CN105549260A - 一种量子棒结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种量子棒结构及其制作方法，用以使量子棒具有特定的排布方向，从而提高量子棒的偏振特性。所述量子棒结构依次包括基板、取向膜层和量子棒膜层，其中，所述取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子棒结构及其制作方法。
背景技术
量子棒技术是一种新型的显示技术，它兼具有超高色域和偏振特性。目前该技术的难点是量子棒不能实现均匀的取向，限制了该技术在LCD技术中的应用。
目前，为了提高量子棒的偏振特性，在制作量子棒结构时，通过氧化的方式，在衬底基板上形成一膜层，使得该膜层具有网状结构，并在该网状结构的膜层上形成量子棒膜层，从而定格量子棒排布方向，提高量子棒的偏振特性。但是该方法的缺点是：工艺复杂，且量子棒排布的方向依然不均一。
因此，如何使量子棒具有特定的排布方向，从而提高量子棒的偏振特性是量子棒技术发展的重点。
发明内容
本发明提供了一种量子棒结构及其制作方法，用以使量子棒具有特定的排布方向，从而提高量子棒的偏振特性。
本发明实施例提供的一种量子棒结构依次包括基板、取向膜层和量子棒膜层，其中，所述取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，所述取向膜层的晶格结构均匀排布，且排布方向一致。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，所述取向膜层的材料包括单晶或多晶的无机物；或者，
所述取向膜层的材料包括固定晶格结构的有机物。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，所述取向膜层是在外力、降温或腐蚀液腐蚀的条件下，形成的具有特定方向的晶格结构的膜层。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，所述取向膜层的厚度为10-2000nm。
本发明实施例提供了一种本发明提供的量子棒结构的制作方法，该方法包括：
在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层；
在所述取向膜层上形成量子棒膜层。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
通过腐蚀液腐蚀所述膜层，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，所述腐蚀液包括磷酸、盐酸或硝酸。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
按照0.5℃/s至2℃/s的速率范围降温所述膜层，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
对所述膜层施加外力，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在所述取向膜层上形成量子棒膜层，包括：
将量子棒材料涂布在所述取向膜层上，形成量子棒膜层。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种量子棒结构及其制作方法，所述量子棒结构依次包括：基板、取向膜层和量子棒膜层，其中，所述取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。通过将取向膜层设置为具有特定方向的晶格结构的膜层，使得量子棒形成在所述具有特定方向的取向膜层上，提高了量子棒排布方向的均一性，进一步提高了量子棒的偏振特性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种量子棒结构的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种量子棒结构的截面示意图；
图3为本发明实施例提供的第二种量子棒结构的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的第三种量子棒结构的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种钨酸盐在磷酸腐蚀下的晶格机构的排布示意图；
图6为本发明实施例提供的一种量子棒结构的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种量子棒结构及其制作方法，用以使量子棒具有特定的排布方向，从而提高量子棒的偏振特性。
参见图1，本发明实施例提供的一种量子棒结构的结构示意图，依次包括基板11、取向膜层12和量子棒膜层13，其中，取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。参见图2，为图1所对应的截面示意图。
需要说明的是，本发明实施例提供的具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括具有晶格结构的材料经过加工后形成具有特定方向的膜层的物质，或者包括材料本身就具有特定方向的晶格结构的物质。其中，特定方向是指具有规律的排布方向，或者具有单一的排布方向的。
其中，图1中仅是画出了取向膜层的排布方向的一种，但不仅限于取向膜层的方向沿着从左到右的延伸方向排列。例如，参见图3，取向膜层12的排布方向沿着基板的对角线方向延伸。又如，参见图4所示，位于A区域的取向膜层12的排布方向沿着从左到右的延伸方向排列，位于B区域的取向膜层12的排布方向沿着从上到下的延伸方向排列。通过如图4所示的结构，可以形成具有两个方形的偏振光。
其中，本发明实施例提供基板可以为彩膜基板或者阵列基板，或者玻璃基板，具体地本发明实施例不做具体限定。
当基板为彩膜基板时，通过在彩膜基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层和量子棒膜层，从而代替彩膜基板和偏光片，实现光的偏振和显示。当基板为阵列基板时，在阵列基板中与彩膜基板相背的一面形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层和量子棒膜层，从而代理偏光片的作用，实现了光的偏振和显示，因此，本发明实施例提供的量子棒结构，既简化了工艺，又提高了量子棒的偏振特性的均一性。
通过本发明实施例提供的量子棒结构依次包括：基板、取向膜层和量子棒膜层，其中，取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。通过将取向膜层设置为具有特定方向的晶格结构的膜层，使得量子棒形成在具有特定方向的取向膜层上，提高了量子棒排布方向的均一性，进一步提高了量子棒的偏振特性。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，参见图1，为了进一步提高量子棒的排布方向的均一性，提高量子棒的偏振特性，取向膜层12的晶格结构均匀排布，且排布方向一致。
具体地，取向膜层可以沿任一相同延伸方向的方式进行排布。本发明实施例不做具体限定。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，取向膜层的材料包括单晶或多晶的无机物；或者，
取向膜层材料包括固定晶格结构的有机物。
例如，本发明实施例提供的单晶或多晶的无机物包括：钨酸盐、铌酸盐、石英或磷石中的任一种。具体地，本发明实施例对单晶或多晶的无机物不做具体限定。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，取向膜层是在外力、降温或腐蚀液腐蚀的条件下，形成的具有特定方向的晶格结构的膜层。
具体地，具有晶格结构的晶体，在一定条件下，例如外力、降温或腐蚀液腐蚀的条件下，会产生裂纹，若裂纹较小时则不能被宏观观测到；若裂纹较大时，晶格结构会形成特殊的解理面(即能被宏观观测到)，其中解理面具有固定的、周期性的排列方式。本发明实施例根据上述晶格结构的晶体的特性应用在取向膜层上，从而提高了取向膜层的排布方向的均一性。
例如，参见图5中的(a)所示，将钨酸盐经过磷酸腐蚀之后，得到均一的延伸排布方向，即钨酸盐的晶格结构的排布方向沿着a-c方向进行延伸，且方向一致。参见图5中的(b)所示，将钨酸盐经过不同程度的磷酸腐蚀之后，得到两个方向的延伸排布，即钨酸盐的一部分晶格结构的排布方向沿着a-b方向进行延伸，另一部分的晶格结构的排布方向沿着垂直于a-b的方向进行延伸。且，沿着a-b方向延伸的晶格结构集中分布在右上角的区域，沿着垂直于a-b方向延伸的晶格结构集中分布在左下角的区域，从而可以根据实际需要的量子棒的偏振特性选择不同的延伸方向作为取向膜层。
以上仅是举例说明经过磷酸腐蚀钨酸盐后的晶格结构的排布方向，在具体实施时，通过外力、降温或腐蚀液腐蚀的条件下，形成的具有特定方向的晶格结构的膜层不限于本发明实施例提供的上述方法和结构，还可以是本领域技术人员可知的其他方法和结构，在此不做限定。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构中，取向膜层的厚度为10-2000nm。
具体地，取向膜层的厚度可以根据实际需要进行设置，不限于本发明实施例提供的取向膜层的厚度，具体厚度的值本发明不做具体限定。
基于同一发明思想，参见图6，本发明实施例还提供了一种本发明提供的量子棒结构的制作方法，该方法包括：
S501、在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层；
S502、在取向膜层上形成量子棒膜层。
其中，本发明实施例提供基板可以为彩膜基板或者阵列基板，或者玻璃基板，具体地本发明实施例不做具体限定。
当基板为彩膜基板时，通过在彩膜基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层和量子棒膜层，从而代替彩膜基板和偏光片，实现光的偏振和显示。当基板为阵列基板时，在阵列基板中与彩膜基板相背的一面形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层和量子棒膜层，从而代理偏光片的作用，实现了光的偏振和显示，因此，本发明实施例提供的量子棒结构的制作方法，即简化了工艺，又提高了光的偏振特性的均一性。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
通过腐蚀液腐蚀膜层，使膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
具体地，将取向膜层的材料在基板上形成一膜层的方法，本发明实施例不做具体限定。其中，采用镀膜工艺形成该膜层，可以采用的镀膜方法包括：真空蒸发、真空溅射、化学还原、溶胶凝胶等。或者，采用沉积的工艺形成该膜层，可以采用的沉积方法包括：等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、物理沉积法等。或者，采用涂布的方式形成该膜层。具体地采用何种方法以及采用该方法的步骤本发明不做详细描述。
若采用的取向膜层的材料在不需要外力、降温或腐蚀等工艺的前提下，已经具有特定方向的晶格结构，则该取向膜层材料在通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成的膜层作为取向膜层。其中特定方向是指具晶格结构的排布方向相同。若采用的取向膜层的材料在不需要外力、降温或腐蚀等工艺的前提下，不具有相同方向的晶格结构，则需要对取向膜层材料在通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成的膜层经过加工，使得晶格结构的排布方向一致。具体地，可以采用腐蚀液腐蚀该取向膜层材料形成的膜层，使得晶格结构在酸性条件下具有相同排布方向，从而形成取向膜层。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，腐蚀液包括磷酸、盐酸或硝酸。
具体地，腐蚀液的选择可以根据取向膜层材料的不同进行选择，本发明实施例不做具体限定。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
按照0.5℃/s至2℃/s的速率范围降温膜层，使膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
具体地，将取向膜层的材料在基板上形成一膜层的方法，本发明实施例不做具体限定。其中，采用镀膜工艺形成该膜层，可以采用的镀膜方法包括：真空蒸发、真空溅射、化学还原、溶胶凝胶等。或者，采用沉积的工艺形成该膜层，可以采用的沉积方法包括：等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、物理沉积法等。或者，采用涂布的方式形成该膜层。具体地采用何种方法以及采用该方法的步骤本发明不做详细描述。
若采用的取向膜层的材料在不需要外力、降温或腐蚀等工艺的前提下，已经具有特定方向的晶格结构，则该取向膜层材料在通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成的膜层作为取向膜层。其中特定方向是指具晶格结构的排布方向相同。若采用的取向膜层的材料在不需要外力、降温或腐蚀等工艺的前提下，不具有相同方向的晶格结构，则需要对取向膜层材料在通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成的膜层经过加工，使得晶格结构的排布方向一致。具体地，在取向膜层材料形成的膜层后，按照0.5℃/s至2℃/s的速率范围降温该膜层上的温度，使得晶格结构在低温条件下具有相同排布方向，从而形成取向膜层。较佳地，降低温度的速率可以采用1.5℃/s对膜层进行快速姜维。当然也可以根据取向膜层材料的特性进行自主选择，本发明实施例不做具体限定。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
对膜层施加外力，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
具体地，将取向膜层的材料在基板上形成一膜层的方法，本发明实施例不做具体限定。其中，采用镀膜工艺形成该膜层，可以采用的镀膜方法包括：真空蒸发、真空溅射、化学还原、溶胶凝胶等。或者，采用沉积的工艺形成该膜层，可以采用的沉积方法包括：等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、物理沉积法等。或者，采用涂布的方式形成该膜层。具体地采用何种方法以及采用该方法的步骤本发明不做详细描述。
若采用的取向膜层的材料在不需要外力、降温或腐蚀等工艺的前提下，已经具有特定方向的晶格结构，则该取向膜层材料在通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成的膜层作为取向膜层。其中特定方向是指具晶格结构的排布方向相同。若采用的取向膜层的材料在不需要外力、降温或腐蚀等工艺的前提下，不具有相同方向的晶格结构，则需要对取向膜层材料在通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成的膜层经过加工，使得晶格结构的排布方向一致。具体地，在取向膜层材料形成的膜层后，经过对该膜层施加外力，使得晶格结构在外力作用条件下具有相同排布方向，从而形成取向膜层。其中，施加外力的范围可以根据取向膜层材料的特性进行选择，本发明实施例不做具体限定。
在具体实施例中，本发明实施例提供的上述量子棒结构的制作方法中，在取向膜层上形成量子棒膜层，包括：
将量子棒材料涂布在取向膜层上，形成量子棒膜层。
具体地，在形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层上涂布量子棒材料，形成量子棒膜层，从而完成量子棒结构的制作。
综上所述，本发明实施例提供的上述量子棒结构的依次包括：基板、取向膜层和量子棒膜层，其中，取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。通过将取向膜层设置为具有特定方向的晶格结构的膜层，使得量子棒形成在具有特定方向的取向膜层上，提高了量子棒排布方向的均一性，进一步提高了量子棒的偏振特性。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种量子棒结构，其特征在于，所述量子棒结构依次包括基板、取向膜层和量子棒膜层，其中，所述取向膜层是具有特定方向的晶格结构的膜层。
2.根据权利要求1所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层的晶格结构均匀排布，且排布方向一致。
3.根据权利要求2所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层的材料包括单晶或多晶的无机物；或者，
所述取向膜层的材料包括固定晶格结构的有机物。
4.根据权利要求1所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层是在外力、降温或腐蚀液腐蚀的条件下，形成的具有特定方向的晶格结构的膜层。
5.根据权利要求1所述的量子棒结构，其特征在于，所述取向膜层的厚度为10-2000nm。
6.一种权利要求1-5任一权项所述的量子棒结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层；
在所述取向膜层上形成量子棒膜层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
通过腐蚀液腐蚀所述膜层，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液包括磷酸、盐酸或硝酸。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
按照0.5℃/s至2℃/s的速率范围降温所述膜层，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层，包括：
将所述取向膜层的材料通过镀膜、沉积或涂布的方式在基板上形成一膜层；
对所述膜层施加外力，使所述膜层形成具有特定方向的晶格结构的取向膜层。
11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述取向膜层上形成量子棒膜层，包括：
将量子棒材料涂布在所述取向膜层上，形成量子棒膜层。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108329913A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-07-27 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种铝掺杂半导体量子棒及其制备方法和用途 |
| WO2018223472A1 (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 包含量子棒膜的基板及其制作方法、显示面板 |
| CN113156690A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-07-23 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 量子棒偏光片及其制造方法和显示装置 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1641425A (zh) * | 2004-01-15 | 2005-07-20 | 夏普株式会社 | 显示元件和显示装置以及显示元件的制造方法 |
| CN1898308A (zh) * | 2003-12-26 | 2007-01-17 | 东洋纺织株式会社 | 聚酰亚胺薄膜 |
| CN101546703A (zh) * | 2008-03-26 | 2009-09-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 |
| CN101585545A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-11-25 | 西江大学校产学协力团 | 在基材上负载的具有可变厚度的均一b-取向的MFI沸石膜及其制造方法 |
| CN101643366A (zh) * | 2008-08-06 | 2010-02-10 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种具有特定取向分子筛单层薄膜的制备方法 |
| CN101823725A (zh) * | 2010-04-29 | 2010-09-08 | 吉林大学 | 一种高度取向分子筛膜的制备方法 |
| CN102127457A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-07-20 | 深圳超多维光电子有限公司 | 一种配向层材料、配向层、双折射液晶薄膜及其制造方法 |
| CN103135281A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN103543553A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 乐金显示有限公司 | 量子棒发光显示装置 |
| CN104570496A (zh) * | 2015-02-04 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种形成有取向膜的基板的清洗方法 |
| CN104820316A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-08-05 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 光配向装置、光配向方法和配向膜制备系统 |
| CN104880741A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-09-02 | 明基材料有限公司 | 量子棒膜 |
| WO2015144288A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Merck Patent Gmbh | A polarized light emissive device |
| CN104992631A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子棒膜的制造方法及量子棒发光显示装置 |
| CN105301828A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
-
2016
- 2016-03-08 CN CN201610131346.4A patent/CN105549260A/zh active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1898308A (zh) * | 2003-12-26 | 2007-01-17 | 东洋纺织株式会社 | 聚酰亚胺薄膜 |
| CN1641425A (zh) * | 2004-01-15 | 2005-07-20 | 夏普株式会社 | 显示元件和显示装置以及显示元件的制造方法 |
| CN101546703A (zh) * | 2008-03-26 | 2009-09-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 |
| CN101585545A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-11-25 | 西江大学校产学协力团 | 在基材上负载的具有可变厚度的均一b-取向的MFI沸石膜及其制造方法 |
| CN101643366A (zh) * | 2008-08-06 | 2010-02-10 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种具有特定取向分子筛单层薄膜的制备方法 |
| CN101823725A (zh) * | 2010-04-29 | 2010-09-08 | 吉林大学 | 一种高度取向分子筛膜的制备方法 |
| CN102127457A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-07-20 | 深圳超多维光电子有限公司 | 一种配向层材料、配向层、双折射液晶薄膜及其制造方法 |
| CN103135281A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN103543553A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 乐金显示有限公司 | 量子棒发光显示装置 |
| WO2015144288A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Merck Patent Gmbh | A polarized light emissive device |
| CN104570496A (zh) * | 2015-02-04 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种形成有取向膜的基板的清洗方法 |
| CN104820316A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-08-05 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 光配向装置、光配向方法和配向膜制备系统 |
| CN104880741A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-09-02 | 明基材料有限公司 | 量子棒膜 |
| CN104992631A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子棒膜的制造方法及量子棒发光显示装置 |
| CN105301828A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018223472A1 (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 包含量子棒膜的基板及其制作方法、显示面板 |
| CN108329913A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-07-27 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种铝掺杂半导体量子棒及其制备方法和用途 |
| CN113156690A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-07-23 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 量子棒偏光片及其制造方法和显示装置 |
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