CN201311971Y - 电连接器 - Google Patents

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CN201311971Y CNU2008202041699U CN200820204169U CN201311971Y CN 201311971 Y CN201311971 Y CN 201311971Y CN U2008202041699 U CNU2008202041699 U CN U2008202041699U CN 200820204169 U CN200820204169 U CN 200820204169U CN 201311971 Y CN201311971 Y CN 201311971Y
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Abstract

本实用新型公开了一种电连接器,用以供至少一锡球设置,并焊接至一电路板,包括:一贯设有至少一收容孔的绝缘本体,收容孔具有一第一容置空间以及位于第一容置空间下方并相连通的一第二容置空间,第二容置空间对应容纳一锡球;至少一导电端子,每一导电端子对应收容于一第一容置空间;至少一导电金属层,每一导电金属层对应设于一收容孔内,自第一容置空间内一侧延伸至第二容置空间内一侧,导电金属层分别电性接触导电端子以及锡球。与现有技术相比,本实用新型电连接器通过一导电金属层分别电性接触导电端子和锡球,因此,导电端子和锡球无须预焊在一起即可实现电性导通,简化了加工工艺。

Description

电连接器
【技术领域】
本实用新型涉及一种电连接器,尤其是指一种可简化加工工艺的电连接器。
【背景技术】
现有技术中用于电性连接一外接电子元件至一电路板上的电连接器一般由一绝缘本体和至少一导电端子组成,一般需要先通过至少一焊料(一般为锡球)将每一所述导电端子焊接固定在所述电路板上,或先将所述导电端子和所述锡球预焊在一起再焊接至所述电路板。因此,加工工艺比较复杂。
所述电连接器在焊接至所述电路板的过程中,所述焊料受热溶化成焊锡,而由于所述焊料的亲金属性,所述焊锡会沿着所述导电端子设有的一焊接部向上爬升,所以经常出现虹吸现象,从而影响所述导电端子的导电性能。
因为虹吸现象会使大量的所述焊锡爬升至所述导电端子上部,使所述焊接部附近的所述焊锡减少,冷却后与所述导电端子结合的所述焊锡过薄而导致所述导电端子焊接在所述电路板上不牢靠,甚至造成空焊现象,导致无法与所述外接电子元件及所述电路板实现正常的电性连接。
此外,由于虹吸现象经常导致所述导电端子和所述焊料黏结在一起,增加了所述导电端子的阻抗,同样也会影响电性连接。
鉴于上述原因,有必要设计一种新的电连接器,以克服上述缺陷。
【实用新型内容】
本实用新型电连接器的目的在于提供一种可简化加工工艺的电连接器。
本实用新型电连接器的另一目的还在于提供一种结构简单且可以防止虹吸现象产生的电连接器。
本实用新型电连接器,用以供至少一锡球设置,并焊接至一电路板,包括:一绝缘本体,所述绝缘本体上贯设有至少一收容孔,所述收容孔具有一第一容置空间以及位于所述第一容置空间下方并相连通的一第二容置空间,所述第二容置空间对应容纳一所述锡球;至少一导电端子,每一所述导电端子对应收容于一所述第一容置空间;至少一导电金属层,每一所述导电金属层对应设于一所述收容孔内,自所述第一容置空间内一侧延伸至所述第二容置空间内一侧,所述导电金属层分别电性接触所述导电端子以及所述锡球。
与现有技术相比,本实用新型电连接器设有所述第一容置空间和与其相连通的所述第二容置空间并分别容置所述导电端子和所述锡球,所述导电金属层自所述第一容置空间内一侧延伸至所述第二容置空间内一侧,分别电性接触所述导电端子和所述锡球,因此,所述导电端子和所述锡球无须预焊在一起即可实现电性导通,简化了加工工艺。
本实用新型电连接器,用以供至少一锡球设置,并焊接至一电路板,包括:一绝缘本体,所述绝缘本体设有至少一第一容置空间、与所述第一容置空间相贯通的一第二容置空间,所述第一容置空间至少设有一倾斜的第一侧壁,所述第二容置空间至少设有一倾斜的第二侧壁,所述第二容置空间对应容纳所述锡球;至少一导电端子,所述导电端子对应收容于所述第一容置空间;至少一导电金属层,所述导电金属层自所述第一侧壁内一侧连续延伸至所述第二侧壁内一侧,所述导电金属层分别电性接触所述导电端子以及所述锡球。
与现有技术相比,本实用新型电连接器的所述第一容置空间和所述第二容置空间分别至少设有一倾斜的所述第一侧壁和一倾斜的所述第二侧壁,便于3D-MID(ThreeDimensional Moulded Interconnect Device三维模块互连器件)制程成型所述导电金属层。
本实用新型电连接器,包括:一绝缘本体,所述绝缘本体内设有至少一容纳空间,自每一所述容纳空间两端分别朝所述绝缘本体表面延伸一插接空间和一收容空间,所述插接空间和所述收容空间的宽度大于所述容纳空间的宽度;至少一导电端子,所述导电端子对应设于所述插接空间;至少两导电金属层,两所述导电金属层设于一所述插接空间内两相对侧,所述导电金属层沿所述插接空间经过所述容纳空间延伸至所述收容空间内,以及所述导电金属层电性接触所述导电端子。
与现有技术相比,本实用新型电连接器设有至少一容纳空间,自每一所述容纳空间两端分别朝所述绝缘本体表面延伸小于所述容纳空间的一所述插接空间和一所述收容空间,形成一狭窄段,可以起到防虹吸的作用。
【附图说明】
图1为本实用新型电连接器第一实施例的电连接器的立体剖面示意图;
图2为图1所示电连接器的正视图;
图3为本实用新型电连接器第二实施例的电连接器的立体剖面示意图。
附图标号说明
绝缘本体 1      第一容置空间 11    第二容置空间 12    结合段 13
第一侧壁 111    第二侧壁 112       第三侧壁 121       第四侧壁 122
第一平面 113    第二平面 123       导电端子 2         主体部 21
导通段 22       弹性段 23          接触段 24          导电金属层 3
锡球 4
【具体实施方式】
为便于更好的理解本实用新型电连接器,现结合附图和具体实施方式对本实用新型电连接器作进一步说明。
请参阅图1至图2,为本实用新型电连接器的第一实施例,所述电连接器利用激光直接成型法(Laser Direct Structuring,以下简称LDS)技术加工成型而成。
所述电连接器用以焊接至一电路板(未图示),包括一绝缘本体1、收容于所述绝缘本体1的多个导电端子2和设于所述绝缘本体1中的多个导电金属层3,以及收容于所述绝缘本体1的多个锡球4。当然,在其它实施例中也可以用其它焊料代替所述锡球4。
所述绝缘本体1是以可激光活化的改性塑料为原料,采用普通的注塑成型设备、模具等技术注射成型而成。所述绝缘本体1上贯设有多数收容孔,每一所述收容孔分为结构类似且相互贯通的一第一容置空间11和一第二容置空间12,所述第二容置空间12位于所述第一容置空间11下方,且所述第一容置空间11为对应插接一所述导电端子2的插接空间,所述第二容置空间12为对应容纳一所述锡球4的容纳空间。
所述第一容置空间11具有一第一侧壁111和一第二侧壁112,所述第二容置空间12具有一第三侧壁121和一第四侧壁122,所述第一侧壁111、所述第二侧壁112、所述第三侧壁121和所述第四侧壁122均为斜面。在采用LDS技术成型时,其中很关键的一个步骤为用激光束(未图示)将线路图形转化到所述绝缘本体1的所述第一侧壁111、所述第二侧壁112、所述第三侧壁121和所述第四侧壁122,使所述第一侧壁111、所述第二侧壁112、所述第三侧壁121和所述第四侧壁122用于制作线路图形的部位活化、粗糙,而因为所述第一侧壁111、所述第二侧壁112、所述第三侧壁121和所述第四侧壁122皆为斜面设置,所以便于利用LDS技术在所述第一侧壁111、所述第二侧壁112、所述第三侧壁121和所述第四侧壁122的表面加工成型所述导电金属层3。
此外,所述绝缘本体1于所述第一容置空间11和所述第二容置空间12内分别设有两第一平面113以及两第二平面123,其中,两所述第一平面113分别自所述第一侧壁111和所述第二侧壁112靠近所述绝缘本体1表面一端延伸形成,两所述第二平面123分别自所述第三侧壁121和所述第四侧壁122靠近所述绝缘本体1表面一端延伸形成。所述第一平面113和所述第二平面123也分别成型有所述导电金属层3。
出于防虹吸的考虑,所述绝缘本体1设有相对所述第一容置空间11和所述第二容置空间12较狭窄的一结合段13,所述第一容置空间11朝相对所述第一侧壁111的延伸方向自上而下渐缩延伸至所述结合段13,所述第二容置空间12朝相对所述第三侧壁121的延伸方向自下而上渐缩延伸至所述结合段13。
所述导电端子2收容于所述第一容置空间11,并与所述第一侧壁111和所述第二侧壁112上的所述导电金属层3电性导通。所述导电端子2具有一主体部21,自所述主体部21两端分别延伸出两个导通段22,自一所述导通段22一端延伸出一弹性段23,自所述弹性段23一端延伸出一接触段24。所述接触段24用以与外接电子元件(未图示)电性接触。两所述导通段22分别与两所述第一平面113上设置的所述导电金属层3电性接触,为增大与所述导电金属层3的接触面积,所述导通段22可设置为扁平状,对应紧贴两所述第一平面113上设置的所述导电金属层3。当然,在其它实施例中所述导通段22也可以为其它形状。
所述导电金属层3为通过化学方法在被激光活化的所述第一侧壁111、所述第二侧壁112、所述第三侧壁121和所述第四侧壁122表面用于制作线路图形的部位沉积形成。所述导电金属层3其中一部分自所述第一平面113经过所述第一侧壁111、所述结合段13、所述第三侧壁121并连续延伸至所述第二平面123,另一部分自所述第一平面113经过所述第二侧壁112、所述结合段13、所述第四侧壁122并连续延伸至所述第二平面123。
所述锡球4收容于所述第二容置空间12中,并与所述第三侧壁121和所述第四侧壁122上的所述导电金属层3电性导通。
为增加所述电连接器的导电率,所述导电金属层3可以设计为由单一金属元素构成,比如铜。当然,所述导电金属层3也可以为由不同单一金属元素堆叠组成,例如,所述导电金属层3的底层可以选择铜或镍,选择铜做底层时也可以在铜层上加一镍层,所述导电金属层3的底层也可以直接镀镍,出于节省成本的考虑,一般只选择在所述接触段24的顶层选择镀金或钯。
组装时,先将所述导电端子2装设于所述绝缘本体1的所述第一容置空间11中,使所述导电端子2与所述第一侧壁111、所述第二侧壁112和两所述第一平面113上的所述导电金属层3电性导通。
再将所述锡球4容置于所述第二容置空间12中,使所述锡球4与所述第三侧壁121、所述第四侧壁122和所述第二平面123上的所述导电金属层3电性导通。
如此一来,因所述导电端子2与所述锡球4分别收容于所述第一容置空间11和所述第二容置空间12,所以所述导电端子2与所述锡球4并不直接电性接触,而是通过分别与所述导电金属层3的电性导通实现彼此的电性连接,因此所述导电端子2和所述锡球4无须预焊在一起即可实现电性连接,可以大大简化加工工艺。
另外,因所述导电金属层3分别电性接触所述导电端子2以及所述锡球4,由此形成两个导电线路。如此一来,在其中一个所述导电线路不导通的情况下,另一所述导电线路仍然可以发挥电性导通作用,从而可以有效降低故障率。
然后,将所述电连接器通过所述锡球4焊接至所述电路板(未图示)。因所述结合段13相比所述第一容置空间11和所述第二容置空间12较狭窄,所以在将所述电连接器焊接至所述电路板(未图示)上时,可以防止虹吸现象的产生,同时避免造成熔化的所述锡球4较易集中在所述结合段13而不致粘着在所述导电端子2上,而导致增加所述导电端子2的阻抗而影响所述电连接器与所述电路板(未图示)的电性连接。
请参阅图3,为本实用新型电连接器的第二实施例,其与上述第一实施例的区别在于:所述第一侧壁111和所述第二侧壁112一部分涂设所述导电金属层3,所述结合段13两侧横向涂设一所述导电金属层3,这样一来,在所述第一侧壁111和所述第二侧壁112形成一空白地带,在将所述电连接器焊接至所述电路板(未图示)上时,所述锡球4到达空白地带后无法继续向上爬,因此,可以起到更好的防虹吸作用。
综上所述,本实用新型电连接器具有下列有益效果:
1.本实用新型电连接器通过在所述第一容置空间和所述第二容置空间内壁设置所述导电金属层分别与所述导电端子和所述锡球电性导通,从而使得所述导电端子和所述锡球无需预焊,同样可实现良好的电性导通,由此简化了加工工艺。
2.本实用新型电连接器通过将所述收容空间设置为上、下两个容置空间,连通上、下两所述容置空间的所述结合部为一狭窄段,在将所述电连接器焊接至所述电路板时,有效避免了虹吸等问题的发生。
3.本实用新型电连接器的所述第一容置空间和所述第二容置空间侧壁分别设置两个连续的所述导电金属层,形成两个导电通路,其中一个所述导电线路不导通的情况下,另一所述导电线路仍然可以发挥电性导通作用,从而降低故障率。
4.本实用新型电连接器的所述第一容置空间和所述第二容置空间内壁设置为斜面,便于利用LDS技术加工成型。
5.本实用新型电连接器的所述导电金属层由单一金属元素组成或是由不同的单一金属元素堆叠组成,可以降低所述电连接器的阻抗,增加所述电连接器的导电率。
以上所述仅为本实用新型之较佳实施例,非因此局限本实用新型的专利范围,所以,凡运用本创作说明书及图示内容所为之等效技术变化,均包含于本创作之范围内。

Claims (18)

1.一种电连接器,用以供至少一锡球设置,并焊接至一电路板,其特征在于,包括:
一绝缘本体,所述绝缘本体上贯设有至少一收容孔,所述收容孔具有一第一容置空间以及位于所述第一容置空间下方并相连通的一第二容置空间,所述第二容置空间对应容纳一所述锡球;
至少一导电端子,每一所述导电端子对应收容于一所述第一容置空间;
至少一导电金属层,每一所述导电金属层对应设于一所述收容孔内,自所述第一容置空间内一侧延伸至所述第二容置空间内一侧,所述导电金属层分别电性接触所述导电端子以及所述锡球。
2.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述绝缘本体设有相对所述第一容置空间和所述第二容置空间较狭窄的一结合段。
3.如权利要求2所述的电连接器,其特征在于:所述导电金属层经过所述结合段内一侧延伸至所述第二容置空间内一侧。
4.如权利要求2所述的电连接器,其特征在于:所述第一容置空间自上而下渐缩延伸至所述结合段。
5.如权利要求2所述的电连接器,其特征在于:所述第二容置空间自下而上渐缩延伸至所述结合段。
6.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述第一容置空间至少一侧壁为斜面。
7.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述第二容置空间至少一侧壁为斜面。
8.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述导电金属层由单一金属元素组成。
9.如权利要求8所述的电连接器,其特征在于:所述单一金属元素为铜。
10.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述导电金属层由不同的单一金属元素堆叠组成。
11.如权利要求10所述的电连接器,其特征在于:所述导电金属层的底层为铜或镍。
12.如权利要求10所述的电连接器,其特征在于:所述导电金属层中间层为镍。
13.如权利要求10所述的电连接器,其特征在于:所述导电金属层的顶层为金或钯。
14.一种电连接器,用以供至少一锡球设置,其特征在于,包括:
一绝缘本体,所述绝缘本体设有至少一第一容置空间、与所述第一容置空间相贯通的一第二容置空间,所述第一容置空间至少设有一倾斜的第一侧壁,所述第二容置空间至少设有一倾斜的第二侧壁,所述第二容置空间对应容纳所述锡球;
至少一导电端子,所述导电端子对应收容于所述第一容置空间;
至少一导电金属层,所述导电金属层自所述第一侧壁内一侧连续延伸至所述第二侧壁内一侧,所述导电金属分别电性接触所述导电端子以及所述锡球。
15.如权利要求14所述的电连接器,其特征在于:所述绝缘本体设有相对所述第一容置空间和所述第二容置空间较狭窄的一结合段。
16.如权利要求15所述的电连接器,其特征在于:所述第一容置空间朝相对所述第一侧壁方向渐缩延伸至所述结合段。
17.如权利要求15所述的电连接器,其特征在于:所述第二容置空间朝相对所述第二侧壁方向渐缩延伸至所述结合段。
18.一种电连接器,其特征在于,包括:
一绝缘本体,所述绝缘本体内设有至少一容纳空间,自每一所述容纳空间两端分别朝所述绝缘本体表面延伸一插接空间和一收容空间,所述插接空间和所述收容空间的宽度大于所述容纳空间的宽度;
至少一导电端子,所述导电端子对应设于所述插接空间;
至少两导电金属层,两所述导电金属层设于一所述插接空间内两相对侧,所述导电金属层沿所述插接空间经过所述容纳空间延伸至所述收容空间内,以及所述导电金属层电性接触所述导电端子。
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