CN103529652A - 一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置,其中控制方法包括:步骤S1,在冷却缓冲机构中当前优先级的槽位Slot完成进片时,启动计时;步骤S2,计时达到第一时间T1时,启动下一优先级的Slot进片。本发明所提供的精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置,通过对精密测长机中冷却缓冲机构的进出片方式设计,增强了冷却缓冲机构的操作智能型,保证玻璃恒温时间的统一性,提高量测准确性,可满足工程人员的进阶实验操作,并同时实现了主机台量测的高利用率。

Description

一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置
技术领域
本发明涉及图像显示领域,尤其涉及一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置。
背景技术
精密测长机TTP机台是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)制程重要的光学量测机台,主要用于TFT基板/CF基板(彩色滤光片基板)第一层图案制作时曝光机曝光精度参数总间距(Total Pitch)的量测。Total Pitch量测的基本原理是激光的迈克尔逊干涉,通过干涉条纹强度计算距离。激光的稳定性易受温度影响,所以需要保证机台和量测的玻璃均保持在23±0.1℃。机台放置于恒温室中,玻璃则是先进入机台上方的冷却缓冲机构(Cooling Buffer),定时恒温后再搬入机台量测。若冷却缓冲机构的恒温效果不佳或者与主机台恒温室温度不一致,会导致玻璃进入机台后在量测过程中因温度变化产生热胀冷缩效应,影响Total Pitch的量测准确性和稳定性。所以需要一个稳定而智能的恒温冷却缓冲机构,以高效完成玻璃基板的冷却恒温。
目前的TTP机台冷却缓冲机构共4层槽位(Slot),可设定启用/禁用、恒温时间(仅针对整个冷却缓冲机构,不可单独对某一Slot设定);开启冷却缓冲机构后,则其所有空的Slot都是可收片状态,可依次连续进片;玻璃在Slot中到达恒温时间后,则向Robot发出取片指令,排到主机台进行量测。其存在的缺点如下:
无法确保每个Slot的玻璃都有相同的冷却(cooling)时间,导致每片的量测条件不一样,量测值出现异常变异。因为进片逻辑为Slot为空就可进片,会出现以下情况:首先假设设定玻璃的冷却时间为20min,而玻璃在主机台的量测时间为10min;冷却缓冲机构为空时,Slot 1~Slot 4依次进入4片玻璃(时间间隔一般为30秒左右,可忽略不计,认为是同时进片);Slot 1的玻璃到达20min的冷却时间后,先行排到主机台,进行量测,10min后量测完成并排片,之后Slot 2的玻璃才进入主机台,而此时Slot 2的玻璃已在冷却缓冲机构中冷却达20+10=30min,以此类推,Slot 3为40min,Slot 4为50min。至此,出现4片玻璃的恒温时间不一致的问题。而实际生产测试发现,受无尘室温度控制精度(23±1℃)和烘烤制程的影响,玻璃在TTP的冷却缓冲机构中冷却0~40min之间会因收缩效应而出现量测值的变化,直到约40min之后趋于稳定,但因为产线节拍时间(tact time)的考量和量测数据需求的即时性,不可能将恒温时间设到40min以上。
由上可知,业界迫切需要一种确保玻璃冷却时间一致,以提高量测准确性的进出片控制方式。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置,确保玻璃冷却时间一致,以提高量测准确性。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法,包括:
步骤S1,在冷却缓冲机构中当前优先级的槽位Slot完成进片时,启动计时;
步骤S2,计时达到第一时间T1时,启动下一优先级的Slot进片。
其中,在所述步骤S1之前,还包括:为所述冷却缓冲机构中的各层Slot设置进片优先级。
其中,所述冷却缓冲机构中的各层Slot形成时间互锁循环。
其中,所述T1等于或略大于T,T为进入所述冷却缓冲机构的玻璃在主机台的单片量测时间与进出片时间之和。
其中,所述步骤S1进一步包括:
所述当前优先级的Slot完成进片时,生成进片完成信号;
所述进片完成信号触发计时。
其中,所述步骤S2进一步包括:
计时达到T1后,所述下一优先级的Slot生成可进片信号,启动所述Slot进片。
其中,每一Slot的玻璃完成冷却出片后,所述Slot生成不可进片信号,恢复为不可进片状态,等待下一次触发计时。
其中,某一优先级的Slot出现异常并且其内没有玻璃时,将其禁用。
其中,所述被禁用的Slot退出所述时间互锁循环,当其被解除禁用后,变为不可进片状态,加入所述时间互锁循环,等待其上一优先级的Slot来触发其进片计时。
其中,如果所述Slot在计时过程中被禁用,则禁用的同时直接触发启动其下一优先级的Slot计时,达到T1时启动所述下一优先级的Slot进片。
其中,如果所述下一优先级的Slot已有玻璃在做冷却,则等待玻璃排出后再启动计时。
其中,在某一Slot完成进片后,通过触发排片开始信号实时进行排片。
本发明还提供一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制装置,包括:启动单元,用于当前优先级的Slot完成进片时,启动计时单元计时;以及在所述计时单元计时达到第一时间T1时,启动下一优先级的Slot进片。
其中,所述启动单元还包括:
第一信号生成单元,用于当前优先级的Slot完成进片时,生成进片完成信号,所述进片完成信号触发所述计时单元计时;以及
第二信号生成单元,用于在所述计时单元计时达到第一时间T1时,生成下一优先级的Slot的可进片信号,所述可进片信号启动所述下一优先级的Slot进片。
其中,还包括:
提前排片单元,用于在某一Slot完成进片后,实时触发排片开始信号进行排片。
其中,还包括:
禁用单元,用于在某一优先级的Slot出现异常并且其内没有玻璃时,将其禁用。
本发明所提供的精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置,通过对精密测长机中冷却缓冲机构的进出片方式设计,增强了冷却缓冲机构的操作智能型,保证玻璃恒温时间的统一性,提高量测准确性,可满足工程人员的进阶实验操作,并同时实现了主机台量测的高利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法的流程示意图。
图2是本发明实施例一的控制时序示意图。
图3是本发明实施例二精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制装置的结构框图。
具体实施方式
下面参考附图对本发明的优选实施例进行描述。
请参照图1所示,本发明实施例一提供一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法,包括:
步骤S1,在冷却缓冲机构中当前优先级的槽位Slot完成进片时,启动计时;
步骤S2,计时达到第一时间T1时,启动下一优先级的Slot进片。
本实施例通过为冷却缓冲机构的各层Slot设置进片优先级,并在不同优先级之间添加节拍计时器(Tact Time Timer)的节拍时间(Tact Time)设定功能,来解决各层slot中玻璃的冷却时间不一致的问题。例如,本实施例的各层slot(分别用Slot 1、Slot 2、Slot 3、Slot 4来指代)的进片优先级设置为Slot 1—Slot 2—Slot 3—Slot 4,也就是说Slot 1优先进片,其次是Slot 2,接着是Slot 3,再是Slot 4,然后继续从Slot 1开始进片,形成循环。“当前优先级”与“下一优先级”是指相邻的两个优先级,例如当前优先级是Slot 1,则下一优先级为Slot 2,换句话说,Slot 2的上一优先级是Slot 1。节拍时间的设定,则是为各优先级的Slot进片设置间隔时间,以实现按优先级依次进片。本实施例中,此时间记为T1,T1等于或略大于T,T为进入冷却缓冲机构的玻璃在主机台的单片量测时间与进出片时间之和(由于各个产品一般不一样,可按不同产品分别进行设定)。此处的“进出片时间”是指玻璃进入主机台的时间加上从主机台排出的时间。例如,玻璃在主机台中量测和进出片时间为10min,T1可以设置为10min(或者略大,如11min)。另外玻璃在冷却缓冲机构中的冷却时间记为T2(例如20min)。其原理是:以当前优先级的Slot进片时间来进行信号控制,延迟下一优先级的Slot的进片时间,以避免连续进片导致在Buffer中冷却时间不一致。例如当前优先级的Slot 1进片后,下一优先级的Slot 2在延迟T1后才能进片,依次类推,Slot 1的进片时间亦受到Slot 4的制约,形成时间互锁的循环。这样即可保证每个slot的冷却时间都为T2,且主机台可连续不间断量测,提高机台利用率。若Tact Time设定全为0,则不使用此功能,恢复原有状态。
需要说明的是,本实施例中“进片”是指玻璃进入到冷却缓冲结构的Slot中,“出片”也称为“排片”,是指玻璃从冷却缓冲机构的Slot中排出到主机台。
具体地,步骤S1包括:
当前优先级的Slot完成进片时,生成进片完成信号(receive complete);
进片完成信号触发计时。
由此,步骤S2包括:
计时达到T1后,下一优先级的Slot生成可进片信号(receive able),启动该Slot的进片。
每一Slot的玻璃完成冷却出片后,该Slot生成不可进片信号(receive disable),恢复为不可进片状态,等待下一次触发计时。
需要说明的是,在上述时间互锁的循环中,在设备最初初始化的时候,Slot 1需要作为循环的启动起点,但此时Slot 1无法像循环启动之后一样,从其上一优先级——Slot 4获取启动计时的信号,所以初始状态下Slot 1无需延时。初始状态时,冷却缓冲机构全为空,Slot 1为可进片状态,Slot 2~4为不可进片状态,主机台为可进片状态。循环启动之后,便可由记忆信号做循环控制。
再请参照图2所示,为本发明实施例一进出片控制方法的时序示意图,其中假设T1=10min,T2=20min,在0''时,Slot 1完成进片,玻璃A(Glass A)在Slot 1中冷却,同时Slot 1生成进片完成信号,触发其下一优先级Slot 2的进片计时。计时达到T1(10'')时,Slot 2开始启动进片,玻璃B(Glass B)在Slot 2中冷却。由于进片时间很短,可忽略不计,因此在10''时Slot 2生成进片完成信号,触发其下一优先级Slot 3的进片计时。同样地,到20''时Slot 3生成进片完成信号,触发其下一优先级Slot 4的进片计时,并且此时玻璃A已在Slot 1冷却T2时长,将被排出到主机台进行量测。而到了30''时,Slot 4生成进片完成信号,触发其下一优先级Slot 1的进片计时,并且此时玻璃B已在Slot 2冷却T2时长,将被排出到主机台进行量测;另外,此时玻璃A在主机台也已完成量测,因此,一方面各层Slot延时进片,保证玻璃恒温时间的统一性,提高量测准确性,另一方面玻璃从Slot进入主机台的时间无缝衔接,实现了主机台量测的高利用率。
现有的进出片控制方式中无法实现提前排片,排异常片或清空产线时极大影响效率,因此本实施例的控制方法通过触发排片开始(send start)信号来克服这一缺陷。具体地,在某一Slot完成进片后,不管玻璃当前恒温时长多少,在工程人员需要时实时触发排片开始信号提前进行排片。这样,工程人员在需要时可以快速排片,清空buffer,以节省产线的节拍时间和及时特殊量测。
另外,现有控制方式中,当Buffer中某个slot机构、信号异常需要禁用时,只能将整个Buffer禁用,导致整机无法正常运行。因此,本实施例针对各层slot,均设置“禁用”选项,可对此slot进行“禁用/解禁”切换。此选项只能在slot里没有玻璃的情况下使用。在slot机构、信号出现异常时,禁用该slot,而其他slot正常运行使用。此功能通过各层slot的内联使能(inline enable)信号的on/off转换即可实现。
应当说明的是,上述“禁用”功能与延时进片在逻辑上有冲突,即某个slot被禁用后,会导致其下一优先级的slot无法进片,从而连锁反应造成整个Buffer无法进片。为防止这种异常出现,本实施例加入了防呆逻辑:若某一优先级的slot被禁用,则其退出延时进片的时间互锁循环,只在剩余正常的slot中进行进片控制;当其解禁后,变为不可进片(receive disable)状态,加入到原有时间互锁循环,等待其上一优先级的slot来触发其进片计时。举例而言,Slot 1出现异常需要禁用时,其退出延时进片的时间互锁循环,剩余正常的Slot 2、Slot 3和Slot 4继续按优先级顺序延时进片。如果Slot 1解除禁用,其恢复为不可进片状态,等待Slot 4完成进片后生成的进片完成信号来触发计时。
若slot是在计时过程中被禁用,则禁用的同时直接触发启动下一优先级的slot的计时,达到T1时启动该下一优先级的Slot进片。而如果该下一优先级的slot已有玻璃在做冷却,则等待玻璃排出后再启动计时。
请参照图3所示,本发明实施例二提供一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制装置,包括:启动单元1,用于当前优先级的Slot完成进片时,启动计时单元2计时;以及在计时单元2计时达到第一时间T1时,启动下一优先级的Slot进片。
具体地,启动单元1还包括:
第一信号生成单元11,用于当前优先级的Slot完成进片时,生成进片完成信号,该进片完成信号触发计时单元2计时;以及
第二信号生成单元12,用于在计时单元2计时达到第一时间T1时,生成下一优先级的Slot的可进片信号,该可进片信号启动该下一优先级的Slot进片。
本实施例的进出片控制装置还包括提前排片单元,用于在某一Slot完成进片后,实时触发排片开始信号进行排片。
本实施例的进出片控制装置还包括禁用单元,用于在某一优先级的Slot出现异常并且其内没有玻璃时,将其禁用。
本实施例的进出片控制装置,其工作原理、工作过程以及所带来的有益效果,均与本发明实施例一相同,此处不再赘述。
本发明所提供的精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置,通过对精密测长机中冷却缓冲机构的进出片方式设计,增强了冷却缓冲机构的操作智能型,保证玻璃恒温时间的统一性,提高量测准确性,可满足工程人员的进阶实验操作,并同时实现了主机台量测的高利用率。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (16)

1.一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法,包括:
步骤S1,在冷却缓冲机构中当前优先级的槽位Slot完成进片时,启动计时;
步骤S2,计时达到第一时间T1时,启动下一优先级的Slot进片。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,在所述步骤S1之前,还包括:为所述冷却缓冲机构中的各层Slot设置进片优先级。
3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述冷却缓冲机构中的各层Slot形成时间互锁循环。
4.根据权利要求3所述的控制方法,其特征在于,所述T1等于或略大于T,T为进入所述冷却缓冲机构的玻璃在主机台的单片量测时间与进出片时间之和。
5.根据权利要求3所述的控制方法,其特征在于,所述步骤S1进一步包括:
所述当前优先级的Slot完成进片时,生成进片完成信号;
所述进片完成信号触发计时。
6.根据权利要求5所述的控制方法,其特征在于,所述步骤S2进一步包括:
计时达到T1后,所述下一优先级的Slot生成可进片信号,启动所述Slot进片。
7.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,每一Slot的玻璃完成冷却出片后,所述Slot生成不可进片信号,恢复为不可进片状态,等待下一次触发计时。
8.根据权利要求3所述的控制方法,其特征在于,某一优先级的Slot出现异常并且其内没有玻璃时,将其禁用。
9.根据权利要求8所述的控制方法,其特征在于,所述被禁用的Slot退出所述时间互锁循环,当其被解除禁用后,变为不可进片状态,加入所述时间互锁循环,等待其上一优先级的Slot来触发其进片计时。
10.根据权利要求8所述的控制方法,其特征在于,如果所述Slot在计时过程中被禁用,则禁用的同时直接触发启动其下一优先级的Slot计时,达到T1时启动所述下一优先级的Slot进片。
11.根据权利要求10所述的控制方法,其特征在于,如果所述下一优先级的Slot已有玻璃在做冷却,则等待玻璃排出后再启动计时。
12.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,在某一Slot完成进片后,通过触发排片开始信号实时进行排片。
13.一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制装置,其特征在于,包括:启动单元,用于当前优先级的Slot完成进片时,启动计时单元计时;以及在所述计时单元计时达到第一时间T1时,启动下一优先级的Slot进片。
14.根据权利要求13所述的控制装置,其特征在于,所述启动单元还包括:
第一信号生成单元,用于当前优先级的Slot完成进片时,生成进片完成信号,所述进片完成信号触发所述计时单元计时;以及
第二信号生成单元,用于在所述计时单元计时达到第一时间T1时,生成下一优先级的Slot的可进片信号,所述可进片信号启动所述下一优先级的Slot进片。
15.根据权利要求14所述的控制装置,其特征在于,还包括:
提前排片单元,用于在某一Slot完成进片后,实时触发排片开始信号进行排片。
16.根据权利要求14所述的控制装置,其特征在于,还包括:
禁用单元,用于在某一优先级的Slot出现异常并且其内没有玻璃时,将其禁用。
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US14/346,736 US9389608B2 (en) 2013-10-23 2014-01-09 Loading and unloading method and device for a cooling buffer in a precise length measuring machine

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106249446A (zh) * 2016-07-20 2016-12-21 武汉华星光电技术有限公司 测试平台及具有所述测试平台的测长机

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118352282B (zh) * 2024-03-28 2024-10-15 深圳谱晶科技有限公司 一种任意通道屏蔽的控制方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW423093B (en) * 1997-04-17 2001-02-21 Samsung Electronic Method for transferring wafer cassettes after checking whether process equipment is in a suitable mode
US6431807B1 (en) * 1998-07-10 2002-08-13 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit
JP2003224174A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Seiko Epson Corp 半導体製造装置及び制御方法
CN1547768A (zh) * 2001-04-06 2004-11-17 东京毅力科创株式会社 集束传输装置和传送控制方法
CN1831649A (zh) * 2005-02-14 2006-09-13 东京毅力科创株式会社 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法
CN101276771A (zh) * 2007-03-29 2008-10-01 东京毅力科创株式会社 被检查体的搬送装置和检查装置
CN101459098A (zh) * 2007-12-14 2009-06-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种晶片优化调度的方法和装置
JP2009252981A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Nikon Corp 基板交換方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP2010003920A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
CN102246290A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 芝浦机械电子株式会社 衬底冷却装置及衬底处理系统
CN103217107A (zh) * 2013-03-29 2013-07-24 深圳市华星光电技术有限公司 精密测长机及其光量干涉排除方法和装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5928389A (en) * 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
JP2005136021A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5246184B2 (ja) * 2010-02-24 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN102820245B (zh) * 2012-08-16 2015-02-11 上海华力微电子有限公司 具有存片槽的薄膜工艺系统及其存取片方法
CN103292709B (zh) * 2013-05-24 2015-09-09 深圳市华星光电技术有限公司 测长机日常检测与自动补正方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW423093B (en) * 1997-04-17 2001-02-21 Samsung Electronic Method for transferring wafer cassettes after checking whether process equipment is in a suitable mode
US6431807B1 (en) * 1998-07-10 2002-08-13 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit
CN1547768A (zh) * 2001-04-06 2004-11-17 东京毅力科创株式会社 集束传输装置和传送控制方法
JP2003224174A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Seiko Epson Corp 半導体製造装置及び制御方法
CN1831649A (zh) * 2005-02-14 2006-09-13 东京毅力科创株式会社 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法
CN101276771A (zh) * 2007-03-29 2008-10-01 东京毅力科创株式会社 被检查体的搬送装置和检查装置
CN101459098A (zh) * 2007-12-14 2009-06-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种晶片优化调度的方法和装置
JP2009252981A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Nikon Corp 基板交換方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP2010003920A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
CN102246290A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 芝浦机械电子株式会社 衬底冷却装置及衬底处理系统
CN103217107A (zh) * 2013-03-29 2013-07-24 深圳市华星光电技术有限公司 精密测长机及其光量干涉排除方法和装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李佳斌: "测长机测量控制系统的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技II辑》, 28 February 2009 (2009-02-28) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106249446A (zh) * 2016-07-20 2016-12-21 武汉华星光电技术有限公司 测试平台及具有所述测试平台的测长机

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