CN103617958A - 一种半导体晶片清洗装置 - Google Patents

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郭城
吕明
纪大鹏
赵海玲
徐明星
郭英云
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Abstract

本发明提供了一种半导体晶片清洗装置的技术方案，包括带有进水管的清洗箱，在清洗箱的底部设置有排水口，在排水口处设置有控制排水口开关的排水气缸，在排水气缸的供气管路上设置有第一电磁阀，所述的第一电磁阀与PLC控制器连接，在所述的进水管上设置有第二电磁阀，所述的第二电磁阀与PLC控制器连接。本装置使用PLC控制的快冲喷淋方式，使去离子水的使用效率提高，可以有效的控制时间，并且使用量减少，同时冲洗效果更好。

Description

一种半导体晶片清洗装置
技术领域
本发明属于半导体晶片生产领域，尤其是一种半导体晶片清洗装置。
背景技术
在现有技术中，公知的技术是半导体晶片在生产制造过程中需要多道清洗工序，通过化学试剂浸泡、清洗液清洗振荡、以及去离子水流动冲洗等步骤，对晶片表面的杂质和损伤层面进行去除。而清洗效果的优劣决定晶片的质量。在制造过程中清洗液振荡清洗的时间、温度、振荡效果完全依赖于作员的人为控制，稳定一致性差；流动去离子水冲洗水消耗量大，且冲洗效果稳定性不好，清洗质量有波动，浪费了资源。
发明内容
本发明的目的，就是针对现有技术的不足，提供一种半导体晶片清洗装置的技术方案，本装置使用PLC控制的快冲喷淋方式，使去离子水的使用效率提高，可以有效的控制时间，并且使用量减少，同时冲洗效果更好。
本方案的技术措施如下：一种半导体晶片清洗装置，包括带有进水管的清洗箱，在清洗箱的底部设置有排水口，在排水口处设置有控制排水口开关的排水气缸，在排水气缸的供气管路上设置有第一电磁阀，所述的第一电磁阀与PLC控制器连接，在所述的进水管上设置有第二电磁阀，所述的第二电磁阀与PLC控制器连接。所述的PLC控制器与一控制面板连接。所述的PLC控制器与一电源连接，所述的电源为24V直流电源。
所述的清洗箱的底部的一侧设置有溢水口，所述的溢水口的一侧设置有挡水板，所述的挡水板的高度低于清洗箱的高度。所述的溢水口和排水口设置在挡水板的两侧。
本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，在该方案中PLC控制器可以控制第二电磁阀的开关，进而可以控制喷淋的时间，节约利用去离子水；PLC控制器还可以控制第一电磁阀的开关，进而控制排水气缸的通断，实现排水口的开合；在清洗箱的一侧设置有溢水口，溢水口侧设置有挡水板，当去离子水超过挡水板的高度后，会从溢水口流出。
附图说明：
图1为本发明具体实施方式的结构示意图。
图2为本发明具体实施方式的的电气原理图。
图中，1为清洗箱，2为进水管，3为排水口，4为排水气缸，5为供气管路，6为第一电磁阀，7为第二电磁阀，8为溢水口，9为挡水板，10为PLC控制器，11为控制面板，12为电源。
具体实施方式：
　　为能清楚说明本方案的技术特点，结合附图，通过具体实施方式，对本方案进行阐述。
通过附图可以看出，本方案的半导体晶片清洗装置，包括带有进水管2的清洗箱1，在清洗箱1的底部设置有排水口3，本实施例中排水口3为两个，在排水口3处设置有控制排水口3开关的排水气缸4，在排水气缸4的供气管路5上设置有第一电磁阀6，所述的第一电磁阀6与PLC控制器10连接，在所述的进水管2上设置有第二电磁阀7，所述的第二电磁阀7与PLC控制器10连接。所述的PLC控制器10与一控制面板11连接，通过控制面板11可以对PLC控制器10设定冲洗时间等参数。所述的PLC控制器10与一电源12连接，所述的电源12为24V直流电源。所述的清洗箱1的底部的一侧设置有溢水口8，所述的溢水口8的一侧设置有挡水板9，所述的挡水板9的高度低于清洗箱1的高度。所述的溢水口8和排水口3设置在挡水板9的两侧。

Claims (5)

1.一种半导体晶片清洗装置，包括带有进水管的清洗箱，其特征是：在清洗箱的底部设置有排水口，在排水口处设置有控制排水口开关的排水气缸，在排水气缸的供气管路上设置有第一电磁阀，所述的第一电磁阀与PLC控制器连接，在所述的进水管上设置有第二电磁阀，所述的第二电磁阀与PLC控制器连接。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片清洗装置，其特征是：所述的PLC控制器与一控制面板连接。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片清洗装置，其特征是：所述的PLC控制器与一电源连接，所述的电源为24V直流电源。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片清洗装置，其特征是：所述的清洗箱的底部的一侧设置有溢水口，所述的溢水口的一侧设置有挡水板，所述的挡水板的高度低于清洗箱的高度。
5.根据权利要求4所述的半导体晶片清洗装置，其特征是：所述的溢水口和排水口设置在挡水板的两侧。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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