CN103662694B - 基板浮起装置以及基板浮起量测量方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板浮起装置和基板浮起量测量方法，能够将基板的浮起量始终准确地计算和控制。基板浮起装置（1）使基板浮起，该装置包括浮起单元（2）和解析装置（21），该浮起单元包括与浮起的基板（W）背面相对而置的对向面（14），且将基板浮起至对向面上方，该解析装置计算从该对向面浮起的基板的浮起量；其中，在该对向面下方进一步设置有向输送浮起单元上浮起的基板发射光的光反射型高度测量器（12），所述浮起单元包括贯通孔（15）和板体状基准板（13），该贯通孔使从高度测量器发射的光和在基板上反射后入射到高度测量器的光通过，该基准板设置在通过该贯通孔从高度测量器向基板发射的光的路径上且反射和透射一部分光。

Description

基板浮起装置以及基板浮起量测量方法

技术领域

本发明涉及对基板浮起量进行控制的同时使基板浮起的基板浮起装置以及基板浮起量测量方法。

背景技术

在液晶显示器或等离子体显示器等平板显示器上使用着在基板上涂布有抗蚀剂液的基板（称之为涂布基板）。该涂布基板通过在基板上均匀地涂布抗蚀剂液或药液等涂布液的涂布装置形成。

图5表示涂布装置的概略图。涂布装置80包括：涂布部81，其对基板涂布涂布液；基板浮起装置82，其使基板W浮起；输送装置83，其将基板W向一个方向输送。涂布部81具有狭缝，所述狭缝的延伸方向垂直于输送装置83输送基板W的方向，基板浮起装置82将基板W浮起的状态下输送装置83把持基板W端部，并将基板W以规定速度输送的同时从狭缝排出涂布液，由此在基板W上形成涂布膜。

如此，通过涂布装置80将基板W浮起而在涂布装置80和基板W未接触的状态下进行涂布，由此与通过吸附平台等来把持基板W的同时进行涂布的情况相比，在涂布过程中能够防止异物附着于基板W上。

图6表示涂布装置80向基板W涂布涂布液的例子。

如上所述，在基板浮起装置82将基板W浮起的状态下从涂布部81的狭缝排出涂布液，同时将基板W向水平方向输送，由此在基板W上形成涂布膜。图6中在作为涂布部81前端部的涂布部前端84上设置有狭缝，通过从该狭缝排出涂布液来在基板W上形成涂布膜M。

在此，在对涂布膜M的膜厚进行均匀涂布时，需要将涂布部前端84和基板W之间的距离h1维持在特定值。为此采用以下方法：由于需要将从基板浮起装置82的基板W的浮起量h2维持在特定值，因此在涂布动作中不断地测量浮起量，然后根据该测量值按照能够将浮起量h2维持在特定值的方式进行控制。

图7表示基板浮起装置82的现有的基板浮起量控制方法。

如图7的（a）所示，为了控制基板W的浮起量h2，在基板浮起装置82下方设置有激光长度测量器等高度测量器91。并且，首先高度测量器91接收从高度测量器91发射的光通过设置在基板浮起装置82主体的贯通孔92后从基板W反射的光。然后，控制装置93根据该受光信息计算高度测量器91和基板W之间的距离h3。对此，控制装置93预先计算从高度测量器91到基板浮起装置82表面的距离h4，然后从距离h3减去距离h4，由此求出基板W的浮起量h2。然后，按照该值保持在特定值的方式，控制装置93调节基板浮起装置82将基板W浮起的力。

在此，距离h4的测量如下：在涂布动作开始前等基板浮起装置82的浮起动作处于停止的状态下，如图7的（b）所示，按照堵住贯通孔92的方式载置金属板、玻璃板等反射板94。这样，反射板94的下表面与基板浮起装置82的表呈同一面，因此控制装置93根据高度测量器91所接收的从反射板94的下表面反射的光的信息计算距离h4。

发明内容

但是，在上述的基板浮起量控制方法中，存在所谓无法准确地控制浮起量的担心的问题。具体而言，随着涂布装置80的持续使用，涂布装置80的各构成仪器的周围环境温度发生变化而构成仪器发生膨胀或者收缩，因此存在以下担心，即，涂布动作时的从高度测量器91到基板浮起装置82表面的距离与将反射板94载置后测量距离h4时的从高度测量器91到基板浮起装置82表面的距离不同。这时候，从进行涂布动作时测量的距离h3减去利用反射板94预先测量的距离h4的值与实际求出的浮起量h2不同，因此不能准确地控制浮起量h2。

另外，载置反射板94时异物等塞进反射板94和基板浮起装置82表面之间时，由于所测量的距离h4与从高度测量器91到基板浮起装置82表面的实际距离不同，因此也不能准确地控制浮起量h2。

本发明是鉴于上述问题做出的发明，其目的在于提供一种基板浮起装置和基板浮起量测量方法，通过这些装置和方法能够始终准确地计算基板浮起量。

解决上述课题的本发明的基板浮起装置，将基板浮起，其特征在于，该装置包括浮起单元和解析装置，所述浮起单元具有与浮起的基板的背面相对而置的对向面，且将基板浮起至所述对向面的上方，所述解析装置计算从所述对向面浮起的基板的浮起量，在所述对向面下方进一步设置有光反射型高度测量器，其向从所述浮起单元上浮起的基板发射光，所述浮起单元包括贯通孔和板体状基准板，所述贯通孔使从所述高度测量器发射的光和在基板上反射后入射到所述高度测量器的光通过，所述基准板设置在通过所述贯通孔从所述高度测量器向基板发射的光的路径上，且反射和透射一部分光。

根据上述基板浮起装置，通过具有高度测量器和设置在从高度测量器到基板的光的路径上的基准板，能够始终准确地计算基板的浮起量。具体而言，通过高度测量器检测从接近于对向面一侧的基准板的面反射的反射光，即使是基板浮起时也能够始终掌握对向面位置。另外，高度测量器同时检测从该基准板的面反射的反射光和在基板上反射的光而计算出基板的浮起量，由此即使在使用基板浮起装置期间基板浮起装置周围的环境温度发生变化而构成设备发生膨胀或者收缩时，也能够始终掌握此时的对向面位置和基板位置，因此能够准确地计算基板的浮起量。

另外，优选的是，基准板的的上表面或者下表面与所述对向面为同一面。

这样，根据从基准板反射的反射光信息能够更加准确地掌握对向面位置。

另外，所述基准板材料优选的是玻璃。

这样，基准板几乎不会发生热膨胀，因此在基准板的面和对向面为同一面的关系上不容易产生误差，从而能够将基板浮起量更加准确地计算和控制。

另外，优选的是，所述基准板被吸附保持在所述浮起单元上。

这样，即使是基准板变脏等而要进行更换时也能够容易更换。

另外，解决上述课题的本发明的基板浮起量测量方法，该方法是基板浮起装置的基板浮起量测量方法，所述基板浮起装置包括：浮起单元，其包括与浮起的基板背面相对而置的对向面，且将基板浮起至所述对向面上方；解析装置，其计算从所述对向面浮起的基板的浮起量；其中，在所述对向面下方进一步设置有光反射型高度测量器，所述高度测量器向所述浮起单元上浮起的基板发射光；所述浮起单元包括贯通孔和板体状基准板，所述贯通孔使从所述高度测量器发射的光和在基板上反射后入射到所述高度测量器的光通过，所述基准板设置在通过所述贯通孔从所述高度测量器向基板发射的光的路径上，且反射和透射一部分光；其特征在于，该基板浮起量测量方法包括以下工序：投受光工序，在该工序中所述高度测量器发射光，并且接收所述光从所述基准板和基板分别反射的反射光；计算工序，在该工序中所述解析装置从所述投受光工序中获得的受光信息计算从所述对向面浮起的基板的浮起量。

根据上述基板浮起量测量方法，由于该方法具有投受光工序和计算工序，因此能够始终准确地计算基板的浮起量。

根据本发明的基板浮起装置和基板浮起量测量方法，能够始终准确地计算基板浮起量。

附图说明

图1为本发明的一个实施方式的基板浮起装置的概略图；

图2为高度测量器获得的受光信息的一个例子；

图3为另一实施方式的基板浮起装置的概略图；

图4为另一实施方式的基板浮起装置的概略图；

图5为包括基板浮起装置的涂布装置的概略图；

图6为表示对通过基板浮起装置浮起的基板涂布涂布液的例子的概略图；

图7为现有的基板浮起装置的概略图。

附图标号说明

1 基板浮起装置

2 浮起单元

3 控制装置

11 单元主体

12 高度测量器

13 基准板

14 对向面

15 贯通孔

21 解析装置

80 涂布装置

81 涂布部

82 基板浮起装置

83 输送装置

84 涂布部前端

91 高度测量器

92 贯通孔

93 控制装置

94 反射板

M 涂布膜

W 基板

具体实施方式

利用附图说明本发明的实施方式。

图1为本发明的一个实施方式的基板浮起装置的概略图。基板浮起装置1包括浮起单元2和控制装置3，浮起单元2将基板W浮起的过程中控制装置3控制从浮起单元2浮起的基板W的浮起量。

浮起单元2包括单元主体11、高度测量器12、以及基准板13，且将基板W浮起至单元主体11的上方。另外，在基板W处于浮起的状态下，高度测量器12向基板W发射光，并且高度测量器12接收从基板W和位于高度测量器12和基板W之间的基准板13反射的反射光，然后将受光信息发送给控制装置3。

在本实施方式中单元主体11是浮起单元，通过从单元主体11喷射的空气来使基板W浮起。将基板W浮起时与基板W下表面对向而置的部分呈平面，以使通过该部分的形状来使基板W不发生变形。另外，在以下说明中将该平面称之为对向面14。

在对向面14上设置有未图示的多个喷射口，该喷射口与未图示的气体供给源连接。从该气体供给源向喷射口供给干燥空气、N2等气体，从喷射口将这些气体向上方喷射，由此单元主体11使基板W向上方浮起。

另外，单元主体11除了具有喷射口之外还可以在对向面14上具有吸引气体的吸引口。并且，将基板W浮起时从喷射口喷射气体的同时从所述吸引口吸引基板W，这与只通过气体喷射来使基板W浮起的情况相比，能够抑制浮起的基板W发生变形而维持其平面度，另外，能够更加精确地控制基板W的浮起量。

另外，所述单元主体11只是将基板W向上方浮起，基板W不会向水平方向移动。因此，将本实施方式的基板浮起装置与如图5所示的涂布装置80进行组合时，为了将基板W浮起后向一个方向输送，输送装置83把持浮起的基板W的端部，并在该状态下输送装置83向一个方向移动。另外，在以下说明中，将输送装置83输送基板W的方向作为X轴方向，在平面上与该X轴方向垂直的方向作为Y轴方向，与这些X轴方向和Y轴方向垂直的方向、即垂直于平面的方向作为Z轴方向的基础上进行说明。

返回到图1，单元主体11包括向Z轴方向贯通的贯通孔15，设置在单元主体11下方的高度测量器12发射的光通过该贯通孔15后到达浮起在单元主体11上方的基板W，另外，从基板W反射的光通过该贯通孔15后到达高度测量器12。

在本实施方式中，高度测量器12是光反射型基板位移传感器，包括发射部和受光部，从发射部向测量对象物发射激光，受光部接收从测量对象物反射的激光。并且，根据受光部中接收光的具体位置的详细的受光位置信息，求出高度测量器12和测量对象物之间的距离。

该高度测量器12位于单元主体11所具有的贯通孔15的下方，从该高度测量器12向上方发射激光，由此如上所述激光通过贯通孔15后在基板W上反射，所反射的激光被高度测量器12的受光部接收。另外，高度测量器12和基板W之间存在的基准板13也反射激光，所反射的激光被高度测量器12的受光部接收。并且，将各反射光在受光部中的受光位置信息发送给后述的控制装置3，控制装置3根据该受光位置信息计算基板W的浮起量。

基准板13是在其表面上反射一部分光、且透射一部分光的部件，其设置在通过贯通孔15的从高度测量器12向基板W发射的光的路径上，从高度测量器12向基板W发射的光的一部分从该基准板13反射。

另外，在单元主体11对向面14中相当于贯通孔15上端部分处设置有用来安装所述基准板13的凹穴，将基准板13嵌入到该凹穴中。并且，在本实施方式中，凹穴的深度和基准板13的厚度相同，在单元主体11上安装有基准板13时基准板13的上表面和对向面14为同一面。即，将基准板13的上表面位置可看做是对向面14的位置。

因此，从高度测量器12获得的基准板13的上表面位置信息可看做是对向面14的位置信息，因此根据从高度测量器12获得的基准板13的上表面和基板W的位置信息，能够求出对向面14和基板W的距离、即，基板W的浮起量。

在此，本实施方式中，基准板13由透明玻璃构成。由于玻璃的热膨胀率非常低，因此即使周围温度发生变化时基准板13的厚度也几乎不发生变化，基准板13的上表面和对向面14的同一面的关系不容易产生误差，因此计算从对向面14浮起的基板W的浮起量时不容易产生误差。

另外，基准板13的厚度和凹穴的深度优选的是越小越好。这样，即使是通过周围温度发生变化而单元主体11和基准板13发生膨胀或者收缩，由此对向面14的高度和基准板13的上表面高度之间产生偏差，也可以使其偏差以可以忽略不计的程度变小。

但是，如果厚度过于薄，则存在无法准确分离后述的基准板13的下表面位置信息和上表面位置信息（无法准确地分离后述的峰值P1和峰值P2）的担心，因此需要将其厚度保持在能够准确分离这些信息的厚度。因此，在本实施方式中，基准板13的厚度做成0.5mm至1mm。

另外，还可以是，不用将基准板13做得很薄，而是通过使单元主体11（尤其是形成凹穴的部分）和基准板13的热膨胀率大致相同，由此即使周围温度发生变化，但对向面14的高度和基准板13的上表面高度之间也不会产生偏差。

另外，单元主体11上安装基准板13的方式优选的是吸附固定。这与粘结固定或用螺丝固定等方式相比，容易安装或者容易拆卸，因此当基准板13变脏等情况下进行更换时也能够更容易更换。另外，通过粘结来固定时，由于粘着材料层的存在而更换基准板13前后难以将基准板13的上表面高度保持一致，但是吸附固定时单元主体和基准板13之间不会塞进异物，因此基准板13的更换前后容易将基准板13的上表面高度保持一致。

控制装置3包括计算机、定序器等，通过调节将基板W浮起的气体的喷射量等来控制从对向面14浮起的基板W的浮起量。

另外，控制装置3包括解析装置21，如前所述该解析装置21根据从高度测量器12发送的受光位置信息计算基板W的浮起量。

解析装置21是具有CPU以及RAM或ROM的计算机。在解析装置21上存储有根据从高度测量器12发送的受光位置信息计算基板W的浮起量的解析部等用来实施基板W的浮起量的控制的程序。另外，解析装置21包括由硬盘、RAM或者ROM 等存储器构成的存储装置，其存储基准板13和基板W的折射率等计算基板W的浮起量时所需的数据。

另外，控制装置3包括调节装置，所述调节装置根据由解析装置21计算的结果调节基板W的浮起量。该调节装置是用来调节例如从对向面14所具有的喷射口喷射的气体的喷射量的装置，具体而言，可以举出设置在从气体供给源到喷射口的路径中途上的未图示的调节阀门开启度的装置。

如果解析装置21所计算的基板W的浮起量小于目标浮起量，则利用该调节装置增加气体的喷射量，相反，如果解析装置21计算的基板W的浮起量大于目标浮起量，则利用该调节装置减少气体的喷射量，通过这样的调节能够控制基板W的浮起量达到规定的浮起量。

另外，还可以是，不通过调节装置来调节浮起量，而是当浮起量偏出规定范围时，向操作基板浮起装置1的操作员发出警报。

接着，说明根据高度测量器12获得的受光信息计算基板W浮起量的过程。

如图1所示的基板浮起装置1中，基板W从对向面14和基准板13的上表面浮起的状态下从高度测量器12发射光时，将从基准板13的上表面反射的光和从基板W反射的光由高度测量器12在图1中如距离d表示那样在不同的受光位置上接收。所述距离d根据基板W的浮起量h的大小来变动，因此根据距离d能够计算浮起量h。

图2表示高度测量器12获得的受光信息的一个例子。从高度测量器12发射的光从基准板13和基板W反射时，由高度测量器12的受光部接收从基准板13和基板W的各自的上表面和下表面反射的光，因此受光信息中存在从各个位置反射的反射光产生的四个峰值。图2的峰值P1至峰值P4表示所述四个峰值，各峰值从高度测量器12的近处并排着，因此峰值P1是接收从基准板13的下表面的反射的光的峰值，峰值P2是接收从基准板13的上表面反射的光的峰值，峰值3是接收从基板W的下表面反射的光的峰值，峰值P4是接收从基板W的上表面反射的光的峰值。

因此，图1所示的浮起量h，即基准板13的上表面和基板W的下表面之间的距离可以根据峰值P2和峰值P3之间的间隔来计算。

通过这样的浮起量h的计算方法，能够始终准确地计算和控制基板W的浮起量。具体而言，通过高度测量器12同时检测从基准板13的上表面反射的光和从基板W反射的光而计算浮起量，即使是由于周围环境温度发生变化而基板浮起装置1的构成部件膨胀或者收缩，由此导致对向面14和高度测量器12之间的相对距离发生变化，但每次都能够掌握对向面14和基板W的高度，因此能够准确地计算基板W的浮起量。

接着，通过以上说明的基板浮起装置1，说明控制基板W浮起量的基板浮起量控制方法。

本实施方式的基板浮起量控制方法包括以下工序。

首先，高度测量器12发射光，并且接收所述光从基准板13的上表面（与对向面14同一面）和基板W反射的反射光。将该工序称之为投受光工序。

接着，控制装置3的解析装置21从投受光工序中获得的受光信息计算从对向面14浮起的基板W的浮起量。例如，根据图2的峰值P2和峰值P3的位置信息，计算基准板13的上表面和基板W的下表面之间的距离，由此计算基板W的浮起量。将该工序称之为计算工序。

接着，控制装置3的调节装置根据计算工序中获得的结果调节基板W的浮起量。具体而言，通过调节使基板W浮起的气体的喷射量来调节基板W的浮起量。将该工序称之为调节工序。

通过这些投受光工序、计算工序、以及调节工序来控制基板W的浮起量，由此能够始终准确地控制基板的浮起量。

另外，在上述说明中，将基板W的下表面和对向面14之间的距离定义为基板W的浮起量h而对该距离进行控制，但是也可以是将基板W的上表面和对向面14之间的距离定义为基板W的浮起量h而进行控制。尤其是，当基板W的厚度不匀较大时，优选的是对基板W的上表面和对向面14之间的距离进行控制。其理由是，例如基板浮起装置1适用于如图6所示的涂布装置80、从涂布部81对浮起的基板W涂布涂布液时，需要均匀地控制的距离是基板W的上表面和涂布部前端84之间距离h1。

这样将基板W的上表面和对向面14之间的距离作为基板W的浮起量h时，根据图2所示的受光信息中的峰值P2和峰值P4之间的间隔值计算浮起量h。

在此，峰值P3和峰值P4之间，由于光通过基板W的内部，因此根据基板W的折射率光将产生折射。因此，高度测量器12的受光信息中的峰值P3和峰值P4之间的间隔与在没有折射率变化的条件下路径差为基板W厚度大小的两束光到达受光部时的峰值之间的间隔不同。

因此，根据峰值P2和峰值P4之间的间隔计算浮起量h时，需要在峰值P3和峰值P4之间的间隔值上反映基板W的折射率后计算基板W的厚度，将这样计算的值加在从峰值P2和峰值P3之间的间隔值获得的浮起量上，由此能够计算对向面14和基板W的上表面的距离。

因此，为了这样计算和控制对向面14和基板W的上表面之间的距离等，优选的是，如上所述，控制装置3的解析装置21将基准板13和基板W中所需的折射率数据存储在存储装置中。另外，还可将基准板13和基板W之间的部分（使基板W浮起的气体）的折射率数据存储在存储装置中。

接着，图3的（a）和图3的（b）为表示另一实施方式的基板浮起装置的概略图。

图3的（a）所示的基板浮起装置1中，在单元主体11上没有设置如图1所示的用来设置基准板13的凹穴，将基准板13的下表面载置于对向面14上，基准板13的下表面和对向面14成为同一面。因此，通过高度测量器12测量浮起量时，将该基准板13的下表面的高度看做是对向面14的高度来进行计算。即，根据图2的峰值P1和峰值P3或者峰值P4的位置计算浮起量。但是，峰值P1和峰值P2之间光在基准板13的上表面和下表面发生折射，因此计算浮起量时要反映该基准板13的折射率。

通过如此的将基准板13的下表面载置于单元主体11的对向面14上，即使周围温度发生变化而单元主体11或基准板13发生热膨胀，但基准板13的下表面和单元主体11的对向面14能够始终保持为同一面的关系。但是，图3（a）中如以宽度t表示那样基准板13从对向面14突出，因此输送基板W时要注意不要让基板W和基准板13发生碰撞。

图3的（b）是在整个对向面14上载置有基准板13的图。这种情况下，并不是如图3的（a）所示基准板13从对向面14突出的构成，因此基板W和基准板13发生碰撞而导致破损的担心会减少。但是，此时，为了不妨碍从对向面14所具有的喷射口喷射气体，需要在基准板13的喷射口上方部分上开孔等。另外，由于基准板13和对向面14的接触面积大，因此载置基准板13时要格外注意不要让异物塞进基准板13和对向面14之间。

接着，图4表示又另一实施方式的基板浮起装置的概略图。

例如，当从对向面14浮起的基板W的浮起量（图4的浮起量h）小时，高度测量器12中接收从基准板13上表面反射的反射光的受光位置和从基板W的下表面反射的反射光的受光位置相近，因此图2的峰值P2和峰值P3也相近。

这种情况下，如图1所示，如果基准板13的上表面和对向面14为同一面，则图2的峰值P2和峰值P3由于过于接近而存在解析装置21无法分离峰值P2和峰值P3的担心。

对此，如图4所示，使基准板13的上表面位于对向面14的下方，基准板13的上表面和基板W的下表面之间的距离（图4中表示的距离（s+h））长于解析装置21能够分离峰值的极限值，因此能够分离图2的峰值P2和峰值3，由此解析装置21能够计算基板W浮起量。

另外，此时，将基准板13的上表面和对向面14之间的距离s预先输入到解析装置21中，当解析装置21计算对向面14位置时，在基准板13的上表面的高度加上距离s。

根据以上说明的基板浮起装置和基板浮起量测量方法，能够始终准确地计算基板的浮起量。

另外，以上对通过气体喷射来将基板浮起的方式的基板浮起装置进行了说明，但是本发明不仅适用于气浮方式，而且还可以适用于通过超声波振动浮起等其它浮起方式的基板浮起装置中。

Claims (4)

1.一种基板浮起装置，该装置将基板浮起，其特征在于，该装置包括：

浮起单元，包括与浮起的基板背面相对而置的对向面，且将基板浮起至所述对向面上方；

解析装置，计算从所述对向面浮起的基板的浮起量；

其中，在所述对向面下方进一步设置有光反射型高度测量器，所述高度测量器向所述浮起单元上浮起的基板发射光；

所述浮起单元包括贯通孔和板体状基准板，所述贯通孔使从所述高度测量器发射的光和在基板上反射后入射到所述高度测量器的光通过，所述基准板设置在通过所述贯通孔从所述高度测量器向基板发射的光的路径上，且反射和透射一部分光，所述基准板的上表面位于所述对向面的下方，所述基准板的上表面和所述基板的下表面之间的距离长于所述解析装置能够分离从所述基准板的上表面及所述基板的下表面反射的光的峰值的极限值。

2.根据权利要求1所述的基板浮起装置，所述基准板的材料为玻璃。

3.根据权利要求1或2所述的基板浮起装置，其特征在于，所述基准板被吸附保持在所述浮起单元上。

4.一种基板浮起量测量方法，该方法是基板浮起装置的基板浮起量测量方法，所述基板浮起装置包括：

浮起单元，包括与浮起的基板背面相对而置的对向面，且将基板浮起至所述对向面上方；

解析装置，计算从所述对向面浮起的基板的浮起量；

所述基板浮起量测量方法的特征在于，

其中，在所述对向面下方进一步设置有光反射型高度测量器，所述高度测量器向所述浮起单元上浮起的基板发射光；

所述浮起单元包括贯通孔和板体状基准板，所述贯通孔使从所述高度测量器发射的光和在基板上反射后入射到所述高度测量器的光通过，所述基准板设置在通过所述贯通孔从所述高度测量器向基板发射的光的路径上，且反射和透射一部分光，所述基准板的上表面位于所述对向面的下方，所述基准板的上表面和所述基板的下表面之间的距离长于所述解析装置能够分离从所述基准板的上表面及所述基板的下表面反射的光的峰值的极限值；

该基板浮起量测量方法包括以下工序：

投受光工序，在该工序中所述高度测量器发射光，并且接收所述光从所述基准板和基板分别反射的反射光；

计算工序，在该工序中所述解析装置从所述投受光工序中获得的受光信息计算从所述对向面浮起的基板的浮起量。