CN103579050A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置。本发明的实施例的基板处理装置能够包括：处理室，在其内部形成有腔室；主体，其位于所述腔室，用于安装基板，其以上表面与所述基板相对的形态形成；真空部，其形成于所述主体的内部，用于使所述基板吸附于所述主体的上表面；加热部，其形成于所述主体的内部，用于对所述基板进行加热。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
通常，每一张晶圆能够形成几十个或者几百个芯片，但芯片自身不仅无法接受来自外部的供电而发送电信号，而且由于内置有微细的电路而易于因外部的冲击而受损伤。因此，将芯片电连结而且保护芯片免受外部冲击的封装技术逐渐得到了发展。
近年来，半导体装置的高度集成化、存储器容量的增加、多功能化以及高密度安装的要求等正在加速化，为了满足这些要求，从引线接合（WireBonding）构造扩大为利用倒装芯片隆起焊盘（Flip Chip Bump）的接合构造，其中，进行高端（High End）级功能的构造为了提高组装成品率而以基板的状态形成焊盘（bump）。
另一方面，半导体封装越发轻薄短小化时，由于构成基板的层之间的热膨胀系数之差，在对基板施加热时产生翘曲（Warpage）等变形。当产生这样的基板的翘曲现象时存在如下问题：安装于基板的半导体芯片浮动而焊盘的大小无法均匀地形成，半导体芯片与基板之间的电连结产生错误。
为了解决这样的问题，如美国公开专利第20070181644号那样开发了对变形后的基板进行校正等各种方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够对基板的翘曲进行校正的基板处理装置。
采用本发明的实施例，提供一种基板处理装置，其包括：处理室，在其内部形成有腔室；主体，其位于所述腔室中，用于安装基板，所述主体的上表面与所述基板相对的形态形成；真空部，其形成于所述主体的内部，用于使所述基板吸附于所述主体的上表面；加热部，其形成于所述主体的内部，用于对所述基板进行加热。
所述主体的上表面能够形成为凹状。
所述主体的上表面能够形成为凸状。
所述真空部能够包括：真空产生部，其用于使产生真空；真空管线，其以贯穿所述主体的上表面的方式形成并与所述真空产生部连结，用于使所述基板吸附于所述主体的上部。
所述加热部能够绝将所述基板加热缘材料或者阻焊剂的玻璃转化温度（Glass Transition Temperature；Tg）以上。
该基板处理装置还能够包括冷却部，该冷却部位于所述腔室内，用于使加热后的所述基板冷却。
所述冷却部能够与所述主体分离并形成在所述主体的周围。
所述冷却部能够使用冷却气体来冷却所述基板。
所述冷却气体能够包括氮或者氩。
所述冷却部能够将加热后的所述基板冷却至室温。
本发明的实施例的基板处理装置能够利用以与基板的翘曲方向相对的形态形成的主体来高效地对基板的翘曲进行校正。
附图说明
图1是本发明的实施例的基板处理装置的图。
图2是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。
图3是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。
图4是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。
图5是用于表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。
附图标记说明
100  基板处理装置              110  处理室
111  腔室                      120  主体
130  真空部                    131  真空产生部
132  真空管线                  140  加热部
150  冷却部                    200  基板
具体实施方式
本发明的目的、特定的优点以及新颖的特征通过与附图有关的以下的详细说明和优选的实施例进一步明确。在本说明书中，必须留意如下内容：在对各图的构成要素标注参照附图标记时，只要是同一构成要素，即使是在不同的附图中表示、也尽可能地标注同一附图标记。另外，“一面”、“另一面”、“第1”、“第2”等用语是为了使一个构成要素区别于其他构成要素而使用的，构成要素不被所述用语限定。以下，在说明本发明时，省略了对于有可能使本发明的主旨不清楚的公知技术的详细说明。
以下，参照附图对本发明的优选实施例进行详细地说明。
图1与本发明的实施例的基板处理装置有关。
参照图1时，基板处理装置100能够包括处理室110、主体120、真空部130、加热部140、冷却部150。
基板处理装置100是用于对基板（未图示）的由于形成焊盘或者电路等的工序而产生的翘曲进行校正的装置。采用本发明的实施例，基板处理装置100通过对利用真空吸附固定了的基板（未图示）进行加热以及冷却，从而能够对基板（未图示）的翘曲进行校正。
处理室110能够提供对基板（未图示）的翘曲进行校正的环境。处理室110能够在内部形成有腔室111，以被密闭的形态形成。用于对基板（未图示）的翘曲进行校正的主体120、真空部130、加热部140、冷却部150能够位于被形成于处理室110的内部的腔室111中。
基板（未图示）能够安装在主体120上。主体120的基板（未图示）所位于的上表面能够以与基板（未图示）相对的形态形成。在本发明的实施例中，主体120的上表面能够形成为凹状。但是，主体120的上表面的形态不限于此。例如，在基板（未图示）呈凹状翘曲的情况下，主体120的上表面能够形成为凸状。或者、基板（未图示）呈凸状翘曲的情况下，主体120的上表面能够形成为凹状。即本领域技术人员能够根据基板（未图示）翘曲的方向将主体120的上表面的形态容易地变更应用。
真空部130能够使安装在主体120的上表面的基板（未图示）吸附于主体120的上表面。
真空部130能够包括真空产生部131和真空管线132。
真空产生部131能够向真空管线132提供真空压力。真空产生部131能够形成于主体120的内部。但是，形成有真空产生部131的位置不限于此，能够由本领域技术人员容易地变更。
真空管线132能够形成于主体120的内部。另外，真空管线132能够以贯穿主体120的上表面的方式形成。真空管线132的一侧能够贯穿主体120的上表面，真空管线132的另一侧能够与真空产生部131连结。真空管线132能够成为供由真空产生部131产生的真空压力贯穿的通路。即由真空产生部131产生的真空压力经由真空管线132施加于基板（未图示），从而基板（未图示）能够被吸附固定于主体120的上表面。
加热部140能够形成于主体120的内部。加热部140能够对吸附固定于主体120的上表面的基板（未图示）进行加热。即加热部140能够对基板（未图示）进行加热以去除被吸附固定于主体120的上表面的基板（未图示）的翘曲。例如，加热部140能够由加热器（Heater）形成。
冷却部150能够位于形成在处理室110中的腔室111。冷却部150能够与主体120分离地形成，位于主体120的周围。采用本发明的实施例，冷却部150能够形成于主体120的上部。但是，冷却部150的个数和位置不限于此，能够由本领域技术人员容易地变更。冷却部150能够对由加热部140加热后的基板（未图示）进行冷却。冷却部150能够使用冷却气体来冷却基板（未图示）。冷却部150能够使用冷却气体来将基板（未图示）冷却至接近室温的温度。作为冷却基板（未图示）时使用的冷却气体，能够使用可抑制被形成于基板（未图示）的焊料焊盘等的氧化这样的种类的冷却气体。例如，冷却气体也可以是包含氮或者氩的非活性气体。
采用本发明的实施例，基板被吸附固定于主体120的被沿着与基板（未图示）在室温下产生翘曲的方向相反的方向加工的上表面，通过用于去除翘曲的加热以及向室温的冷却，能够校正基板（未图示）的翘曲。
图2至图5是表示在本发明的实施例的基板处理装置中对基板的翘曲进行校正的顺序的例示图。
参照图2时，基板200能够安装于基板处理装置100。
基板处理装置100能够包括处理室110、主体120、真空部130、加热部140和冷却部150。
处理室110能够在其内部形成有腔室111，以被密闭的形态形成。
产生了翘曲的基板200能够安装于主体120。主体120的基板200所位于的上表面能够以与基板200相对的形态形成。在本发明的实施例中，主体120的上表面能够形成为凹状。
如图2所示，形成有焊盘、电路等的基板200能够安装于主体120的上表面。基板200也可以是由于以前的很多个工序而产生了翘曲的状态。例如，基板200也可以是在室温下具有呈凸状产生翘曲的性质的基板。即能够将在室温状态下呈凸状产生了翘曲的基板200安装于具有凹状的上表面的主体120。
参照图3，基板处理装置100能够对基板200实施翘曲校正。
安装于主体120的上表面的基板200能够被真空部130吸附固定。
真空部130能够包含真空产生部131和真空管线132。真空产生部131和真空管线132能够形成于主体120的内部。另外，真空管线132能够以贯穿主体120的上表面的方式形成。真空管线132的一侧能够贯穿主体120的上表面，真空管线132的另一侧能够与真空产生部131连结。采用本发明的实施例，由真空产生部131产生的真空压力能够通过真空管线132使基板200吸附并固定于主体120的上表面。此时，基板200能够以与主体120的上表面相对应的形态固定。即基板200能够根据主体120的凹状的上表面而呈凹状固定于主体120。
利用真空部130而呈凹状固定在主体120的上表面的基板200能够由加热部140加热。在此，加热部140能够形成于主体120的内部。加热部140能够将基板200加热到形成于基板200的绝缘材料或者阻焊剂（solder Resist）等的玻璃转化温度（Glass Transition Temperature；Tg）以上的温度。例如，加热部140能够将基板200加热到150℃以上。与加热部140的加热温度有关的事项在后面与图4有关的说明中论述。
由加热部140加热后的基板200能够利用冷却部150冷却。在本发明的实施例中，冷却部150能够以固定于处理室110的上部的内壁的方式形成。冷却部150能够使用冷却气体来对由加热部140加热后的基板200进行冷却。此时，冷却部150能够将基板200冷却至与室温接近的温度。作为冷却基板200时使用的冷却气体，能够使用能够抑制被形成于基板200的焊料焊盘等的氧化这样的种类的冷却气体。例如，冷却气体也可以是包含氮或者氩的非活性气体。
参照图4能够确认到已产生了翘曲的基板200因加热温度而产生的翘曲的改善程度。
采用本发明的实施例，为了确认基板200的翘曲的改善程度，首先，以50℃、100℃、150℃、200℃以及220℃的加热温度将基板200加热了1分钟。将基板200加热之后，使用冷却气体来对加热后的基板200进行了冷却。此时，冷却气体的温度维持在15℃。另外，作为冷却气体，使用了氮。经过了这样的基板200的翘曲改善工序之后，与初期的基板200的翘曲程度相比，确认基板200的翘曲已改善了的程度时，能够确认到如图4所示的图表。确认图4时，在将基板200以150℃以上的加热温度进行加热的情况下，能够确认基板200的急剧的翘曲的改善程度。在此，呈现出急剧的翘曲改善的150℃是接近被形成于基板200的绝缘材料或者阻焊剂（solder Resist）等的玻璃转化温度（Glass Transition Temperature；Tg）的温度。即能够在将基板200加热到绝缘材料或者阻焊剂等的玻璃转化温度（Glass TransitionTemperature；Tg）以上的温度时翘曲现象的改善得以提高。因而，为了使基板200的翘曲改善得以提高，本发明的实施例的基板处理装置100的加热部140能够将基板200以150℃以上的加热温度进行加热。
参照图5能够确认在冷却到室温后翘曲已改善的基板（图3的200）。
能够以在室温下呈凸状产生翘曲的基板200成为凹状的方式将基板200固定于基板处理装置（图3的100）并进行加热。能够利用基板处理装置（图3的100）将呈凹状翘曲并被固定的加热后的基板200进一步冷却到室温。这样呈凹状被固定的基板200冷却到室温时，在室温下还有可能进一步呈凸状翘曲。即中心向下方翘曲的基板200进一步向上部翘曲，结果，基板200的翘曲能够被去除，基板200成为平坦的形态。
本发明的实施例的基板处理装置能够利用以与基板的翘曲方向相对的形态形成的主体来高效地对基板的翘曲进行校正。
以上，基于具体的实施例对本发明进行了详细地说明，但这是为了具体地说明本发明，本发明不限于此，只要是具有本领域的通常的知识的人，就在本发明的技术构思内能够进行变形、改良是显而易见的。
本发明的简单的变形或者变更均属于本发明的领域，本发明的具体的保护范围由所附的权利要求书得到明确。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，该基板处理装置包括：
处理室，在该处理室的内部形成有腔室；
主体，该主体位于所述腔室中，用于安装基板，所述主体的上表面以与所述基板相对的形态形成；
真空部，该真空部形成于所述主体的内部，用于使所述基板吸附在所述主体的上表面；
加热部，该加热部形成于所述主体的内部，用于对所述基板进行加热。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述主体的上表面形成为凹状。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述主体的上表面形成为凸状。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述真空部包括：
真空产生部，所述真空产生部用于产生真空；
真空管线，所述真空管线以贯穿所述主体的上表面的方式形成，并与所述真空产生部连结，用于使所述基板吸附于所述主体的上部。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述加热部用于将所述基板加热到绝缘材料或者阻焊剂的玻璃转化温度以上。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括冷却部，该冷却部位于所述腔室内，用于对加热后的所述基板进行冷却。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述冷却部与所述主体分离并形成在所述主体的周围。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述冷却部使用冷却气体来冷却所述基板。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述冷却气体包括氮或者氩。
10.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述冷却部将加热后的所述基板冷却至室温。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109041446A (zh) * 2018-09-25 2018-12-18 上海移远通信技术股份有限公司 一种pcb板平整度不良品的矫正方法

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