CN103628044A - 一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制备无掺杂α_SiH膜的装置，其特征在于：包括有真空室，在所述真空室内设有基片安装座，在所述真空室内部与基片安装座对应的位置上设有石英玻璃，在所述真空室上与石英玻璃对应的位置上设有汞灯，在所述真空室上连接有氩气进气管，在所述真空室外设有汞源，所述的汞源通过连接管与真空室相连接，在所述汞源上设有SiH4进气管。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，制备无掺杂α_SiH膜的装置。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备。
背景技术
现有的利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备其结构相对比较复杂，生产成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，以满足需求。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于：包括有真空室，在所述真空室内设有基片安装座，在所述真空室内部与基片安装座对应的位置上设有石英玻璃，在所述真空室上与石英玻璃对应的位置上设有汞灯，在所述真空室上连接有氩气进气管，在所述真空室外设有汞源，所述的汞源通过连接管与真空室相连接，在所述汞源上设有SiH4进气管。
如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述基片安装座内设有基片加热器。
如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述的氩气进气管上设有气阀。
如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述的设有SiH4进气管上设有气阀。
如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于SiH4进气管与氩气进气管相互连通。
如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述汞源底部设有加热装置。
综上所述，本发明相对于现有技术其有益效果是：
本发明产品结构简单，生产成本相对较低。
附图说明
图1为本发明的示意图。
具体实施方式
下面结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步描述：
如图1所示的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，包括有真空室1，在所述真空室1内设有基片安装座2，基片12放置在所述基片安装座2上，在所述真空室1内部与基片安装座2对应的位置上设有石英玻璃3，在所述真空室1上与石英玻璃3对应的位置上设有汞灯4，在所述真空室1上连接有氩气进气管5，在所述真空室1外设有汞源6，所述的汞源6通过连接管7与真空室1相连接，在所述汞源6上设有SiH4进气管8。
本发明中在所述基片安装座2内设有基片加热器9。在所述的氩气进气管5上设有气阀10。在所述的设有SiH4进气管8上设有气阀10。所述SiH4进气管8与氩气进气管5相互连通。本发明中在所述汞源6底部设有加热装置。
利用本发明装置制备无掺杂α_SiH膜是一种光化学气相沉积的过程。反应的方程式：
Hg++SiH4-----Hg+2H2+Si
Ar气作为携载气体将SiH4气体引入到真空室中，使用的低压汞灯共振线分别为2537nm及185nm，低压氧化油涂在石英窗内表面上，以防止薄膜沉积在窗口上，便于清洁。
汞蒸气引入到反应室中，基片温度为200～360度。通过优化汞源温度20～200摄氏度和气体流速SiH4：Ar=1～28:100～750SCCM可获得4.63nm/min的沉积率。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于：包括有真空室（1），在所述真空室（1）内设有基片安装座（2），在所述真空室（1）内部与基片安装座（2）对应的位置上设有石英玻璃（3），在所述真空室（1）上与石英玻璃（3）对应的位置上设有汞灯（4），在所述真空室（1）上连接有氩气进气管（5），在所述真空室（1）外设有汞源（6），所述的汞源（6）通过连接管（7）与真空室（1）相连接，在所述汞源（6）上设有SiH4进气管（8），在所述基片安装座（2）内设有基片加热器（9）。
2.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述的氩气进气管（5）上设有气阀（10），在所述的设有SiH4进气管（8）上设有气阀（10）。
3.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于所述SiH4进气管（8）与氩气进气管（5）相互连通。
4.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述汞源（6）底部设有加热装置。
5.根据权利要求1所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述真空室（1）上连接有废弃排气管（11）。
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| CN103628044A true CN103628044A (zh) | 2014-03-12 |
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| CN201310549415.XA Pending CN103628044A (zh) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备 |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN87100729A (zh) * | 1986-02-18 | 1987-11-25 | 索拉里克斯公司 | 制造光电器件和其它半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积物原料和掺杂剂材料 |
| CN1055014A (zh) * | 1990-03-17 | 1991-10-02 | 西安电子科技大学 | 低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术 |
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2013
- 2013-11-07 CN CN201310549415.XA patent/CN103628044A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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