自集成电路（S）检测的发热检测信号；步骤（S03、S04），其对集成电路（S）提供高频率的偏压，并取得对应于此而自集成电路（S）检测的发热检测信号；步骤（S05～S07），其检测低频率的偏压与发热检测信号之间的相位差、及高频率的偏压与发热检测信号之间的相位差；及步骤（S08），其基于这些相位差，算出相对于偏压的频率的平方根的相位差的变化率，并根据变化率获得发热点的深度信息。

Description

发热点检测方法及发热点检测装置

技术领域

本发明涉及用以检测集成电路的发热点的深度的发热点检测方法及发热点检测装置。

背景技术

一直以来，作为LSI封装等的集成电路的不良解析方法，已知有对集成电路施加周期性的脉冲电压而检测热响应的方法。例如，下述非专利文献1中公开有检测电性激发与局部热响应之间的相位差Δφ并根据该相位差Δφ决定缺陷的深度。

非专利文献1：C.Schmidt et al.,“Lock-in-Thermography for3-dimensional localization of electrical defects inside complex packageddevices”，ISTFA2008：Proceedings from the34th International Symposiumfor Testing and Failure Analysys，美国，2008年11月，p.102-107

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在上述现有的解析方法中，因为发热量根据激发信号的大小或缺陷点的状态而不同，或者缺陷点与集成电路的表面之间的热容量根据缺陷点的位置而不同，因此，除了缺陷点的深度以外，相位差Δφ也依赖于发热量、集成电路的构造或缺陷点的位置。因此，在根据相位差Δφ评估缺陷的深度的情况下，存在其评估值的误差较大的趋势。

因此，本发明是有鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于，提供一种发热点检测方法及发热点检测装置，其能够将集成电路中的发热点的深度不依赖于其状态或位置而精度良好地进行检测。

解决问题的技术手段

为了解决上述问题，本发明的一个侧面所涉及的发热点检测方法是检测集成电路的发热点的深度的发热点检测方法，其包含：第1步骤，对集成电路提供以第1频率增减的周期性电信号，并取得对应于此而自集成电路检测的显示发热量的变化的第1检测信号；第2步骤，其对集成电路提供以与第1频率不同的第2频率增减的周期性电信号，并取得对应于此而自集成电路检测的显示发热量的变化的第2检测信号；第3步骤，其检测第1频率的周期性电信号与第1检测信号之间的第1相位差、及第2频率的周期性电信号与第2检测信号之间的第2相位差；及第4步骤，其基于第1及第2相位差，算出相对于自周期性电信号的频率算出的变量的周期性电信号与检测信号之间的相位差的变化率，并根据变化率获得发热点的深度信息。

或者，本发明的另一个侧面所涉及的发热点检测装置是检测集成电路的发热点的深度的发热点检测装置，其包含：电信号提供部，其对集成电路提供电信号；控制部，其以对集成电路提供以第1频率增减的周期性电信号、及以与第1频率不同的第2频率增减的周期性电信号的方式，控制电信号提供部；检测部，其取得对应于第1频率的周期性电信号的提供而自集成电路检测的显示发热量的变化的第1检测信号，并且取得对应于第2频率的周期性电信号的提供而自集成电路检测的显示发热量的变化的第2检测信号；相位差检测部，其检测第1频率的周期性电信号与第1检测信号之间的第1相位差、及第2频率的周期性电信号与第2检测信号之间的第2相位差；及运算部，其基于第1及第2相位差，算出相对于自周期性电信号的频率算出的变量的周期性电信号与检测信号之间的相位差的变化率，并根据变化率获得发热点的深度信息。

根据如此的发热点检测方法或者发热点检测装置，自集成电路，检测对应于第1频率的周期性电信号的提供的显示发热量的变化的第1检测信号，并检测对应于第2频率的周期性电信号的提供的显示发热量的变化的第2检测信号。接着，检测第1频率的周期性电信号与第1检测信号之间的第1相位差、及第2频率的周期性电信号与第2检测信号之间的第2相位差，根据相对于自周期性电信号的频率算出的变量的相位差的变化率，获得发热点的深度信息。由此，因为根据发热点的位置而变化的发热量的时间变化的偏移（offset）部分得以抵消而可计算深度信息，因此，不依赖于发热点的位置而可获得高精度的深度信息。另外，通过获得相对于自周期性电信号的频率算出的变量的相位差的变化率，从而也能够获得不依赖于发热点的发热量、集成电路的内部结构、及周期性电信号的频率的深度信息。

发明的效果

根据本发明，能够将集成电路中的发热点的深度不依赖于其状态或位置而精度良好地进行检测。

附图说明

图1是显示本发明的优选的一个实施方式所涉及的集成电路故障解析装置的概略构成的方块图。

图2是显示由图1的集成电路故障解析装置1进行的关于集成电路S的故障解析动作的顺序的流程图。

图3是显示由图1的电压施加部14施加的偏压的时间变化的图。

图4(a)是显示偏压的时间变化的图；(b)是显示由低热容量/低热传导系数的材料构成的集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化的图；(c)是显示由高热容量/高热传导系数的材料构成的集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化的图。

图5(a)是显示以低频率施加的偏压的时间变化的图；(b)是显示集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化的图；(c)是显示以高频率施加的偏压的时间变化的图；(d)是显示集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化的图。

图6是显示图1的集成电路故障解析装置中对集成电路S施加的偏压的角频率的平方根与观测的相位延迟bx的关系的图表。

具体实施方式

以下，参照附图，详细地说明本发明所涉及的发热点检测装置及使用其的发热点检测方法的优选的实施方式。还有，在附图的说明中，对相同或相当的部分标注相同的符号，省略重复的说明。

图1是显示本发明的优选的一个实施方式所涉及的发热点检测装置即集成电路故障解析装置的概略构成的方块图。该图所示的集成电路故障解析装置1是检测LSI封装等的集成电路S的发热点的位置并进行故障解析的故障解析装置。该集成电路故障解析装置1具备试料平台（stage）10、驱动试料平台10的平台驱动部12、电压施加部(电信号提供部)14、摄像装置18、控制部20、及图像处理部30而构成。

成为解析对象的集成电路S载置于使用可分别在X轴方向、Y轴方向(水平方向)及Z轴方向(垂直方向)驱动的XYZ平台的试料平台10上。该试料平台10以通过平台驱动部12而可在X、Y、Z方向上驱动的方式构成，由此，可进行相对于集成电路S的摄像的对焦、摄像位置的定位等。在试料平台10的上方设置有取得集成电路S的2维图像的摄像机构即摄像装置18。作为摄像装置18，适宜使用为了取得由集成电路S的表面的发热像形成的图像而对规定的波长区域具有灵敏度的摄像装置、例如对红外光的波长区域具有灵敏度的红外摄像装置。

在试料平台10与摄像装置18之间的光轴上设置有将集成电路S的表面的图像引导至摄像装置18的物镜等的导光光学系统16。还有，也可以在导光光学系统16上设置XYZ平台等的驱动机构，并能够由该驱动机构进行相对于集成电路S的摄像的对焦、摄像位置的定位等。

另外，设置有对试料平台10上的集成电路S提供电压信号的电压施加部14。电压施加部14是在进行由发热点检测进行的故障解析时对集成电路S内的电子电路施加必要的偏压的电压施加机构，包含电压施加用的电源而构成。详细而言，电压施加部14施加作为偏压的周期性增减的矩形波的电压信号(周期性电信号)。由此，对集成电路S周期性地施加高电压与低电压。另外，电压施加部14以由控制部20的控制而能够变更施加的偏压的频率(重复周期)的方式构成。另外，电压施加部14以由控制部20的控制而能够变更施加的偏压的高电压值与低电压值的方式构成。

摄像装置18以时间序列取得多个通过电压施加部14对集成电路S施加偏压的状态下的解析图像。由此取得的解析图像是包含集成电路S的表面的发热像的图像。还有，摄像装置18的摄像频率(帧率)也可以基于由电压施加部14对集成电路S施加的偏压的频率来设定。例如，摄像装置18的摄像频率可以是与施加于集成电路S的偏压的频率相同的周期，也可以以与偏压的频率成比例的方式设定。由此，即使偏压的频率不同，也可取得比较相同的发热状态的发热像。

再有，在集成电路故障解析装置1中设置有对这些试料平台10、平台驱动部12、电压施加部14、导光光学系统16、及摄像装置18控制它们的动作的控制部20。该控制部20具有摄像控制部21、平台控制部22、及同步控制部23而构成。

摄像控制部21通过控制电压施加部14的偏压的施加动作、及摄像装置18的图像取得动作，从而控制集成电路S的解析图像的取得。另外，平台控制部22控制试料平台10及平台驱动部12的动作(试料平台10上的集成电路S的移动动作)。另外，同步控制部23进行用于在摄像控制部21及平台控制部22、与针对摄像装置18设置的图像处理部30之间取得必要的同步的控制。即，同步控制部23相对于平台控制部22以移动至用以进行集成电路S的故障解析的规定位置的方式进行控制之后，以使偏压的频率以规定间隔依序变更的方式控制摄像控制部21。另外，同步控制部23控制周期性施加的偏压的高电压的值与低电压的值。另外，同步控制部23以配合偏压的频率的变更时机而区分并取得集成电路S的解析图像的方式控制摄像控制部21。

图像处理部30是对由摄像装置18取得的图像进行集成电路S的故障解析所需要的图像处理的图像处理机构。本实施方式中的图像处理部30包含图像存储部31、发热信号取得部(检测部)32、电压相位取得部33、相位延迟取得部(相位差检测部)34、深度信息运算部35而构成。由摄像装置18取得的集成电路S的图像被输入至图像处理部30，且根据需要而被存储、蓄积于图像存储部31中。

发热信号取得部32基于以时间序列获得的多个解析图像，取得在集成电路S的表面的多点检测的显示发热量的时间变化的发热检测信号。

电压相位取得部33自同步控制部23接收由电压施加部14施加的偏压的波形，并取得偏压的相位的信息。还有，偏压的相位的信息也可以由电压施加部14或控制部20取得，并被提供至电压相位取得部33。

相位延迟取得部34基于由发热信号取得部32所取得的显示发热量的时间变化的发热检测信号、及由电压相位取得部33所取得的相位信息，取得以由电压施加部14施加的偏压的相位的信息为基准的发热检测信号的相位的信息。该发热检测信号的相位的信息相当于偏压与施加该偏压时所检测出的发热检测信号的相位差，具体而言，相位延迟取得部34计算由发热信号取得部32所取得的发热检测信号的相位、与由电压相位取得部33所取得的相位信息的差。此处，相位延迟取得部34对变更成多个频率的偏压，检测各个偏压与发热检测信号的相位差。还有，相位延迟取得部34也可以以发热检测信号的波形与偏压的波形为对象，通过锁定处理直接获得相位差。在该情况下，通过对锁定检测器分别输入发热检测信号与偏压信号，可获得关于相位差的输出信号。

深度信息运算部35基于与由相位延迟取得部34所检测出的多个频率的偏压对应的多个相位差，运算集成电路S中的发热点的深度信息。即，深度信息运算部35算出相对于自偏压的频率算出的变量即频率的平方根的相位差的变化率，将该变化率或对变化率乘以规定常数后的值作为深度信息进行算出。该规定常数作为与依赖于集成电路S的材料的物性的热传导相关的系数而预先设定。由此所算出的深度信息表示遍及集成电路S的多点而检测的发热点的深度，被用于集成电路S的故障解析。

如此的图像处理部30例如使用计算机而构成。另外，针对该图像处理部30，连接有输入装置36及显示装置37。输入装置36由例如键盘或鼠标等构成，使用于集成电路故障解析装置1中的图像取得动作、故障解析动作的执行所需信息或动作指示的输入等。另外，显示装置37由例如CRT显示器或液晶显示器等构成，使用于集成电路故障解析装置1中的图像及关于故障解析的深度信息等的各种信息的显示等。

还有，关于该图像处理部30，也可以为与控制部20一起由单一的控制装置(例如单一的计算机)实现的构成。另外，关于连接于图像处理部30的输入装置36及显示装置37，同样，可作为不仅连接于图像处理部30，也连接于控制部20的输入装置及显示装置而发挥功能。

接着，说明关于集成电路故障解析装置1的集成电路S的故障解析动作的顺序，并且详细叙述本实施方式所涉及的发热点检测方法。图2是显示关于集成电路故障解析装置1的集成电路S的故障解析动作的顺序的流程图，图3～图5是显示由集成电路故障解析装置1故障解析动作时处理的信号波形的时间变化的图。

首先，由同步控制部23以自电压施加部14对集成电路S施加以低频率(例如1Hz)增减的偏压的方式予以控制(步骤S01)。由此，对集成电路S周期性地施加高电压与低电压。与此相对，由摄像控制部21以区分并取得对应于低频率的偏压的施加时机的图像的方式控制摄像装置18。例如，摄像控制部21以在与施加于集成电路S的低频率同频率或与低频率成比例的摄像频率(帧率)下进行摄像的方式，控制摄像装置18。由此所取得的集成电路S的图像暂时存储于图像存储部31之后，通过利用发热信号取得部32进行处理，取得显示多点的发热量的时间变化的发热检测信号(步骤S02)。

接着，由同步控制部23以自电压施加部14对集成电路S施加以高频率(例如2Hz)增减的偏压的方式予以控制(步骤S03)。由此，对集成电路S周期性地施加高电压与低电压。与此相对，由摄像控制部21以区分并取得对应于高频率的偏压的施加时机的图像的方式控制摄像装置18。例如，摄像控制部21以在与施加于集成电路S的高频率同频率或与高频率成比例的摄像频率(帧率)下进行摄像的方式，控制摄像装置18。由此所取得的集成电路S的图像暂时存储于图像存储部31之后，通过利用发热信号取得部32进行处理，取得多点的发热检测信号(步骤S04)。还有，步骤S01、S03中施加的偏压的频率可适当变更，但若成为过高频率，则会导致出现热传导性或发热量的场所依赖性，因此，优选设定于10Hz以下。另外，变更的偏压的频率并不限定于2种，也可以变更成3种以上并对应于此取得发热检测信号。

图3中显示步骤S01、S03中施加的偏压的时间变化。如同图所示，由同步控制部23以与低频率的期间P1连续且持续高频率的期间P2的方式予以控制，在该期间P1与期间P2的各个中取得发热检测信号的期间，为了使集成电路S中的温度在这些期间之间成为一定且发热量不改变，以自各个期间P1、P2的偏压的施加开始经过某程度的时间的方式进行设定。还有，也可在期间P1与期间P2之间设置不施加电压的期间。另外，矩形波的偏压的最大电压V₁及最小电压V₂以使集成电路S的发热时的条件成为同等的方式，在多个频率间设定成同一值，偏压的占空比也以使集成电路S中的发热量成为同等的方式，在多个频率间设定成同一值(例如50%、75%、…)。其理由为，使集成电路S中的发热量一定而使采样的平均温度一定。在该情况下，也可以使在该期间P1与期间P2的各个中取得发热检测信号的期间连续。

返回至图2，其后，以在步骤S01、03中对集成电路S所施加的低频率及高频率的偏压的波形为对象，由电压相位取得部33取得这些相位信息(步骤S05)。

接着，以步骤S02、S04中所取得的对应于低频率及高频率的偏压的施加的发热检测信号为对象，由相位延迟取得部34取得以步骤S05中所取得的偏压的相位的信息为基准的这些相位信息，并检测各个发热检测信号的相位差(步骤S06、S07)。具体而言，由相位延迟取得部34，基于步骤S02、S04中所取得的对应于低频率及高频率的偏压的施加的发热检测信号、及步骤S01、03中对集成电路S所施加的低频率及高频率的偏压的波形的相位的信息，关于低频率及高频率的偏压的各个，检测与发热检测信号的相位差。接着，由深度信息运算部35，基于与2个频率对应的相位差，算出相对于频率的平方根的相位差的变化率，对该变化率乘以规定常数，由此算出深度信息(步骤S08)。还有，该深度信息遍及集成电路S的表面的多点而算出。最后，所算出的深度信息作为故障解析信息被处理并被显示于显示装置37(步骤S09)。

此处，就集成电路故障解析装置1的发热点的深度信息的检测的机制进行说明。

在图4中，(a)显示以某频率施加的偏压的时间变化，(b)显示对应于此在由低热容量/低热传导系数的材料构成的集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化，(c)显示对应于此在由高热容量/高热传导系数的材料构成的集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化。由集成电路故障解析装置1的相位延迟取得部34算出的相位差为D1，该相位差D1中包含由集成电路S内的发热点的深度决定的相位的偏移（shift）部分D2、及由发热的延迟与热容量、热传导速度的差异所导致的相位的偏移部分D3。相位差D1中，偏移部分D3受到集成电路S的热传导路径的材料的大幅影响。

该相位差D1的材料所引起的差异可如下说明。自集成电路S内部一维传送的热量Q，由下述式(1)表示：

[数1]

Q=1+exp{-ax+i(wt-bx)}...(1)

此处，x表示自发热源至观察点(表面)的距离(=发热点的深度)，Q表示通过观测点而去的热量、w表示角频率(1/2πHz)，b表示每单位长度的相位延迟、a表示每单位长度的衰减率。若设比热为q，密度为ρ，则相对于该热量Q的温度T，作为变化量，由下述式(2)表示。

[数2]

$\mathrm{dT}=-\frac{1}{\mathrm{\ρq}}\frac{\mathrm{dQ}}{\mathrm{dx}}...\left(2\right)$

再有，若设热传导系数为К，则自热扩散方程式可导出下述式(3)：

[数3]

$\frac{\mathrm{dQ}}{\mathrm{dt}}=\mathrm{iw}(Q-1)=\mathrm{\κ}\frac{d^{2}T}{{\mathrm{dx}}^2}...\left(3\right)$

由式(2)、(3)，可导出下述式(4)。

[数4]

$Q-1=-i\left(\frac{\mathrm{\κ}}{\mathrm{w\ρq}}\right)\frac{d^{2}Q}{{\mathrm{dx}}^2}...\left(4\right)$

此处，作为式(1)的x的二次微分的式，可导出下述式(5)：

[数5]

$\frac{d^{2}Q}{{\mathrm{dx}}^2}={(a+\mathrm{ib})}^2(Q-1)...\left(5\right)$

由式(4)、(5)，进而可导出下述式(6)：

[数6]

${(a+\mathrm{ib})}^2=-i\left(\frac{\mathrm{w\ρq}}{\mathrm{\κ}}\right)...\left(6\right)$

因为虚数i的平方根为(1＋i)∕√2，因此，通过将式(6)变形，可表示为下述式(7)：

[数7]

$a+\mathrm{ib}=\±\frac{1+i}{\sqrt{2}}\sqrt{\frac{\mathrm{\ρqw}}{\mathrm{\κ}}}...\left(7\right)$

若展开上述式(7)，则衰减常数a与相位延迟量的比例常数b可以如下述式(8)那样表示：

[数8]

$a=b=\sqrt{\frac{\mathrm{\ρqw}}{2\mathrm{\κ}}}=\sqrt{f}\sqrt{\frac{\mathrm{\ρq\π}}{\mathrm{\κ}}}...\left(8\right)$

但是，除去表示反方向的热的流动的符号。但是，实际的测量时，若有来自多条路径的热的传导、例如来自采样端的反射、或由采样内部自表面向大气的热传导慢等的非线性主要原因，则波形会产生畸变等，相位延迟量中可能产生偏移（offset）。

一直以来，认为在观测点(表面)观测的发热的相位延迟bx与深度成比例而单纯基于此而计算发热源的深度。然而，实际的延迟量中可能产生偏移（offset）。这依赖于集成电路S的内部的热容量、发热量、形状、施加偏压的频率等等。因此，在现有方法中，根据在集成电路S的哪一个位置观测而会导致相位偏移变化，从而通常难以计算正确的发热源的深度。与此相对，在本实施方式所涉及的发热点检测方法中，关于来自集成电路S的封装内部的发热检测信号，在相位偏移为数Hz以下的低施加偏压的频率下，利用相对于频率的平方根基本上没有变化。此时可应用的频率，依赖于集成电路S而上限值会变化，但优选为4Hz以下左右。

即，由本实施方式所涉及的发热点检测方法检测的深度信息是相对于相位延迟bx的频率的平方根的倾斜度，且是以下述式(9)所表示的值：

[数9]

$\frac{\mathrm{dbx}}{d\sqrt{f}}=x\sqrt{\frac{\mathrm{\ρq\π}}{\mathrm{\κ}}}...\left(9\right)$

该值仅依赖于由物性决定的常数ρ、q、κ、常数π，可除去相位偏移的影响。

在图5中，(a)显示以1Hz的低频率施加的偏压的时间变化、(b)显示对应于此在集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化、(c)显示以2Hz的高频率施加的偏压的时间变化、(d)显示对应于此在集成电路S中检测的发热检测信号的时间变化。在集成电路故障解析装置1中，与相位延迟bx对应的延迟在各个频率中作为延迟量D1观测。该延迟量D1中包含由发热点的深度决定的相位的偏移部分D2、及由采样内部形状或表面状态等决定的相位的偏移部分D3。

图6中显示集成电路故障解析装置1中施加于集成电路S的偏压的角频率w的平方根、与观测的相位延迟bx的关系。如同图所示，以低角频率w₁及高角频率w₂观测的相位延迟D1中分别包含偏移部分D2与偏移部分D3。因此，通过计算相对于角频率w的平方根的相位延迟bx的倾斜度，可除去相位偏移部分D3，并能够预测由发热点的深度决定的偏移部分D2所决定的、不依赖于集成电路S内部的热容量、发热量、位置的深度信息。

根据以上说明的集成电路故障分析装置1及使用其的发热点检测方法，自集成电路S，检测对应于低频率的偏压的施加的发热检测信号，并检测对应于高频率的偏压的施加的发热检测信号。接着，检测低频率的偏压与发热检测信号之间的相位差、及高频率的偏压与发热检测信号之间的相位差，自相对于频率的平方根的相位差的变化率，获得发热点的深度信息。由此，因为将根据发热点的位置而变化的发热量的时间变化的偏移部分抵消而计算深度信息，因此，不依赖发热点的位置而获得高精度的深度信息。另外，通过获得相对于自偏压的频率算出的变量的相位差的变化率，也可获得不依赖于发热点的发热量、集成电路的内部构造、及偏压的频率的深度信息。

即，因为偏压与发热检测信号之间的相位延迟bx中会产生依赖于来自发热源的热量、集成电路S内的发热点的位置、集成电路的内部构造或热容量等的发热检测波形的变形，因而含有伴随其的变动。因此，直接评估相位延迟bx无法计算正确的发热点的深度。例如，即使是只要为集成电路S的中央则可计算正确的深度的参数，若将其直接使用于采样边缘，则会产生较大误差。如此的误差根据热的传送速度的差异、与热的传送范围的热容量的合计值的差异而产生。具体而言，随着热容量变大、热的传送速度变快，如图4所示进行变化。相位延迟bx中，与来自发热源的相位延迟对应的偏移部分D2不同，伴随于响应波形的变形的偏移部分D3在从最小0度至最大90度为止产生。其成为多余的偏移，使正确的深度的计算难以进行。根据本实施方式，可除去如此的多余的偏移而获得正确的深度信息。

另外，因为施加于集成电路S的多个频率的偏压的振幅及占空比设定为互相相等，因此，可使发热点上的发热量更加均匀，从而可进一步降低深度信息的相对于偏压的频率的依赖性。其结果，可进而取得正确的深度信息。

还有，本发明并不限定于上述的实施方式。例如，施加于集成电路S的偏压的波形并不限定于矩形波，也可变更为如正弦波或三角波那样电压周期性增减的其它波形。

另外，偏压的最大值V₁及最小值V₂也可根据集成电路S的种类而适当变更。但是，优选，相对于1个集成电路S变更为多个频率时的最大值V₁及最小值V₂设定成一定。

另外，若增减偏压的频率则发热检测信号的振幅会变化，因此，有必要使测量的最低频率的振幅不超过可测量范围。因此，也可对集成电路故障解析装置1设置发热检测信号的振幅超过可测量范围的情况下自动进行检测而进行误差输出的功能。

此处，在第4步骤中，优选算出相对于作为频率的平方根的变量的相位差的变化率。如此，不依赖于发热点的位置、发热量、集成电路的内部构造、及周期性电信号的频率，而可获得更高精度的深度信息。

另外，第1步骤及第2步骤中提供的周期性电信号的占空比优选为互相相等。在该情况下，因为可使发热点上的发热量更加均匀，因而可进一步降低相对于深度信息的周期性电信号的频率的依赖性。

还有，优选，以使第1步骤及第2步骤中提供的周期性电信号的规定的期间内的占空比互相相等的方式，同步控制部15分别设定并控制低频率及高频率的偏压的最大电压V₁及最小电压V₂。由此，因为低频率的偏压施加期间的发热量与高频率的偏压施加期间的发热量大致成为相同程度，因而可连续施加低频率的偏压与高频率的偏压，从而可以预测测定时间的缩短及测定精度的提高。

产业上的可利用性

本发明以用于检测集成电路的发热点的深度的发热点检测方法及发热点检测装置为使用用途，将集成电路中的发热点的深度不依赖于其状态或位置而可高精度地进行检测。

符号的说明

1…集成电路故障解析装置、14…电压施加部(电信号提供部)、18…摄像装置、20…控制部、21…摄像控制部、22…平台控制部、23…同步控制部、30…图像处理部、31…图像存储部、32…发热信号取得部(检测部)、33…电压相位取得部、34…相位延迟取得部(相位差检测部)、35…深度信息运算部、S…集成电路。

Claims (4)

1.一种发热点检测方法，其特征在于，

是检测集成电路的发热点的深度的发热点检测方法，

包含：

第1步骤，其对所述集成电路提供以第1频率增减的周期性电信号，并取得对应于此而自所述集成电路检测的显示发热量的变化的第1检测信号；

第2步骤，其对所述集成电路提供以与所述第1频率不同的第2频率增减的周期性电信号，并取得对应于此而自所述集成电路检测的显示发热量的变化的第2检测信号；

第3步骤，其检测所述第1频率的周期性电信号与所述第1检测信号之间的第1相位差、及所述第2频率的周期性电信号与所述第2检测信号之间的第2相位差；及

第4步骤，其基于所述第1及第2相位差，算出相对于自所述周期性电信号的频率算出的变量的所述周期性电信号与所述检测信号之间的相位差的变化率，并根据所述变化率获得所述发热点的深度信息。

2.如权利要求1所述的发热点检测方法，其特征在于，

在所述第4步骤中，算出相对于作为所述频率的平方根的所述变量的所述相位差的变化率。

3.如权利要求1或2所述的发热点检测方法，其特征在于，

在所述第1步骤及第2步骤中提供的所述周期性电信号的占空比互相相等。

4.一种发热点检测装置，其特征在于，

是检测集成电路的发热点的深度的发热点检测装置，

包含：

电信号提供部，其对所述集成电路提供电信号；

控制部，其以对所述集成电路提供以第1频率增减的周期性电信号、及以与所述第1频率不同的第2频率增减的周期性电信号的方式，控制所述电信号提供部；

检测部，其取得对应于所述第1频率的周期性电信号的提供而自所述集成电路检测的显示发热量的变化的第1检测信号，并且取得对应于所述第2频率的周期性电信号的提供而自所述集成电路检测的显示发热量的变化的第2检测信号；

相位差检测部，其检测所述第1频率的周期性电信号与所述第1检测信号之间的第1相位差、及所述第2频率的周期性电信号与所述第2检测信号之间的第2相位差；及

运算部，其基于所述第1及第2相位差，算出相对于自所述周期性电信号的频率算出的变量的所述周期性电信号与所述检测信号之间的相位差的变化率，并根据所述变化率获得所述发热点的深度信息。

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