CN103646865A - 在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 26
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910002616 GeOx Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- -1 oxonium ion Chemical class 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28185—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the gate insulator and before the formation of the definitive gate conductor
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Abstract
本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。该方法还适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种在Ge衬底制备超薄氧化锗(GeOx)界面修复层的方法。
背景技术
近年来锗(Ge)作为最具前景的金属氧化物半导体晶体管(MOSFETs)的衬底材料得到了广泛的研究。相比于硅，锗的载流子迁移率很高，其驱动电流较小、适合于低温工艺。为了实现高性能小尺寸的Ge基MOSFETs，高k栅叠层必须具有低界面态密度以及有效钝化的界面层。高k栅介质/Ge的界面处需要特殊的界面层作为扩散阻挡层，以阻止热处理条件下高k金属氧化物与Ge衬底的界面反应。已经报道的界面钝化的方法有硫钝化、氟钝化、硅钝化、等离子体氧化以及热氧化等。其中在高k栅介质与Ge界面处生长薄层GeOx界面层是实现高性能Ge基MOSFETs的解决方法。获取GeOx界面层最基本简便的方法就是热生长。对于热生长方式，在不降低GeOx质量的条件下，缩减GeOx界面层的厚度非常重要(GeOx的介电常数值k较小)。
为获取具有界面修复作用的GeOx，有研究人员通过臭氧氧化、中性氧离子氧化等方式实现GeOx的生长。然而，获得GeOx最基本的方法就是热氧化的方式。传统的热氧化方式获得的GeOx的厚度通常很大，不利于实现低等效氧化物厚度(EOT)。经实验摸索，我们采用薄层Al2O3来阻挡氧气的扩散，减缓氧化反应，从而实现厚度小于1nm的GeOx。
改进型的热氧化方法是利用Al2O3薄膜作为O2阻挡层，既可以减缓O2扩散，减小氧化反应速度，又能有效地抑制GeO解析，减小界面损伤。此方式不但可以生成具有修复界面作用的GeOx，减小界面态密度，而且还可以有效控制GeOx的厚度，以满足较低EOT的要求。同时，沉积后退火与低温氧化退火工艺的使用又可以进一步改善栅介质及界面质量。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是为了实现具有高界面质量与稳定性的高k/Ge栅叠层，以提高Ge基MOS器件的电学性能。同时传统的热氧化方式所获得的GeOx界面层难以实现较薄的厚度，不利于低EOT的实现。本发明提供一种在Ge衬底制备GeOx界面修复层的方法，其中，通过改变Al2O3阻挡层的厚度、热氧化温度及时间相结合，以达到有效控制GeOx界面层厚度的目的。
(二)技术方案
为了达到上述目的，本发明提供了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：
步骤1：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；
步骤2：将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；
步骤3：将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；
步骤4：利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。
上述方案中，步骤1中所述的Ge衬底是由GOI衬底替换。所述的Al2O3薄膜的厚度为0.1～3nm。
上述方案中，步骤2中所述的快速退火炉中氧气的压强为1pa～１atm，热氧化温度为400℃～600℃，氧化时间为1秒～1小时。
上述方案中，步骤3中所述的高k栅介质为Al2O3、La2O3、HfO2及Y2O3中的一种、多种或其复合物。
上述方案中，步骤4中所述的栅介质沉积后退火的气体氛围为O2，退火温度为450℃～600℃，退火时间为1分钟～1小时。步骤4中所述的低温氧气退火的温度为300℃～450℃，退火时间为1分钟～3小时。
上述方案中，该方法适用于Ge基MOS电容、MOSFET及含有Ge基栅叠层器件的制备。
(三)有益效果
本发明提供了一种简单易行、控制方便的在Ge衬底制备超薄GeOx界面修复层的方法，该方法能够在Ge衬底上实现超薄GeOx界面修复层，有效改善高k/Ge界面质量，且工艺设备较为简单，耗费较小。通过改变热氧化过程中的参数，还可以实现对GeOx质量及厚度的有效控制。此种改进型热氧化制备GeOx界面层的方法还适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。
附图说明
图1为依照本发明实施例的在Ge衬底制备GeOx界面修复层的方法流程图；
图2a至图2d为依照本发明实施例的在Ge衬底制备GeOx界面修复层的工艺流程图；
图3a至图3d为依照本发明实施例的将本发明制备GeOx界面修复层的方法应用于一般MOSFET制作的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明提供了一种在Ge衬底制备超薄GeOx界面层的方法，用以修复高k栅介质/Ge界面，实现Ge基MOS器件中栅叠层所要求的界面稳定性与高质量。此方法包括以下步骤：先去除Ge衬底表面的自然氧化层，并迅速转移到原子层沉积系统的腔体中，沉积一层较薄Al2O3薄膜；然后将其放入快速退火炉中，在O2氛围下，利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；接着将样品再次放入原子层沉积反应腔体中，沉积高k栅介质；最后利用快速退火炉先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。
如图1所示，图1为依照本发明实施例的在Ge衬底制备GeOx界面修复层的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤1：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；
步骤2：将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；
步骤3：将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；
步骤4：利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。
其中，步骤1中所述的Ge衬底是由GOI衬底替换。所述的Al2O3薄膜的厚度为0.1～3nm。步骤2中所述的快速退火炉中氧气的压强为1pa～1atm，热氧化温度为400℃～600℃，氧化时间为1秒～1小时。步骤3中所述的高k栅介质为Al2O3、La2O3、HfO2及Y2O3中的一种、多种或其复合物。步骤4中所述的栅介质沉积后退火的气体氛围为O2，退火温度为450℃～600℃，退火时间为1分钟～1小时。步骤4中所述的低温氧气退火的温度为300℃～450℃，退火时间为1分钟～3小时。该方法适用于Ge基MOS电容、MOSFET及含有Ge基栅叠层器件的制备。
图2a至图2d为依照本发明实施例的在Ge衬底制备GeOx界面修复层的工艺流程图，该过程包括：
如图2a所示，先去除Ge衬底101表面的自然氧化层，形成激活的锗表面。可以选用HCl或者HF处理；
如图2b所示，迅速将样品转移到原子层沉积系统的腔体中，沉积一层较薄Al2O3薄膜102作为热氧化过程中的O2阻挡层；
如图2c所示，然后将其放入快速退火炉中，在O2氛围下，利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层103；
如图2d所示，接着将其再次放入原子层沉积反应腔体中，沉积高k栅介质104。最后利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量和改善界面质量。
基于图1和图2所示的在Ge衬底制备GeOx界面修复层的方法，图3a至图3d示出了依照本发明实施例的将本发明制备GeOx界面修复层的方法应用于一般MOSFET制作的工艺流程图。
如图3a至图3d所示，将本发明制备GeOx界面修复层的方法应用于制作一般的Ge基MOSFETs器件，其过程包括以下步骤：先去除Ge衬底201表面的自然氧化层，形成激活的锗表面。在利用本发明提供的改进型热氧化方法制备栅叠层，其中包括GeOx界面层202、Al2O3阻挡层203、高k栅介质204，其结构如图3a所示。然后在高k栅介质204上沉积Ti/Au栅电极205，如图3b。沉积Si3N4层206作为离子注入阻挡层，进行p或n型离子注入和离子激活，形成重掺杂区207，如图3c所示。如图3d所示，最后去除Si3N4层206，制作源漏电极208，至此Ge基MOSFETs即制备完成。
本发明提供的这种在Ge衬底制备GeOx界面修复层的新思路和方法，以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案进一步说明和阐述。但应该强调的是，以上所述实施例仅为本发明的较佳实例而已，并非用于限定本发明的保护范围。但凡本领域普通技术人员根据本发明所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。
Claims (8)
1.一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，包括：
步骤1：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；
步骤2：将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；
步骤3：将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；
步骤4：利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。
2.根据权利要求1所述的在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，步骤1中所述的Ge衬底是由GOI衬底替换。
3.根据权利要求1所述的在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，步骤1中所述的Al2O3薄膜的厚度为0.1～3nm。
4.根据权利要求1所述的在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，步骤2中所述的快速退火炉中氧气的压强为1pa～1atm，热氧化温度为400℃～600℃，氧化时间为1秒～1小时。
5.根据权利要求1所述的在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，步骤3中所述的高k栅介质为Al2O3、La2O3、HfO2及Y2O3中的一种、多种或其复合物。
6.根据权利要求1所述的在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，步骤4中所述的栅介质沉积后退火的气体氛围为O2，退火温度为450℃～600℃，退火时间为1分钟～1小时。
7.根据权利要求1所述的在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，步骤4中所述的低温氧气退火的温度为300℃～450℃，退火时间为1分钟～3小时。
8.根据权利要求1所述的在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，其特征在于，该方法适用于Ge基MOS电容、MOSFET及含有Ge基栅叠层器件的制备。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310723739.0A CN103646865A (zh) | 2013-12-25 | 2013-12-25 | 在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103646865A true CN103646865A (zh) | 2014-03-19 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140319 |