CN103493336A - 谐振型非接触供电系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了谐振型非接触供电系统（10）。谐振型非接触供电系统（10）包括传输侧金属屏蔽件（80），以覆盖在初级线圈（30）和初级谐振线圈（35）周围的区域。传输侧同轴电缆（60）的同轴电缆外导体（64）的一端连接到传输侧金属屏蔽件（80）的屏蔽件底部（84），并且同轴电缆外导体（64）的另一端连接到高频电源（20）的电源外壳（24）。

Description

谐振型非接触供电系统

技术领域

本发明涉及谐振型非接触供电系统。

背景技术

电力通过非接触系统供应到负载装置的技术众所周知。作为应用了该技术的产品，移动电话充电系统已经基本上普及。此外，近年来，非接触供电系统实际上甚至用作电动车辆供电系统，并且建立各种标准。

有各种类型的非接触供电系统。电动汽车的供电系统是图1所示的谐振型非接触供电系统，所述谐振型非接触供电系统极具吸引力并且其基本原理由MIT（麻省理工学院）开发和论证（例如，参照专利文献1）。在图中所示的谐振型非接触供电系统中，高频电源与传输回路（初级线圈）直接连接，并且接收回路（次级线圈）与负载直接连接。所述系统为非接触地传输电力的谐振系统。具体地，传输侧（初级）装置包括高频电源、传输回路和初级谐振线圈。接收侧（次级）装置包括次级谐振线圈、次级线圈和负载。所述系统中传输侧装置和接收侧装置优点在于能够通过谐振磁性耦合（电磁耦合）以高传输效率（有时约50%）为间隔几米的位置供应电力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开号2009-501510

发明内容

技术问题

在图1所示的MIT技术中，假定电源部（高频电源和传输回路）、谐振部（初级谐振线圈和次级谐振线圈）和负载部（接收回路和负载）成为谐振系统。然而，当非接触供电系统安装于电子装置或者汽车供电系统中时，追加的组件变得有必要。当图1系统安装于实际系统中时的系统结构实施例如图2所示。如图所示，在实际系统中，在电源与初级谐振部之间的传输通道和在次级谐振部与负载之间的传输通道有必要，并且在谐振系统中包括这些传输通道。因此，在传输通道（传输线）中也发生电磁耦合。因此，问题在于，由来自电源外壳以及AC线的FG线的感应电流引起了辐射电磁场。更具体地，例如，如图3中传统谐振型非接触供电系统510所示，同轴电缆（传输侧同轴电缆60和接收侧同轴电缆70）经常用在连接于初级谐振线圈35和次级谐振线圈45的传输通道中。通过使用AC电缆590，电力供应给高频电源20。在这些同轴电缆（60，70）或者AC电缆590周围出现辐射电磁场。如图4所示，当同轴电缆（60，70）用在连接到谐振型非接触供电系统510的初级谐振线圈35和次级谐振线圈45的传输通道中时，优点在于，特性阻抗不均匀性和传输损耗能够减少，而感应电流经过同轴电缆外导体64外部从传输侧同轴电缆60与初级线圈30的接合部特别流入电源的接地（GND）。因此，从初级侧发生辐射电磁场。在次级侧，全部电磁场都不从次级谐振线圈45耦合到次级线圈40，一部分电磁场与同轴电缆外导体74耦合，并且出现感应电流，感应电流变为传输损耗。这是辐射电磁场原因。

屏蔽整个辐射源，即，屏蔽电源外壳24和AC电缆590的技术视为传统措施。然而，因为该技术导致操作电源麻烦，或者辐射源可能必须比出口屏蔽远得多，所以需要更现实技术。

鉴于这些情况作出本发明，并且本发明目的是提供解决以上问题的技术。

问题的解决方法

根据本发明一个方面，提供了谐振型非接触供电系统，所述谐振型非接触供电系统包括传输侧谐振线圈部和接收侧谐振线圈部，并且所述谐振型非接触供电系统通过非接触谐振效应将电力从传输侧谐振线圈部传输到接收侧谐振线圈部，所述谐振型非接触供电系统还包括：传输侧同轴电缆，所述传输侧同轴电缆电气连接高频电源与所述传输侧谐振线圈部；和良导体第一传输侧屏蔽部，所述良导体第一传输侧屏蔽部从外部覆盖所述传输侧谐振线圈部，其中所述传输侧同轴电缆的外导体连接所述第一传输侧屏蔽部与所述高频电源的外壳。

所述谐振型非接触供电系统还可以包括：接收侧同轴电缆，所述接收侧同轴电缆电气连接负载装置与所述接收侧谐振线圈部；和良导体第一接收侧屏蔽部，所述良导体第一接收侧屏蔽部从外部覆盖所述接收侧谐振线圈部，其中所述接收侧同轴电缆的外导体连接所述第一接收侧屏蔽部与所述负载装置的外壳。

所述谐振型非接触供电系统还可以包括：良导体第二传输侧屏蔽部，所述良导体第二传输侧屏蔽部从外部覆盖所述第一传输侧屏蔽部；和良导体传输侧同轴电缆屏蔽部，所述良导体传输侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述传输侧同轴电缆并且电气连接所述第二传输侧屏蔽部与所述高频电源的外壳。

所述谐振型非接触供电系统还可以包括：良导体第二传输侧屏蔽部，所述良导体第二传输侧屏蔽部从外部覆盖所述第一传输侧屏蔽部；良导体传输侧同轴电缆屏蔽部，所述良导体传输侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述传输侧同轴电缆并且电气连接所述第二传输侧屏蔽部与所述高频电源的外壳；良导体第二接收侧屏蔽部，所述良导体第二接收侧屏蔽部从外部覆盖所述第一接收侧屏蔽部；和良导体接收侧同轴电缆屏蔽部，所述良导体接收侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述接收侧同轴电缆并且电气连接所述第二接收侧屏蔽部与覆盖负载装置外壳的外壳。

所述第二传输侧屏蔽部和所述第二接收侧屏蔽部包括分别从所述第二传输侧屏蔽部和所述第二接收侧屏蔽部的相对端向外延伸的表面。

根据本发明另一个方面，提供了谐振型非接触供电系统，所述谐振型非接触供电系统包括传输侧谐振线圈部和接收侧谐振线圈部，并且所述谐振型非接触供电系统通过非接触谐振效应将电力从传输侧谐振线圈部传输到接收侧谐振线圈部，所述谐振型非接触供电系统还包括：接收侧同轴电缆，所述接收侧同轴电缆电气连接负载装置与所述接收侧谐振线圈部；和良导体第一接收侧屏蔽部，所述良导体第一接收侧屏蔽部从外部覆盖所述接收侧谐振线圈部，其中所述接收侧同轴电缆的外导体连接所述第一接收侧屏蔽部与所述负载装置的外壳。

所述谐振型非接触供电系统还可以包括：良导体第二接收侧屏蔽部，所述良导体第二接收侧屏蔽部从外部覆盖所述第一接收侧屏蔽部；和良导体接收侧同轴电缆屏蔽部，所述良导体接收侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述接收侧同轴电缆并且电气连接所述第二接收侧屏蔽部与覆盖负载装置外壳的外壳。

本发明有益效果

根据本发明，可提供减少谐振型非接触供电系统中不必要的辐射电磁场的技术。

附图说明

图1是说明现有技术谐振型非接触供电系统的基本原理的图。

图2是示意性示出当图1中现有技术谐振型非接触供电系统安装于实际系统中时该谐振型非接触供电系统的结构的图。

图3是说明在现有技术谐振型非接触供电系统中发生不必要的辐射电磁场的图。

图4是说明由于现有技术谐振型非接触供电系统中不必要辐射电磁场的传输损耗的图。

图5是示出本发明第一实施方案的谐振型非接触供电系统的结构的示意方框图。

图6是示出本发明第二实施方案的谐振型非接触供电系统的结构的示意方框图。

图7是示出根据本发明第二实施方案的，作为比较例的现有谐振型非接触供电系统中电磁场强度的测量数据的图。

图8是示出根据本发明第二实施方案的，在谐振型非接触供电系统中电磁场强度的测量数据的图。

图9是示出根据本发明第二实施方案的，测量作为比较例现有谐振型非接触供电系统中电磁场强度的系统的结构的图。

图10是示出根据本发明第二实施方案的，测量谐振型非接触供电系统中电磁场强度的系统的结构的图。

参考标号列表

10  谐振型非接触供电系统

20  高频电源

22  振荡源

24  电源外壳

30  初级线圈

35  初级谐振线圈

40  次级线圈

45  次级谐振线圈

50  负载装置

52  负载

54  负载外壳

60  传输侧同轴电缆

62，72 同轴电缆内导体

64，74 同轴电缆外导体

70  接收侧同轴电缆

80  传输侧金属屏蔽件

82，92 屏蔽件侧壁

84，94 屏蔽件底部

90  接收侧金属屏蔽件

120  传输侧大金属屏蔽件

122，132 大屏蔽件侧面部

124，134 大屏蔽件底部

130  接收侧大金属屏蔽件

140，150 同轴金属屏蔽件

155   外壳

具体实施方式

下文中，参照附图来说明本发明的具体实施方式（下文称为“实施方案”）。本发明实施方案概要如下。在谐振型非接触供电系统中，通过“屏蔽谐振线圈的结构和屏蔽电源与谐振线圈之间传输线的结构”以及“包括屏蔽结构和电源的传输线的连接方法”，减少传输通道中（特别是传输侧）的辐射电磁场。例如，所述系统可用于电动汽车中的供电系统，并且接收侧装置装载于车辆中。

在第一实施方案中，引入了利用连接于同轴电缆的外导体的金属壳体，覆盖传输侧谐振线圈和接收侧谐振线圈周围区域的技术，金属壳体。在第二实施方案中，除第一实施方案的结构外，传输侧金属壳体和接收侧金属壳体被比金属壳体更大的金属屏蔽件覆盖。此外，谐振线圈之间的强电磁场区域被大金属板屏蔽，传输侧同轴电缆利用金属屏蔽件来覆盖，并且金属屏蔽件连接到大金属屏蔽件，使得覆盖同轴电缆的金属屏蔽件连接到高频电源的外壳。通过采用所述结构，能够降低沿着FG（框架接地）线/AC电缆的电磁场或者在高频电源的外壳周围的电磁场。第一实施方案和第二实施方案具体说明如下。

<第一实施方案>

图5是示意性示出本实施方案的谐振型非接触供电系统10的结构的图。谐振型非接触供电系统10与图3或者图4中谐振型非接触供电系统510不同在于设置了传输侧金属屏蔽件80和接收侧金属屏蔽件90。其它组件是相同的，并且相同组件给予相同标号。因为参考文献1中公开的技术能够用于说明谐振型非接触供电系统的电力传输原理，所以这里省略详细说明。

谐振型非接触供电系统10包括作为传输侧（初级侧）装置的高频电源20、初级线圈30和初级谐振线圈35。通过使用传输侧同轴电缆60，使初级线圈30连接到高频电源20。更具体地，高频电源20包括在电源外壳24内部的振荡源22，并且通过传输侧同轴电缆60连接到初级线圈30。电源外壳24接地到接地GND。为了使电源外壳24接地，可使用专用接地线，或者可使用AC电缆FG线等。说明了系统10包括高频电源20，但是该系统可构成为无高频电源20。在这种情况下，系统10优选构成为使得可连接系统10外部的适当高频电源，并且可接收来自所述高频电源的电力。

谐振型非接触供电系统10包括传输侧金属屏蔽件80，以覆盖初级线圈30和初级谐振线圈35周围的区域。传输侧金属屏蔽件80例如具有朝向接收侧（次级；图中右侧）的开口，具有圆柱形或者立方体形，并且由诸如钢或者铜这样的金属（良导体）制成。即，传输侧金属屏蔽件80的屏蔽件侧壁82完全覆盖初级线圈30和初级谐振线圈35周围除开口外的区域。

传输侧金属屏蔽件80的屏蔽件底部84具有用于高频电源20与初级线圈30之间传输通道的传输开口，并且传输侧同轴电缆60连接到传输开口。更具体地，传输侧同轴电缆60的同轴电缆外导体64的一端（在图中右侧）连接到传输侧金属屏蔽件80的屏蔽件底部84。同轴电缆外导体64的另一端（在图中左侧）连接到高频电源20的电源外壳24。同轴电缆内导体62直接连接高频电源20的振荡源22与初级线圈30。

另一方面，谐振型非接触供电系统10包括作为接收侧（次级侧）装置的负载装置50、次级线圈40和次级谐振线圈45。诸如整流器或蓄电池这样负载52设置于负载装置50的负载外壳54内部。负载装置50和次级线圈40通过接收侧同轴电缆70连接。说明了系统10包括负载装置50，但是系统可构成为无负载装置50。在这种情况下，系统10优选构成为使得可连接系统10外部的适当负载装置，并且电力能够供应给负载装置。

谐振型非接触供电系统10包括与传输侧的传输侧金属屏蔽件80相似的接收侧金属屏蔽件90，以覆盖次级线圈40和次级谐振线圈45。更具体地，接收侧金属屏蔽件90例如具有朝向传输侧（初级；图中左侧）的开口，具有圆柱形管状或者立方体形状，并且由诸如钢或者铜这样的金属（良导体）制成。即，接收侧金属屏蔽件90的屏蔽件侧壁92完全覆盖在次级线圈40和次级谐振线圈45周围除开口外的区域。

接收侧金属屏蔽件90的屏蔽件底部94具有用于负载装置50与次级线圈40之间传输通道的传输开口，并且接收侧同轴电缆70连接到该传输开口。更具体地，接收侧同轴电缆70的同轴电缆外导体74的一端（在图中左侧）连接到接收侧金属屏蔽件90的屏蔽件底部94。同轴电缆外导体74的另一端（在图中右侧）连接到负载装置50的负载外壳54。同轴电缆内导体72直接连接到负载外壳54中的负载52。

对上述结构的谐振型非接触供电系统10的操作进行说明。振荡源22在例如几MHz至几十MHz的高频下振荡，并且振荡输出供应给初级线圈30。初级谐振线圈35将初级线圈30的电力进行放大，并且产生朝向次级谐振线圈45的电磁场。次级谐振线圈45与由初级谐振线圈35产生的电磁场耦合，并且产生感应电流到第二线圈40。因此，电力供应给负载52。

此时，因为在上述现有谐振型非接触供电系统510的传输侧，感应电流不仅经过传输侧同轴电缆60的同轴电缆外导体64的内侧而且经过同轴电缆外导体64的外侧流到接地GND，所以在传输侧同轴电缆60周围产生辐射电磁场。因为在谐振型非接触供电系统510的接收侧，来自次级谐振线圈45的全部电磁场都与次级线圈40不耦合，一部分电磁场与同轴电缆外导体74耦合，并且产生了变为传输损耗的感应电流，因此在接收侧同轴电缆70周围产生辐射电磁场。

然而，在本发明实施方案中，在传输侧同轴电缆60和接收侧同轴电缆70内部的传输能量收集得到改善。即，因为在传输侧（初级）谐振部（初级线圈30和初级谐振线圈35）周围的区域被传输侧金属屏蔽件80覆盖，并且传输侧金属屏蔽件80与传输侧同轴电缆60的同轴电缆外导体64电气连接，所以在传输侧能够将流出到同轴电缆外导体64外部的电流收集在同轴电缆外导体64内侧。虽然电磁场可从传输侧金属屏蔽件80与接收侧金属屏蔽件90之间空间S1泄漏到外部，但是相比之前，电磁场能够显著减少。因此，在传输侧同轴电缆60或者接收侧同轴电缆70周围产生的辐射电磁场变得很弱。同样地，因为在接收侧（次级）谐振部（次级线圈40和次级谐振线圈45）周围的区域被接收侧金属屏蔽件90覆盖，并且接收侧金属屏蔽件90与接收侧同轴电缆70的同轴电缆外导体74电气连接，所以在接收侧能够将流出到同轴电缆外导体74外部的电流收集在同轴电缆外导体74的内侧。因此，能够提高传输效率，并且能够减少辐射电磁场。

<第二实施方案>

图6示出根据本实施方案的谐振型非接触供电系统110。谐振型非接触供电系统110是在第一实施方案中所述的谐振型非接触供电系统10的变形，并且不同之处在于传输侧谐振部（传输侧同轴电缆60、初级线圈30和初级谐振线圈35）和接收侧的谐振部（接收侧同轴电缆70、次级线圈40和次级谐振线圈45）进一步利用屏蔽件覆盖。利用这种结构，辐射电磁场泄漏能够显著减少。这里，与以上组件相同的组件给予相同参考标号且其说明省略，并且主要说明不同点。假定，AC电缆190的FG线用于使高频电源20接地。

如图所示，谐振型非接触供电系统110另外包括分别在传输侧的传输侧大金属屏蔽件120和同轴金属屏蔽件140以及在接收侧的接收侧大金属屏蔽件130和同轴金属屏蔽件150。

传输侧大金属屏蔽件120由像传输侧金属屏蔽件80这样的金属（良导体）制成，具有例如圆柱形或者立方体形状并且覆盖传输侧金属屏蔽件80。传输侧金属屏蔽件80和传输侧大金属屏蔽件120配置为使得保持电气绝缘状态。传输侧金属屏蔽件80和传输侧大金属屏蔽件120可简单地间隔，或者可利用绝缘体来填充传输侧金属屏蔽件80与传输侧大金属屏蔽件120之间的空间。

大屏蔽件侧面部122的开口侧（接收侧；图中右侧）端部由面状（环状）大屏蔽件前部126形成，该大屏蔽件前部126通过使开口端延伸到外部而形成。大屏蔽件前部126配置为面向后述的接收侧大金属屏蔽件130的大屏蔽件前部136。这些部分的尺寸形成为使得在外径端部处电磁场变为很弱。

覆盖传输侧同轴电缆60的管状同轴金属屏蔽件140的一端连接到大屏蔽件底部124。同轴金属屏蔽件140的另一端连接到高频电源20的电源外壳24。传输侧同轴电缆60和同轴金属屏蔽件140也构成为使得保持绝缘状态。同轴金属屏蔽件140应当能够电气连接传输侧大金属屏蔽件120和电源外壳24，并且例如是导体管或者屏蔽网结构的管。同轴金属屏蔽件140可具有环境性能，诸如防水功能等。

接收侧大金属屏蔽件130如接收侧金属屏蔽件90那样由金属（良导体）制成，具有例如圆柱形并且覆盖接收侧金属屏蔽件90。接收侧大金属屏蔽件130和接收侧金属屏蔽件90配置为使得保持电气绝缘状态。

大屏蔽件侧面部132的开口侧（传输侧；图中左侧）端部由面状大屏蔽件前部136形成，大屏蔽件前部136通过使开口端延伸到外部而形成。大屏蔽件前部136配置为面向上述传输侧大金属屏蔽件120的大屏蔽件前部126。

覆盖接收侧同轴电缆70的管状同轴金属屏蔽件150的一端连接到大屏蔽件底部134。同轴金属屏蔽件150的另一端连接到外壳155，所述外壳155覆盖负载装置50的负载外壳54。接收侧同轴电缆70和同轴金属屏蔽件150也构成为使得保持绝缘状态。同轴金属屏蔽件150应当能够电气连接接收侧大金属屏蔽件130和覆盖负载外壳54的外壳155。同轴金属屏蔽件150也可具有环境性能，诸如防水功能等。

根据以上结构的谐振型非接触供电系统110，在获得与第一实施方案相同的效果的同时，也能够实现以下效果。即，当从传输侧金属屏蔽件80与接收侧金属屏蔽件90之间的空间S1泄漏的电磁场未充分减少时，因为在外径向外方向上能够充分地确保彼此相对的大屏蔽件前部126和136之间的空间S2，所以能够充分地减少泄漏的电磁场强度。

测量电磁场强度（电场和辐射电磁场）的结果如图7和图8所示。图7示出未给出屏蔽件的现有技术谐振型非接触供电系统510（与图5中谐振型非接触供电系统结构相同）的测量结果。图8示出本实施方案的谐振型非接触供电系统110的测量结果。这里，示出传输侧（初级侧）测量结果。图9和图10示出与图7和图8对应的测量系统的系统结构。

测量系统的系统结构概要如下。以下（7）和（8）仅包括在图8中。

（1）供电电缆590，190：

通过使用供电电缆（5m），将电力供应给高频电源。有11个电磁场测量点（间隔50cm）。

（2）高频电源20：

频率为13.56MHz（+/-1MHz），并且输出功率为3kW。有8个电磁场测量点（间隔50cm）。

（3）同轴电缆60：

同轴电缆（3m）用作高频电力传输线并且连接高频电源20与环形线圈（初级线圈30）。有7个电磁场测量点（间隔50cm）。

（4）环形线圈（初级线圈和次级线圈30，40）：

环形线圈由铜制成且具有150mm直径，并且铜线具有5mm直径。传输侧的初级线圈30与接收侧的次级线圈40具有相同结构。

（5）谐振线圈（初级谐振线圈和次级谐振线圈35，45）：

谐振线圈具有300mm直径、185mm内径和5mm节距，并且是由5mm直径的铜线制成的螺旋形产品。传输侧的初级环形线圈35与接收侧的次级环形线圈45具有相同结构。初级环形线圈35与接收侧的次级环形线圈45之间的线圈距离是200mm。

（6）金属壳体（80，90）：

传输侧金属屏蔽件和接收侧金属屏蔽件80、90连接到同轴电缆60、70的外导体（外罩）以覆盖环形线圈（30，40）和谐振线圈（35，45）。外径是700mm。

（7）传输侧大金属屏蔽件120（壳体）<仅用于本实施方案>：

参照图10中放大部分。

（8）屏蔽结构1（传输侧）<仅用于本实施方案>：

覆盖传输侧同轴电缆60，并且连接传输侧大金属屏蔽件120与高频电源的外壳24。屏蔽性能约是50dB。

（9）屏蔽结构2（接收侧）：

覆盖接收侧同轴电缆70，并且连接接收侧大金属屏蔽件130与覆盖测量设备（衰减器和频谱分析仪）的外壳。屏蔽性能约是50dB。

（10）衰减器和频谱分析仪（负载装置）：

接收侧高频电力通过衰减器衰减预定量，并且利用频谱分析仪来测量信号电平。

测量条件概要如下。

*通过图10所示的测量系统，测量采取屏蔽措施的本实施方案的谐振型非接触供电系统10。相反，通过图9所示的测量系统，测量未采取屏蔽措施的现有谐振型非接触供电系统510。

*电磁场传感器安装于测量点处。从测量点到电磁场传感器表面的垂直距离是50mm。

*从高频电源20输出频率13.56MHz且功率3kW的电力，并且获取由电磁场传感器测量的最大电场值和最大磁场值。

*获取当未采取接收侧屏蔽措施时的结果（参照图7）和当采取屏蔽措施时的结果（参照图8）并且在曲线图中比较。

测量结果如下。如图7所示，对于现有谐振型非接触供电系统510，测量整个传输侧上的电场和磁场。特别是，在传输侧同轴电缆60周围的辐射电磁场的测量结果变得更高。从这可以推断，在传输侧同轴电缆60处产生感应电流，感应电流是传输损耗的原因。

另一方面，如图8所示，对于本实施方案的谐振型非接触供电系统110，实质上不测量电场和辐射电磁场。即，能够认为，能够实现谐振部（初级线圈30、初级谐振线圈35和传输侧同轴电缆60）中传输效率提高和辐射电磁场降低。

基于如上第一实施方案和第二实施方案说明了本发明。这些实施方案是示例性的，并且本领域技术人员应当理解，能够对于这些组件及其组合作出各种修改，并且这些修改也在本发明范围内。例如，在以上实施方案中，虽然屏蔽件提供给传输侧装置和接收侧装置两者，但是屏蔽件可仅提供给所述装置中任意一个。关于双重屏蔽件，所述装置中任一个被双重屏蔽也是可以的。

虽然本发明参考特定实施方案进行详细说明，但是很明显，在不脱离本发明精神和范围的情况下，本领域技术人员可作出各种修改和修正。

本申请是基于2011年4月22日提交的日本专利申请（专利申请2011-96365），其内容以引用方式并入本文中。

工业实用性

本发明在谐振型非接触供电系统领域中有用。

Claims (7)

1.一种谐振型非接触供电系统，包括传输侧谐振线圈部和接收侧谐振线圈部，并且该谐振型非接触供电系统通过非接触谐振效应将电力从所述传输侧谐振线圈部传输到所述接收侧谐振线圈部，该谐振型非接触供电系统还包括：

传输侧同轴电缆，该传输侧同轴电缆电气连接高频电源与所述传输侧谐振线圈部，和

良导体第一传输侧屏蔽部，该良导体第一传输侧屏蔽部从外部覆盖所述传输侧谐振线圈部，

其中

所述传输侧同轴电缆的外导体连接所述第一传输侧屏蔽部与所述高频电源的外壳。

2.根据权利要求1所述的谐振型非接触供电系统，还包括：

接收侧同轴电缆，该接收侧同轴电缆电气连接负载装置与所述接收侧谐振线圈部，和

良导体第一接收侧屏蔽部，该良导体第一接收侧屏蔽部从外部覆盖所述接收侧谐振线圈部，

其中

所述接收侧同轴电缆的外导体连接所述第一接收侧屏蔽部与所述负载装置的外壳。

3.根据权利要求1或2所述的谐振型非接触供电系统，还包括：

良导体第二传输侧屏蔽部，该良导体第二传输侧屏蔽部从外部覆盖所述第一传输侧屏蔽部，和

良导体传输侧同轴电缆屏蔽部，该良导体传输侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述传输侧同轴电缆并且电气连接所述第二传输侧屏蔽部与所述高频电源的所述外壳。

4.根据权利要求2所述的谐振型非接触供电系统，还包括：

良导体第二传输侧屏蔽部，该良导体第二传输侧屏蔽部从外部覆盖所述第一传输侧屏蔽部，

良导体传输侧同轴电缆屏蔽部，该良导体传输侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述传输侧同轴电缆并且电气连接所述第二传输侧屏蔽部与所述高频电源的所述外壳，

良导体第二接收侧屏蔽部，该良导体第二接收侧屏蔽部从外部覆盖所述第一接收侧屏蔽部，和

良导体接收侧同轴电缆屏蔽部，该良导体接收侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述接收侧同轴电缆并且电气连接所述第二接收侧屏蔽部与覆盖所述负载装置的所述外壳的外壳。

5.根据权利要求4所述的谐振型非接触供电系统，其中，所述第二传输侧屏蔽部和所述第二接收侧屏蔽部包括分别从彼此面对的所述第二传输侧屏蔽部的端部和所述第二接收侧屏蔽部的端部向外延伸的表面。

6.一种谐振型非接触供电系统，包括传输侧谐振线圈部和接收侧谐振线圈部，并且该谐振型非接触供电系统通过非接触谐振效应将电力从所述传输侧谐振线圈部传输到所述接收侧谐振线圈部，该谐振型非接触供电系统还包括：

接收侧同轴电缆，该接收侧同轴电缆电气连接负载装置与所述接收侧谐振线圈部，和

良导体第一接收侧屏蔽部，该良导体第一接收侧屏蔽部从外部覆盖所述接收侧谐振线圈部，

其中

所述接收侧同轴电缆的外导体连接所述第一接收侧屏蔽部与所述负载装置的外壳。

7.根据权利要求6所述的谐振型非接触供电系统，还包括：

良导体第二接收侧屏蔽部，该良导体第二接收侧屏蔽部从外部覆盖所述第一接收侧屏蔽部，和

良导体接收侧同轴电缆屏蔽部，该良导体接收侧同轴电缆屏蔽部覆盖所述接收侧同轴电缆并且电气连接所述第二接收侧屏蔽部与覆盖所述负载装置的所述外壳的外壳。

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