CN103579417A - 一种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：（a）首先在待刻蚀硅片的扩散面喷涂一层液态保护层或在其边缘喷涂一层固态保护层；（b）将喷涂有液态保护层或固态保护层的硅片在常规的链式设备中正常刻蚀，刻蚀结束后，将喷涂固态保护层的硅片通过碱液去除该固态保护层；所述步骤（a）中的液态保护层为磷酸、硫酸、双氧水或乙醇中的一种或几种的混合溶液；所述步骤（a）中的固态保护层为石蜡或凡士林。这种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺可以去除现有湿法刻蚀工艺中产生的过刻现象，同时降低太阳能电池的各种外观不良片以及电性能的失效比例。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺。
背景技术
多晶硅常用湿法刻蚀法进行背结和边结的去除,常用的湿法刻蚀原理是：硅片在刻蚀液表面漂浮,刻蚀液接触背表面和边缘将N型硅去除。由于液体张力而进入到边缘扩散表面,必然对扩散面的发射极造成影响,导致过刻；同时，在现有的刻蚀设备中，经常因为反应槽内气泡炸裂，刻蚀药液飞溅,槽体上方凝结刻蚀药液低落,排风不稳定,流量异常等问题,造成扩散面背刻蚀药液破坏,最终导致太阳能电池的各种外观不良,电性能失效片的产生。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，该工艺能够去除过刻现象，降低太阳能电池各种外观不良片和电性能失效比例。
为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：
（a）首先在待刻蚀硅片的扩散面喷涂一层液态保护层或在其边缘喷涂一层固态保护层；
（b）将喷涂有液态保护层或固态保护层的硅片在常规的链式设备中正常刻蚀，刻蚀结束后，将喷涂固态保护层的硅片通过碱液去除该固态保护层。
优选的，所述步骤（a）中的液态保护层为磷酸、硫酸、双氧水或乙醇中的一种或几种的混合溶液。
优选的，所述步骤（a）中的固态保护层为石蜡或凡士林。
优选的，所述步骤（a）中的液态保护层和固态保护层是通过直接喷淋或通过超声波喷淋置于硅片扩散面或其边缘。
优选的，所述步骤（b）中HF/HNO3的比例为1:8，提高加液次数两倍。
与现有技术相比，本发明的有益之处在于：这种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺可以去除现有湿法刻蚀工艺中产生的过刻现象，同时降低太阳能电池的各种外观不良片以及电性能的失效比例。
具体实施方式：
下面通过具体实施方式对本发明进行详细描述。
实施例一：
在待刻蚀的硅片扩散面喷涂一层硫酸和双氧水的混合溶液，在常规刻蚀机经过HF/HNO3的混合溶液进行边结和背结的刻蚀，其中HF/HNO3为1:8，在混合溶液形成的保护溶液下，消除了刻蚀后的硅片边缘的刻蚀线。
实施例二：
在待刻蚀的硅片扩散面边源喷涂一层石蜡组成的保护层,宽度为5mm，在常规刻蚀机经过HF/HNO3的混合溶液进行边结和背结的刻蚀，其中HF/HNO3为1:8，在石蜡形成的保护溶液下，消除了刻蚀后的硅片边缘的刻蚀线，最后通过碱溶液处理去除石蜡。
这种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺可以去除现有湿法刻蚀工艺中产生的过刻现象，同时降低太阳能电池的各种外观不良片以及电性能的失效比例。
需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (5)
1.一种扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，其特征是，包括以下步骤：
（a）首先在待刻蚀硅片的扩散面喷涂一层液态保护层或在其边缘喷涂一层固态保护层；
（b）将喷涂有液态保护层或固态保护层的硅片在常规的链式设备中经过HF/HNO3的混合溶液正常刻蚀，刻蚀结束后，将喷涂固态保护层的硅片通过碱液去除该固态保护层。
2.根据权利要求1所述的扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤（a）中的液态保护层为磷酸、硫酸、双氧水或乙醇中的一种或几种的混合溶液。
3.根据权利要求1所述的扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤（a）中的固态保护层为石蜡或凡士林。
4.根据权利要求1所述的扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤（a）中的液态保护层和固态保护层是通过直接喷淋或通过超声波喷淋置于硅片扩散面或其边缘。
5.根据权利要求1所述的扩散面具有保护层的湿法刻蚀工艺，其特征是，所述步骤（b）中HF/HNO3的比例为1:8，提高加液次数两倍。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104409572A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-03-11 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池的制作方法 |
| CN105932113A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-09-07 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种硅太阳能电池的湿法刻蚀方法及其使用的水膜溶液 |
| CN106601831A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-04-26 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用 |
| CN106876517A (zh) * | 2015-12-14 | 2017-06-20 | 浙江鸿禧能源股份有限公司 | 一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法 |
| CN107492488A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-12-19 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种减少扩散面刻蚀线的工艺 |
| CN111063759A (zh) * | 2018-10-17 | 2020-04-24 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种太阳能电池的制备工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102214732A (zh) * | 2011-04-30 | 2011-10-12 | 常州天合光能有限公司 | 一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺 |
| US20120160311A1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Jungmin Ha | Solar cell and method for manufacturing the same |
| CN203085623U (zh) * | 2013-03-15 | 2013-07-24 | 天威新能源控股有限公司 | 一种具有加热功能的石蜡掩膜法制备se电池的设备 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120160311A1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Jungmin Ha | Solar cell and method for manufacturing the same |
| CN102214732A (zh) * | 2011-04-30 | 2011-10-12 | 常州天合光能有限公司 | 一种扩散面水膜保护湿法刻蚀工艺 |
| CN203085623U (zh) * | 2013-03-15 | 2013-07-24 | 天威新能源控股有限公司 | 一种具有加热功能的石蜡掩膜法制备se电池的设备 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104409572A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-03-11 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池的制作方法 |
| CN104409572B (zh) * | 2014-11-24 | 2017-02-22 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池的制作方法 |
| CN106876517A (zh) * | 2015-12-14 | 2017-06-20 | 浙江鸿禧能源股份有限公司 | 一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法 |
| CN105932113A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-09-07 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种硅太阳能电池的湿法刻蚀方法及其使用的水膜溶液 |
| CN106601831A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-04-26 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用 |
| CN106601831B (zh) * | 2016-12-30 | 2018-02-13 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片刻蚀用水膜溶液及其应用 |
| CN107492488A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-12-19 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种减少扩散面刻蚀线的工艺 |
| CN111063759A (zh) * | 2018-10-17 | 2020-04-24 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种太阳能电池的制备工艺 |
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