CN103578404B - 有机发光二极管像素电路与显示器 - Google Patents

有机发光二极管像素电路与显示器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管像素电路与显示器。在所揭露的像素电路，驱动一有机发光二极管的一驱动晶体管在控制下提供该像素电路一重置操作以及一补偿操作，以将该驱动晶体管的临界电压数值记忆在该驱动晶体管的控制端上。在该补偿操作中，该驱动晶体管与该有机发光二极管之间的一连结点需作特别控制。本案像素电路揭露一开关电路根据一控制信号将该连结点耦接至一控制电位。该控制信号的使能区间涵盖该重置以及该补偿操作的作用区间。

Description

有机发光二极管像素电路与显示器
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)的像素电路与显示器。
背景技术
有机发光二极管(OLED)通常耦接一驱动晶体管，由该驱动晶体管传递电流驱动之。然而，驱动晶体管会随着时间劣化，其临界电压会随着时间改变，导致所提供的电流偏移，无法正确驱动有机发光二极管。
发明内容
本案揭露一种有机发光二极管像素电路与显示器。
根据本发明一种实施方式所实现的有机发光二极管像素电路包括：一有机发光二极管、一驱动晶体管、第一至第三开关晶体管、一电容以及一开关电路。该第一开关晶体管、该驱动晶体管以及该有机发光二极管串接于一第一工作电压端以及一第二工作电压端之间。该第一开关晶体管由一第一信号控制。该驱动晶体管的一第一端与一第二端分别耦接该第一开关晶体管以及该有机发光二极管，且该驱动晶体管具有一控制端。该第二开关晶体管耦接于该驱动晶体管的上述第一端与控制端之间，且由一第二信号控制。该第三开关晶体管在一扫描线所提供的信号控制下传递一数据线的信号至一电路节点。该电容耦接于该电路节点与该驱动晶体管的该控制端之间。该开关电路是在一第三信号控制下将该驱动晶体管该第二端耦接至一控制电位。
上述各信号的一种实施方式如下。该第一信号包括一第一阶段使能区间以及一第二阶段使能区间。该第一信号的该第一阶段使能区间早于该第二信号的使能区间。该第一信号的该第二阶段使能区间晚于一像素数据写入区间。该第三信号的使能区间涵盖该第一信号的该第一阶段使能区间以及该第二信号的使能区间。该控制电位于该第二信号的使能区间为一特定电位，使该驱动晶体管该第二端的电位下拉。
根据本发明一种实施方式所实现的一有机发光二极管显示器，包括一像素阵列、一驱动模块以及一微控制器。该像素阵列采用以上所揭露的有机发光二极管像素电路。驱动模块用于驱动该像素阵列播放影像。微控制器用于控制该驱动模块驱动该像素阵列。
本发明实施例的有机发光二极管像素电路，其驱动晶体管的临界电压随着时间不会发生改变，其所提供的电流也不会发生偏移，因此可以正确驱动有机发光二极管。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中：
图1图解根据本发明一种实施方式所实现的一有机发光二极管像素电路；
图2A图解根据本发明一种实施方式所实现的开关电路SW；
图2B以一画面为例，针对图2A所揭露的开关电路SW列举图1像素电路的信号波形，其中像素电路有一重置操作、一补偿操作、一像素数据写入操作以及一发光操作；
图3A、3B、3C以及3D分别说明上述重置、补偿、像素数据写入以及发光操作下，驱动晶体管Tdri的状态；
图4A图解根据本发明另一种实施方式所实现的开关电路SW；
图4B以一画面为例，针对图4A所揭露的开关电路SW列举图1像素电路的信号波形，其中像素电路有一重置操作、一补偿操作、一像素数据写入操作以及一发光操作；
图5A与图5B图解根据本发明其他实施方式所实现的开关电路SW；
图6图解根据本发明一种实施方式所实现的一有机发光二极管显示器600。
附图标号：
600~有机发光二极管显示器；
602~像素阵列；
604~驱动模块；
606~微控制器；
C1、C2~第一、第二电容；Cc、Cc’~耦合电容；
COM~第二信号；
C_OLED~旁路电容；
CS~第三信号；
D、S以及G~驱动晶体管T_dri的第一端、第二端以及控制端；
Data~数据线；
ELVDD、ELVSS~高、低电源端；
VREF参考电源端；
ENB第一信号；
N~电路节点；
OFF~不导通标示；
OLED~有机发光二极管；
ON~导通标示；
RST、RST’~信号(作第三信号CS使用)；
SN~扫描线；
SW~开关电路；
TD、TDG、TN、TNS、TS、T_SW~开关晶体管；
T_dri~驱动晶体管；
Vcontrol~控制电位；
VGL~低准位。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明如下。
图1图解根据本发明一种实施方式所实现的一有机发光二极管像素电路，其中包括：有机发光二极管OLED、驱动晶体管T_dri、开关晶体管TD、TDG以及T_SW、电容C1、C2与开关电路SW。电容C2可视使用者需求决定是否使用。此外，使用者可视需求决定是否更设置耦合电容Cc或Cc’。符号C_OLED标示该有机发光二极管OLED的旁路电容。
如图所示，开关晶体管TD以及驱动晶体管T_dri与有机发光二极管OLED串接于一高电源端ELVDD(可视为一第一工作电压端)以及一低电源端ELVSS(可视为一第二工作电压端)之间。开关晶体管TD由一第一信号ENB控制。驱动晶体管T_dri的一第一端(以N型薄膜场效晶体管为例，该第一端为漏极，标示为D)与一第二端(源极，标示为S)分别耦接开关晶体管TD以及有机发光二极管OLED，且驱动晶体管T_dri具有一控制端(栅极，标示为G)。开关晶体管TDG耦接于驱动晶体管T_dri的上述第一端D与控制端G之间，且由一第二信号COM控制。开关晶体管T_SW在一扫描线SN所提供的信号控制下传递一数据线Data的信号至一电路节点N。第一电容C1耦接于电路节点N与驱动晶体管T_dri的该控制端G之间。开关电路SW是在一第三信号CS控制下将该驱动晶体管T_dri该第二端S(甚至上述电路节点N)耦接至一控制电位Vcontrol。至于第二电容C2则可耦接于驱动晶体管T_dri的该第二端S以及该电路节点N之间。耦合电容Cc可耦接于驱动晶体管T_dri的该第一端D以及开关晶体管TDG的一控制端(以N型薄膜场效晶体管为例，该控制端为栅极)之间。耦合电容Cc’可耦接该驱动晶体管T_dri的该第一端D至该高电源端ELVDD或该电源端ELVSS或一参考电源端(可标号为VREF)。
开关电路SW的设计为本案一重点。第三信号CS具有不同于该第一与该第二信号ENB与COM的使能区间。
图2A图解根据本发明一种实施方式所实现的开关电路SW，其中包括一开关晶体管TS，且是以信号RST’实现上述第三信号CS，并以参考电源端VREF或第一信号ENB的电位(在信号RST’使能时为一特定电位(如低电源端ELVSS的电位)，以下拉该驱动晶体管T_dri该第二端S的电位)作为上述控制电位Vcontrol。如图所示，开关晶体管TS根据信号RST’将驱动晶体管T_dri的该第二端S耦接该参考电源端VREF或第一信号ENB。
图2B以一画面为例，针对图2A所揭露的开关电路SW列举图1像素电路的信号波形，其中像素电路有一重置操作、一补偿操作、一像素数据写入操作以及一发光操作。如图所示，第一信号ENB分两阶段使能。在重置操作下，第一信号ENB处于其第一阶段使能区间。该第二信号COM的使能区间设置在该第一信号ENB的第一阶段使能区间之后，像素电路作补偿操作。像素数据写入操作提供一像素数据写入区间，设计在上述重置操作以及补偿操作完成后。发光操作设计在该像素数据写入区间结束后，随着该第一信号ENB的第二阶段使能区间启动。
如图所示，信号RST’的使能区间涵盖重置操作与补偿操作。此外，该扫描线SN上的信号在上述重置与补偿操作中处于使能区间，数据线Data此时供应有该参考电源端VREF的准位数据(或称低准位数据)。该扫描线SN上的信号在像素数据写入操作时亦处于使能区间，数据线Data此时供应有像素数据(据以驱动该有机发光二极管OLED发光)。
图3A、3B、3C以及3D分别对应上述重置、补偿、像素数据写入以及发光操作，用于说明该驱动晶体管T_dri的状态。以下将图1像素电路搭配图2A开关电路SW设计以及图2B信号时序详细讨论之，其中令图2A的开关晶体管TS一端所连接的是该参考电源端VREF。另外，以下为了说明方便有考虑第二电容C2。
此段落讨论重置操作(图3A)。第一信号ENB使能使得开关晶体管TD导通，驱动晶体管T_dri的第一端D耦接高电压源ELVDD。信号RST’使能使得开关晶体管TS导通，驱动晶体管T_dri的第二端S耦接该参考电源端VREF，准位为低准位VGL。扫描线SN的信号使能使得数据线Data传递的低准位数据得以传递至电路节点N，使之处于低准位VGL，耦合驱动晶体管T_dri的控制端G至低准位使驱动晶体管T_dri不导通(如标示OFF)。
此段落讨论补偿操作(图3B)。第一信号ENB除能使开关晶体管TD不导通，不再影响驱动晶体管T_dri的第一端D电位。扫描线SN信号可持续使能，使数据线Data传递的低准位数据得以持续维持该电路节点N在低准位VGL。第二信号COM使能使开关晶体管TDS导通，驱动晶体管T_dri的第一端D与控制端G短路，驱动晶体管T_dri呈二极管连结。信号RST’持续使能，维持耦接驱动晶体管T_dri的第二端S至低准位VGL。如此一来，驱动晶体管T_dri第一端D原本的高准位(如图3A所示，为高电源端ELVDD的准位)可经驱动晶体管T_dri放电至准位VGL+Vt。短路的端点G与D使得驱动晶体管T_dri的控制端G的准位一并控制在准位VGL+Vt，Vt(驱动晶体管T_dri的临界电压)藉此记忆在驱动晶体管T_dri的控制端G上的电容C1。
特别说明之，像素电路自重置操作切换至补偿操作时(第一信号ENB由高准位切换成低准位，第二信号COM由低准位切换成高准位)可能会对电路其他端点产生电位耦合。耦合电容Cc、Cc’的设置可维持该驱动晶体管T_dri的第一端D不受第一信号ENB的除能切换影响，在补偿操作放电前维持高准位(ELVDD)。另外，第二信号COM的使能切换也可经由耦合电容Cc强力耦合至该驱动晶体管T_dri的第一端D，推升其电位。
此段落讨论像素数据写入操作(图3C)。第一信号ENB维持除能，使驱动晶体管T_dri的第一端D电位不受影响。第二信号COM除能，使开关晶体管TDG断开，驱动晶体管T_dri不再呈二极管连结。第三信号RST’除能，以断开该驱动晶体管T_dri的第二端S与参考电源端VREF的耦接。扫描线SN上信号使能，数据线Data所传递的像素数据(同样标号为Data)得以传递至该电路节点N。考量电路节点N至驱动晶体管T_dri的控制端G与第二端S的电位耦合作用以及电容乘积效应(分别以电容乘积参数f1以及f2标示，除了考量第一与第二电容C1、C2外，更考量晶体管的寄生电容如Cgs,Cgd,Cox)，驱动晶体管T_dri的控制端G与第二端S的电位V(G)与V(S)可分别为：
V(G)=(VGL+Vt)+f1·(Data-VGL)；
V(S)=VGL+f2·(Data-VGL)；其中
f1=C1*(C1-1+CPG -1)-1;CPG为G点的寄生电容值；
f2=C2*(C2-1+CPS -1)-1;CPS为S点的寄生电容值。
驱动晶体管T_dri的控制端G与第二端S的电位差Vgs可为：
Vgs=V(G)-V(S)=(f1-f2)·(Data-VGL)+Vt。
由于像素数据写入操作理想是令该有机发光二极管OLED不导通但该驱动晶体管T_dri导通(以符号ON标示之)，故V(S)需小于ELVSS+Voled(0)且电位Vgs需大于临界电位Vt；Voled(0)为有机发光二极管OLED的导通起始电位。一种实施方式是对电容C1与C2有特殊设计，以满足上述理想操作条件。
特别说明之，信号RST’的使能区段可延伸到像素数据写入区间。如此一来，驱动晶体管T_dri的第二端S在像素数据写入区间被固定偏压在低准位VGL，电路运作更稳定。
此段落讨论发光操作(图3D)。扫描线SN维持除能，不影响电路节点N的电位。信号RST’除能，不影响驱动晶体管T_dri的第二端S的电位。驱动晶体管T_dri维持导通。此时重新使能的第一信号ENB使开关晶体管TD导通，电流经由开关晶体管TD与驱动晶体管T_dri流入有机发光二极管OLED使之发光。启动的有机发光二极管OLED在驱动晶体管T_dri的第二端S提供有电位V_oled。考量驱动晶体管T_dri的第二端S与控制端G的电位耦合作用以及电容乘积效应(以电容乘积参数f3标示，除了考量第一与第二电容C1、C2外，更考量寄生电容)，驱动晶体管T_dri的控制端G电位V(G)为：
V(G)=[(VGL+Vt)+f1·(Data-VGL)]
+f3·{V_oled-[VGL+f2·(Data-VGL)]}，其中
f3=[(C2-1+C1-1)-1]×[(C2-1+C1-1)-1+CPG]；其中
CPG为G点的寄生电容值。
驱动晶体管T_dri的控制端G与第二端S的电位差Vgs可为：
Vgs=V(G)-V(S)
=VGL[1-f1-f3+f2·f3]+Data[f1-f2·f3]
+(f3-1)V_oled+Vt
代入驱动晶体管T_dri的电流公式I_T_dri=Kp·(Vgs-Vt)2，临界电压Vt这个随使用时间变动的变数会被消除。有机发光二极管OLED的驱动电流I_oled为：
I_oled
=I_T_dri
=Kp·{VGL[1-f1-f3+f2·f3]
+Data[f1-f2·f3]+(f3-1)V_oled}2
不受驱动晶体管T_dri的临界电压Vt劣化影响。
在一种实施方式中，第一以及第二电容C1与C2皆较该驱动晶体管T_dri该控制端G上的旁路电容大上一特定比例。如此一来，电容乘积参数f3趋近1，驱动电流I_oled无须考虑有机发光二极管OLED的驱动电位V_oled。有机发光二极管OLED的劣化问题(使用初期V_oled会随时间飘移)也不会影响该有机发光二极管OLED的发光。
另一种实施方式是令有机发光二极管OLED在制作成像素电路前先以高电流烧机一段时间。由于有机发光二极管的劣化问题在一定使用时数后会趋于和缓，驱动电流I_oled不再有V_oled飘移的困扰。
特别讨论之，重置操作不一定要限定驱动晶体管T_dri的第二端S电位耦接参考电源端VREF。图2A开关电路SW因此可有以第一信号ENB作为控制电位(Vcontrol)来源的设计。
图4A图解根据本发明另一种实施方式所实现的开关电路SW，其中包括开关晶体管TN与TS，且以信号RST实现图1所示第三信号CS，并以扫描线SN或参考电源端VREF(在信号RST使能时为一特定电位(如低电源端ELVSS的电位)，以下拉该驱动晶体管T_dri该第二端S的电位)供应图1所示控制电位Vcontrol。如图所示，开关晶体管TN在信号RST控制下耦接上述电路节点N至扫描线SN或参考电源端VREF。开关晶体管TS在信号RST控制下耦接该驱动晶体管T_dri的该第二端S至扫描线SN或参考电源端VREF。
图4B以一画面为例，针对图4A所揭露的开关电路SW列举图1像素电路的信号波形，其中像素电路有一重置操作、一补偿操作、一像素数据写入操作以及一发光操作；该些操作下，驱动晶体管T_dri的状态与图3A至图3D雷同。
特别说明之，图4A的开关电路设计SW使得扫描线SN仅需在像素数据写入区间使能(参考图4B)。重置与补偿操作时所需要的电路节点N低准位控制可由图4A导通的开关晶体管TN(因为信号RST在此区段为使能)提供，无须耗费扫描线SN与数据线Data资源。如此一来，像素数据写入区间可提供充裕时间，利于实现大尺寸显示器。此外，由于扫描线SN在重置与补偿操作时皆为除能(低准位)，因此，图4A所示开关电路SW可采扫描线SN为控制电位Vcontrol来源，在重置与补偿操作时提供低准位信号。
图5A图解根据本发明另一种实施方式所实现的开关电路SW，其中包括开关晶体管TN与TNS，且是以信号RST实现图1所示第三信号CS，并以扫描线SN或参考电源端VREF(在信号RST使能时为一特定电位(如低电源端ELVSS的电位)，以下拉该驱动晶体管T_dri该第二端S的电位)供应图1所示控制电位Vcontrol。开关晶体管TN在信号RST控制下耦接上述电路节点N至扫描线SN或参考电源端VREF。开关晶体管TNS在信号RST控制下耦接该电路节点N至该驱动晶体管T_dri的该第二端S。
关于图5A的开关电路SW设计，同样可采图4B所示信号时序操作像素电路，提供像素电路一重置操作、一补偿操作、一像素数据写入操作以及一发光操作；该些操作下，驱动晶体管T_dri的状态与图3A至图3D雷同。
图5B图解根据本发明另一种实施方式所实现的开关电路SW，其中包括开关晶体管TNS与TS，且是以信号RST实现图1所示第三信号CS，并以扫描线SN或参考电源端VREF(于信号RST使能时为一特定电位(如低电源端ELVSS的电位)，以下拉该驱动晶体管T_dri该第二端S的电位)提供图1所示控制电位Vcontrol。开关晶体管TS在信号RST控制下耦接该驱动晶体管T_dri的该第二端S至扫描线SN或参考电源端VREF。开关晶体管TNS在信号RST控制下耦接该电路节点N至该驱动晶体管T_dri的该第二端S。
关于图5B的开关电路SW设计，同样可采图4B所示信号时序操作像素电路，提供像素电路一重置操作、一补偿操作、一像素数据写入操作以及一发光操作；该些操作下，驱动晶体管T_dri的状态与图3A至图3D雷同。
图6图解根据本发明一种实施方式所实现的一有机发光二极管显示器600，包括一像素阵列602、一驱动模块604以及一微控制器606。像素阵列602采用以上所揭露的有机发光二极管像素电路。驱动模块604用于驱动该像素阵列602播放影像。微控制器606用于控制该驱动模块604驱动该像素阵列602。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括：
一第一开关晶体管、一驱动晶体管以及一有机发光二极管，串接于一第一工作电压端以及一第二工作电压端之间，其中，所述第一开关晶体管由一第一信号控制，所述驱动晶体管的一第一端与一第二端分别耦接所述第一开关晶体管以及所述有机发光二极管，且所述驱动晶体管具有一控制端；
一第二开关晶体管，耦接于所述驱动晶体管的所述第一端与控制端之间，且由一第二信号控制；
一第三开关晶体管，在一扫描线所提供的信号控制下传递一数据线的信号至一电路节点；
一第一电容，耦接于所述电路节点与所述驱动晶体管的所述控制端之间；及
一开关电路，在一第三信号控制下将所述驱动晶体管所述第二端耦接至一控制电位，
其中：
所述第一信号包括一第一阶段使能区间以及一第二阶段使能区间；
所述第一信号的所述第一阶段使能区间早于所述第二信号的使能区间；
所述第一信号的所述第二阶段使能区间晚于一像素数据写入区间；
所述第三信号的使能区间涵盖所述第一信号的所述第一阶段使能区间以及所述第二信号的使能区间；
所述控制电位在所述第二信号的使能区间为一特定电位，用以下拉所述驱动晶体管所述第二端的电位；且
所述开关电路包括：
一第四开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述电路节点至所述控制电位；以及
一第五开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述驱动晶体管的所述第二端至所述控制电位，
其中，所述控制电位为一参考电压端提供或所述扫描线上的信号所提供的所述特定电位。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，
所述第三信号的使能区间更涵盖所述像素数据写入区间。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述扫描线上的信号的使能区间涵盖所述第一信号的所述第一阶段使能区间、所述第二信号的使能区间以及所述像素数据写入区间，且
所述数据线在所述第一信号的所述第一阶段使能区间与所述第二信号的使能区间传输有所述特定电位的准位数据，且在所述像素数据写入区间传输有像素数据。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，更包括：
一第二电容，耦接于所述驱动晶体管的所述第二端以及所述电路节点之间。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，更包括：
一耦合电容，耦接于所述驱动晶体管的所述第一端以及所述第二开关晶体管的一控制端之间。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，更包括：
一耦合电容，耦接所述驱动晶体管的所述第一端至所述第一工作电压端或所述第二工作电压端或一参考电源端。
7.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，包括：
一像素阵列，包括权利要求1所述的有机发光二极管像素电路；
一驱动模块，驱动所述像素阵列播放影像；以及
一微控制器，控制所述驱动模块驱动所述像素阵列。
8.一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括：
一第一开关晶体管、一驱动晶体管以及一有机发光二极管，串接于一第一工作电压端以及一第二工作电压端之间，其中，所述第一开关晶体管由一第一信号控制，所述驱动晶体管的一第一端与一第二端分别耦接所述第一开关晶体管以及所述有机发光二极管，且所述驱动晶体管具有一控制端；
一第二开关晶体管，耦接于所述驱动晶体管的所述第一端与控制端之间，且由一第二信号控制；
一第三开关晶体管，在一扫描线所提供的信号控制下传递一数据线的信号至一电路节点；
一第一电容，耦接于所述电路节点与所述驱动晶体管的所述控制端之间；
一开关电路，在一第三信号控制下将所述驱动晶体管所述第二端耦接至一控制电位；及
一第二电容，耦接于所述驱动晶体管的所述第二端以及所述电路节点之间，
其中：
所述第一信号包括一第一阶段使能区间以及一第二阶段使能区间；
所述第一信号的所述第一阶段使能区间早于所述第二信号的使能区间；
所述第一信号的所述第二阶段使能区间晚于一像素数据写入区间；
所述第三信号的使能区间涵盖所述第一信号的所述第一阶段使能区间以及所述第二信号的使能区间；
所述控制电位在所述第二信号的使能区间为一特定电位，用以下拉所述驱动晶体管所述第二端的电位；且
所述第一以及第二电容皆较所述驱动晶体管所述控制端上的旁路电容量大上一特定比例，使所述驱动晶体管的所述第二端与所述控制端之间的一电容乘积参数趋近1。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述开关电路包括：
一第四开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述驱动晶体管的所述第二端至所述控制电位；且
所述控制电位为一参考电压端提供或所述第一信号提供的所述特定电位。
10.如权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述第三信号的使能区间更涵盖所述像素数据写入区间。
11.如权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述扫描线上的信号的使能区间涵盖所述第一信号的所述第一阶段使能区间、所述第二信号的使能区间以及所述像素数据写入区间，且所述数据线在所述第一信号的所述第一阶段使能区间与所述第二信号的使能区间传输有所述特定电位的准位数据，且在所述像素数据写入区间传输有像素数据。
12.如权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述开关电路包括：
一第四开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述电路节点至所述控制电位；以及
一第五开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述电路节点至所述驱动晶体管的所述第二端，
其中，所述控制电位为一参考电压端提供或所述扫描线上的信号所提供的所述特定电位。
13.如权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述开关电路包括：
一第四开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述驱动晶体管的所述第二端至所述控制电位；以及
一第五开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述电路节点至所述驱动晶体管的所述第二端，
其中，所述控制电位为一参考电压端提供或所述扫描线上的信号所提供的所述特定电位。
14.如权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，更包括：
一耦合电容，耦接于所述驱动晶体管的所述第一端以及所述第二开关晶体管的一控制端之间。
15.如权利要求8所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，更包括：
一耦合电容，耦接所述驱动晶体管的所述第一端至所述第一工作电压端或所述第二工作电压端或一参考电源端。
16.一种有机发光二极管像素电路，其特征在于，包括：
一第一开关晶体管、一驱动晶体管以及一有机发光二极管，串接于一第一工作电压端以及一第二工作电压端之间，其中，所述第一开关晶体管由一第一信号控制，所述驱动晶体管的一第一端与一第二端分别耦接所述第一开关晶体管以及所述有机发光二极管，且所述驱动晶体管具有一控制端；
一第二开关晶体管，耦接于所述驱动晶体管的所述第一端与控制端之间，且由一第二信号控制；
一第三开关晶体管，在一扫描线所提供的信号控制下传递一数据线的信号至一电路节点；
一第一电容，耦接于所述电路节点与所述驱动晶体管的所述控制端之间；
一开关电路，在一第三信号控制下将所述驱动晶体管所述第二端耦接至一控制电位；及
一第一耦合电容，耦接于所述驱动晶体管的所述第一端以及所述第二开关晶体管的一控制端之间，
其中：
所述第一信号包括一第一阶段使能区间以及一第二阶段使能区间；
所述第一信号的所述第一阶段使能区间早于所述第二信号的使能区间；
所述第一信号的所述第二阶段使能区间晚于一像素数据写入区间；
所述第三信号的使能区间涵盖所述第一信号的所述第一阶段使能区间以及所述第二信号的使能区间；且
所述控制电位在所述第二信号的使能区间为一特定电位，用以下拉所述驱动晶体管所述第二端的电位。
17.如权利要求16所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述开关电路包括：
一第四开关晶体管，在所述第三信号控制下耦接所述驱动晶体管的所述第二端至所述控制电位；且
所述控制电位为一参考电压端提供或所述第一信号提供的所述特定电位。
18.如权利要求16所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述第三信号的使能区间更涵盖所述像素数据写入区间。
19.如权利要求16所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，所述扫描线上的信号的使能区间涵盖所述第一信号的所述第一阶段使能区间、所述第二信号的使能区间以及所述像素数据写入区间，且所述数据线在所述第一信号的所述第一阶段使能区间与所述第二信号的使能区间传输有所述特定电位的准位数据，且在所述像素数据写入区间传输有像素数据。
20.如权利要求16所述的有机发光二极管像素电路，其特征在于，更包括：
一第二耦合电容，耦接所述驱动晶体管的所述第一端至所述第一工作电压端或所述第二工作电压端或一参考电源端。
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