CN103546703B - Cmos图像传感器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，包括一像素阵列，该像素阵列包括多个像素单元，其中每一像素单元包括光电二极管和镜像电路。该光电二极管的阴极连接一电源，该光电二极管的阳极连接第一节点。该镜像电路包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管的栅极和漏极连接于该第一节点，该第一晶体管的源极接地；该第二晶体管的栅极连接该第一节点，该第二晶体管的漏极连接一第二节点，该第二晶体管的源极接地。其中该第二晶体管的尺寸大于该第一晶体管的尺寸。

Description

CMOS图像传感器

技术领域

本发明涉及半导体电路，尤其是涉及一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

背景技术

随着电信和计算机系统的发展，CMOS图像传感器已逐步代替传统的电荷耦合器件(CCD)传感器，广泛应用于数字照相机/摄像机、计算机摄像头等电子设备中。

CMOS图像传感器有两种主要架构，其一是无源像素传感器（PPS），另一种是有源像素传感器（APS）。尽管APS中有简单的放大器，但由于像素内部空间的限制，以及实际光电探测器尺寸太小会引起信噪比的下降，所以在黑暗环境下使用时，APS的光响应度仍然不够。

为了提高光电探测器自身的光响应度，已经发明了多种架构。带悬空扩散（FD）的空穴积累二极管（HAD）是其中最重要的技术，其像素截面如图1所示。HAD是一个PN光电二极管，其N区同时是NMOS晶体管的源极。这个NMOS晶体管的栅极被一个读信号(TRF)驱动，漏极是一个悬空扩散（FD）。一个复位NMOS晶体管的栅极被RST信号驱动，先置位FD到Vdd电位，然后TRF信号引入电荷（HAD的N区中由光激发产生的电子）到FD，拉低FD的电位。TRF信号之后，HAD的曝光重新开始。

空穴积累二极管的FD的一个关键优点是高响应度，FD的电容很小。当TRF栅极打开时，HAD中光激发产生的电子将使FD有一个相对大的电势降。然而，FD很容易被从周围电路中耦合过来的电荷所伤，降低像素的噪声性能。更进一步，要将栅极打开/关掉时电荷注入引起的错误完全消除是很困难的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种光响应度更高的CMOS图像传感器。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提出一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，包括一像素阵列，该像素阵列包括多个像素单元，其中每一像素单元包括光电二极管和镜像电路。该光电二极管的阴极连接一电源，该光电二极管的阳极连接第一节点。该镜像电路包括第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管的栅极和漏极连接于该第一节点，该第一晶体管的源极接地；该第二晶体管的栅极连接该第一节点，该第二晶体管的漏极连接一第二节点，该第二晶体管的源极接地。其中该第二晶体管的尺寸大于该第一晶体管的尺寸。

在本发明的一实施例中，上述的互补型金属氧化物半导体图像传感器还包括积分电容，连接于该第二节点和地之间。

在本发明的一实施例中，上述的互补型金属氧化物半导体图像传感器还包括输出电路，其包括：第三晶体管，该第三晶体管的栅极连接该第二节点，该第三晶体管的漏极连接该电源；以及第四晶体管，该第四晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条行读取信号线，该第四晶体管的漏极连接该第三晶体管的源极，该第四晶体管的源极连接该图像传感器的其中一条像素单元数据输出线。

在本发明的一实施例中，上述的互补型金属氧化物半导体图像传感器还包括复位电路，其包括：第五晶体管，该第五晶体管的漏极连接该电源，该第五晶体管的源极连接该第一节点，该第五晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条第一复位信号线，该第一复位信号线输出用以复位该第一晶体管的漏极的第一复位信号；第六晶体管，该第六晶体管的漏极连接该电源，该第六晶体管的源极连接该积分电容，该第六晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条第二复位信号线，该第二复位信号线输出一第二复位信号，该第二复位信号相对于该第一复位信号具有一足以使该第一晶体管的漏极经复位后达到稳定状态的延迟时间；以及第七晶体管，该第七晶体管的漏极连接该第六晶体管的源极，该第七晶体管的源极连接该第二节点，该第七晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条反相复位信号线，该反相复位信号线输出该第二复位信号的反相信号。

在本发明的一实施例中，上述的互补型金属氧化物半导体图像传感器，还包括输入电路，其包括：第八晶体管，该第八晶体管的源极连接该第一节点，该第八晶体管的漏极连接该第一晶体管的漏极；第九晶体管，该第九晶体管的源极连接该电源，该第九晶体管的栅极连接该第一节点，该第九晶体管的漏极连接该第八晶体管的栅极；以及电阻，连接于该第九晶体管的漏极和地之间。

本发明的CMOS图像传感器及其像素单元，通过电流倍增的方式实现了高的光响应度，而且与已有的空穴积累二极管技术相比不会有噪声性能下降的问题。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1是现有的空穴积累二极管的像素截面。

图2示出CMOS图像传感器的像素阵列示意图。

图3示出本发明具有电流倍增特性的像素单元电路原理图。

图4示出根据本发明一实施例的CMOS图像传感器的像素单元。

图5示出图4中传感器像素的运行时序图。

图6示出传统RGC级输入电路。

图7示出本发明中的RGC级输入电路。

图8示出根据本发明另一实施例的CMOS图像传感器的像素单元。

图9示出图8中传感器像素的运行时序图。

具体实施方式

图2是CMOS图像传感器的像素阵列示意图。参照图2所示，P是像素单元，由各个像素单元P组成的m×n像素阵列构成CMOS图像传感器的感光区域。110是行选择控制器，其连接m组行选择线，每组行选择线包含4条控制线（例如第1组行选择线包含102_1,103_1,104_1,105_1，第m组行选择线包含102_m,103_m,104_m,105_m，），每一组行选择线给该行提供控制信号(选通该行)。120是列读取选择控制器，其连接n条列数据线106_1，106_2，……106_n。读取该行所有像素单元的数据，然后通过列读取选择控制器120内置的选择功能依次选择各列数据通过信号线107输出到外部处理单元中。然后，再由行选择控制器110依次选择下一行，重复列读取选择控制器120的列读取选择输出数据操作。从而，在行选择控制器110和列读取选择控制器120的控制下，依次将每个像素单元P上的输出信号由信号线107传送到外部的处理单元中，如模数转换器等。

图3示出本发明具有电流倍增特性的像素单元电路原理图。后文所披露实施例的CMOS图像传感器及其像素单元，皆通过该电流倍增的方式实现高的光响应度，而且没有空穴积累二极管（HAD）技术的噪声性能下降的劣势。如图3所示，该电流倍增原理图中包括：二极管D1、NMOS晶体管MN0和MN1。在此一对NMOS晶体管MN0和MN1组成镜像电路。电流I_D1为二极管D1经光照后产生的光生电流，其流经晶体管MN0，即也是晶体管MN0的漏源电流。电流I₂为晶体管MN1的漏源电流，其值是电流I_D1的m倍，m是晶体管MN1的宽长比与晶体管MN0的宽长比的比值，m为正实数且m>1。所以电流I₂是光生电流I_D1放大m倍所得。因此，节点vcap处的电压变化较节点anode处的电压变化，更易被响应。在本发明的实施例中，m的取值可视实际需要而定，例如可令晶体管MN1的宽长比远远大于晶体管MN0的宽长比，即m取较大的值。

图4是本发明一实施例的CMOS传感器的像素单元的电路原理图，其进一步示出图2中的像素单元P，该像素单元P采用了图3示出的电流倍增方式。如图4所示，像素单元P包括：二极管D1、一对NMOS晶体管MN0和MN1、积分电容C0、一对NMOS晶体管MN2和MN3、一对NMOS晶体管MN4和MN6、以及NMOS晶体管MN7。这一像素单元与如下信号线连接：第一复位信号线102（与图2中的行选择线102_1，……102_m相对应），其输出第一复位信号RowRst；第二复位信号线103（与图2中的行选择线103_1，……103_m相对应），其输出第二复位信号RowRst_Dly；反相信号复位信号线104（与图2中的行选择线104_1，……104_m相对应），其输出第二复位信号RowRst_Dly的反相信号RowRst_Dly_n；行读取信号线105（与图2中的行选择线105_1，……105_m相对应），其输出行读取信号RowEn；以及像素单元输出数据线106（与图2中的列数据线106_1，106_2,……106_n相对应），其输出像素单元输出数据Vout。

二极管D1是光电二极管。在本发明的实施例中，二极管D1可以是任意类型的二极管，例如通常的N+/PW二极管，或者一个P+/NW/Psub二极管。

一对NMOS晶体管MN0和MN1构成一个镜像电路。晶体管MN0的栅极和漏极都连接于第一节点anode，并且二极管D1阳极和晶体管MN0串联于该第一节点anode。晶体管MN1的栅极连接于第一节点anode，漏极连接于第二节点vcap。在本实施例中，晶体管MN1的尺寸（尺寸指晶体管的宽长比，下同）是晶体管MN0的“m”倍（m为大于1的正实数）。

积分电容C0连接于晶体管MN1的漏极和地之间，即在第二节点vcap和地之间，从而流经晶体管MN1的电流可对积分电容C0充电或放电。

NMOS晶体管MN7的源极连接第一节点anode，栅极连接第一复位信号线RowRst，从而可对晶体管MN0的漏极即第一节点anode复位。在此，晶体管MN7的尺寸可远大于MN0的尺寸。

一对NMOS晶体管MN2和MN3构成输出电路，其中晶体管MN2的栅极连接于第二节点vcap，晶体管MN2的源极连接晶体管MN3的漏极，晶体管MN3的栅极连接行读取信号线105，晶体管MN3的源极连接像素单元数据输出线106。

一对NMOS晶体管MN4和MN6构成复位输入，用来对第二节点vcap复位，即对积分电容C0复位。晶体管MN4的栅极连接第二复位信号线103，晶体管MN4的源极连接晶体管MN6的漏极，晶体管MN6的栅极连接反相信号复位信号线104，晶体管MN6的源极连接第二节点vcap，并且晶体管MN4的源极也连接第二节点vcap，即积分电容C0。在此，第二复位信号RowRst_Dly是由第一复位信号RowRst经过一个延时单元获得，延时单元的延时时间足够晶体管MN0的漏极经过复位后达到稳定。

在工作时，二极管D1因受到光照而产生光电流，这一光电流也会流向晶体管MN0。由于晶体管MN1的尺寸是晶体管MN0的“m”倍，从而使晶体管MN1相对于流经D1-MN0支路的光电流，会有对应倍数的电流倍增。在稳定状态，第一节点anode会有电势使晶体管MN1的电流是光照明激发的流经二极管D1的光电流的“m”倍。倍增所得的电流会对积分电容C0进行充放电，倍增光电流的积分将通过在晶体管MN3的栅极施加RowEn信号，而从数据输出线106端读出。

每次读操作（即施加RowEn信号）之后，像素单元需要进行复位。复位操作需要两步：对晶体管MN0的漏极复位和对积分电容C0的复位，即对第一节点anode复位和第二节点vcap复位。

对晶体管MN0的漏极复位过程是，在RowRst脉冲到来时，晶体管MN7处于开启状态，有电流流过晶体管MN7和MN0，拉高第一节点anode的电位，从而复位晶体管MN0的漏极，即复位第一节点anode。因为晶体管MN0的尺寸远远小于晶体管MN7的尺寸，晶体管MN0漏极复位时的电平将比电源VDD小Vth，此处Vth是晶体管MN7的阈值电压。

对积分电容C0的复位的过程是，由第一复位信号RowRst经过一个延时单元延时后的第二复位信号RowRst_Dly和它的反相信号RowRst_Dly_n将分别作用到晶体管MN4和MN6上，晶体管MN4处于开启状态，有电流流过晶体管MN4和积分电容C0，拉高第二节vcap电位，从而复位第二节点vcap，其电压大概是Vdd-Vth，此处Vth是晶体管MN4的阈值电压。

这两步复位过程，保证了传感器的快速响应。基于光电流通常非常小的事实，在照明强度增加时，晶体管MN0漏极电压的提升会非常缓慢。在每次曝光窗口的开始点，通过先复位晶体管MN0漏极电压到Vdd-Vth，对应于照明强度的漏极电压通过晶体管MN0吸入电流达到。延时后的积分电容C0复位，保证了光电流信号的积分，在晶体管MN0漏极电压变稳定之后开始，因此，晶体管MN0所需的建立时间能够被跳过（即不包括在积分窗口中）。

图4所示传感器单元的时序图如图5所示，其中，“RowEn”是晶体管MN3的栅极信号；“Vout”是像素单元P的输出信号；“RowRst”是晶体管MN7的栅极信号，即第一复位信号；“anode”表示第一节点anode处的时序波形；“RowRst_Dly”和“RowRst_Dly_n”分别是晶体管MN4和晶体管MN6的栅极信号，即第二复位信号和其反相信号；“vcap”表示第二节点vcap处的时序波形。积分电容C0的积分时间窗口如图5中从虚线A到虚线B。曝光连续发生时，紧接着晶体管MN3的栅极信号“RowEn”之后，是第一节点anode的电压被第一复位信号“RowRst”脉冲复位，即第一节点anode处的电位随着第一复位信号“RowRst”脉冲的到来被拉高。接着，第二复位信号“RowRst_dly”复位积分电容C0，即第二节点vcap处的电位随着第二复位信号“RowRst_dly”脉冲的到来被拉高，之后开始倍增光电流（流过MN1）的积分窗口。图4所示传感器的一个不足在于，光响应度高的光电二极管，通常其结电容也大，这使第一节点anode电压的建立时间变缓慢，将极大降低传感器对照明变化的响应速度。为了解决这个问题，本发明的另一实施例运用RGC级输入电路，提出一个更优的CMOS图像传感器，如图8所示。

传统RGC级输入电路如图6所示，该电路包括：电阻R1、R2和RD，NMOS晶体管M1和M2。电阻R1和晶体管M2串联在电源VDD和地之间，晶体管M2的漏极连接晶体管M1的栅极。电阻R2、晶体管M1和电阻RD串联在电源VDD和地之间，晶体管M1的源极连接晶体管M2的栅极。晶体管M2的栅极为输入端in，晶体管M1的漏极为输出端out。该RGC级输入电路能提供非常低的输入阻抗R_in，其值为1/gm1(1+gm2*R1)，其中gm1和gm2分别为晶体管M1和M2的跨导。

本发明在传统RGC级输入电路的基础上进行改进，如图7所示，其能提供非常低的输入阻抗R_in，其值为1/gm_MP0(1+gm_MP2*R1)，其中gm_MP0和gm_MP2分别为晶体管MP0和MP2的跨导。本发明的另一个实施例运用该RGC级输入电路提出一个更优的CMOS图像传感器，如图8所示。其中，像素单元P包括：二极管D1、PMOS晶体管MP0、MP2、电阻R1、一对NMOS晶体管MN0和MN1、积分电容C0、一对NMOS晶体管MN2和MN3、一个复位NMOS晶体管MN5、以及一对复位NMOS晶体管MN4和MN6。

二极管D1是光电二极管。在本发明的实施例中，二极管D1可以是任意类型的二极管，例如通常的N+/PW二极管，或者一个P+/NW/Psub二极管。

PMOS晶体管MP0、MP2和电阻R1构成调整共源共栅（RGC）级输入电路，其中晶体管MP2和电阻R1串联在电源VDD和地之间，晶体管MP2的栅极连接第一节点anode。晶体管MP0的源极和二极管D1的阳极连接于第一节点anode，晶体管MP0的栅极连接于晶体管MP2和电阻R1串联的节点，晶体管MP0的漏极连接晶体管MN0的漏极。

RGC级能够提供非常低的输入阻抗，这恰恰是本发明所期望的，可用来克服光电二极管D1的大结电容。然而，在典型的RGC级中，晶体管MP0需要一个偏置电流流过，而这在本发明的实施例中是不允许的。如图8所示的实施例调整了RGC级，放弃使用偏置电阻，而直接采用光电二极管D1。偏置电流的缺失，可通过前一实施例所描述的两步复位操作来弥补。

一对NMOS晶体管MN0和MN1构成一个镜像电路。晶体管MN0的栅极和漏极都连接晶体管MP0的漏极。晶体管MN1的栅极也连接晶体管MP0的漏极。在本实施例中，晶体管MN1的尺寸是晶体管MN0的“m”倍（m大于1且m为正实数）。

积分电容C0连接于晶体管MN1的漏极，即第二节点vcap和地之间，从而流经晶体管MN1的电流可对积分电容C0充电或放电。

NMOS晶体管MN5的源极连接第一节点anode，栅极连接第一复位信号线102，从而可对第一节点anode复位。在此，晶体管MN5的尺寸可远大于MN0的尺寸。

一对NMOS晶体管MN2和MN3构成输出电路，其中晶体管MN2的栅极连接于第二节点vcap，晶体管MN2的源极连接晶体管MN3的漏极，晶体管MN3的栅极连接行读取信号线105，晶体管MN3的源极连接像素单元数据输出线106。

一对NMOS晶体管MN4和MN6构成复位输入，用来对第二节点vcap复位，即对积分电容C0复位。晶体管MN4的栅极连接第二复位信号线103，晶体管MN4的源极连接晶体管MN6的漏极，晶体管MN6的栅极连接反相信号复位信号线104，晶体管MN6的源极连接第二节点vcap，并且晶体管MN4的源极也连接第二节点vcap，即积分电容C0。在此，第二复位信号RowRst_Dly是由第一复位信号RowRst经过一个延时单元获得，延时单元的延时时间足够晶体管MN0的漏极经过复位后达到稳定。

在工作时，二极管D1因受到光照而产生光电流，这一光电流通过晶体管MP0流向晶体管MN0。由于晶体管MN1的尺寸是晶体管MN0的“m”倍，从而使晶体管MN1相对于流经D1-MP0-MN0支路的光电流，会有对应倍数的电流倍增。在稳定状态，晶体管MP0的漏极会有电势使晶体管MN1的电流是光照明激发的流经二极管D1的光电流的“m”倍。倍增所得的电流会对积分电容C0进行充放电，倍增光电流的积分将通过在晶体管MN3的栅极施加RowEn信号，而从数据输出线端读出。

每次读操作（即施加RowEn信号）之后，像素单元需要进行复位。复位操作需要两步：对晶体管MP0的源极复位（从而对晶体管MN0的漏极复位）和对积分电容C0的复位，即对第一节点anode复位和第二节点vcap复位。

对晶体管MP0的源极复位过程是，在第一复位信号RowRst脉冲到来时，晶体管MN5处于开启状态，有电流流过晶体管MN5，MP0和MN0，拉高第一节点anode的电位，即拉高晶体管MN0的漏极电位，从而复位晶体管MN0的漏极。

对积分电容C0的复位的过程是，由第一复位信号RowRst经过一个延时单元延时后的第二复位信号RowRst_Dly和它的反相信号RowRst_Dly_n将分别作用到晶体管MN4和MN6上，晶体管MN4处于开启状态，有电流流过晶体管MN4和积分电容C0，拉高第二节点vcap电位，从而复位第二节点vcap，其电压大概是Vdd-Vth，此处Vth是晶体管MN4的阈值。

图9示出了图8所示的带RGC级的传感器的运行时序图。可以看到，这与图5非常相似。图9中，“RowEn”是晶体管MN3的栅极信号；“Vout”是像素单元P的输出信号；“RowRst”是晶体管MN5的栅极信号，即第一复位信号；“anode”表示第一节点anode处的时序波形；“RowRst_Dly”和“RowRst_Dly_n”分别是晶体管MN4和晶体管MN6的栅极信号，即第二复位信号和其反相信号；“vcap”表示第二节点vcap处的时序波形。在带RGC级的传感器中，第一节点anode电压的建立时间相比于图5所示中的快，从而提高了传感器对照明变化的响应速度。并且，在本实施例中，光电二极管的结电容可以比图5所示实施例大幅增加，例如本实施例的光电二极管的结电容可以是前一实施例的10倍。

本发明所披露的上述实施例的CMOS图像传感器及其像素单元，通过电流倍增的方式实现了更高的光响应度，而且没有空穴积累二极管技术的噪声性能下降的劣势。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (7)

1.一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，包括一像素阵列，该像素阵列包括多个像素单元，其中每一像素单元包括：

光电二极管(D1)，该光电二极管的阴极连接一电源，该光电二极管的阳极连接第一节点；以及

镜像电路，包括第一晶体管(MN0)和第二晶体管(MN1)，该第一晶体管的栅极和漏极连接于该第一节点，该第一晶体管的源极接地；该第二晶体管的栅极连接该第一节点，该第二晶体管的漏极连接一第二节点，该第二晶体管的源极接地；

其中该第二晶体管的尺寸大于该第一晶体管的尺寸；

还包括输出电路，其包括：

第三晶体管(MN2)，该第三晶体管的栅极连接该第二节点，该第三晶体管的漏极连接该电源；以及

第四晶体管(MN3)，该第四晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条行读取信号线，该第四晶体管的漏极连接该第三晶体管的源极，该第四晶体管的源极连接该图像传感器的其中一条像素单元数据输出线。

2.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括：

积分电容，连接于该第二节点和地之间。

3.如权利要求2所述的互补型金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括复位电路，其包括：

第五晶体管(MN5或MN7)，该第五晶体管的漏极连接该电源，该第五晶体管的源极连接该第一节点，该第五晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条第一复位信号线，该第一复位信号线输出用以复位该第一晶体管的漏极的第一复位信号；

第六晶体管(MN4)，该第六晶体管的漏极连接该电源，该第六晶体管的源极连接该积分电容，该第六晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条第二复位信号线，该第二复位信号线输出一第二复位信号，该第二复位信号相对于该第一复位信号具有一足以使该第一晶体管的漏极经复位后达到稳定状态的延迟时间；以及

第七晶体管(MN6)，该第七晶体管的漏极连接该第六晶体管(MN4)的源极，该第七晶体管的源极连接该第二节点，该第七晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条反相复位信号线，该反相复位信号线输出该第二复位信号的反相信号。

4.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括输入电路，其包括：

第八晶体管(MP0)，该第八晶体管的源极连接该第一节点，该第八晶体管的漏极连接该第一晶体管的漏极；

第九晶体管(MP2)，该第九晶体管的源极连接该电源，该第九晶体管的栅极连接该第一节点，该第九晶体管的漏极连接该第八晶体管的栅极；以及

电阻，连接于该第九晶体管的漏极和地之间。

5.如权利要求4所述的互补型金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括：

积分电容，连接于该第二节点和地之间。

6.如权利要求5所述的互补型金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括输出电路，其包括：

第三晶体管(MN2)，该第三晶体管的栅极连接该第二节点，该第三晶体管的漏极连接该电源；以及

第四晶体管(MN3)，该第四晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条行读取信号线，该第四晶体管的漏极连接该第三晶体管的源极，该第四晶体管的源极连接该图像传感器的其中一条像素单元数据输出线。

7.如权利要求5或6所述的互补型金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括复位电路，其包括：

第五晶体管(MN5或MN7)，该第五晶体管的漏极连接该电源，该第五晶体管的源极连接该第一节点，该第五晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条第一复位信号线，该第一复位信号线输出用以复位该第一晶体管的漏极的第一复位信号；

第六晶体管(MN4)，该第六晶体管的漏极连接该电源，该第六晶体管的源极连接该积分电容，该第六晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条第二复位信号线，该第二复位信号线输出一第二复位信号，该第二复位信号相对于该第一复位信号具有一足以使该第一晶体管的漏极经复位后达到稳定状态的延迟时间；以及

第七晶体管(MN6)，该第七晶体管的漏极连接该第六晶体管(MN4)的源极，该第七晶体管的源极连接该第二节点，该第七晶体管的栅极连接该图像传感器的其中一条反相复位信号线，该反相复位信号线输出该第二复位信号的反相信号。