CN103579805A - 导电体、电连接器及其成型方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电连接器，电性连接一第一电子元件，包括一绝缘本体，位于所述第一电子元件下方，多个导电体，收容于所述绝缘本体，所述导电体具有一接触部与所述第一电子元件接触，低熔点金属层，设于所述接触部上，所述低熔点金属层选自镓，铟-镓,镓-锡,铟-镓-锡，铟-镓-锌-锡，其中任意一种，当所述导电体与所述第一电子元件接触时，液态的所述低熔点金属层协助所述导电体的所述接触部与所述第一电子元件形成较大的接触面，降低接触阻抗，即使受到高频震荡或者撞击等情况，液态的所述低熔点金属层协助所述导电体与所述第一电子元件形成稳定的电性连接，避免导致信号传输中断，影响电连接性能。

Description

导电体、电连接器及其成型方法

技术领域

本发明涉及一种导电体、电连接器及其成型方法，尤指一种接触阻抗小的导电体、电连接器及其成型方法。

背景技术

目前业界普遍使用的一种电子装置，用于信号传输，所述电子装置包括一第一导电元件，一第二导电元件与所述第一导电元件对接，从而完成信号的传输。所述第一导电元件与所述第二导电元件以弹性抵接的方式形成信号传输路径，由于所述第一导电元件与所述第二导电元件弹性抵接时接触面积较小，故接触阻抗较大，导电性能较弱，且所述电子装置在使用过程中，一旦受到高频震荡或者撞击等情况，将会引起所述第一导电元件与所述第二导电元件之间的接触松动，导致信号传输中断，影响电连接性能。

     因此，有必要设计一种改良的导电体、电连接器及其成型方法，以克服上述问题。

发明内容

针对背景技术所面临的问题，本发明的目的在于提供一种接触阻抗小的导电体、电连接器以及上述二者的成型方法。

   为实现上述目的，本发明采用以下技术手段：

    一方面，本发明提供一种电连接器，用以电性连接一第一电子元件，包括一绝缘本体，位于所述第一电子元件下方；多个导电体，收容于所述绝缘本体，所述导电体具有一接触部与所述第一电子元件接触；低熔点金属层，设于所述接触部上，所述低熔点金属层选自镓 ，铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌，其中任意一种；当所述导电体与所述第一电子元件接触时，所述低熔点金属层协助所述导电体的所述接触部与所述第一电子元件形成较大的接触面，降低接触阻抗。

    进一步，所述第一电子元件具有用以接触的一第一平面，所述导电体在所述接触部上形成一第二平面，所述第一平面与所述第二平面通过所述低熔点金属层形成平面式的接触，降低接触阻抗。

    进一步，所述低熔点金属层为液态，液态的所述低熔点金属层呈粘稠状或胶状。

    进一步，在高于低熔点金属合金熔点的环境下，将液态的低熔点金属合金液体以涂布或沾浸的方式设于所述导电体上形成所述低熔点金属层。

    进一步，所述低熔点金属层利用电镀的方式镀设于所述导电体上。

    进一步，所述导电体上设有一镍镀层，所述低熔点金属层位于所述镍镀层上。

    进一步，所述绝缘本体上表面开设有多个收容孔，所述导电体位于所述收容孔，一导电层设于所述收容孔内壁面，所述导电体与所述导电层接触，一液态导电液，位于所述收容孔内，所述液态导电液与所述导电体接触。

    进一步， 所述液态导电液为液态金属， 所述液态导电液为镓或镓合金。

    另一方面，本发明提供一种导电体，用以电性接触一接触件，包括所述导电体具有一接触部；所述接触件具有一触点部与所述接触部相抵接，一低熔点金属层仅位于所述接触部和所述触点部之间，所述低熔点金属层选自镓或含镓元素的合金；当所述导电体与所述触点部抵接时，所述接触部与所述触点部通过所述低熔点金属层形成较大的接触面，降低接触阻抗。

    进一步，所述低熔点金属层选自镓 ，铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌，其中任意一种。

    进一步，所述低熔点金属层为液态，液态的所述低熔点金属层呈粘稠状或胶状。

    进一步，所述低熔点金属层设于所述接触部上。

    进一步，所述低熔点金属层设于所述触点部上。

    进一步，所述低熔点金属层均设于所述接触部和所述触点部上。

    进一步，所述导电体收容于一第一本体，所述接触件收容于一第二本体，当所述导电体与所述接触件对接时，所述第一本体与第二本体相配合。

    进一步，一绝缘本体开设有多个收容孔，所述导电体和所述接触件均收容于所述收容孔，当所述导电体与所述触点部接触时，所述低熔点金属层形成所述接触部和所述触点部之间的导电路径。

    进一步，所述触点部为两个，所述接触件凹设一凹陷腔，所述凹陷腔的开口端两侧处设有两个所述触点部，一弹簧装设于所述凹陷腔，所述导电体凸设一挡止部位于所述凹陷腔，所述挡止部弹性抵持所述弹簧，所述接触部与两个所述触点部均接触，所述低熔点金属层设于两个所述触点部上。

    进一步，所述挡止部套设于所述导电体上并位于所述接触部下方，所述挡止部的宽幅大于所述凹陷腔的开口端的宽幅，所述挡止部为绝缘体。

    进一步，所述接触件凹设一凹陷腔，一弹簧装设于所述凹陷腔内，所述凹陷腔内设有一金属环与所述弹簧以及所述触点部相抵接，所述金属环位于所述接触部和所述触点部之间，所述接触部与所述金属环相抵接，所述低熔点金属层位于所述金属环上。

    另一方面，本发明提供一种电连接器的成型方法，包括以下步骤：

s1.提供一种导电体；

s2.提供一种液态的低熔点金属，液态的低熔点金属选自镓,铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌，其中任意一种，将所述导电体的接触部浸入液态的低熔点金属中，使所述导电体的接触部形成一低熔点金属层；

s3.提供一绝缘本体，所述绝缘本体上表面开设有多个收容孔，将所述收容孔的内壁面镀设一导电层；

s4.将所述导电体装入所述收容孔，使所述导电体与所述导电层接触。

    进一步，在高于液态导电液熔点的环境下，在步骤s4之后向所述收容孔内加入所述液态导电液，所述导电体与所述液态导电液接触。

    进一步，所述液态导电液为液态金属， 所述液态导电液为镓或镓合金。

    进一步，在步骤s1之后和步骤s2之前，将所述导电体的接触部镀设一镍镀层。

    另一方面，本发明还提供一种导电体的成型方法，包括以下步骤：

s1.提供一种导电体，所述导电体具有一接触部；

s2.将所述导电体的所述接触部镀设一第一金属层，所述第一金属层选自铟, 镓，锡其中一种；

s3.将所述导电体的所述接触部镀设一第二金属层，所述第二金属层选自铟,镓，锡其中另一种；

s4.利用升温使所述第一金属层与所述第二金属层熔合形成一低熔点金属层。

    进一步，在步骤s1之后和步骤s2之前，将所述导电体镀设一镍镀层。

    进一步， 在步骤s3之后和步骤s4之前，将所述导电体的接触部镀设一第三金属层，所述第三金属层选自铟,镓，锡其中另一种且与所述第一金属层和所述第二金属层材料不同。

    进一步，在步骤s4之后提供一绝缘本体，所述绝缘本体上表面开设有多个收容孔，将所述收容孔的内壁面镀设一导电层，将所述导电体装入所述收容孔，所述导电体与所述导电层接触。

    进一步，所述导电层包括一铜镀层和一镍底层，所述铜镀层位于所述收容孔的内壁面，所述镍底层位于所述铜镀层上。

    与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：所述导电体具有一接触部用以与所述第一电子元件接触，所述低熔点金属层设于所述接触部上，所述低熔点金属层选自镓 ，铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌 其中任意一种，在常温下所述低熔点金属层为液态，当所述导电体与所述第一电子元件接触时，液态的所述低熔点金属层协助所述导电体的所述接触部与所述第一电子元件形成较大的接触面，降低接触阻抗，即使受到高频震荡或者撞击等情况，液态的所述低熔点金属层协助所述导电体与所述第一电子元件形成稳定的电性连接，避免导致信号传输中断，影响电连接性能。

【附图说明】

图1为本发明第一实施例电连接器的局部组合图；

图2为图1的局部放大图；

图3为本发明第二实施例导电体与接触件对接的局部组合图；

图4为图3的局部放大图；

图5为本发明第三实施例导电体与接触件对接的组合图；

图6为本发明第三实施例导电体与接触件的分解图；

图7为本发明第三实施例导电体与接触件对接的局部放大图；

图8为本发明第三实施例导电体与接触件对接的局部组合图；

图9为本发明第四实施例导电体与接触件的分解图。

具体实施方式的附图标号说明：

电连接器100	绝缘本体1	收容孔11	导电体2
				接触部21	第二平面211	焊接部22	弯折部23
倾斜面212	导接部24	挡止部25	第一电子元件200
				垫片201	第一平面2011	接触件3	触点部31
凹陷腔32	开口端321	第一本体4	中央凹槽41
				第二本体5	中央凸部51	弹簧6	金属环7
低熔点金属层A	镍镀层B	导电层C	铜镀层C1
				镍底层C2	液态导电液D	第二电子元件300	接触垫301

【具体实施方式】

    为便于更好的理解本发明的目的、结构、特征以及功效等，现结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

    本发明的第一实施例，如图1和图2所示，本发明的电连接器100包括一绝缘本体1，位于一第一电子元件200下方， 多个导电体2，收容于所述绝缘本体1，所述导电体2具有一接触部21用以与所述第一电子元件200接触，低熔点金属层A，设于所述接触部21上。在本实施例中所述导电体2上均设有所述低熔点金属层A，在其它实施例中，所述低熔点金属层A仅设于所述接触部21上。当所述导电体2与所述第一电子元件200接触时，所述低熔点金属层A协助所述导电体2的所述接触部21与所述第一电子元件200形成较大的接触面，降低接触阻抗。

    如图1和图2所示，在本实施例中，所述第一电子元件200为芯片模块，所述第一电子元件200设有多个垫片201，每一所述垫片201具有用以与所述导电体2接触的一第一平面2011。所述绝缘本体1上表面向所述绝缘本体1下表面开设有多个收容孔11，所述导电体2收容于所述收容孔11，所述导电体2具有一焊接部22用以焊接至一第二电子元件300上例如电路板，在本实施例中，所述焊接部22利用焊料焊接至所述第二电子元件300上进行固定并电性导接，在其它实施例中，所述焊接部22也可以利用压接的方式与所述第二电子元件300进行电性导接。自所述焊接部22向上弯折一弯折部23，所述弯折部23经多次弯折后形成，所述弯折部23具有弹性，自所述弯折部23向上延伸形成所述接触部21。所述低熔点金属层A，设于所述接触部21上，所述低熔点金属层A为液态，液态的所述低熔点金属层A呈粘稠状或胶状，以使所述低熔点金属层A易附着于所述接触部21上。所述低熔点金属层A为液态，使所述导电体2在所述接触部21上形成一第二平面211，所述第一平面2011与所述第二平面211通过所述低熔点金属层A形成平面式的接触，与先前的以点对点的接触方式相比较，所述低熔点金属层A形成的平面式的接触方式显著降低接触阻抗，提高了导电率。

     如图1所示，在本实施例中，所述导电体2经过多次弯折形成，在其它实施例中，所述导电体2可以只经过一次弯折形成，所述导电体2也可以不经过弯折成为直立的形状；所述接触部21可以位于所述导电体2的上部，也可以位于所述导电体2的中部或者所述导电体2的下部，总之所述导电体2可以为任意的形状，所述接触部21可以位于所述导电体2的任意部位。在本实施例中所述接触部21与所述第一电子元件200接触，在其它实施例中，所述接触部21也可以与其它导电元件接触。

     如图1和图2所示，一导电层C设于所述收容孔11内壁面，当所述第一电子元件200与所述导电体2压接时，所述弯折部23弹性抵接所述导电层C，所述导电体2与所述导电层C电性接触。一液态导电液D，位于所述收容孔11内，所述导电体2浸入所述液态导电液D中与所述液态导电液D接触。所述液态导电液D为液态金属， 所述液态导电液D为镓或镓合金，所述导电层C以及所述液态导电液D与所述导电体2接触，可以缩短所述导电体2的导电路径，从而显著降低其导电阻抗，使所述电连接器100具有更好的导电性能，另外，所述液态导电液D几乎充满所述收容孔11，因此，可以防止所述导电体2暴露于空气中而发生氧化，从而提高其电性导通性能并延长其使用寿命。

    如图2所示，本发明中液态的所述低熔点金属层A为金属合金，是指其在室温环境下呈液态。由于镓的熔点在29.76℃左右，因此，本发明可直接使用镓元素的液态金属；由于铟的熔点在156.61℃左右，锡的熔点在231.93℃左右，但铟、镓、锡的二元或者三元合金的熔点却可以大幅降低，上述合金的熔点根据不同比例而异，例如，铟-镓比例为24.5:75.5时，铟镓二元合金的熔点为15.7℃，铟-镓-锡比例为20.5:66.5:13.0时，铟镓锡三元合金的熔点为10.7℃，铟-镓-锡-锌比例为25.0:61.0:13.0:1.0时，所述铟镓锡锌四元合金的熔点为7.6℃，因此本发明所使用的液态金属还可以是铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌其中任意一种。由于铟和锡的二元合金的熔点最低为44.8℃，在常温下不能成为液态，故因此本发明所使用的液态金属不能为铟锡合金，从而保证了所述低熔点金属层A在常温下为液态。所述导电体2上先设有一镍镀层B，然后再设所述低熔点金属层A，所述低熔点金属层A位于所述镍镀层B上，防止所述低熔点金属层A与所述导电体2的基材发生反应，破坏所述导电体2的基材。所述低熔点金属层A可以利用涂布或沾浸的方式形成，在高于低熔点金属合金熔点的环境下，将液态的低熔点金属合金液体以涂布或沾浸的方式设于所述导电体2上形成所述低熔点金属层A或者利用电镀的方式镀设于所述导电体2上。

    在常温状态下，所述低熔点金属层A呈液态，利用所述低熔点金属层A进行电性传导，可以将所述导电体2的接触阻抗由34mΩ以上降低至30mΩ以下，当所述导电体2与所述第一电子元件200接触时，液态的所述低熔点金属层A协助所述导电体2的所述接触部21与所述第一电子元件200形成较大的接触面，降低接触阻抗，大幅提升了电性传输性能，即使受到高频震荡或者撞击等情况，液态的所述低熔点金属层A协助所述导电体2与所述第一电子元件200形成稳定的电性连接，避免导致信号传输中断，影响电连接性能。

    如图3和图4所示为本发明的第二实施例，与第一实施例的不同之处在于：所述导电体2用以电性接触一接触件3，所述接触件3具有一触点部31与所述接触部21相抵接，所述低熔点金属层A仅需位于所述接触部21和所述触点部31之间，从而节省了材料，在本实施例中，所述低熔点金属层A设于所述触点部31上，在其它实施例中，所述低熔点金属层A可以设于所述接触部21上，当然，所述低熔点金属层A也可均设于所述接触部21和所述触点部31上。所述导电体2收容于一第一本体4，所述第一本体4设有一中央凹槽41，所述接触部21伸入所述中央凹槽41中。所述接触件3收容于一第二本体5，所述第二本体5设有一中央凸部51，所述触点部31位于所述中央凸部51上，当所述导电体2与所述接触件3对接时，所述第一本体4与所述第二本体5相配合，所述中央凸部51部分位于所述中央凹槽41内。由于所述低熔点金属层A为液态，故具有较大的接触面，所述低熔点金属层A协助所述接触件3与所述导电体2电性接触，使所述接触部21与所述触点部31通过所述低熔点金属层A形成较大的接触面，从而降低所述接触部21和所述触点部31之间的接触阻抗。

       如图5-8所示为本发明的第三实施例，与第一实施例的不同之处在于：所述绝缘本体1开设有多个所述收容孔11，所述导电体2部分位于所述收容孔11上方，所述导电体2不具有所述焊接部22和所述弯折部23，所述导电体2具有一导接部24用以与所述第一电子元件200相导接，自所述导接部24向下延伸所述接触部21与所述接触件3相接触，自所述接触部21下方凸设一挡止部25，所述接触部21位于所述挡止部25上方，所述接触部21的宽度窄于所述挡止部25的宽度。所述接触件3收容于所述收容孔11下方并与所述导电体2对接，所述接触件3凹设一凹陷腔32，所述凹陷腔32内装设一弹簧6，所述弹簧6弹性抵持所述挡止部25，用以提供所述导电体2的弹力，所述凹陷腔32具有一开口端321，所述开口端321处设有所述二触点部31，所述凹陷腔32底部利用錫膏焊接至所述第二电子元件300上，所述导电体2伸入所述凹陷腔32内并与所述二触点部31接触，从而使所述接触件3与所述导电体2形成两点接触，所述挡止部25位于所述凹陷腔32内，所述挡止部25的宽幅大于所述开口端321的宽幅，在本实施例中，所述挡止部25套设于所述导电体2上，所述挡止部25为绝缘体，例如可以为一橡胶垫圈，环设于所述导电体2上，可以减少所述导电体2与所述凹陷腔32内壁的磨损。所述低熔点金属层A仅位于所述接触部21和所述触点部31之间，在本实施例中所述低熔点金属层A设于所述接触部21上，所述低熔点金属层A为液态，液态的所述低熔点金属层A呈粘稠状或胶状，以利于所述低熔点金属层A附着于所述接触部21上。在其它实施例中所述低熔点金属层A可以设于所述二触点部31上，也可以均设于所述接触部21和所述二触点部31上。当所述导电体2与所述接触件3接触时，所述低熔点金属层A形成所述接触部21和所述二触点部31之间的导电路径，由于所述低熔点金属层A呈液态，利用所述低熔点金属层A进行电性传导，增大了接触面积，故可以大幅度降低接触阻抗。

    如图9所示为本发明的第四实施例，与第一实施例的不同之处在于：所述绝缘本体1开设有多个所述收容孔11，所述导电体2具有所述导接部22显露于所述收容孔11上方并与所述第一电子元件200对接，所述导电体2具有所述接触部21位于所述收容孔11内，所述接触部21为倾斜状的楔形块，所述接触部21具有一倾斜面212与所述接触件3电性连接。所述接触件3收容于所述收容孔11并部分位于所述导电体2下方，所述接触件3凹设所述凹陷腔32，所述触点部31位于所述凹陷腔32的内壁上，一弹簧6装设于所述凹陷腔32内以提供所述导电体2的弹性，所述凹陷腔32内设有一金属环7与所述弹簧6以及所述触点部31相抵接，所述倾斜面212与所述金属环7电性接触，所述触点部31电性导接所述金属环7，从而使所述金属环7成为所述导电体2与所述接触件3之间的导电路径。所述金属环7位于所述接触部21和所述触点部31之间，所述接触部21以及所述触点部31均与所述金属环7相抵接，从而固定了所述金属环7。所述低熔点金属层A设于所述金属环7上，所述低熔点金属层A为液态，液态的所述低熔点金属层A协助所述接触件3与所述导电体2形成电性接触，增加了接触面积，使所述导电体2与所述接触件3之间的接触阻抗显著降低，提高了导电率，保证了良好的导电性能。

   本发明提供所述电连接器100的成型方法， 如图1和图2所示，通过将所述导电体2的所述接触部21浸入液态的低熔点金属中使所述导电体2的所述接触部21形成所述低熔点金属层A；具体包括以下步骤：

s1.提供所述导电体2，所述导电体2具有所述接触部21用以电性接触所述第一电子元件200，

s2.提供一种液态的低熔点金属，液态的低熔点金属选自镓,铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌，其中任意一种，将所述导电体2的接触部21浸入液态的低熔点金属中，使所述导电体2的接触部21形成一低熔点金属层A；

s3.提供一绝缘本体1，所述绝缘本体1上表面开设有多个收容孔11，将所述收容孔11的内壁面镀设一导电层C；

s4.将所述导电体2装入所述收容孔11，使所述导电体2与所述导电层C接触。

   在步骤s1之后和步骤s2之前，将所述导电体2涂布或电镀一层镍镀层B，防止所述导电体2被氧化腐蚀，由于所述基材为铜材，容易与所述低熔点金属层A发生反应，所述镍镀层B不与所述铜材以及所述低熔点金属层A发生反应，所述低熔点金属层A位于所述镍镀层B上，故所述镍镀层B有效的阻隔了所述低熔点金属层A，防止所述低熔点金属层A与所述导电体2的基材发生反应，避免破坏所述低熔点金属层A或腐蚀所述导电体2的基材。

    在步骤s2中，液态的低熔点金属为单元素的镓元素或含镓元素的合金，由于镓的熔点在29.76℃左右，因此，本发明可直接使用镓元素的液态金属作为液态的低熔点金属；由于铟的熔点在156.61℃左右，锡的熔点在231.93℃左右，但铟、镓、锡的二元或者三元合金的熔点却可以大幅降低，上述合金的熔点根据不同比例而异，例如，铟-镓比例为24.5:75.5时，铟镓二元合金的熔点为15.7℃，铟-镓-锡比例为20.5:66.5:13.0时，铟镓锡三元合金的熔点为10.7℃，铟-镓-锡-锌比例为25.0:61.0:13.0:1.0时，所述铟镓锡锌四元合金的熔点为7.6℃，因此本发明所使用的液态的低熔点金属还可以是铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌其中任意一种。由于铟和锡的二元合金的熔点最低为44.8℃，在常温下不能成为液态，因此本发明所使用的低熔点金属不能为铟锡合金，从而保证了所述低熔点金属层A在常温下为液态。由于低熔点金属的熔点均比较低， 其在室温下会熔化成液态，故在室温环境下，将所述导电体2的接触部21浸入低熔点金属的液态金属中3秒至1分钟，然后将所述接触部21从低熔点金属的液态金属中移除，用风刀吹掉沾在所述接触部21上多余的液态金属，使低熔点金属均匀的分布在所述接触部21上形成所述低熔点金属层A。

    在步骤s3中，利用电镀的方式在所述收容孔11的内壁面镀设一导电层C，所述导电层C可以为镍元素构成的所述导电层C，或者为其它具有良好导电性能的金属构成的所述导电层C，所述导电体2与所述导电层C至少两点接触，便于信号从所述导电层C传输至所述导电体2，再由所述导电体2传输至所述第二电子元件300上。所述导电层C仅设于所述收容孔11内，避免所述收容孔11外镀设所述导电层C，防止所述导电层C与所述第二电子元件300上的线路或者其它带电的元件接触造成短路。

     在步骤s4中，所述导电体2装入所述收容孔11后，在高于液态导电液D熔点的环境下，向所述收容孔11内加入所述液态导电液D，使所述液态导电液D渗入到所述收容孔11的底部并与所述导电体2接触，但所述液态导电液D不能加入过多，防止所述液态导电液D溢出所述收容孔11造成短路，所述导电体2在装入所述收容孔11的过程中避免碰伤所述导电体2或擦掉所述低熔点金属层A。

   由于上述采用的低熔点金属的熔点比较低，其在室温下会熔化成液态，因此，该电连接器100在使用时（室温），所述导电体2的接触部21为液态的所述低熔点金属层A，液态的所述低熔点金属层A在所述接触部21上形成所述第二平面211，所述第一电子元件200具有用以接触的所述第一平面2011，所述第二平面211与所述第一平面2011电性接触形成平面式的接触，降低所述导电体2与所述第一电子元件200之间的接触阻抗。

    本发明提供所述导电体2的成型方法，如图1和图2所示，通过在所述导电体2的接触部21上电镀金属层再利用升温使所述金属层熔合形成所述低熔点金属层A，具体包括以下步骤：

s1.提供所述导电体2；

s2.将所述导电体2的所述接触部21镀设一第一金属层，所述第一金属层选自铟, 镓，锡其中一种；

s3.将所述导电体2的所述接触部21镀设一第二金属层，所述第二金属层选自铟,镓，锡其中另一种；

s4.利用升温使所述第一金属层与所述第二金属层熔合形成所述低熔点金属层A。

    所述第一金属层和所述第二金属层都是不重复的选自铟, 镓，锡其中的一种，例如所述第一金属层镀镓，则所述第二金属层就只能镀铟或锡， 由于镓的熔点在29.76℃左右，铟的熔点在156.61℃左右，锡的熔点在231.93℃左右，故电镀过程必须在低于所述铟、镓、锡或锌金属的熔点的环境下进行，由于铟、镓、锡的二元或者三元合金的熔点可以大幅降低，但铟和锡的二元合金的熔点最低为44.8℃，在常温下不能成为液态，故所述低熔点金属层不能由铟锡合金组成，若所述第一金属层为铟，则所述第二金属层不能为锡，从而保证了所述低熔点金属层在常温下为液态。电镀完所述第一金属层以及所述第二金属层后，利用升温的方式使所述第一金属层和所述第二金属层熔合从而形成液态的低熔点金属层A。当然，所述导电体2还可以镀设一第三金属层，所述第三金属层的材料可以为铟, 镓，锡其中的另一种且与所述第一金属层和所述第二金属层材料不同，然后利用升温，即加热或放置于高温环境中使所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层熔合，形成了铟、镓、锡的三元合金，即形成了所述低熔点金属层A。

      在步骤s1之后和步骤s2之前，将所述导电体2涂布或电镀一层镍镀层B，防止所述导电体2被氧化腐蚀，所述低熔点金属层A位于所述镍镀层B上，故所述镍镀层B有效的阻隔了所述低熔点金属层A，防止所述低熔点金属层A与所述导电体2的基材发生反应，避免破坏所述低熔点金属层A以及腐蚀所述导电体2的基材。

      如图1和图2所示，在步骤s4之后提供一绝缘本体1，所述绝缘本体1上表面开设有多个收容孔11，将所述收容孔11的内壁面镀设一导电层C，所述导电层C包括一铜镀层C1和一镍底层C2，所述铜镀层C1位于所述收容孔11的内壁面，所述镍底层C2位于所述铜镀层C1上 ，使所述镍底层C2容易附着于所述铜镀层C1上，且所述镍底层C2保护了所述铜镀层C1，避免所述铜镀层C1被氧化。将所述导电体2装入所述收容孔11，所述导电体2与所述导电层C接触，通过所述导电层C降低所述导电体2的体积阻抗，提高导电率。

       如图1及图2，所述电连接器100用以与所述第一电子元件200和所述第二电子元件300导接，所述第一电子元件200设有多个所述垫片201，所述第二电子元件300的表面设有多个接触垫301，所述电连接器100在室温下使用时，所述接触部21与所述垫片201对接，所述焊接部22与所述接触垫301接触，从而实现完整的电性传输路径。

    综上所述，本发明电连接器100有下列有益效果：

     （1）当所述导电体2与所述第一电子元件200接触时，液态的所述低熔点金属层A协助所述导电体2的所述接触部21与所述第一电子元件200形成较大的接触面，降低接触阻抗，大幅提升了电性传输性能，即使受到高频震荡或者撞击等情况，所述第一电子元件200通过液态的所述低熔点金属层A与所述导电体2形成稳定的电性连接，避免导致信号传输中断，影响电连接性能。

    （2）所述导电层C以及所述液态导电液D与所述导电体2接触，可以缩短所述导电体2的导电路径，从而显著降低其导电阻抗，使所述电连接器100具有更好的导电性能，另外，所述液态导电液D几乎充满所述收容孔11，因此，可以防止所述导电体2暴露于空气中而发生氧化，从而提高其电性导通性能并延长其使用寿命。

    （3）将所述导电体2涂布或电镀一层镍镀层B，防止所述导电体2被氧化腐蚀，所述低熔点金属层A位于所述镍镀层B上，故所述镍镀层B有效的阻隔了所述低熔点金属层A，防止所述低熔点金属层A与所述导电体2的基材发生反应，避免破坏所述低熔点金属层A以及腐蚀所述导电体2的基材。

    以上详细说明仅为本发明之较佳实施例的说明，非因此局限本发明的专利范围，所以，凡运用本创作说明书及图示内容所为的等效技术变化，均包含于本发明的专利范围内。

Claims (28)

1.一种电连接器，用以电性连接一第一电子元件 ，其特征在于，包括：

  一绝缘本体，位于所述第一电子元件下方；

   多个导电体，收容于所述绝缘本体，所述导电体具有一接触部与所述第一电子元件接触；

    低熔点金属层，设于所述接触部上，所述低熔点金属层选自镓 ，铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌，其中任意一种；

    当所述导电体与所述第一电子元件接触时，所述低熔点金属层协助所述导电体的所述接触部与所述第一电子元件形成较大的接触面，降低接触阻抗。

2.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述第一电子元件具有用以接触的一第一平面，所述导电体在所述接触部上形成一第二平面，所述第一平面与所述第二平面通过所述低熔点金属层形成平面式的接触，降低接触阻抗。

3.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述低熔点金属层为液态，液态的所述低熔点金属层呈粘稠状或胶状。

4.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：在高于低熔点金属合金熔点的环境下，将液态的低熔点金属合金液体以涂布或沾浸的方式设于所述导电体上形成所述低熔点金属层。

5.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述低熔点金属层利用电镀的方式镀设于所述导电体上。

6.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述导电体上设有一镍镀层，所述低熔点金属层位于所述镍镀层上。

7.如权利要求1所述的电连接器，其特征在于：所述绝缘本体上表面开设有多个收容孔，所述导电体位于所述收容孔，一导电层设于所述收容孔内壁面，所述导电体与所述导电层接触，一液态导电液，位于所述收容孔内，所述液态导电液与所述导电体接触。

8.如权利要求7所述的电连接器，其特征在于： 所述液态导电液为液态金属， 所述液态导电液为镓或镓合金。

9.一种导电体，用以电性接触一接触件，其特征在于，包括：

  所述导电体具有一接触部；

  所述接触件具有一触点部与所述接触部相抵接，一低熔点金属层仅位于所述接触部和所述触点部之间，所述低熔点金属层选自镓或含镓元素的合金；

 当所述接触部与所述触点部抵接时，所述接触部与所述触点部通过所述低熔点金属层形成较大的接触面，降低接触阻抗。

10.如权利要求9所述的导电体，其特征在于：所述低熔点金属层选自镓 ，铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌，其中任意一种。

11.如权利要求10所述的导电体，其特征在于：所述低熔点金属层为液态，液态的所述低熔点金属层呈粘稠状或胶状。

12.如权利要求10所述的导电体，其特征在于：所述低熔点金属层设于所述接触部上。

13.如权利要求10所述的导电体，其特征在于：所述低熔点金属层设于所述触点部上。

14.如权利要求10所述的导电体，其特征在于：所述低熔点金属层均设于所述接触部和所述触点部上。

15.如权利要求9所述的导电体，其特征在于：所述导电体收容于一第一本体，所述接触件收容于一第二本体，当所述导电体与所述接触件对接时，所述第一本体与第二本体相配合。

16.如权利要求9所述的导电体，其特征在于：一绝缘本体开设有多个收容孔，所述导电体和所述接触件均收容于所述收容孔，当所述导电体与所述触点部接触时，所述低熔点金属层形成所述接触部和所述触点部之间的导电路径。

17.如权利要求16所述的导电体，其特征在于：所述触点部为两个，所述接触件凹设一凹陷腔，所述凹陷腔的开口端两侧处设有两个所述触点部，一弹簧装设于所述凹陷腔，所述导电体凸设一挡止部位于所述凹陷腔，所述挡止部弹性抵持所述弹簧，所述接触部与两个所述触点部均接触，所述低熔点金属层设于两个所述触点部上。

18.如权利要求17所述的导电体，其特征在于：所述挡止部套设于所述导电体上并位于所述接触部下方，所述挡止部的宽幅大于所述凹陷腔的开口端的宽幅，所述挡止部为绝缘体。

19.如权利要求16所述的导电体，其特征在于：所述接触件凹设一凹陷腔，一弹簧装设于所述凹陷腔内，所述凹陷腔内设有一金属环与所述弹簧以及所述触点部相抵接，所述金属环位于所述接触部和所述触点部之间，所述接触部与所述金属环相抵接，所述低熔点金属层位于所述金属环上。

20.一种电连接器的成型方法，其特征在于，包括以下步骤：

s1.提供一种导电体；

s2.提供一种液态的低熔点金属，液态的低熔点金属选自镓,铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡，铟-镓-锡-锌，其中任意一种，将所述导电体的接触部浸入液态的低熔点金属中，使所述导电体的接触部形成一低熔点金属层；

s3.提供一绝缘本体，所述绝缘本体上表面开设有多个收容孔，将所述收容孔的内壁面镀设一导电层；

s4.将所述导电体装入所述收容孔，使所述导电体与所述导电层接触。

21.如权利要求20所述的电连接器的成型方法，其特征在于：在高于液态导电液熔点的环境下，在步骤s4之后向所述收容孔内加入所述液态导电液，所述导电体与所述液态导电液接触。

22.如权利要求21所述的电连接器的成型方法，其特征在于：所述液态导电液为液态金属， 所述液态导电液为镓或镓合金。

23.如权利要求20所述的电连接器的成型方法，其特征在于：在步骤s1之后和步骤s2之前，将所述导电体的接触部镀设一镍镀层。

24.一种导电体的成型方法，其特征在于，包括以下步骤：

s1.提供一种导电体，所述导电体具有一接触部；

s2.将所述导电体的所述接触部镀设一第一金属层，所述第一金属层选自铟, 镓，锡其中一种；

s3.将所述导电体的所述接触部镀设一第二金属层，所述第二金属层选自铟,镓，锡其中另一种；

s4.利用升温使所述第一金属层与所述第二金属层熔合形成一低熔点金属层。

25.如权利要求24所述的导电体的成型方法，其特征在于：在步骤s1之后和步骤s2之前，将所述导电体镀设一镍镀层。

26.如权利要求24所述的导电体的成型方法，其特征在于： 在步骤s3之后和步骤s4之前，将所述导电体的接触部镀设一第三金属层，所述第三金属层选自铟,镓，锡其中另一种且与所述第一金属层和所述第二金属层材料不同。

27.如权利要求24所述的导电体的成型方法，其特征在于：在步骤s4之后提供一绝缘本体，所述绝缘本体上表面开设有多个收容孔，将所述收容孔的内壁面镀设一导电层，将所述导电体装入所述收容孔，所述导电体与所述导电层接触。

28.如权利要求27所述的导电体的成型方法，其特征在于：所述导电层包括一铜镀层和一镍底层，所述铜镀层位于所述收容孔的内壁面，所述镍底层位于所述铜镀层上。

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