CN103543553B - 量子棒发光显示装置 - Google Patents
量子棒发光显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103543553B CN103543553B CN201210505175.9A CN201210505175A CN103543553B CN 103543553 B CN103543553 B CN 103543553B CN 201210505175 A CN201210505175 A CN 201210505175A CN 103543553 B CN103543553 B CN 103543553B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum rod
- layer
- light
- substrate
- luminous display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 6
- HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethenyl acetate Chemical group ClC=C.CC(=O)OC=C HGAZMNJKRQFZKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BAZVSMNPJJMILC-UHFFFAOYSA-N triadimenol Chemical compound C1=NC=NN1C(C(O)C(C)(C)C)OC1=CC=C(Cl)C=C1 BAZVSMNPJJMILC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N zinc cadmium(2+) selenium(2-) Chemical compound [Zn+2].[Se-2].[Se-2].[Cd+2] NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000911390 Homo sapiens Coagulation factor VIII Proteins 0.000 description 1
- 241000500881 Lepisma Species 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N alumane;neodymium Chemical compound [AlH3].[Nd] VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N aluminium antimonide Chemical compound [Sb]#[Al] LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 gate electrode Substances 0.000 description 1
- 102000057593 human F8 Human genes 0.000 description 1
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N iodine(1+) Chemical compound [I+] OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229940047431 recombinate Drugs 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQMLDSWXEQOSPP-UHFFFAOYSA-N selanylidenemercury Chemical compound [Hg]=[Se] YQMLDSWXEQOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010415 tropism Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2/00—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light
- G02F2/02—Frequency-changing of light, e.g. by quantum counters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及量子棒发光显示装置，包括：显示面板，所述显示面板包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板以及形成在所述第一基板与所述第二基板之间的量子棒层，其中在所述量子棒层中多个量子棒在一个方向上排列；设置在所述显示面板上的偏振器，所述偏振器包括四分之一波片（QWP）层和聚乙烯醇（PVA）层，其中所述PVA层仅透过在第一方向上线偏振的光，且其中所述QWP层设置在所述PVA层下方，且所述QWP层使在所述第一方向上线偏振的光圆偏振或者使由所述显示面板反射的光在第二方向上线偏振。
Description
技术领域
本发明涉及发光显示装置，尤其涉及一种包括量子棒层的量子棒发光显示装置。
背景技术
随着个人计算机（PC）、便携式终端和各种信息装置的逐渐发展，需要可做得轻薄且以低功率驱动的高效平板显示装置（FPD）。
近年来，对作为自发光显示面板的有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）面板做出了积极研究。在AMOLED面板中，根据每种有机发光材料发射的光的颜色，形成有机发光层（EML）的有机发光材料具有非常不同的寿命。特别是，蓝色发光材料的寿命相对短，其比一般显示装置的寿命要短。
因此，仍需要开发一种光学效率高、与液晶显示器（LCD）的寿命一样长且可以以低功率驱动的FPD。
同时，在作为典型FPD的LCD中，背光单元（BLU）发射的光透过下偏振器，从而仅在一个方向上偏振的光能够入射到液晶（LC）面板。之后，BLU发射的光透过上偏振器并最终入射到用户的眼睛中，以显示图像。
然而，因为BLU发射的光基本上只有5-6％最后入射到用户的眼睛中，所以LCD的光利用率非常低。此外，为了获得理想的偏振效果，偏振器的构造变得越来越复杂，所以制造成本增加。
为了解决上述问题，已采用了使用亲水聚合物的偏振器。然而，在该情形中，偏振器在高温高湿条件下吸收水分，在固体中产生气体，从而导致固体膨胀。在严重的情况下，偏振器收缩。结果，偏振器的故障率增加，由此降低了FPD的性能。
发明内容
本发明涉及一种显示装置，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种可比常规的液晶显示器（LCD）构造更简单且具有优异偏振特性的显示装置。
本发明的另一个目的是提供一种可提高偏振器的透射率并提高画面可视性的显示装置。
在下面的描述中将列出本发明的其它特征和优点，这些特征和优点的一部分将从下面的描述中显而易见，或者可通过本发明的实施而知晓。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种量子棒发光显示装置，包括：显示面板和设置在显示面板上的偏振器，所述显示面板包括第一基板、与第一基板相对的第二基板以及形成在第一基板与第二基板之间的量子棒层，其中所述量子棒层中的量子棒在一个方向上排列；所述偏振器包括四分之一波片（QWP）层和由分子式1表示的聚乙烯醇（PVA）层，其中所述PVA层仅透过在第一方向上线偏振的光，且其中QWP层设置在PVA层下方，且QWP层使在所述第一方向上线偏振的光圆偏振或者使由显示面板反射的光在第二方向上线偏振。
在另一个方面中，一种量子棒发光显示装置，包括：显示面板，所述显示面板包括量子棒层，在量子棒层中，多个量子棒在一个方向上排列；设置在显示面板上的偏振器，所述偏振器包括依次层叠的QWP层、PVA层和TAC层；和设置在所述显示面板下方的背光单元，
所述PVA层包括由分子式1表示的材料：
[分子式1]
其中X表示聚乙烯，m和l每个都是范围从1到10000的整数。
应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的内容提供进一步的解释。
附图说明
附图意在提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附图示出本发明的示范性的实施方式，并且与说明书文字一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1图解了本发明一个实施方式的量子棒；
图2图解了在向本发明一个实施方式的量子棒施加电场之前（电场off状态）和之后（电场on状态），电子和空穴的状态；
图3是本发明一个实施方式的偏振器的结构的剖面图；
图4图解了本发明一个实施方式的偏振器的原理；
图5图解了在根据比较例和本发明实施方式的偏振器之间的透射率对比；
图6是本发明一个实施方式的量子棒发光显示装置的剖面图；
图7A和7B是本发明其他实施方式的量子棒发光显示装置的剖面图；和
图7C是本发明另一实施方式的量子棒发光显示装置的剖面图。
具体实施方式
现在详细描述本发明的具体实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。
首先，将简要描述本发明中使用的量子棒。
图1图解了本发明一个实施方式的量子棒。
如图1所示，量子棒156包括形成量子棒156的中心部的核157以及包围核157的外壳158。
在本发明的一个实施方式中，尽管图1的量子棒156包括核157和包围核157的外壳158，但可省去外壳158，量子棒156可仅包括核157。
尽管图1中示出了量子棒156的核157具有圆球体形状，但核157可具有圆球体形状、椭球体形状、多面体形状和棒形中的任意一种形状。其他形状也可用于核157。当量子棒156仅包括核157而不包括外壳158时，核157可具有椭球体形状或棒形。
当量子棒156包括核157和包围核157的外壳158时，核157可具有圆球体形状、椭球体形状、多面体形状和棒形中的任意一种形状。包围核157的外壳158可具有长轴和短轴。在量子棒156的长轴方向上的剖面可具有圆形、椭圆形和多边形中的任意一种形状。其他形状可用于外壳158的剖面。
外壳158可具有单层结构或多层结构，并且外壳158可由合金、氧化物材料、掺杂质的材料、或者至少上述两种的混合物形成。
在该情形中，外壳158的长轴与短轴比可从1:1.1到1:30。
同时，量子棒156的核157可由周期表中II-VI、III-V、III-VI、VI-VI或IV族的半导体材料、其合金或者它们的混合物形成。
就是说，当量子棒156的核157由II-VI族元素形成时，量子棒156的核157可由硒化镉（CdSe）、硫化镉（CdS）、碲化镉（CdTe）、氧化锌（ZnO）、硒化锌（ZnSe）、硫化锌（ZnS）、碲化锌（ZnTe）、硒化汞（HgSe）、碲化汞（HgTe）和硒化锌镉（CdZnSe）中的一种或者至少上述两种的混合物形成。
此外，当量子棒156的核157由III-V族元素形成时，量子棒156的核157可由磷化铟（InP）、氮化铟（InN）、氮化镓（GaN）、锑化铟（InSb）、磷化铟砷（InAsP）、砷化铟镓（InGaAs）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、锑化镓（GaSb）、磷化铝（AlP）、氮化铝（AlN）、砷化铝（AlAs）、锑化铝（AlSb）、碲化镉硒（CdSeTe）和硒化锌镉（ZnCdSe）中的一种或者至少上述两种的混合物形成。
此外，当量子棒156的核157由VI-IV族元素形成时，量子棒156的核157可由硒化铅（PbSe）、碲化铅（PbTe）、硫化铅（PbS）、碲化铅锡（PbSnTe）和碲化铊锡（Tl2SnTe5）中的一种或者至少上述两种的混合物形成。
在由上述材料形成的量子棒156中，长轴与短轴比从约1:1.1到约1:30。即使量子棒156包括由同一材料形成的核157，由量子棒156发出的荧光的波长仍可根据核157的尺寸而变化。就是说，核157的尺寸（或直径）减小时，发出具有较短波长的荧光，而核157的尺寸（或直径）增加时，发出具有较长波长的荧光。
因此，根据本发明该实施方式的量子棒156可控制核157的尺寸（或直径），并可提供在可见光范围内的几乎全部理想颜色的光。
图2图解了在向本发明一个实施方式的量子棒施加电场之前（电场off状态）和之后（电场on状态），电子和空穴的状态。
在图2所示的本发明的实施方式中，包围核157的外壳158具有长轴和短轴。在本发明中，核157本身可具有长轴和短轴。
在该情形中，在外壳158或核157的长轴方向上施加电场之前，电子与空穴在核157中结合。然而，一旦在外壳158或核157的长轴方向上施加电场，在核157内或在核157与外壳158之间，电子“e”与空穴“h”在空间上分离，导致带隙分离。
因而，可通过调整由量子棒156产生的荧光量来控制电场强度，由此提供灰度级。
因此，由于根据本发明该实施方式的量子棒156理论上具有100％的量子产率，所以量子棒156可以以较高的强度产生荧光。
下文，将详细描述根据本发明一个实施方式的量子棒发光显示装置的偏振器。
首先，图3是根据本发明一个实施方式的偏振器的结构的剖面图。
参照图3，示出了偏振器190，其可设置于显示面板（或量子棒面板）102上。偏振器190包括四分之一波片（QWP）层191和设置于QWP层191上的聚乙烯醇（PVA）层192。偏振器190进一步包括设置于PVA层192上的三醋酸纤维素（TAC）层193。PVA层192可由分子式1表示：
（分子式1）
其中X表示聚乙烯，m和l每个都是范围从1到10000的整数。在本发明中，m与l的比例（即m:l）可以是10000:1到1:10000。
在该情形中，QWP层191针对线偏振光产生λ/4的延迟差，以提供圆偏振光。
通过在包括由分子式1表示的材料的膜上吸收具有二色性的碘（I）分子或二色性染料，并拉伸所述膜以使I分子或二色性染料平行于拉伸的方向排列，形成PVA层192。在该情形中，尽管拉伸率优选范围从600％到1000％，但为获得本发明的目的，该拉伸率是可在一定范围内适当控制的。因而，PVA层192在拉伸方向上具有吸收轴，在垂直于吸收轴的方向上具有透射轴。就是说，按照平行于PVA层192的透射轴的分量，入射到PVA层192上的光是线偏振光。
此外，TAC层193是构造成保护PVA层192的典型的无延迟保护膜。本发明实施方式中使用由三醋酸纤维素形成的保护膜作为TAC层193，但本发明并不限于此。此外，在形成了由TAC形成的保护膜之后，可进一步进行表面处理工艺，如硬涂层工艺或低反射率处理，以提高耐褪色性并提高画面可视性。
图4图解了本发明一个实施方式的偏振器的原理。
参照图4，外部入射的非偏振光根据下面的原理透过PVA层192和QWP层191。
首先，PVA层192仅透过非偏振光中在第一方向上线偏振的光，而QWP191使所述在第一方向上线偏振的光成为圆偏振。
之后，圆偏振光被根据本发明实施方式的量子棒面板102反射并再次透过QWP层191。在该情形中，在所述圆偏振光透过QWP层191之后，当透射光被量子棒面板102反射时，其方向改变。
此外，QWP层191使所述圆偏振光在第二方向上线偏振。在该情形中，由于PVA层192仅透过在第一方向上线偏振的光，所以在第二方向上线偏振的光没有透过PVA层192。
尽管图4通过实例示出了PVA层192仅透过在水平方向上线偏振的光，但本发明并不限于此，可应用各种方向。例如，PVA层192可仅透过在垂直方向上线偏振的光。此外，尽管通过实例示出了QWP层191使光成为左圆偏振，但本发明并不限于此，可应用各种方向。例如，QWP层191可以使光成为右圆偏振。因此，随着外部入射的非偏振光穿过偏振器190并反射离开量子棒面板102的表面，该外部入射的非偏振光被消灭。
图5示出在常规偏振器与根据本发明实施方式的偏振器之间的透射率对比图表。
参照图5，获得根据本发明实施方式的偏振器和常规偏振器的偏振特性。
可以确定，本发明实施方式的包含由分子式1表示的PVA层的偏振器具有比包含常规PVA层的比较例的偏振器高大约1.2%的透射率。特别是，可以确定，提高了平行透射率，所述平行透射率是仅具有平行水平分量的光的透射率。结果，可以确定，本发明实施方式的偏振器在提高本发明实施方式的量子棒发光显示装置的透射率方面是有效的。
在本发明的实施方式中，由聚乙烯取代常规PVA层的羟基基团（OH基团），以提高PVA层的拉伸率并改善碘分子的排列。因而，可提高偏振效率。
下文，将描述根据本发明实施方式的量子棒发光显示装置，其包括具有上述特性的量子棒并用作显示装置。
图6是根据本发明一个实施方式的量子棒发光显示装置的剖面图。
图7A和7B是根据本发明其他实施方式的量子棒发光显示装置的剖面图，图7C是根据本发明另一实施方式的量子棒发光显示装置的剖面图。
首先，图6示出了三个相邻的像素区域P，为简便起见，仅在一个像素区域P中示出了薄膜晶体管（TFT）Tr。此外，将每个像素区域P中包含TFTTr的区域定义为开关区域TrA。
参照图6，根据本发明一个实施方式的量子棒发光显示装置101包括量子棒面板102、BLU180和偏振器190，所述量子棒面板102包括被分割到各个像素区域P中的第一电极150、形成在显示区域的整个表面上以显示图像的第二电极160、包括夹在第一和第二电极150和160之间的量子棒层155的第一基板110、与第一基板110相对设置的第二基板170。
在该情形中，具有本发明最特色构造的偏振器190包括QWP层191、由分子式1表示的PVA层192和TAC层193。偏振器190包括PVA层192和QWP层191，所述PVA层192使外部入射的非偏振光在第一方向上线偏振并仅透过在第一方向上线偏振的光，所述QWP层191设置在PVA层192下方并使在第一方向上线偏振的光圆偏振或者使圆偏振光在第二方向上线偏振。
同时，在本发明该实施方式的量子棒发光显示装置101中，BLU180发射的光被量子棒层155吸收，从而电子和空穴能够重组，以产生荧光。因此，使用来自BLU180的光在量子棒层155中产生光。在该情形中，来自BLU180的光的波长小于等于来自量子棒层155的荧光的波长。
如上所述，当向分别设置在量子棒层155下方和上方的第一和第二电极150和160施加电压时，量子棒层155能产生不同的电场强度。因而，显示装置101通过控制量子棒层155中包含的多个量子棒中的电子和空穴的重组率，显示灰度级。此外，量子棒层155的量子棒156在各个像素区域P中形成不同的尺寸，以产生红色（R）、绿色（G）和蓝色（B）光。因而，显示装置101可提供全色范围并显示全色图像。
下文，将描述包括第一和第二电极150和160以及量子棒层155的第一基板110的构造。
首先，第一基板110是透明绝缘基板，例如由透明玻璃材料形成的基板或柔性塑料基板。
在第一基板110上形成栅线，栅线在第一方向上延伸。栅线由具有低电阻的金属，例如选自铝（Al）、Al合金（例如铝钕（AlNd））、铜（Cu）、Cu合金、钼（Mo）和Mo合金（例如钼钛（MoTi）中的一种材料或它们中的至少两种材料形成。此外，在每个像素区域P的开关区域TrA中形成有栅极电极108，栅极电极108与栅线连接。
在包括栅线和栅极电极108的第一基板110的整个表面上形成栅极绝缘层115。栅极绝缘层115由无机绝缘材料，例如氧化硅（SiO2）或硅的氮化物（SiNX）形成。
在与栅极电极108对应的位置，在设置于栅极绝缘层115上的开关区域TrA上形成半导体层120。半导体层120包括由本征非晶硅形成的有源层120a、以及设置在有源层120a上且彼此隔开的欧姆接触层120b，所述欧姆接触层120b由掺杂杂质的非晶硅形成。在半导体层120上彼此隔开形成源极电极113和漏极电极136，源极电极和漏极电极113和136分别与欧姆接触层120b接触。
在该情形中，在彼此隔开的源极电极和漏极电极113和136之间暴露出有源层120a。
因而，依次层叠在开关区域TrA上的栅极电极108、栅极绝缘层115、半导体层120以及源极电极和漏极电极113和136组成了TFTTr。
在栅极绝缘层115上形成数据线130，数据线130与栅线交叉，以界定像素区域P。数据线130在第二方向上延伸并与TFTTr的源极电极133连接。
在该情形中，就制造工艺而言，尽管通过实例示出了在数据线130下方由与有源层120a和欧姆接触层120b相同的材料形成包括第一和第二半导体图案121a和121b的虚拟图案121，但在本发明的其他实施方式中，可省去虚拟图案121。
同时，尽管通过实例显示了TFTTr是底栅型晶体管，该底栅型晶体管包括具有由非晶硅形成有源层120a和欧姆接触层120b的半导体层120以及设置在最低位置中的栅极电极108，但在本发明的其他实施方式中，TFTTr可以是顶栅型晶体管，该顶栅型晶体管包括由多晶硅（poly-si）形成的半导体层，并具有通过依次层叠poly-Si半导体层、栅极绝缘层、栅极电极、层间绝缘层以及与poly-Si半导体层接触并彼此隔开的源极电极和漏极电极而形成的结构。当包含顶栅型TFT时，栅线设置在具有栅极电极的栅极绝缘层上，数据线可设置在层间绝缘层上。
在数据线130以及源极电极和漏极电极113和136上形成具有平滑表面的保护层140。在该情形中，在保护层140中形成漏极接触孔143，以暴露每个像素区域P中的TFTTr的漏极电极136。
在保护层140上由透明导电材料形成第一电极150。每个第一电极150通过在相应一个像素区域P中的漏极接触孔143与TFTTr的漏极电极136接触。
在第一电极150之间暴露的保护层140上以及在第一电极150上形成缓冲图案152，缓冲图案153对应于各个像素区域P之间的边界（即栅线和数据线）并与第一电极150的边缘重叠。
在由缓冲图案152包围的每个像素区域P中的第一电极150上形成包含多个量子棒156的量子棒层155。量子棒层155可包括在各个像素区域P中具有不同尺寸的核（参照图1中的157）的量子棒（参照图1中的156），以发射红色、绿色核蓝色光。可选择地，量子棒层155可包括具有相同尺寸的核（参照图1中的157）的量子棒（参照图1中的156）。
在该情形中，量子棒层155中包含的多个量子棒156具有在第一基板110的显示区域的整个表面上的一个方向上排列的长轴。可使用各种取向方法使量子棒156在量子棒层155中的一个方向上排列。例如，可使用施加电压方法、使用取向膜的取向方法、使用自取向单体的取向方法和使用反应性液晶元（mesogen）的取向方法中的一种方法，使量子棒156在量子棒层155中的一个方向上排列。此外，使量子棒156在一个方向上排列并不限于上述取向方法，而是可使用其他各种取向方法进行所述排列。
可通过测量偏振比来获得量子棒156的长轴在一个方向上的取向度，即取向级别。用在特定方向上（例如在水平或垂直方向上）偏振的光照射量子棒层155之后，通过测量穿过检偏器的光量，获得量子棒层155的偏振度。
假定由光源发射的光量为I，仅具有与虚拟参比线平行的水平分量并在一个方向上延伸的光为Ih，所述虚拟参比线与量子棒层155平行设置，仅具有与参比线正交的垂直分量的光为Iv，当一般不给量子棒156的长轴指定方向性时，即当不进行取向工艺时，偏振比PR定义为：
PR＝(Ih-Iv)/(Ih+Iv)。
此外，当由于取向工艺，量子棒层155的量子棒156在一个方向上，即在水平方向或垂直方向上排列时，水平和垂直偏振比PRh和PRv定义为：
PRh＝Ih/(Ih+Iv)，和
PRv＝Iv/(Ih+Iv)。
因此，多个量子棒156在量子棒层155中的一个方向上排列表示水平偏振比PRh或垂直偏振比PRv大于0.5且小于1。就是说，满足不等式：0.5<PRh或PRv<1。
如上所述，当在各个像素区域P中设置具有不同尺寸的核（参照图1中的157）的量子棒（参照图1中的156），以发射红色、绿色和蓝色光时，由量子棒156发射的荧光的波长根据核157的尺寸变化。就是说，当核157的尺寸减小时，量子棒156产生具有较短波长的荧光，当核157的尺寸增加时，量子棒156产生具有较长波长的荧光。
同时，如图7A和7B中所示，在包括多个像素区域P的显示区域的整个表面上形成量子棒层155，省去了设置于各个像素区域P之间的边界处的缓冲图案152。就是说，尽管图6通过一个实例示出了量子棒层155被分割到各个像素区域P，但本发明该实施方式可修改为本发明各种其他的实施方式。
与第一基板110对应形成第二基板170。与第一基板110一样，第二基板170可以是由玻璃材料或具有柔性的塑料材料形成的透明绝缘基板。可选择地，第二基板170可以是由聚合物形成的片或膜。
在第二基板170的内侧表面上形成黑矩阵173与像素区域P之间的边界以及形成有形成TFT的开关区域TrA对应。在显示区域的整个表面上形成量子棒层155的本发明的其他实施方式（参照图7A和7B）中，应当形成黑矩阵173，以减少或防止漏光以及各个像素之间的色混合。然而，在量子棒层155被分割到各个像素区域P的本发明的其他实施方式（参照图6和7C）中，可省去黑矩阵173。
如图7C中所示，在各个像素区域P的量子棒层155中形成具有相同尺寸的核（参照图1中的157）的量子棒（参照图1中的156）。此外，为了提供全色范围，在三个相邻的像素区域P中与由黑矩阵173包围的区域，对应连续重复地形成红色、绿色和蓝色滤色器图案175a，175b和175c。尽管图6示出了在第二基板170的内侧表面上仅设置黑矩阵173，但本发明的该实施方式可修改为本发明各种其他的实施方式。此外，尽管显示了滤色器层175具有红色、绿色和蓝色滤色器图案175a，175b和175c，但在本发明的实施方式中，可省去红色、绿色和蓝色滤色器图案175a，175b和175c中的一个或多个。例如，当BLU180发射蓝色光时，可省去蓝色滤色器图案175c。
在黑矩阵173和滤色器层175上方，在第二基板170的整个表面上设置外涂层。当设置在第一基板110上的量子棒层155包括在各个像素区域P中具有不同尺寸的量子核（参照图1中的157）的量子棒（参照图1中的156），以发射红色、绿色和蓝色光时，可在第二基板17上进一步设置包括设置于各个像素区域P中的红色、绿色和蓝色滤波器图案的滤色器层，以获得较宽的色再现范围。
同时，在量子棒面板102下方，即在第一基板110的外侧表面上形成用于向量子棒层155提供光的BLU180。BLU180包括光源182、反射板185和安装在反射板185上的导光板（LGP）187。
在本发明中，光源182产生具有小于约450nm的较短波长范围的光，例如蓝色可见光或UV光。就是说，光源182可包括选自包括冷阴极荧光灯（CCFL）和外电极荧光灯（EEFL）在内的荧光灯或发光二极管（LED）中的一种。尽管示出了本发明具有包括LED的光源182，但本发明并不限于此。
光源182设置在LGP187的一侧上，与LGP187的光入射部相对（或正对）。LGP187将从光源182入射的光在内部进行多次全反射，从而光传播并均匀地分布到LGP187的表面上。因而，LGP187向量子棒面板102提供面光源。在该情形中，在LGP187的背面上可设置具有特定形状的图案，以向量子棒面板102提供均匀的面光源。在该情形中，具有特定形状的图案可由椭圆形图案、多边形图案或全息图案不同地构成，以将入射光导向LGP187。也可使用其他图案。可使用印刷技术或注射技术在LGP187的底表面上形成所述图案。
反射板185设置在LGP187的背面上，将透过LGP187的背面的光向量子棒面板102反射，以提高亮度。
尽管本发明示出了具有上述结构的BLU180为边缘型BLU，其中光源182设置在LGP187的侧表面上，LGP187使面光源入射到量子棒面板102，但BLU180也可以是直下型BLU。
在直下型BLU中，用作光源的多个荧光灯以规则的间隔设置在反射板上方，或者提供具有多个LED的LED驱动器基板。此外，代替LGP187，可在荧光灯或LED驱动器基板上方设置扩散板。
根据本发明，量子棒发光显示装置具有简单的构造，消耗较少的功率并表现出比需要额外滤色器层的LCD高的亮度和透射率。
此外，尽管提供具有仅仅尺寸不同的核的量子棒来显示红色、绿色和蓝色，但与采用具有不同物理特性的材料来显示红色、绿色和蓝色的有机发光二极管（OLED）相比，根据本发明的量子棒发光显示装置在材料之间不具有明显的差别。此外，因为量子棒发光显示装置比使用自发光材料时能够保持较长持续时间的荧光，所以量子棒发光显示装置具有较长的寿命。
根据本发明，量子棒发光显示装置采用包括由疏水性材料形成的PVA层的偏振器，从而提高了偏振器的透射率并提高了画面可视性。因此，可使BLU发射的光的效率最大化。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明的显示装置中可进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求范围及其等价范围内的本发明的修改和变化。
Claims (15)
1.一种量子棒发光显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板以及形成在所述第一基板与所述第二基板之间的量子棒层，其中所述量子棒层中的量子棒在一个方向上排列；
设置在所述显示面板上的偏振器，所述偏振器包括四分之一波片层和由分子式1表示的聚乙烯醇层，
其中X表示聚乙烯，m和l每个都是范围从1到10000的整数，
其中所述聚乙烯醇层仅透过在第一方向上线偏振的光，且
其中所述四分之一波片层设置在所述聚乙烯醇层下方，且所述四分之一波片层使在所述第一方向上线偏振的光圆偏振或者使由所述显示面板反射的光在第二方向上线偏振。
2.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，进一步包括设置在所述显示面板下方并向显示面板提供光的背光单元。
3.根据权利要求2所述的量子棒发光显示装置，其中所述量子棒层接收来自所述背光单元的光并输出可见光。
4.根据权利要求3所述的量子棒发光显示装置，其中所述可见光是白光、红色光、绿色光和蓝色光之一。
5.根据权利要求2所述的量子棒发光显示装置，其中来自所述背光单元的光是紫外光和蓝色光之一。
6.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，进一步包括形成在所述第一基板上的多个像素区域，每个像素区域都具有薄膜晶体管，其中多个部分的所述量子棒层分别局部地形成在所述多个像素区域上。
7.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，其中每个量子棒都包括核、或者包括核和外壳。
8.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，进一步包括：
局部地形成在所述第一基板上的多个第一电极；
局部地形成在相邻的第一电极之间的缓冲图案；和
形成在所述多个第一电极上以及所述缓冲图案上的第二电极，
其中所述量子棒层局部地设置在所述多个第一电极与第二电极之间。
9.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，进一步包括：
形成在所述第一基板上的图案层；和
局部地形成在所述图案层上且暴露部分所述图案层的多个第一电极，
其中所述量子棒层设置在所述多个第一电极上以及设置在所述图案层的暴露部分上。
10.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，进一步包括在所述第二基板上构图的黑矩阵。
11.根据权利要求10所述的量子棒发光显示装置，进一步包括形成在所述第二基板上的滤色器层，所述滤色器层包括红色、绿色和蓝色滤色器图案。
12.根据权利要求2所述的量子棒发光显示装置，其中所述量子棒层接收来自所述背光单元的光并根据所述量子棒的不同尺寸而输出不同颜色的可见光。
13.根据权利要求2所述的量子棒发光显示装置，其中当外部入射的非偏振光穿过所述偏振器并从所述显示面板的表面反射离开时，所述外部入射的非偏振光被消灭。
14.根据权利要求1所述的量子棒发光显示装置，其中所述偏振器进一步包括形成在所述聚乙烯醇层上的三醋酸纤维素层。
15.一种量子棒发光显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括量子棒层，在量子棒层中，多个量子棒在一个方向上排列；
设置在所述显示面板上的偏振器，所述偏振器包括依次层叠的四分之一波片层、聚乙烯醇层、和三醋酸纤维素层；和
设置在所述显示面板下方的背光单元，
其中所述聚乙烯醇层包括由分子式1表示的材料：
其中X表示聚乙烯，m和l每个都是范围从1到10000的整数。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2012-0077146 | 2012-07-16 | ||
| KR1020120077146A KR101383551B1 (ko) | 2012-07-16 | 2012-07-16 | 퀀텀 로드 발광 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103543553A CN103543553A (zh) | 2014-01-29 |
| CN103543553B true CN103543553B (zh) | 2016-04-20 |
Family
ID=47602733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210505175.9A Active CN103543553B (zh) | 2012-07-16 | 2012-11-30 | 量子棒发光显示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9164353B2 (zh) |
| EP (1) | EP2687902B1 (zh) |
| KR (1) | KR101383551B1 (zh) |
| CN (1) | CN103543553B (zh) |
| TW (1) | TWI472829B (zh) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012109460B4 (de) | 2012-10-04 | 2024-03-07 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display |
| KR101944850B1 (ko) | 2014-11-13 | 2019-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드 용액 조성물, 퀀텀 로드 시트 및 이를 포함하는 표시장치 |
| JP2016133730A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| DE102015101216A1 (de) * | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung mit Strahlungskonversionselement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements |
| JP2016142845A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN104749681A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-07-01 | 明基材料有限公司 | 偏光板 |
| TWI564603B (zh) | 2015-05-13 | 2017-01-01 | 明基材料股份有限公司 | 量子棒膜 |
| US9618667B2 (en) * | 2015-07-29 | 2017-04-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Method of forming QR films and QR light-emitting display device |
| CN105093677B (zh) | 2015-08-11 | 2019-05-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器及其液晶显示模组 |
| CN105204192B (zh) * | 2015-10-28 | 2018-06-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN105301837B (zh) * | 2015-11-11 | 2019-02-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器 |
| CN105372876B (zh) * | 2015-11-20 | 2018-07-06 | 明基材料有限公司 | 量子棒背光模组 |
| CN105372875B (zh) * | 2015-11-20 | 2018-07-06 | 明基材料有限公司 | 量子棒膜 |
| CN105467653B (zh) * | 2015-12-08 | 2019-02-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及量子棒偏光片的制作方法 |
| CN105403945A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种偏振片及其制作方法、显示面板 |
| CN105467670A (zh) * | 2016-02-19 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及液晶显示器 |
| CN105549260A (zh) * | 2016-03-08 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子棒结构及其制作方法 |
| KR102640897B1 (ko) | 2016-09-13 | 2024-02-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자막대, 그 합성 방법 및 양자막대 표시장치 |
| KR102562288B1 (ko) | 2016-12-02 | 2023-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20180064611A (ko) | 2016-12-05 | 2018-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20180077503A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드, 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치 |
| KR102378083B1 (ko) | 2017-05-24 | 2022-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102373868B1 (ko) | 2017-06-08 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN110165063A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子棒发光二极管器件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101034225A (zh) * | 2007-03-06 | 2007-09-12 | 孙润文 | 显示装置以及含有该显示装置的手机、计算机和电视机 |
| KR20070107498A (ko) * | 2006-05-03 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 단일 편광기를 사용하는 자발광형 액정표시장치 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09127885A (ja) | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Sony Corp | 表示素子 |
| US5666223A (en) * | 1995-12-01 | 1997-09-09 | Polaroid Corporation | High-efficiency K-sheet polarizer |
| KR100713639B1 (ko) * | 2000-05-30 | 2007-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| US6808657B2 (en) * | 2002-02-12 | 2004-10-26 | 3M Innovative Properties Company | Process for preparing a K-type polarizer |
| KR100508822B1 (ko) | 2002-03-20 | 2005-08-17 | 가부시키가이샤 구라레 | 폴리비닐 알콜계 필름 |
| US7119765B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-10-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Circuit for driving matrix display panel with photoluminescence quenching devices, and matrix display apparatus incorporating the circuit |
| DE10314137B4 (de) | 2003-03-25 | 2005-08-25 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Photolumineszenzanzeigeelement mit Antireflexionsschicht |
| KR100983585B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2010-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 편광필름의 제조방법 |
| KR20060011487A (ko) * | 2004-07-30 | 2006-02-03 | 엘지전자 주식회사 | 콜레스테릭 액정편광자가 구비된 액정표시장치 |
| KR100671160B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2007-01-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2009002512A1 (en) | 2007-06-25 | 2008-12-31 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| JP4813842B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-11-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| US7777233B2 (en) * | 2007-10-30 | 2010-08-17 | Eastman Kodak Company | Device containing non-blinking quantum dots |
| TWM338317U (en) * | 2008-01-30 | 2008-08-11 | Kismart Corp | Lighting module with wavelength converting structure |
| TW200938913A (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-16 | Kismart Corp | A flat panel display capable of multi-sided viewings and its back light module |
| KR101338995B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2013-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR101496151B1 (ko) | 2008-06-25 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 산화물 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 |
| GB0816557D0 (en) * | 2008-09-10 | 2008-10-15 | Merck Patent Gmbh | Electro-optical switching element and electro-optical display |
| US8294848B2 (en) * | 2008-10-01 | 2012-10-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having light diffusion layer |
| KR101584663B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 양자 점을 이용한 고분자 분산형 액정 디스플레이 장치 |
| KR101154368B1 (ko) * | 2010-09-27 | 2012-06-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 광변환부재 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 광변환부재를 포함하는 백라이트 유닛 |
| US8525405B2 (en) * | 2011-08-19 | 2013-09-03 | Apple Inc. | Electronic devices with flexible glass polarizers |
| KR101347896B1 (ko) * | 2012-06-26 | 2014-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드 발광 표시장치 |
-
2012
- 2012-07-16 KR KR1020120077146A patent/KR101383551B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-12 US US13/651,023 patent/US9164353B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-07 TW TW101141360A patent/TWI472829B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-30 CN CN201210505175.9A patent/CN103543553B/zh active Active
- 2012-12-14 EP EP12008355.5A patent/EP2687902B1/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070107498A (ko) * | 2006-05-03 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 단일 편광기를 사용하는 자발광형 액정표시장치 |
| CN101034225A (zh) * | 2007-03-06 | 2007-09-12 | 孙润文 | 显示装置以及含有该显示装置的手机、计算机和电视机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103543553A (zh) | 2014-01-29 |
| TWI472829B (zh) | 2015-02-11 |
| US20140016296A1 (en) | 2014-01-16 |
| US9164353B2 (en) | 2015-10-20 |
| KR101383551B1 (ko) | 2014-04-10 |
| EP2687902B1 (en) | 2018-09-05 |
| EP2687902A1 (en) | 2014-01-22 |
| KR20140010635A (ko) | 2014-01-27 |
| TW201405193A (zh) | 2014-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103543553B (zh) | 量子棒发光显示装置 | |
| TWI476473B (zh) | 量子棒發光顯示裝置 | |
| US11550181B2 (en) | Display device and electronic device | |
| US8895955B2 (en) | Display apparatus using oxide diode | |
| CN104680942B (zh) | 含电子受体的量子棒复合物及含其的量子棒发光显示装置 | |
| US20160062178A1 (en) | Display device having a color conversion layer | |
| CN108153035B (zh) | 基板、包括基板的显示设备和制造显示设备的方法 | |
| US20180074369A1 (en) | Display device including a polarizer unit having electric conductivity | |
| TW201810242A (zh) | 顯示裝置，及顯示裝置的驅動方法 | |
| KR101927115B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| KR20170099450A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| TW201827869A (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| US10516127B2 (en) | Quantum rod panel and quantum rod display device | |
| US11169320B2 (en) | Light source member and display device having the same | |
| KR102601483B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR101927206B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시소자 | |
| US10444567B2 (en) | Display device | |
| KR101957270B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| KR20140022634A (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| US20190153319A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| KR101927116B1 (ko) | 퀀텀 로드 발광 표시장치 | |
| KR20150025161A (ko) | 액정표시패널 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |