JP4097079B2 - 欠陥検査方法およびその装置 - Google Patents
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Description
加熱を停止した後の加熱停止期間において被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように、当該被検査体の表面に対し計測領域全面にわたり加熱を行い、
少なくとも前記加熱を停止した後の加熱停止期間において、
前記計測領域の各単位領域について、表面温度の時間変化を計測し、
各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違に基づいて、当該被検査体における欠陥を見いだす欠陥検査方法であって、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記計測は、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続し、前記熱が被検査体内部に向けて伝導していく過程において生じた内部温度差によって表れた前記表面温度の相対的相違によって欠陥を見いだすことを特徴としている。
加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて、加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって行われることを特徴としている。
計測は、少なくとも、加熱による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続することを特徴としている。
被検査体の表面に沿って移動しながら加熱を行い、前記加熱後における計測領域の表面温度に基づいて、当該被検査体における欠陥を見いだすこと
を特徴としている。
被検査体は、低熱伝導性材料から構成されたものであること
を特徴としている。
各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違に基づいて、当該被検査体における欠陥の位置を特定すること
を特徴としている。
各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違を、視覚的に認識可能な画像として提示すること
を特徴としている。
相対的相違は、各単位領域における表面温度の時間変化による波形および所定の波形における特徴量の比較に基づいて決定されること
を特徴としている。
特徴量の比較は、各単位領域における表面温度の時間変化による波形と所定の波形との両波形の相関を示す特定値、または、両波形の位相の差に基づいて行うこと
を特徴としている。
加熱と加熱停止を所定期間で行うとともに、前記所定の波形の周期を変更して計測し、
各単位領域間の相対的な温度変化の相違が顕著となった所定の波形の周期に基づいて欠陥の深さを推定すること
を特徴としている。
予め欠陥の深さと所定の波形の周期とを対応付けたテーブルに基づいて、欠陥の深さを推定すること
を特徴としている。
加熱を停止した後の加熱停止期間において被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように、当該被検査体の表面に対し計測領域全面にわたり加熱を行う加熱装置に対して加熱開始指令を行う加熱制御手段と、
加熱停止後における温度計測器からのデータを入力して各単位領域の温度データとして記録するデータ記録手段と、
記録された温度データに基づいて、各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違を検出して、被検査体における欠陥を判断する欠陥判断手段とを備え、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記温度データは、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続して計測することによって得られたものであり、
前記欠陥判断手段は、前記熱が被検査体内部に向けて伝導していく過程において生じた内部温度差によって表れた前記表面温度の相対的相違によって欠陥を判断することを特徴としている。
加熱を停止した後の加熱停止期間において被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように、当該被検査体の表面に対し計測領域全面にわたり加熱を行う加熱装置に対して加熱開始指令を行う加熱制御手段と、
加熱停止後における温度計測器からのデータを入力して各単位領域の温度データとして記録するデータ記録手段とを備え、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記温度データは、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続して計測することによって得られたものであることを特徴としている。
被検査体の表面に沿って移動しながら計測領域を加熱するように、加熱装置に対して移動指令を行う加熱装置制御手段を、
さらに備えることを特徴としている。
被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように加熱された被検査体の表面の加熱停止後において記録された計測領域の各単位領域の温度データに基づいて、各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違を検出し被検査体における欠陥を判断する欠陥判断手段を備え、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記温度データは、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続して計測することによって得られたものであり、
前記欠陥判断手段は、前記熱が被検査体内部に向けて伝導していく過程において生じた内部温度差によって表れた前記表面温度の相対的相違によって欠陥を判断することを特徴としている。
被検査体の表面に対し計測領域全面にわたり加熱を行う加熱装置であって、
被検査体の表面に沿って移動しながら計測領域を加熱することを特徴としている。
1−1.加熱条件について
1−1−1.加熱距離および加熱時間
図1aは、加熱距離および加熱時間を変更して、コンクリート構造物としての被検査体の表面に対してヒーターを用いて加熱と冷却(加熱停止)を行い、その表面および所定深部(50mm)における温度の経時変化を測定した場合のグラフである。なお、ヒーターの加熱強度は一定であり、温度は被検査体に設置した熱電対を用いて測定した。
人工欠陥を有する被検査体(人工欠陥供試体)を、上記の加熱条件で加熱した後において、赤外線サーモグラフィ法を用いて表面温度分布を計測し欠陥検出を行った場合の例を示す。
以上の点について考察すると、熱伝導性の低い被検査体の表面に対して、一定量を超えるような大きな熱量が与えられた場合、被検査体の内部にいわゆる加熱層が発生し、表面温度が下降する冷却期間中にも内部への熱伝導が持続されることが予測される。
物体に一定周期で変動する熱負荷を与えたとき、物体の内部には波動状の熱移動が生じ、物体の表面温度も一定の周期・振幅で変動する。もし、物体中に欠陥が存在すれば、波動状に変動する表面温度分布にも欠陥の影響が表れる。このような一定周期の表面温度変動を時系列で計測し、計測データと所定の波形との相関処理に基づいて物体の内部欠陥を検出することができる。
図1に、本発明を実現する欠陥検査システムの概略構成を機能ブロック図で示す。この図において、欠陥検査制御装置10は、加熱装置17に対して加熱・加熱停止を制御する加熱制御手段11と、温度計測器19が計測した被検査体の表面温度の計測データを入力して記録するデータ記録手段13と、データ記録手段13に記録された計測データを読み出して所定の参照波形との特徴量の比較を行い内部欠陥を判断する欠陥判断手段15を備えている。
図2に、前記欠陥検査システムを実現する装置の構成図を示す。被検査体20は、内部欠陥の検査を行うコンクリート壁を示している。被検査体20に対向して、この被検査体20に熱負荷を与えるヒーター21を設置する。なお、ヒーター21は、被検査体20に対して均質な熱負荷を与えるため、熱負荷の出力を調整することのできるリレー装置25に接続されている。リレー装置25を設けることにより、ヒーター21の中心部における照射量を調整し、被検査体20の中心部が周辺部に比べて高温にならないようにしている。
図3に、コンピュータ装置29のハードウェア構成図を示す。この装置は、CPU30、メモリ31、ディスプレイ33、ハードディスク35(記憶装置)、キーボード/マウス37、通信回路39、を備えている。
図4に、欠陥検査を行う場合の欠陥検査制御装置10におけるフローチャートを示す。まず、欠陥検査制御装置10において、コンピュータ装置29のCPU30は、信号発生装置27に対して、予め設定された加熱条件を出力する(ステップS401)。ここで加熱条件とは、被検査体20に熱負荷を与える時間およびその繰り返し回数を与えるものである。なお、振幅は一定値とし、デューティサイクルは50%としている。
図5は、計測データの解析処理におけるフローチャートである。ここで、被検査体20における測定領域の各単位領域毎の表面温度データをKで表し、時刻t、単位領域iにおける温度をKtiとする。CPU30は、このKtiを各領域毎にハードディスク35から呼び出し、メモリ31に記憶する(ステップS501)。
計測データの解析処理を終えたCPU30は、時刻Tにおける位相差PTiを各領域について呼び出した後、これに基づいて計測領域全体の画像データを生成し(ステップS405)、ディスプレイ33に出力を行う(ステップS406)。すなわち、CPU30は、入力した位相差を所定の表示色に対応させて画像データを生成し、これを表示する。
このように、ヒーター21と被検査体20との加熱距離を小さくとることにより、加熱時間が短くても十分に精度の高い欠陥検査を行うことができる。特に、加熱を停止した後の冷却期間における計測時間を長くすることにより、より深い欠陥部にまで到達した熱による表面温度上昇を計測することができる。
第1の実施形態においては、参照波形Rtの周期を40分として欠陥検出を行ったが、別の観点から考察すると、熱負荷(加熱距離0.5m、加熱時間2分)および参照波形Rtの周期(40分)の関係が、深さ50mmの人工欠陥4〜6を検出するのに適していたとも考えられる。
第1の実施形態においては、人工欠陥を有するコンクリート試験体にかかる欠陥検出を行ったが、本実施形態においては、実際に経年劣化による内部欠陥を有するコンクリート構造物について、本発明による欠陥検査システムを適用した場合について説明する。
まず、検査対象となるコンクリート構造物について、その検査範囲におけるコンクリートの厚さや鉄筋かぶりの厚さを調べ、欠陥検査を行う最大深さを決定する。なお、鉄筋かぶりの厚さを調べる際には、超音波、マイクロ波レーダまたは電磁誘導などを利用した検査装置を使用すればよい。
図12に、2−2.に示した欠陥深さの推定方法を利用して内部欠陥を自動推定する欠陥検査制御装置10におけるフローチャートを示す。
上記においては、被検査体20に対して強力な熱負荷を与えるため、ヒーター21と被検査体20における加熱距離を0.5mに設定して欠陥検査を行う例について説明した。
本実施形態における欠陥検出システムの機能ブロック図は第1の実施形態において示した図1と同様である。また、欠陥検査制御装置にかかるコンピュータ装置29のハードウェア構成は、第1の実施形態において示した図3と同様である。
図15に、欠陥検査を行う場合の欠陥検査制御装置10におけるフローチャートを示す。欠陥検査制御装置10において、コンピュータ装置29のCPU30は、信号発生装置27に対して、予め設定された加熱条件を出力するとともに、ヒーター移動装置22に対して移動条件を出力する(ステップS1400)。
上記実施形態においては、被検査体1としてコンクリート材料を使用しているが、例えば、CFRPなどの低熱伝導性材料から構成された複合材料における欠陥検査にも本発明は適用可能である。
11・・・加熱制御手段
13・・・データ記録手段
15・・・欠陥判断手段
17・・・加熱装置
19・・・温度計測器
Claims (10)
- 加熱を停止した後の加熱停止期間において被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように、当該被検査体の表面に対し計測領域全面にわたり加熱を行い、
少なくとも前記加熱を停止した後の加熱停止期間において、
前記計測領域の各単位領域について、表面温度の時間変化を計測し、
各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違に基づいて、当該被検査体における欠陥を見いだす欠陥検査方法であって、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記計測は、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続し、前記熱が被検査体内部に向けて伝導していく過程において生じた内部温度差によって表れた前記表面温度の相対的相違によって欠陥を見いだすこと
を特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項1の欠陥検査方法において、
各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違に基づいて、当該被検査体における欠陥の位置を特定すること
を特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項1または2の欠陥検査方法において、
各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違を、視覚的に認識可能な画像として提示すること
を特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項3の欠陥検査方法において、
前記相対的相違は、各単位領域における表面温度の時間変化による波形および所定の波形における特徴量の比較に基づいて決定されること
を特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項4の欠陥検査方法において、
前記特徴量の比較は、各単位領域における表面温度の時間変化による波形と所定の波形との両波形の相関を示す特定値、または、両波形の位相の差に基づいて行うこと
を特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項1〜5のいずれかの欠陥検査方法において、
加熱と加熱停止を所定期間で行うとともに、前記所定の波形の周期を変更して計測し、
各単位領域間の相対的な温度変化の相違が顕著となった所定の波形の周期に基づいて欠陥の深さを推定すること
を特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項6の欠陥検査方法において、
さらに、予め欠陥の深さと所定の波形の周期とを対応付けたテーブルに基づいて、欠陥の深さを推定すること
を特徴とする欠陥検査方法。 - 加熱を停止した後の加熱停止期間において被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように、当該被検査体の表面に対し計測領域全面にわたり加熱を行う加熱装置に対して加熱開始指令を行う加熱制御手段と、
加熱停止後における温度計測器からのデータを入力して各単位領域の温度データとして記録するデータ記録手段と、
記録された温度データに基づいて、各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違を検出して、被検査体における欠陥を判断する欠陥判断手段とを備えた欠陥検査制御装置であって、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記温度データは、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続して計測することによって得られたものであり、
前記欠陥判断手段は、前記熱が被検査体内部に向けて伝導していく過程において生じた内部温度差によって表れた前記表面温度の相対的相違によって欠陥を判断すること
を特徴とする欠陥検査制御装置。 - 加熱を停止した後の加熱停止期間において被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように、当該被検査体の表面に対し計測領域全面にわたり加熱を行う加熱装置に対して加熱開始指令を行う加熱制御手段と、
加熱停止後における温度計測器からのデータを入力して各単位領域の温度データとして記録するデータ記録手段とを備えたデータ収集装置であって、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記温度データは、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続して計測することによって得られたものであること
を特徴とするデータ収集装置。 - 被検査体の内部の少なくとも1点で温度上昇が生じるように加熱された被検査体の表面の加熱停止後において記録された計測領域の各単位領域の温度データに基づいて、各単位領域における表面温度の時間変化に関する前記各単位領域間の相対的相違を検出し被検査体における欠陥を判断する欠陥判断手段を備えた欠陥判断装置であって、
前記被検査体は、低熱伝導性材料から構成されるものであり、
前記加熱は、被検査体内部の検出対象点の深さにおいて加熱停止後に温度上昇が生じる程度の強度および急激さをもって、かつ、被検査体の表面近傍のみを加熱する程度の時間をもって行われるものであり、
前記温度データは、少なくとも、前記加熱によって生じた加熱層による熱が、加熱停止後に検出対象点の深さに到達するまでの時間継続して計測することによって得られたものであり、
前記欠陥判断手段は、前記熱が被検査体内部に向けて伝導していく過程において生じた内部温度差によって表れた前記表面温度の相対的相違によって欠陥を判断すること
を特徴とする欠陥検査のための欠陥判断装置。
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