CN103510057A - 制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的是提供一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，使用注浆成型制备新型氧化铟锡锌靶材，大量添加的氧化锌及氧化锡元素的形成氧化铟锡锌材料，降低靶材的成本。搭配中间层的银及银合金薄膜，形成三明治的多层薄膜结构设计，满足了生产的要求。由于适合低温度(<150℃)镀膜，所以可以应用于玻璃基材或者可挠性PET基材，扩大了应用范围。电阻值可降低至5x10-5Ωcm以下，透光性可高达90％以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种透明导电氧化铟锡锌材料及薄膜的制备方法，属于薄膜光电池、液晶电视及触控屏的应用领域。
背景技术
随着社会发展和科学技术的突飞猛进，人类对功能材料的需求日益迫切。新的功能材料已成为新技术和新兴工业发展的关键。随着显示器、触膜屏、半导体、太阳能等产业的发展，一种新的功能材料——透明导电氧化物薄膜(transparent conducting oxide，简称为TCO薄膜)随之产生、发展起来。所谓透明导电薄膜是指一薄膜材料在可见光范围内的透光率达到80％以上，而且导电性高，比电阻值低于1x10-3Ω.cm。习知Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr等金属，在形成3-15nm厚的薄膜时，都具有某种程度的透光性，都曾应用于透明薄膜电极。但这些金属薄膜对光的吸收太大，硬度低且稳定性差，因此渐渐发展成以金属氧化物为透明导电薄膜材料 (Transparent Conduction Oxide, TCO)为主，这类薄膜具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性，在太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域具有广阔的应用前景。其中制备技术最成熟、应用最广泛的当属In2O3基(In2O3：Sn简称ITO)薄膜。但是，由于ITO薄膜中In2O3价格昂贵，从而导致生产成本较高；非氧化铟系列的材料如氧化锡或者氧化锌，近年也有相当多得研究，但目前在液晶电视及触控屏等领域，这些新的导电薄膜材料性价比尚无法与氧化铟系列的材料相比拟。
为了获得可见光谱区透射率高、电导率高、性能稳定、附着性好、能符合不同用途不同要求的高质量的ITO膜，国内外已经研发出多种ITO薄膜的制备技术来调控和改善材料的性能。各种技术虽然各具特点但都致力于完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、简化制备成本和适应大规模生产。目前主要有真空蒸镀工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、脉冲激光沉积(PLD)工艺、及真空溅镀工艺等。为达大面积均匀性及量产性真空溅度的工艺是首选，因此薄膜溅镀用镀膜材料(靶材)的质量与性能就变得非常重要。随着电子组件如液晶电视、触控屏、薄膜太阳能电池等尺寸越来越大，如何获得更高透光度与电性的ITO薄膜是当务之急。
靶材是具有固定形状用于溅射镀膜之母材。靶材若依材料分类可简单地分为金属与陶瓷两大类，若依制程分类通常可大略区分为熔炼制程与粉末冶金制程两大类。大多数金属靶材采熔炼制程（Al，Sb，Bi，Cd，Ce，Co，Cu，Ge，Au，Hf，In，Ir，Fe，Pb，Mg，Ni，Ni-Cr，Ni-Fe，Ni-V，Nb，Pd，Pt，Se，Si，Ag，Sn，Ti，V，Y，Zn，Zr）获得，少数靶材鉴于使用时晶粒大小控制、合金成份熔点差距太大等诸因素才采用粉末冶金制程（As，B，Cr，Co，Mn，Mo，Ni-Cr，Permalloy，Re，Ru，Te，W，90W-10Ti）。陶瓷靶材中只有SiO2与ThF4，Na3AlF6采熔炼制程，大多数采粉末冶金制程（压制＋烧结、热压、热均压），包括氧化物（Al2O3，BaTi O3，PbTi O3，Ce O2，ITO，LiNbO3，SiO，Ta2O5， TiO2，ZrO2，Hf O2，MgO），碳化物（SiC，TiC，TaC，WC），硼化物（TiB2，Zr B2，LaB6），氮化物（Si3N4，TaN，TiN），氟化物（CaF2，CeF3，MgF2），硫化物（CdS，MoS2，TaS2），硒化物（CdSe，PbSe，MoSe），碲化物（CdTe，MoTe）及硅化物（MoSi2，TaSi2，TiSi2，WSi2）；其中氟化物、硫化物、硒化物与碲化物于制作与使用中可能产生毒性必须小心处理；碳化物，硼化物，氮化物其熔点皆十分高，通常以热压（相当高温）方式制作。针对氧化物靶材传统是用热压制程或者冷均压再烧结制程，材料混合均匀性差，且烧结过程中应力分布不均，不易生产高密度大尺寸的氧化物靶材。
在大尺寸的触控屏、液晶电视及CIGS薄膜太阳能电池的发展中透明导电膜(TCO)在大面积的导电性及透光度是关键，且TCO的透光度及电性一定程度影响电池的转换效率及触控屏的反应速率，传统的ITO已渐渐无法满足大尺寸产品在高透光及低电组的需求。且目前氧化铟系列透明导电膜仍存在可见光及长波长区域透光度较低及低温镀膜电性不佳等问题，需要热处理才能获得较佳的电性。由于传统的ITO(90%氧化铟)材料需在较高的温度镀膜才能达到较佳的电性，也不利于可挠性基材的使用。且铟价格一直居高不下及含量稀少，如何在维持透明导电膜的性能，且降低生产成本，也是扩大运用的重要关键，以制造出低成本且符合消费者需求的电子产品。
发明内容
本发明目的是提供一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法。自制注浆成型的氧化铟锡锌靶材控制氧化锡质量分数含量在10-45%，并添加氧化锌质量分数含量1-20%，余量为氧化铟，氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%。导电氧化铟锡锌材料中优选含量为：氧化锡质量分数含量为20-35%，氧化锌的质量分数含量5-10%，余量为氧化铟。导电氧化铟锡锌材料中还优选含量为：氧化锡质量分数含量为20-25%，氧化锌的质量分数含量8-10%，余量为氧化铟。采用多层结构设计，首先在玻璃或可挠性PET基板上先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的银或银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜，使得薄膜在<150℃状态下溅镀成膜。搭配中间金属层能获的较低的电阻，符合玻璃及各种可挠性基材得使用，提高溅镀薄膜质量及性能，大幅提升了薄膜在可见光的透光度，形成一种低成本、高透光、低电阻、耐候性良好的透明导电的薄膜结构，符合液晶电视、触控屏及CIGS薄膜光电池的透明电极或者导线的生产需求。电阻值可降低至5x10-5Ωcm以下，透光性可高达90％以上。
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先在玻璃(康宁 7095)先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的纯银或银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜。采用注浆成型的方式，自制氧化铟锡靶材控制氧化锡质量分数含量在10-45%氧化锡，并添加氧化锌质量分数含量在1-20%，余量为氧化铟，氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%，使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合相关氧化锡、氧化铟、氧化锌粉末材料，研磨时间约24小时，然后将浆料灌入三寸的多孔性模具中，经过干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400-1550℃的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体，经切割与表面研磨成三寸的自制氧化铟锡锌(ITZO)靶材。纯银靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成3寸靶材备用。首先将玻璃基板、纯银靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空溅镀机中(台湾北儒科技) 、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着先以DC电源溅镀第一层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，然后以DC电源溅镀第二层5-15nm厚的纯银薄膜，最后以DC电源溅镀第三层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
所述分散剂为羧酸盐类。本申请所用分散剂不局限于羧酸盐类，只要符合分散功能的其他原料也可。
其质量比为：导电氧化铟锡锌材料: 氧化锆球:纯水:分散剂=1:3:0.25:0.02。
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先在玻璃(康宁 7095)先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的纯银及银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜。采用注浆成型的方式，自制氧化铟锡靶材控制氧化锡含量在10-45%氧化锡，并添加氧化锌含量在1-20%，氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%，使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合相关氧化锡、氧化铟、氧化锌等粉末材料，研磨时间约24小时，然后将浆料灌入三寸的多孔性模具中，经过一段时间的干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400-1550℃的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体，经切割与表面研磨成三寸的自制氧化铟锡锌(ITZO)靶材。银钛合金靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银及纯钛颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成3吋Ag-0.5Ti的靶材备用。首先将玻璃基板、银钛靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空溅镀机中(台湾北儒科技) 、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着先以DC电源溅镀第一层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，然后以DC电源溅镀第二层5-15nm厚的银钛薄膜，最后以DC电源溅镀第三层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先在玻璃(康宁 7095)先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的纯银及银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜。采用注浆成型的方式，自制氧化铟锡靶材控制氧化锡含量在10-45%氧化锡，并添加氧化锌含量在1-20%，氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%，使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合相关氧化锡、氧化铟、氧化锌等粉末材料，研磨时间约24小时，然后将浆料灌入三吋的多孔性模具中，经过一段时间的干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400-1550℃的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体，经切割与表面研磨成三寸的自制氧化铟锡锌(ITZO)靶材。银合金靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银、纯钛及纯铜颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成3吋Ag-0.5Ti-1.0Cu的靶材备用。首先将玻璃基板、银钛铜靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空溅镀机中(台湾北儒科技) 、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着先以DC电源溅镀第一层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，然后以DC电源溅镀第二层5-15nm厚的银钛铜薄膜，最后以DC电源溅镀第三层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先PET上面先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的纯银及银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜。采用注浆成型的方式，自制氧化铟锡靶材控制氧化锡含量在10-45%氧化锡，并添加氧化锌含量在1-20%，氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%，使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合相关氧化锡、氧化铟、氧化锌等粉末材料，研磨时间约24小时，然后将浆料灌入多孔性模具中，经过一段时间的干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400-1550℃的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体，经切割与表面研磨成尺寸700x100x6mm的氧化铟锡锌(ITZO)靶材。纯银靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成尺寸700x100x6mm的靶材备用。首先将 PET、纯银靶材及氧化铟锡锌(ITZO)靶材放入真空卷对卷的溅镀机中(台湾勤友科技) 、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，PET不加热。接着先以DC电源溅镀第一层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，然后以DC电源溅镀第二层5-15nm厚的纯银薄膜，最后以DC电源溅镀第三层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，即形成所需的PET/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先PET上面先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的纯银及银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜。采用注浆成型的方式，自制氧化铟锡靶材控制氧化锡含量在10-45%氧化锡，并添加氧化锌含量在1-20%，氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%，使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合相关氧化锡、氧化铟、氧化锌等粉末材料，研磨时间约24小时，然后将浆料灌入多孔性模具中，经过一段时间的干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400-1550℃的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体，经切割与表面研磨成尺寸700x100x6mm的氧化铟锡锌(ITZO)靶材。银合金靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银及钛颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成尺寸700x100x6mm的Ag-0.5Ti靶材备用。首先将 PET、银钛靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空卷对卷的溅镀机中(台湾勤友科技) 、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，PET不加热。接着先以DC电源溅镀第一层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，然后以DC电源溅镀第二层5-15nm厚的银钛薄膜，最后以DC电源溅镀第三层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，即形成所需的PET/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先PET上面先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的纯银及银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜。采用注浆成型的方式，自制氧化铟锡靶材控制氧化锡含量在10-45%氧化锡，并添加氧化锌含量在1-20%，氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%，使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合相关氧化锡、氧化铟、氧化锌等粉末材料，研磨时间约24小时，然后将浆料灌入多孔性模具中，经过一段时间的干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400-1550℃的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体，经切割与表面研磨成尺寸700x100x6mm的氧化铟锡锌(ITZO)靶材。银合金靶材的制备使用周波炉，在1100℃溶解纯银、钛及铜颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成尺寸700x100x6mm的Ag-0.5Ti-1.0Cu靶材备用。首先将 PET、银钛铜靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空卷对卷的溅镀机中(台湾勤友科技) 、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，PET不加热。接着先以DC电源溅镀第一层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，然后以DC电源溅镀第二层5-15nm厚的银钛铜薄膜，最后以DC电源溅镀第三层10-50nm厚的氧化铟锡锌薄膜，即形成所需的PET/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
本发明的特点是在制备新型氧化铟锡材料及薄膜的过程中，首创使用高含量氧化锡及氧化锌元素的来制作氧化铟锡锌靶材及镀成薄膜，降低透明导电膜的成本，氧化锌及氧化锡相加总量不大于50%，搭配中间层的银及银合金薄膜，行成三明治的多层薄膜结构设计。在适当的厚度控制下大幅降低薄膜的电阻，并提高薄膜在可见光的透光度，提高了氧化铟锡锌薄膜在触控屏及CIGS等薄膜光电池中的应用性，满足了生产的要求，并有助于降低透明导电薄膜的生产成本。由于适合低温度(<150℃)镀膜，所以可以应用于玻璃基材或者可挠性PET基材，扩大了应用范围。电阻值可降低至5x10-5Ωcm以下，透光性可高达90％以上。
具体实施方式
实施例1：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例2：
一种制备新型导电氧化铟锡材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例3：
一种制备新型导电氧化铟锡材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银钛(Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛(Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例4：
一种制备新型导电氧化铟锡材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例5：
一种制备新型导电氧化铟锡材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例6：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例7：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛 (Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛 (Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例8：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛铜 (Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜 (Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+3%Sn+20%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例9：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银 (Ag)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例10：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银 (Ag)薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例11：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛(Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛(Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例12：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+15%Sn+20%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例13：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例14：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例15：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银钛(Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛(Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例16：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例17：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例18：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例19：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛 (Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛 (Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITiO/AgTi/ITiO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例20：
一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛铜 (Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜 (Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例21：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银 (Ag)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例22：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银 (Ag)薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例23：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛(Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛(Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例24：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例25：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例26：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例27：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、纯银钛(Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛(Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例28：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将玻璃基板、银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+35%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的Glass/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例29：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例30：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、纯银靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的纯银薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例31：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、纯银钛(Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛(Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例32：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜(Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+5%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例33：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例34：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、银 (Ag)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银薄膜，第三层45nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/Ag/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例35：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、银钛 (Ag-0.5Ti)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛 (Ag-0.5Ti)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/AgTi/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
实施例36：
一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，采用多层结构设计，首先将PET基板、银钛铜 (Ag-0.5Ti-1.0Cu)靶材及氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源顺序溅镀第一层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，第二层10nm厚的银钛铜 (Ag-0.5Ti-1.0Cu)薄膜，第三层20nm厚的氧化铟锡锌(In2O3+25%Sn+10%Zn)薄膜，即形成所需的PET/ITZO/AgTiCu/ITZO多层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
对比例1：
现有技术中制备导电氧化铟靶材的方法，将氧化铟中添加氧化锡10wt%，使用冷均压成型及高温烧结的方式制作坯体，然后加工成靶材。首先将玻璃基板及氧化铟锡(In2O3+10%Sn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源溅镀一层50nm厚的氧化铟锡(In2O3+10%Sn)薄膜，即形成所需的Glass/ITO的层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
对比例2：
现有技术中制备导电氧化铟靶材的方法，将氧化铟中添加氧化锡10wt%，使用冷均压成型及高温烧结的方式制作坯体，然后加工成靶材。首先将PET基板及氧化铟锡(In2O3+10%Sn)靶材放入真空溅镀机中、真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热。接着以DC电源溅镀一层50nm厚的氧化铟锡(In2O3+10%Sn)薄膜，即形成所需的Glass/ITO的层膜结构，然后使用可见光谱仪进行透光度量测，使用四点探针电阻测试仪进行电性的量测。
各实施例和对比例制得的透明导电氧化铟锡薄膜的性能如下表所示：
从上表结果可以看出，本发明采用的注浆成型方法制得的新成份氧化铟锡锌靶材，由于藉由高含量的氧化锌及氧化锡的添加降低了材料的价格，经由真空溅镀所制的多层膜结构，经由适当的厚度控制能够有效提高透光度，中间金属层的添加大幅降低电阻，满足了触控屏及薄膜光电池用透明电极及导线的性能要求。
Claims (9)
1.一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征在于：导电氧化铟锡锌材料中氧化锡质量分数含量为10-45%，氧化锌的质量分数含量1-20%，余量为氧化铟，将上述原料使用氧化锆球、纯水及分散剂研磨充分混合，研磨时间24小时，然后将浆料灌入三寸的多孔性模具中，经过干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体，然后经过1400-1550℃的高温烧结，即能形成溅镀用高密度靶材胚体，经切割与表面研磨成氧化铟锡锌(ITZO)靶材；
采用多层结构设计，首先在玻璃或可挠性PET基板上先溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，接着溅镀5-15nm的银或银合金薄膜，最后在溅镀10-50nm的氧化铟锡锌薄膜，形成三明治结构的薄膜，使得薄膜在<150℃状态下溅镀成膜。
2.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征在于：氧化锡及氧化锌相加的总含量不大于50%。
3.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征在于：银合金为Ag-0.5Ti或Ag-0.5Ti-1.0Cu。
4.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征在于：所述溅镀用纯银靶材或银合金靶材的制备，使用周波炉，在1100℃溶解纯银或银合金颗料，然后浇注在铸铁模具中在加工成3寸靶材备用。
5.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征是其溅镀过程为：首先将玻璃或PET基板、纯银靶材及氧化铟锡锌靶材放入真空溅镀机中，真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后，利用氩气当作工作气体，透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10-3torr，玻璃基板不加热，然后进行溅镀。
6.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征是导电氧化铟锡锌材料中优选含量为：氧化锡质量分数含量为20-35%，氧化锌的质量分数含量5-10%，余量为氧化铟。
7.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征是导电氧化铟锡锌材料中还优选含量为：氧化锡质量分数含量为20-25%，氧化锌的质量分数含量8-10%，余量为氧化铟。
8.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征在于：所述分散剂为羧酸盐类。
9.根据权利要求1所述的一种制备新型导电氧化铟锡锌材料及薄膜的方法，其特征是质量比为：导电氧化铟锡锌材料: 氧化锆球:纯水:分散剂=1:3:0.25:0.02。
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