CN103501998A - 用于半导体器件的层压结构 - Google Patents

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Abstract

描述了利用层压玻璃基板（例如，离子交换玻璃基板）的制品以及用于制造这些制品的方法，其中层压玻璃基板具有挠性玻璃或聚合物且具有可能对碱迁移敏感的半导体器件。

Description

用于半导体器件的层压结构
本申请根据35U.S.C.§119要求2011年5月6日提交的美国临时申请S/N：61/483175的优先权以及根据§120要求2012年5月2日提交的美国申请S/N：13/461931的优先权，本申请基于该申请的内容并且该申请的内容通过引用而整体结合于此。
背景技术
技术领域
各实施例一般涉及使用层压结构的制品，尤其涉及使用具有挠性玻璃层或聚合物层的强化玻璃作为底板基板的半导体器件及其制造方法。
技术背景
随着半导体器件，诸如电子阅读器、显示设备、光伏设备、薄膜晶体管（TFT）以及其它电子小机件，持续得到全世界的接受，对更高的设备机械耐用性的要求也增长了。对于使用玻璃作为底板基板的那些当前产品，与地板的碰撞、恶劣的环境条件或者类似事件会导致设备故障。例如，玻璃底板基板的破裂是当前电子阅读器的主要故障模式。
设备制造商认为玻璃限制设备耐用性，并且已经尝试用诸如金属板（例如铝或不锈钢）以及聚合物膜（聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯）之类的其它材料来替代它。尽管金属和聚合物膜是非易碎的，但是这些材料同样具有限制。金属膜通常太粗糙并且需要平面化层。聚合物膜倾向于与溶剂不相容并且具有热尺寸限制。
理想的基板将能够经受升高的温度，提供具有低粗糙度的表面，不受处理溶剂的影响，以及能够经受日常最终产品类型滥用。如果它具有比通常结合的底板玻璃基板更高的耐用性，那么玻璃会是理想的基板选择。
使用层压结构创建机械耐用的半导体器件底板将是有利的，例如利用不具有碱金属离子污染物的缺点的强化玻璃基板的层压结构。
发明内容
一个可能是使用强化玻璃，诸如
Figure BDA0000409215170000023
（康宁公司的注册商标）玻璃作为底板基板。但是，离子交换
Figure BDA0000409215170000024
玻璃在表面上具有大量钠和钾，而碱金属在半导体器件操作和制造（例如，TFT制造）中是不利的。自由碱金属离子可污染典型硅（Si）TFT器件，且含碱玻璃在用于制造Si TFT的典型高温真空处理步骤中将被避免。使用无碱玻璃对于Si TFT制造是可接受的，但是无碱玻璃当前并不具有强化玻璃（例如，离子交换玻璃）的机械可靠性。另一方面，有机TFT不需要高温处理。如果存在合适的碱离子屏障，半导体器件（例如，有机TFT）可被制造到机械耐用的强化玻璃上（例如，离子交换底板）。
一个实施例是一种制品，该制品包括：玻璃基板，该玻璃基板具有第一表面和第二表面，其中基板是含碱玻璃；以及挠性玻璃层，该挠性玻璃层具有弯曲成30cm或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面，其中挠性玻璃层的第一表面邻近玻璃基板的第二表面，且其中该层是无碱玻璃。
另一实施例是一种制品，该制品包括：玻璃基板，该玻璃基板具有第一表面和第二表面；挠性玻璃层，该挠性玻璃层具有弯曲成3厘米（cm）或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面，其中挠性玻璃层的第一表面邻近玻璃基板的第二表面；以及器件，该器件包括与挠性玻璃层的第二表面邻近的半导体膜。
另一实施例是一种制品，该制品包括：强化玻璃基板，其具有第一表面和第二表面且具有至少20千克力（kgf）的Vickers裂纹萌生阈值；聚合物层，其具有第一表面和第二表面，其中聚合物层的第一表面邻近强化玻璃基板的第二表面；以及器件，其包括与聚合物层的第二表面邻近的半导体膜。
另一实施例是一种方法，该方法包括：提供玻璃基板，该玻璃基板具有第一表面和第二表面；施加挠性玻璃层，该挠性玻璃层具有弯曲成3cm或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面，其中挠性玻璃层的第一表面邻近玻璃基板的第二表面；以及形成器件，该器件包括与挠性玻璃层的第二表面邻近的半导体膜。
另一实施例是一种方法，该方法包括：提供强化玻璃基板，该强化玻璃基板具有第一表面和第二表面且具有至少20kgf的Vickers裂纹萌生阈值；施加聚合物层，该聚合物层具有第一表面和第二表面，其中聚合物层的第一表面邻近强化玻璃基板的第二表面；以及形成器件，该器件包括与聚合物层的第二表面邻近的半导体膜。
在以下的详细描述中陈述了本发明的附加特征和优点，其中的部分特征和优点对本领域的技术人员而言根据所作描述就容易理解，或者通过实施详细描述、权利要求书以及附图所述的本发明而被认识。
可以理解，以上一般描述和以下详细描述两者仅仅是对本发明的示例性说明，并且它们旨在提供用于理解所要求保护的本发明的本质和特性的概观或框架。
所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，且被结合到本说明书中并构成其一部分。附图示出本发明的一个或多个实施例，并与本描述一起用于说明本发明的原理和操作。
附图说明
单独地或与附图一起地根据以下详细描述可理解本发明。
图1是根据一个实施例的制品的示意图。
图2是根据一个实施例的制品的示意图。
图3是根据一个实施例的制品的示意图。
图4是示出底栅顶接触（BG-TC）TFT器件的侧视图。
图5是示出底栅底接触（BG-BC）TFT器件的侧视图。
图6是示出顶栅底接触（TG-BC）TFT器件的侧视图。
图7是示出顶栅顶接触（TG-TC）TFT器件的侧视图。
图8是层压在具有有机薄膜晶体管（OTFT）器件的薄挠性玻璃层上的电泳显示（EPD）的照片。
图9是示出示例性离子交换玻璃基板在各种厚度处的环上环（ring on ring）负载故障的图。
具体实施方式
现在将详细参看各实施例。
如本文所使用的，术语“基板”可用于描述基板或者上板（superstrate），这取决于器件的配置。例如，如果当将基板装配到例如光伏电池中时，基板是上板，它位于光伏电池的光入射侧。上板可为光伏材料提供保护使其免受碰撞和环境劣化影响同时允许透射太阳光谱的适当波长。另外，多个光伏电池可被布置到光伏模块中。光伏器件可描述电池、模块或两者。
如本文所使用的，术语“邻近”可被定义为位于附近。邻近的结构可以或者可以不彼此物理接触。邻近的结构可在它们之间设置有其它层和/或结构。
如图1所示，一个实施例是一种制品100，制品100包括：玻璃基板10，该玻璃基板10具有第一表面12和第二表面14，其中基板是含碱玻璃；以及挠性玻璃层16，该挠性玻璃层16具有弯曲成30cm或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面，其中挠性玻璃层的第一表面邻近玻璃基板的第二表面，且其中该层是无碱玻璃。半导体膜可邻近于挠性玻璃层或者可设置在挠性玻璃层上。在一些实施例中，半导体膜位于包括该半导体膜的器件中。在一个实施例中，制品是例如电子阅读器、显示设备、光伏器件或TFT器件中的底板。
如图1所示，一个实施例是制品100，该制品100包括：玻璃基板10，该玻璃基板10具有第一表面12和第二表面14；挠性玻璃层16，该挠性玻璃层16具有弯曲成30cm或更大的半径的能力且具有第一表面18和第二表面20，其中挠性玻璃层16的第一表面18邻近玻璃基板10的第二表面14；以及器件22，器件22包括与挠性玻璃层16的第二表面20邻近的半导体膜。
在一个实施例中，挠性玻璃层被置于玻璃基板上，例如，挠性玻璃层与玻璃基板物理接触。在一个实施例中，挠性玻璃层是无碱玻璃。无碱玻璃可以不含故意添加的碱（例如，在玻璃成分中作为批量），或者例如，具有0.05重量百分比或更少的碱含量，例如，0重量百分比的碱。挠性玻璃层可以是玻璃板的形式。在一个实施例中，挠性玻璃层或板是透明的。
挠性玻璃层可由无碱玻璃成分制成且被拉伸成<300微米（um）的厚度。例如，挠性玻璃可具有300um或更小的平均厚度，例如200um或更小，例如100um或更小，例如50um或更小。在一个实施例中，挠性玻璃层具有150um或更小的平均厚度。挠性玻璃可具有典型熔化拉伸液晶显示器（LCD）基板的尺寸公差和表面质量以使得能够在其表面上制造高性能TFT。在一些实施例中，挠性玻璃能够具有30cm或更大、25cm或更大、20cm或更大、15cm或更大、10cm或更大、5cm或更大、3cm或更大、或者1cm或更大的最小弯曲半径。挠性玻璃能够具有该最小弯曲半径而不破裂、破碎和/或断裂。
在一个实施例中，器件被置于挠性玻璃层上，例如，器件与挠性玻璃层物理接触。
根据一个实施例且如图1所示，制品还包括可选的粘合层24，该粘合层24设置在挠性玻璃层16和玻璃基板10之间。在一个实施例中，当存在粘合层时，粘合层是层压层且挠性玻璃层被层压至玻璃基板。该层压层可以是有机或无机粘性膜。作为另一示例，粘合层24可以是光或热固化的粘性层。压敏粘合剂、光可固化有机粘合剂、硅酮膜和热固化粘合剂、诸如玻璃料之类的无机层是粘合层24的示例。
在一个实施例中，玻璃基板是玻璃板的形式。在一个实施例中，玻璃基板包括强化玻璃，强化玻璃具有至少20kgf的维氏（Vickers）裂纹萌生阈值。玻璃基板可以是离子交换玻璃。玻璃基板可以是平面或非平面的，例如，玻璃基板可以单一或可变半径来弯曲。
根据一些实施例，玻璃基板具有4.0mm或更小的厚度，例如3.5mm或更小，例如3.2mm或更小，例如3.0mm或更小，例如2.5mm或更小，例如2.0mm或更小，例如1.9mm或更小，例如1.8mm或更小，例如1.5mm或更小，例如1.1mm或更小，例如0.5mm到2.0mm，例如0.5mm到1.1mm，例如0.7mm到1.1mm。尽管这些是示例性厚度，但是玻璃基板可具有在从0.1mm直至4.0mm并包括4.0mm的范围中的包括小数位的任何数值的厚度。
在一个实施例中，功能层被设置在玻璃基板的第一表面上。功能层可选自防眩层、防污层、自洁层、防反射层、防指印层、光散射层以及其组合。
如图3所示，另一个实施例是制品300，该制品300包括：强化玻璃基板10，其具有第一表面12和第二表面14且具有至少20kgf的维式(Vickers)裂纹萌生阈值；聚合物层26，其具有第一表面28和第二表面30，其中聚合物层26的第一表面28邻近强化玻璃基板10的第二表面14；以及器件22，其包括与聚合物层26的第二表面30邻近的半导体膜。
在一个实施例中，强化玻璃基板是玻璃板的形式。强化玻璃基板可以是离子交换玻璃。强化玻璃基板可以是平面的或非平面的，例如，强化玻璃基板可以单一或可变半径来弯曲。如图2所示，挠性玻璃基板16可粘合至弯曲的强化玻璃基板10的凹面。未示出的替换示例是：挠性玻璃基板16还可粘合至弯曲的强化玻璃基板10的凸面。
被设计用于诸如消费者电子设备以及期望高耐损级别的其它区域之类的应用的玻璃常常通过热手段（例如，热回火）或化学手段来强化。离子交换被广泛用于此类应用的化学强化玻璃制品。在该过程中，含有第一金属离子（例如，Li2O、Na2O等中的碱阳离子）的玻璃制品至少部分地浸没在离子交换电解液或介质中或者以其他方式与其相接触，该离子交换电解液或介质含有第二金属离子，该第二金属离子比玻璃中存在的第一金属离子更大或更小。第一金属离子从玻璃表面扩散到离子交换电解液/介质中，而来自离子交换电解液/介质的第二金属离子替换玻璃中的第一金属离子直至玻璃表面之下的层深度。用较大离子替代玻璃中的较小离子在玻璃表面产生压应力，而用较小离子替代玻璃中的较大离子通常在玻璃表面处产生张应力。在一些实施例中，第一金属离子和第二金属离子是单价碱金属离子。但是，诸如Ag+、Tl+、Cu+等其它单价金属离子也可用于离子交换过程。
在一个实施例中，玻璃基板是含碱玻璃，例如，玻璃具有至少一种故意添加的碱金属，诸如K、Na、Li、Cs或Rb。在一个实施例中，玻璃基板包括K、Na或其组合。玻璃基板可包括大于零重量百分比的碱，例如大于5，例如大于10，例如大于12，例如大于15，例如大于20重量百分比的碱，例如大于零至25重量百分比的碱。在一个实施例中，玻璃基板是钠钙玻璃、铝硼硅酸盐、碱铝硼硅酸盐、铝硅酸盐或碱铝硅酸盐。在一个实施例中，玻璃基板是强化玻璃基板。在一个实施例中，强化玻璃基板是离子交换玻璃基板。
在一个实施例中，玻璃基板包括强化玻璃，其中玻璃被离子交换至离玻璃表面至少20um的层深度。
在一个实施例中，本文所述的强化玻璃基板当通过离子交换化学地强化时，展示出至少约5kgf（千克力）的Vickers裂纹萌生阈值，在一些实施例中为至少约10kgf，在一些实施例中以及在其它实施例中为至少约20kgf，例如至少约30kgf。图9是示出示例性离子交换玻璃基板（例如，
Figure BDA0000409215170000071
玻璃）在各种厚度处的环上环负载故障的图。
在一个实施例中，功能层被设置在强化玻璃基板的第一表面上。功能层可选自防眩层、防污层、自洁层、防反射层、防指印层、防分裂层、光散射层以及其组合。
另一实施例是一种方法，该方法包括：提供玻璃基板，该玻璃基板具有第一表面和第二表面；施加挠性玻璃层，该挠性玻璃层具有弯曲成3cm或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面，其中挠性玻璃层的第一表面邻近玻璃基板的第二表面；以及形成器件，该器件包括与挠性玻璃层的第二表面邻近的半导体膜。
在一个实施例中，该方法包括将挠性玻璃板的非常薄的层施加在离子交换玻璃板上。无碱的挠性玻璃板可利用有机粘合剂或玻璃-玻璃接合过程（例如，卷对卷式方法）来接合。基本无碱的挠性玻璃板可有效地阻止碱离子从离子交换玻璃板迁移。根据一个实施例，在挠性玻璃板被接合到离子交换玻璃板之后，TFT可被制造在挠性玻璃板上。
另一实施例是一种方法，该方法包括：提供强化玻璃基板，该强化玻璃基板具有第一表面和第二表面且具有至少20kgf的Vickers裂纹萌生阈值；施加聚合物层，该聚合物层具有第一表面和第二表面，其中聚合物层的第一表面邻近强化玻璃基板的第二表面；以及形成器件，该器件包括与聚合物层的第二表面邻近的半导体膜。
聚合物层可通过溶液处理方法来沉积。聚合物可被热固化（交联的）或光固化（交联的）。聚合物层可以是在<200℃制造的后续底板的隔离和绝缘层。该方法适于诸如利用有机半导体材料制造的那些之类的TFT。
在挠性玻璃层或聚合物层被施加到玻璃基板之后，包括半导体膜的器件可被制造在挠性玻璃层或聚合物层的第二表面上。例如，有机TFT器件可包括：离子交换玻璃基板，其包括挠性玻璃层或聚合物层。可在挠性玻璃层或聚合物层上形成栅电极、介电层、漏电极、源电极以及有机半导电沟道层。可按不同顺序堆叠这些层以形成横向或垂直配置的晶体管器件。有机半导电沟道层包括半导电小分子、低聚物和/或聚合物。介电层可由能够在200℃或低于200℃下作为膜施加的任何有机或无机材料组成。这样，产生机械耐用底板。
在另一方法中，在将挠性玻璃层层压到离子交换玻璃基板之前，可在无碱的挠性玻璃层上制造Si、氧化物或其它TFT。这允许在底板制造期间使用工艺兼容的挠性玻璃。随后将它接合到离子交换玻璃便产生机械耐用堆叠。
图4-7示出包括TFT器件的制品的实施例。如本文所使用的，术语“底栅顶接触晶体管”是指包括如图4所示的示例性结构的TFT器件。将栅电极32沉积在位于玻璃基板、强化玻璃基板或离子交换玻璃基板10（根据前述实施例中的任何一个）上的挠性玻璃层或聚合物层（16或26，分别地以及根据前述实施例中的任何一个）上，接下来沉积介电层34以及随后沉积半导电层36。漏电极38和源电极40分别进一步沉积在半导电层36之上。
术语“底栅底接触晶体管”是指包括如图5所示的示例性结构的TFT器件。将栅电极32沉积在位于玻璃基板、强化玻璃基板或离子交换玻璃基板10（根据前述实施例中的任何一个）上的挠性玻璃层或聚合物层（16或26，分别地以及根据前述实施例中的任何一个）上，接下来沉积介电层34以及随后分别沉积漏电极38和源电极40。半导电层36进一步沉积在这些下面的层之上。
术语“顶栅底接触晶体管”是指包括如图6所示的示例性结构的TFT器件。漏电极38和源电极40分别沉积在位于玻璃基板、强化玻璃基板或离子交换玻璃基板10（根据前述实施例中的任何一个）上的挠性玻璃层或聚合物层（16或26，分别地以及根据前述实施例中的任何一个）上。半导电层36随后沉积在顶上，接下来沉积的是介电层34以及随后沉积的栅电极32。
术语“顶栅顶接触晶体管”是指包括如图7所示的示例性结构的TFT器件。将半导电层36沉积在位于玻璃基板、强化玻璃基板或离子交换玻璃基板10（根据前述实施例中的任何一个）上的挠性玻璃层或聚合物层（16或26，分别地以及根据前述实施例中的任何一个）上，接下来分别沉积漏电极38和源电极40。介电层34进一步沉积在顶上，接下来沉积的是栅电极32。
示例1
离子交换玻璃上的有机底栅顶接触TFT
TFT器件可通过将诸如噻吩共聚物之类的有机半导电材料的薄层溶液涂布到聚合物介电层上来制造。
该示例性方法包括：在丙酮中且随后在异丙醇中通过使用超声来清洗离子交换玻璃基板；以2埃每秒（
Figure BDA0000409215170000094
）沉积图案化的金（Au）栅电极30nm；以1000转每分钟（rpm）在丙二醇甲基醚醋酸酯（Propylene Glycol Methyl Ether Acetate，PGMEA）和三聚氰胺中旋涂11重量百分比（wt%）（膜厚度～800纳米（nm）到1um）聚乙烯基苯酚（poly vinyl-phenol，PVP）溶液的混合物30秒（sec）；以及通过紫外线（UV）光固化该层少于3分钟。该方法还包括：在1，2-二氯苯中溶解3毫克每毫升（mg/mL）的P2TDC17FT4（有机半导电聚合物），并旋涂该溶液；在电炉上以100℃退火整个器件30分钟；以及以
Figure BDA0000409215170000095
沉积Au源电极和漏电极30nm。
示例2
将挠性玻璃层接合到离子交换玻璃基板并在挠性玻璃层上制造晶体管
如前所述，挠性玻璃基板可接合到机械耐用的离子交换玻璃基板以产生复合结构。该复合结构提供无碱的挠性玻璃表面用于高质量TFT制造和性能。它还提供离子交换玻璃的高机械耐用性。
挠性玻璃层可由无碱玻璃成分制成且被拉伸成<300um的厚度。例如，挠性玻璃可具有300um或更小的厚度，例如200um或更小，例如100um或更小，例如50um或更小。挠性玻璃可具有典型熔化拉伸LCD基板的尺寸公差和表面质量以使得能够在其表面上制造高性能TFT。
离子交换玻璃基板可具有<1.5mm的厚度且具有与
Figure BDA0000409215170000096
玻璃以及完全集成触摸（FIT）产品基板的那些典型特性类似的机械耐用性特性。例如，它可具有使得能够在预切割成最终尺寸的器件基板上制造底板的压缩层，或者它可使得能够在尺寸为大约1m x1m的基板或者更大或类似基板上（这些基板随后被切割成最终形状）制造底板。
挠性玻璃可通过层压或其它接合方法接合到离子交换玻璃的表面。挠性玻璃可具有与离子交换玻璃相同的尺寸，或者挠性玻璃可远小于离子交换玻璃且使得若干分立的挠性玻璃片跨离子交换玻璃表面接合。为了与有机半导体器件的低温处理要求相兼容，挠性玻璃可通过使用压敏粘合剂（PSA）（例如，由硅酮或丙烯酸脂粘合剂制成）来接合。典型PSA膜的厚度范围为12.5到50um。挠性玻璃也可通过使用施加到挠性玻璃或离子交换玻璃的可固化粘性剂来接合。该粘性剂也可以是热或UV（光）固化的。
如前所述，可在挠性玻璃接合到离子交换玻璃基板之前或之后，将半导体器件制造在挠性玻璃表面上。如果半导体器件在粘合之前被制造，那么可通过本领域已知的方法来制造这些器件，例如批处理、连续板馈送或者卷对卷式方法。这些方法利用挠性玻璃相比于聚合物膜的尺寸稳定性。
在器件已被完全或部分制造之后，如果需要，则可以使用诸如激光切割之类的高强度切割方法来使各个器件基板单片化。这实现了具有高强度表面和边缘两者的机械耐用的器件底板。
示例3
在挠性玻璃层上构建的有机TFT器件
为了说明在挠性玻璃上制造有机半导体器件的能力，在100um厚的挠性玻璃基板上制造有机TFT底板。OTFT的制造开始于有机硬涂层，该有机硬涂层被旋涂在挠性玻璃上作为助粘剂。源电极和漏电极通过热蒸发的金形成于有机硬涂层上。高度空气稳定的聚合物半导体随后被旋涂且通过光刻图案化。510nm厚的聚乙烯基苯酚（polyvinyl-phenol，PVP）的介电层被沉积，且随后形成由50nm金金属制成的栅电极。最后，旋涂30nm厚的有机夹层膜，且再次通过光刻完成对该膜的图案化。注意，穿过夹层和介电层到达漏电极的通孔是通过感应耦合等离子体反应离子蚀刻机来完成的。当在挠性玻璃上制造4.7英寸的底板时，注意到与先前在聚萘二甲酸乙二醇酯（olyethylene napthalate，PEN）基板上构建的器件相比，低热膨胀在独立光刻工艺之间实现了更好的对准。
在制造底板之后，层压由Sipix Imaging公司提供的EPD膜以形成AM-EPD器件。使用热层压过程在100℃的层压温度下将EPD前板集成在OTFT上。
图8是层压在具有有机薄膜晶体管（OTFT）器件的薄挠性玻璃层上的电泳显示（EPD）的照片。
本文所述实施例可提供以下优点中的一个或多个：提供在强化玻璃（例如，离子交换玻璃基板）上制造TFT和电路的实用方法，且促进将强化玻璃（例如，离子交换玻璃）作为合适的基板用于显示底板；允许在强化玻璃（例如，离子交换玻璃）上制造电子器件而不改变玻璃的较高抗压强度；和/或提供使离子交换玻璃上的离子向电子器件的活性层中的迁移最小化的容易方法。
对本领域的技术人员来说很明显，可对本发明进行各种更改和改变而不背离本发明的精神和范围。因而，本发明旨在涵盖本发明的所有这些修改和变型，只要它们落在所附权利要求书及其等效物的范围中即可。

Claims (33)

1.一种制品，包括：
玻璃基板，其具有第一表面和第二表面，其中所述基板是含碱玻璃；以及
挠性玻璃层，其具有弯曲成30cm或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面，其中所述挠性玻璃层的所述第一表面邻近所述玻璃基板的所述第二表面，且其中所述层是无碱玻璃。
2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述玻璃基板是强化玻璃。
3.如权利要求2所述的制品，其特征在于，所述玻璃基板是离子交换玻璃。
4.如权利要求1所述的制品，其特征在于，还包括与所述挠性玻璃层的所述第二表面邻近的半导体膜。
5.一种制品，包括：
玻璃基板，其具有第一表面和第二表面；
挠性玻璃层，其具有弯曲成30cm或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面，其中所述挠性玻璃层的所述第一表面邻近所述玻璃基板的所述第二表面；以及
器件，其包括与所述挠性玻璃层的所述第二表面邻近的半导体膜。
6.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述玻璃是钠钙玻璃、铝硼硅酸盐、碱铝硼硅酸盐、铝硅酸盐或碱铝硅酸盐。
7.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述挠性玻璃层设置于所述玻璃基板上。
8.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述器件设置于所述挠性玻璃层上。
9.如权利要求5所述的制品，其特征在于，还包括设置在所述挠性玻璃层和所述玻璃基板之间的接合层。
10.如权利要求9所述的制品，其特征在于，所述接合层是层压层且所述挠性玻璃层被层压到所述玻璃基板。
11.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述挠性玻璃层是无碱玻璃。
12.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述挠性玻璃层是玻璃板。
13.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述玻璃基板是玻璃板。
14.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述玻璃基板包括强化玻璃，其中所述玻璃被离子交换至离所述玻璃的表面至少20um的层深度。
15.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述玻璃基板是离子交换玻璃。
16.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述玻璃基板具有至少20kgf的Vickers裂纹萌生阈值。
17.如权利要求5所述的制品，其特征在于，还包括设置在所述玻璃基板的所述第一表面上的功能层。
18.如权利要求17所述的制品，其特征在于，所述功能层选自防眩层、防污层、自洁层、防反射层、防指印层、光散射层以及其组合。
19.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述玻璃基板是弯曲的。
20.如权利要求5所述的制品，其特征在于，所述器件选自光伏器件、薄膜晶体管、二极管以及显示器件。
21.一种制品，包括：
强化玻璃基板，其具有第一表面和第二表面且具有至少20kgf的Vickers裂纹萌生阈值；
聚合物层，其具有第一表面和第二表面，其中所述聚合物层的所述第一表面与所述强化玻璃基板的所述第二表面邻近；以及
器件，其包括与所述聚合物层的所述第二表面邻近的半导体膜。
22.如权利要求21所述的制品，其特征在于，所述聚合物层包括热或光可固化材料。
23.如权利要求21所述的制品，其特征在于，所述强化玻璃基板是离子交换玻璃。
24.如权利要求21所述的制品，其特征在于，还包括设置在所述强化玻璃基板的所述第一表面上的功能层。
25.如权利要求21所述的制品，其特征在于，所述功能层选自防眩层、防污层、自洁层、防反射层、防指印层、光散射层以及其组合。
26.如权利要求21所述的制品，其特征在于，所述强化玻璃基板是弯曲的。
27.如权利要求21所述的制品，其特征在于，所述器件选自光伏器件、薄膜晶体管、二极管以及显示器件。
28.一种方法，包括：
提供具有第一表面和第二表面的玻璃基板；
施加具有弯曲成30cm或更大的半径的能力且具有第一表面和第二表面的挠性玻璃层，其中所述挠性玻璃层的所述第一表面邻近所述玻璃基板的所述第二表面；以及
形成包括与所述挠性玻璃层的所述第二表面邻近的半导体膜的器件。
29.如权利要求28所述的方法，其特征在于，所述挠性玻璃层包括无碱玻璃，且其中所述施加所述挠性玻璃层包括在形成所述器件之前将所述无碱玻璃设置在所述玻璃基板上。
30.如权利要求28所述的方法，其特征在于，所述挠性玻璃层包括无碱玻璃，且其中所述施加所述挠性玻璃层包括在形成所述器件之后将所述无碱玻璃设置在所述玻璃基板上。
31.如权利要求28所述的方法，其特征在于，将所述挠性玻璃层施加到所述玻璃基板包括将所述层与所述基板卷到一起使得在所述层和板之间形成真空接合。
32.如权利要求28所述的方法，其特征在于，所述施加包括将所述无碱玻璃层压到或粘性接合到所述玻璃基板。
33.一种方法，包括：
提供具有第一表面和第二表面且具有至少20kgf的Vickers裂纹萌生阈值的强化玻璃基板；
施加具有第一表面和第二表面的聚合物层，其中所述聚合物层的所述第一表面与所述强化玻璃基板的所述第二表面邻近；以及
形成包括与所述聚合物层的所述第二表面邻近的半导体膜的器件。
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