CN103681707A - 具有固定电位输出晶体管的图像传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有固定电位输出晶体管的图像传感器。图像传感器像素包括光敏区及像素电路。所述光敏区响应于入射在所述图像传感器上的光而积累图像电荷。所述像素电路包括传送存储晶体管、电荷存储区域、输出晶体管及浮动扩散区。所述传送存储晶体管耦合在所述光敏区与所述电荷存储区域之间。所述输出晶体管具有耦合在所述电荷存储区域与所述浮动扩散区之间的沟道且具有连接到固定电压电位的栅极。所述传送存储晶体管引起所述图像电荷从所述光敏区传送到所述电荷存储区域以及从所述电荷存储区域传送到所述浮动扩散区。
Description
技术领域
本发明大体涉及图像传感器，且特定但不详尽地来说，涉及具有全局快门的图像传感器。
背景技术
图像传感器是普遍存在的。其广泛使用于许多不同类型的应用中。在某些类型的应用(例如，医疗领域)中，图像传感器的大小及图像质量特别重要。因此，需要在不损害图像质量的情况下使图像传感器最小化。
图1为说明常规的共享像素结构100的电路图。共享像素结构100包括位于图像传感器内的两个像素的像素电路105。每一像素电路105包括光电二极管区域(“PD”)及为每一像素的常规操作提供多种功能性的晶体管电路。举例来说，像素电路105可包括使图像电荷开始在光电二极管区域PD内进行积累的电路、使光电二极管区域PD内的图像电荷复位的电路、将图像电荷传送到存储节点(“MEM”)的电路以及将图像电荷传送到浮动扩散区(“FD”)的电路。为了控制此功能性，像素电路105需要以损害光电二极管区域PD为代价而占用每一像素内的宝贵空间的布线。调节每一像素内的此布线减少曝露于光的光电二极管区域PD的面积，借此减小像素的填充因数且使像素灵敏度及图像质量降级。
发明内容
本发明的一个实施例提供一种图像传感器，其包括像素阵列，所述图像传感器包含：第一像素的第一光敏区，其安置在衬底层内或衬底层上以响应于入射在所述第一像素上的光而积累图像电荷；及所述第一像素的第一像素电路，其安置在所述衬底层内或所述衬底层上，所述第一像素电路包括：第一传送存储晶体管，其耦合在所述第一光敏区与第一电荷存储区域之间以将所述图像电荷从第一光敏区传送到所述第一电荷存储区域；及第一输出晶体管，其具有耦合在所述第一电荷存储区域与浮动扩散区之间的沟道以选择性地将所述图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到所述浮动扩散区，其中所述第一输出晶体管的栅极耦合到第一固定电压电位，且响应于施加到所述第一传送存储晶体管的栅极的控制信号而选择性地将所述图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到所述浮动扩散区。
本发明的一个实施例提供一种操作图像传感器的方法，其包含：响应于入射在第一像素的第一光敏区上的光而将第一图像电荷积累在所述第一光敏区上；通过临时启用耦合在所述第一光敏区与第一电荷存储区域之间的第一传送存储晶体管而将所述第一图像电荷从所述第一光敏区传送到所述第一电荷存储区域；将所述第一图像电荷存储在所述第一电荷存储区域内；通过将第一控制信号施加到所述第一传送存储晶体管的栅极而临时启用具有耦合到第一固定电压电位的栅极的第一输出晶体管；及当将所述第一控制信号施加到所述第一传送存储晶体管的所述栅极的同时，通过所述第一输出晶体管将所述第一图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到浮动扩散区，其中所述第一输出晶体管耦合在所述第一电荷存储区域与所述浮动扩散区之间。
附图说明
参看以下图式描述本发明的非限制性且非详尽的实施例，其中除非另有规定，否则贯穿于各个图式中相同的参考数字指代相同的部分。图不一定按比例绘制，而是重点在于说明所描述的原理。
图1(现有技术)为说明常规共享像素结构的电路图。
图2为根据本发明的实施例说明成像系统的功能框图。
图3为根据本发明的实施例说明具有共享像素电路的邻近像素的电路图，每一像素包括具有连接于固定电压电位的栅极的输出晶体管。
图4为根据本发明的实施例的包括连接于固定电压电位的输出晶体管的栅极的像素电路的象征性横截面图。
图5为根据本发明的实施例说明用于操作成像系统的方法的流程图。
图6A到图6D根据本发明的实施例说明包括具有连接于固定电压电位的栅极的输出晶体管的像素内的电荷传送的各个阶段。
图7A为根据本发明的实施例说明全局快门图像传感器的操作的时序图。
图7B为根据本发明的实施例说明图像电荷从光敏区到电荷存储区域的全局传送的时序图。
图7C为根据本发明的实施例说明图像电荷的逐行读出的时序图。
具体实施方式
本文描述用于图像传感器的操作的系统及方法的实施例。在以下描述中，陈述大量具体细节以提供对实施例的透彻理解。然而，相关领域的技术人员将认识到，可在缺少所述具体细节中的一者或一者以上的情况下或以其它方法、组件、材料等来实践本文所描述的技术。在其它实例中，并未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作，以免使某些方面语意不明。
在整个此说明书中，参考“一个实施例”或“一实施例”意指结合实施例所描述的特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个此说明书中各处出现短语“在一个实施例中”或“在一实施例中”并不一定全部指代同一个实施例。此外，可以任何合适的方式将特定特征、结构或特性组合在一个或一个以上实施例中。
图2为根据本发明的实施例说明成像系统200的框图。成像系统200的经说明的实施例包括像素阵列205、读出电路210、功能逻辑215及控制电路220。
像素阵列205为像素(例如，像素P1、P2...,Pn)的二维(“2D”)阵列。在一个实施例中，每一像素为互补金属氧化物半导体(“CMOS”)成像像素。如所说明，每一像素布置成行(例如，行R1到Ry)及列(例如，列C1到Cx)以获得人物、地点或物体的图像数据，所述图像数据随后可用于生成所述人物、地点或物体的2D图像。
在每一像素已获得其图像数据或图像电荷之后，由读出电路210读出图像电荷且将其传送到功能逻辑215。读出电路210可包括放大电路、模/数(“ADC”)转换电路或其它者。功能逻辑215可仅存储图像电荷或甚至通过施加后图像效应(例如，修剪、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它者)来操纵图像电荷。在一个实施例中，读出电路210可沿着读出列线(位线)一次读出一行图像电荷或可使用多种其它技术(未说明)来读出图像电荷，例如串行读出或同时完全并行读出全部像素。
控制电路220耦合到像素阵列205以控制像素阵列205的操作特性。举例来说，控制电路220可产生快门信号用以控制图像获取。在一个实施例中，快门信号为用以启用像素阵列205内的全部像素以在单一获取窗口期间同时捕获其相应图像电荷的全局快门信号。在替代实施例中，快门信号为卷帘式快门信号，借此在连续的获取窗口期间循序启用每一行、列或组的像素。
图3为根据本发明的实施例说明具有共享像素电路315的邻近像素305及310的电路图300。像素305及310为像素阵列205内的像素的一个可能的实施方案。图4为像素电路400的象征性横截面图，其为像素305或310中的像素的实例实施方案。
像素305及310的经说明的实施例都包括光敏区PS、传送存储晶体管TS、传送存储栅极信号线TSGS、电荷存储区域CSA、具有连接到固定电位(例如，接地)的栅极410的输出晶体管OT以及全局快门晶体管GS。电路图300的经说明的实施例还包括电压轨VDD及AVDD、复位信号线RSTS、全局快门信号线GSS、位线320以及局部互连线325，其全部路由在存在于像素阵列205内的金属堆叠(未说明)内。金属堆叠可包括被金属间电介质层分开的一个或一个以上金属层。在一个实施例中，第一金属层包括像素阵列205内定向于第一方向的线(例如，水平地或竖直地)，而第二金属层仅包括大体上垂直于第一金属层内的线而定向的线。在另一实施例中，第一金属层包括局部互连线325，其大体上垂直于第一金属层内的其它线而定向，借此减少第二金属层内所包括的线的数目。在一个实施例中，第一金属层包括电压轨VDD、传送存储栅极信号线TSGS、复位信号线RSTS以及局部互连线325，而第二金属层包括电压轨AVDD、全局快门信号线GSS以及位线320。
共享像素电路315的经说明的实施例包括浮动扩散区FD、读出晶体管RO及复位晶体管RST。浮动扩散区FD耦合在像素305及310的读出晶体管RO与输出晶体管OT之间。启用输出晶体管OT会经由输出沟道405将浮动扩散区FD耦合到电荷存储区域CSA。
在一个实施例中，像素电路400安置在衬底415上或衬底415内。在一个实施例中，衬底415大体上由硅组成。在一个实施例中，栅极410及衬底415为P型掺杂，而电荷存储区域CSA及输出沟道405为N型掺杂。在一个实施例中，电荷存储区域CSA及输出沟道405为轻度N型掺杂，而输出晶体管栅极410为重度P型掺杂且衬底415为轻度P型掺杂。在一个实施例中，输出晶体管OT的源极及漏极分别对应于电荷存储区域CSA及浮动扩散区FD。在其它实施例中，所有的掺杂极性都可颠倒。在一个实施例中，输出晶体管OT为具有负阈值电压的耗尽型的结栅极场效应晶体管。在一个实施例中，栅极410与浮动扩散区FD的间隔大于0.18μm。
图5为根据本发明的实施例说明用于操作图像系统200的过程500的流程图。参看图6A到图6D描述过程500。过程块中的一些或全部在过程500中出现的次序不应视为限制性的。事实上，具有本发明的权益的所属领域的技术人员将了解，过程块中的一些可以未经说明的多种次序来执行。
在过程块505中，图像电荷响应于入射在光敏区PS上的光而积累在光敏区PS内(参看图6A)。在一个实施例中，入射光的入射光子引发电荷载流子的光再生，所述电荷载流子随后积累为图像电荷。在全局快门图像传感器中，针对像素阵列205中的全部像素同时发生集成。
在过程块510中，通过启用传送存储晶体管TS而将图像电荷从光敏区PS传送到电荷存储区域CSA(参看图6B)。在一个实施例中，通过将正电压信号施加到传送存储晶体管TS而启用传送存储晶体管，借此增加传送存储晶体管TS的栅极与光敏区PS之间的电压电位，使其大于传送存储晶体管TS的阈值电压。在一个实施例中，传送存储晶体管TS的阈值电压的范围从0.5到0.8伏特。启用传送存储晶体管TS会将光敏区PS耦合到电荷存储区域CSA。在全局快门图像传感器的情形中，同时启用像素阵列205内每一像素的对应的传送存储晶体管TS。此导致每一像素的对应的图像电荷从其对应的光敏区PS全局传送到其对应的电荷存储区域CSA内。
在过程块515中，图像电荷存储在电荷存储区域CSA内(参看图6C)。对施加到传送存储晶体管TS的信号取消断言，借此停用传送存储晶体管TS。停用传送存储晶体管TS会将光敏区PS从电荷存储区域CSA解耦且隔离电荷存储区域CSA内的图像电荷。
在过程块520中，在像素阵列205内将电荷存储区域CSA内被隔离的图像电荷逐行传送到浮动扩散区FD(参看图6D)。位于像素阵列205中经选定行的像素内的每一传送存储晶体管TS经由传送存储栅极信号线TSGS接收负电压信号。此导致电荷存储区域CSA的电压电位的降低。电荷存储区域CSA的电压电位的降低增加输出晶体管栅极410(其连接于固定电位)与电荷存储区域CSA之间的电压电位，直至达到输出晶体管OT的阈值电压为止，借此启用输出晶体管OT且经由输出沟道405将图像电荷传送到浮动扩散区FD。因此，经由在传送存储晶体管TS处从传送存储信号栅极线TSGS接收的控制信号(而不是经由将控制信号选择性地施加到栅极410)来控制图像电荷从电荷存储区域CSA穿过输出晶体管OT到浮动扩散区FD的传送。因此，此减少需要在像素阵列205的金属堆叠内进行路由的线的数目，且增加每一像素的填充因数。在一个实施例中，输出晶体管OT的阈值电压的范围从-0.6到-0.2伏特。在一个实施例中，施加到传送存储晶体管TS的栅极以启用输出晶体管OT的电压的范围从-3.0到-1.5伏特。
在过程块525中，在位线320上逐行读出图像电荷。如图3所说明，读出晶体管RO的栅极耦合到浮动扩散区FD，而读出晶体管RO端子耦合到电压轨AVDD及位线320。当图像电荷被传送到读出晶体管RO的栅极(即，在浮动扩散区FD处)时，读出晶体管RO产生指示图像电荷经由位线320到达读出电路210的信号。在一个实施例中，在一个行读出期间读出来自像素305的图像电荷，同时在单独的行读出期间读出来自像素310的图像电荷。
图7A为根据本发明的实施例说明成像系统200的操作的时序图。图7A说明成像系统200的一个帧(即，帧2)的时序的一个可能的实施方案。在本发明中，帧是为捕获像素阵列205内的每一像素中的图像电荷及读出前述帧期间所捕获的图像电荷两者所分配的时间。如所说明，成像系统200的操作包括集成阶段705，其中图像电荷积累在像素阵列205内的每一像素的光敏区PS中。在集成阶段705之前，将像素阵列205内的每一像素的光敏区PS的电压电位复位到固定电位(光敏区复位700)。类似地，在集成705之后，在将集成阶段705期间收集的图像电荷传送到电荷存储区域CSA(全局传送715)之前使像素阵列205内的每一像素的电荷存储区域CSA的电压电位复位(全局像素复位710)。传送到电荷存储区域CSA的图像电荷一直保留在那里直到其在下一帧(即，帧3)期间被读出为止。在图像电荷在集成705期间积累的同时，将在前述帧(即，帧1)期间所捕获的图像电荷逐行读出到读出电路210(逐行读出720)。
图7B为根据本发明的实施例说明全局像素复位710及全局传送715的时序图。图7B说明全局像素复位710及全局传送715的一个可能的实施方案。在一个实施例中，全局像素复位包括使电荷存储区域CSA充电或放电至预定的电压电位，例如VDD。通过借助将负电压施加到传送存储晶体管TS且施加正电压信号以启用复位晶体管RST来启用输出晶体管OT而实现复位。同时启用输出晶体管OT及复位晶体管RST将耦合电压轨VDD、浮动扩散区FD及电荷存储区域CSA，借此将电荷存储区域CSA复位到VDD的电压电位。在复位电荷存储区域CSA之后，对施加到复位晶体管RST的信号取消断言，借此停用复位晶体管RST且将电压轨VDD从浮动扩散FD解耦。
全局传送715发生在全局像素复位710之后，其中同时将在集成705期间积累在光敏区PS内的图像电荷传送到像素阵列205内的每一像素的电荷存储区域CSA。如图7B说明，传送存储晶体管TS经由传送存储栅极信号线TSGS接收正电压信号。此启用传送存储晶体管TS且将图像电荷从光敏区PS传送到电荷存储区域CSA。在完成传送之后，传送存储晶体管TS经由传送存储栅极信号线TSGS接收中间电压信号。中间电压信号小于传送存储晶体管TS的阈值电压，借此停用传送存储晶体管TS且使光敏区PS从电荷存储区域CSA解耦。然而，中间电压信号不是足够小的负数以致能够启用输出晶体管OT。随着传送存储晶体管TS及输出晶体管OT两者被停用，图像电荷在电荷存储区域CSA中保持隔离。在一个实施例中，中间电压信号比输出晶体管OT的阈值电压低0.4伏特。
图7C为根据本发明的实施例说明逐行读出720的时序图。图7C为逐行读出720的一个可能的实施方案。在经说明的实施例中，使用相关双取样(“CDS”)来实施逐行读出720。在从像素阵列205内的一行像素读出图像数据之前，使选定行内的每一像素的浮动扩散区FD复位。复位包括使浮动扩散区FD充电或放电至预定电压电位(例如VDD)，且通过启用复位晶体管RST而实现复位。启用复位晶体管RST会将电压轨VDD耦合到浮动扩散区FD。
CDS需要对读出电路210每像素两次读出：暗电流读取DRK及图像信号读取SIG。暗电流读取DRK经执行以测量没有图像电荷的情况下浮动扩散区FD处的电压电位。在将图像电荷传送到浮动扩散区FD之后，执行图像信号读取SIG以测量在有图像电荷的情况下浮动扩散区FD处的电压电位。从图像信号读取SIG测量值减去暗电流读取DRK测量值会产生指示浮动扩散区FD处的图像电荷的减小的噪声值。
在图像信号读取SIG之前，图像电荷经由输出沟道405从电荷存储区域CSA传送到浮动扩散区FD。为了实现此目的，传送存储晶体管TS经由传送存储栅极信号线TSGS接收负电压信号，这启用输出晶体管OT。在图像电荷传送到浮动扩散区FD之后，传送存储晶体管TS经由传送存储栅极信号线接收中间电压信号以停用输出晶体管OT且隔离浮动扩散区FD内的图像电荷。施加中间电压信号直到图像信号读取SIG完成之后为止。
上文阐释的过程是依据计算机软件及硬件进行描述的。所描述的技术可包括体现在有形或非瞬时机器(例如计算机)可读存储媒体内的机器可执行指令，所述指令当由机器执行时将致使机器执行所描述的操作。此外，所述过程可体现在硬件内，例如专用集成电路(“ASIC”)或其它者。
有形机器可读存储媒体包括以机器(例如，计算机、网络装置、个人数字助理、制造工具、具有一组一个或一个以上过程的任何装置等)可存取的形式提供(即，存储)信息的任何机构。举例来说，机器可读存储媒体包括可记录/不可记录媒体(例如，只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器装置等)。
对本发明的经说明的实施例的以上描述(包括在摘要中所描述的内容)无意为详尽的或将本发明限于所揭示的精确形式。虽然出于说明的目的在本文中描述本发明的特定实施例及实例，但正如相关领域的技术人员将了解，在本发明的范围内可进行各种修正。
可鉴于以上详细的描述而对本发明做出这些修正。在所附权利要求书中所使用的术语不应解释为将本发明限于本说明书中所揭示的特定实施例。事实上，本发明的范围将完全由所附权利要求书确定，所附权利要求书将根据公认的权利要求阐释的原则进行解释。
Claims (19)
1.一种图像传感器，其包括像素阵列，所述图像传感器包含：
第一像素的第一光敏区，其安置在衬底层内或衬底层上以响应于入射在所述第一像素上的光而积累图像电荷；及
所述第一像素的第一像素电路，其安置在所述衬底层内或所述衬底层上，所述第一像素电路包括：
第一传送存储晶体管，其耦合在所述第一光敏区与第一电荷存储区域之间以将所述图像电荷从所述第一光敏区传送到所述第一电荷存储区域；及
第一输出晶体管，其具有耦合在所述第一电荷存储区域与浮动扩散区之间的沟道以选择性地将所述图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到所述浮动扩散区，其中所述第一输出晶体管的栅极耦合到第一固定电压电位，且响应于施加到所述第一传送存储晶体管的栅极的控制信号而选择性地将所述图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到所述浮动扩散区。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述像素电路进一步包括：
读出晶体管，其具有耦合到所述浮动扩散区的栅极，以在位线上产生指示所述浮动扩散区处的所述图像电荷的图像信号；及
复位晶体管，其耦合在第一电压轨与所述浮动扩散区之间以复位所述第一像素。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其进一步包含邻近所述第一像素而安置的第二像素，所述第二像素包括：
第二光敏区；及
所述第二像素的第二像素电路，其安置在所述衬底层内或所述衬底层上，所述第二像素电路包括：
第二传送存储晶体管，其耦合在所述第二光敏区与第二电荷存储区域之间；及
第二输出晶体管，其具有耦合在所述第二电荷存储区域与所述浮动扩散区之间的沟道，其中所述第二输出晶体管的栅极耦合到第二固定电压电位，
其中所述第一及第二像素共享所述读出及复位晶体管。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其进一步包含：
第一全局快门晶体管，其耦合在第二电压轨与所述第一光敏区之间以复位所述第一光敏区；及
第二全局快门晶体管，其耦合在所述第二电压轨与所述第二光敏区之间以复位所述第二光敏区。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述第一全局快门晶体管的栅极及所述第二全局快门晶体管的栅极耦合到全局快门信号线，以同时复位所述第一及第二光敏区。
6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第一及第二输出晶体管的所述栅极耦合到所述衬底层以使所述第一及第二输出晶体管的所述栅极接地。
7.根据权利要求3所述的图像传感器，其进一步包含将所述第一输出晶体管耦合到所述第二输出晶体管的局部互连，其中所述局部互连耦合到所述浮动扩散区。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其进一步包括金属堆叠以路由信号，其中所述金属堆叠包括：
第一金属层，其包含导体，其中所述导体的大多数大体上彼此平行；及
第二金属层，其包含导体，其中所述导体的大多数既在所述第二金属层内大体上彼此平行又大体上垂直于所述第一金属层内的所述导体的大多数，
其中所述局部互连安置在所述金属堆叠内以使所述局部互连大体上垂直于其中安置有所述局部互连的所述金属层内的所述导体的大多数。
9.根据权利要求3所述的图像传感器，所述像素阵列进一步包含：
第一组导体，其跨越所述像素阵列的行，所述第一组导体包括：
第一传送存储晶体管栅极信号线，其耦合到所述第一传送存储晶体管；
第二传送存储晶体管栅极信号线，其耦合到所述第二传送存储晶体管；
复位信号线，其耦合到所述复位晶体管的栅极；及
所述第一电压轨，其耦合到所述复位晶体管的所述栅极；
第二组导体，其跨越所述像素阵列的列，所述第二组导体包括：
所述位线，其耦合到所述读出晶体管以将所述图像信号发送到读出电路；
第二电压轨，其耦合到所述读出晶体管且耦合到第一及第二全局快门晶体管；及
全局快门信号线，其耦合到所述第一及第二全局快门晶体管的栅极以提供光敏复位信号。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：
所述第一传送存储晶体管经耦合以响应于所述控制信号的第一电压电平而将所述图像电荷从所述第一光敏区传送到所述第一电荷存储区域；
所述第一传送存储晶体管经耦合以响应于所述控制信号的第二电压电平而将所述图像电荷存储在所述第一电荷存储区域内；且
所述第一传送存储晶体管经耦合以响应于所述控制信号的第三电压电平而将所述图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到所述浮动扩散区，其中
所述第二电压电平介于所述控制信号的所述第一与第三电压电平之间。
11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一输出晶体管为结栅极场效应晶体管。
12.一种操作图像传感器的方法，其包含：
响应于入射在第一像素的第一光敏区上的光而将第一图像电荷积累在所述第一光敏区上；
通过临时启用耦合在所述第一光敏区与第一电荷存储区域之间的第一传送存储晶体管而将所述第一图像电荷从所述第一光敏区传送到所述第一电荷存储区域；
将所述第一图像电荷存储在所述第一电荷存储区域内；
通过将第一控制信号施加到所述第一传送存储晶体管的栅极而临时启用具有耦合到第一固定电压电位的栅极的第一输出晶体管；及
当将所述第一控制信号施加到所述第一传送存储晶体管的所述栅极的同时，通过所述第一输出晶体管将所述第一图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到浮动扩散区，其中所述第一输出晶体管耦合在所述第一电荷存储区域与所述浮动扩散区之间。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含：
在位线上产生指示所述浮动扩散区处的所述第一图像电荷的信号；及
通过临时启用耦合在所述浮动扩散区与第一电压轨之间的复位晶体管而复位所述第一像素。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：
将第二图像电荷积累在第二像素的第二光敏区上；
将所述第二图像电荷从所述第二光敏区传送到第二电荷存储区域；
将所述第二图像电荷存储在所述第二电荷存储区域内；及
通过将第二控制信号施加到所述第二传送存储晶体管的栅极而临时启用具有耦合到第二固定电压电位的栅极的第二输出晶体管；及
在将所述第二控制信号施加到所述第二传送存储晶体管的所述栅极的同时，通过所述第二输出晶体管将所述第二图像电荷从所述第二电荷存储区域传送到浮动扩散区，其中所述第二输出晶体管耦合在所述第二电荷存储区域与所述浮动扩散区之间。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包含：
通过临时启用耦合在第二电压轨与所述第一光敏区之间的第一全局快门晶体管而复位所述第一光敏区；及
通过临时启用耦合在所述第二电压轨与所述第二光敏区之间的第二全局快门晶体管而复位所述第二光敏区。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含通过同时将复位信号施加到所述第一全局快门晶体管的栅极及所述第二全局快门晶体管的栅极两者而复位所述第一光敏区及所述第二光敏区两者，其中所述第一全局快门晶体管的所述栅极耦合到所述第二全局快门晶体管的所述栅极。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一及第二输出晶体管的所述栅极耦合到衬底层以使所述第一及第二输出晶体管的所述栅极接地。
18.根据权利要求14所述的方法，其进一步包含：
在随后的第一图像电荷积累在所述第一光敏区内的同时将所述第一图像电荷从所述第一电荷存储区域传送到所述浮动扩散区；及
在随后的第二图像电荷积累在所述第二光敏区内的同时将所述第二图像电荷从所述第二电荷存储区域传送到所述浮动扩散区。
19.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含：
通过将所述第一控制信号的第一电压电平施加到所述第一传送存储晶体管而启用所述第一传送存储晶体管；
通过将所述第一控制信号的第二电压电平施加到所述第一传送存储晶体管而将所述第一图像电荷存储在所述第一电荷存储区域内；及
通过将所述第一控制信号的第三电压电平施加到所述第一传送存储晶体管而启用所述第一输出晶体管，
其中所述第二电压电平介于所述第一与第三电压电平之间。
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