CN103484936A - 铸锭炉恒温加热工艺 - Google Patents

铸锭炉恒温加热工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN103484936A
CN103484936A CN201310408364.9A CN201310408364A CN103484936A CN 103484936 A CN103484936 A CN 103484936A CN 201310408364 A CN201310408364 A CN 201310408364A CN 103484936 A CN103484936 A CN 103484936A
Authority
CN
China
Prior art keywords
stage
heating
constant
silicon
ingot furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310408364.9A
Other languages
English (en)
Inventor
刘耀峰
潘振东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI RONGNENG SEMICONDUCTOR MATERIAL Co Ltd
Original Assignee
WUXI RONGNENG SEMICONDUCTOR MATERIAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI RONGNENG SEMICONDUCTOR MATERIAL Co Ltd filed Critical WUXI RONGNENG SEMICONDUCTOR MATERIAL Co Ltd
Priority to CN201310408364.9A priority Critical patent/CN103484936A/zh
Publication of CN103484936A publication Critical patent/CN103484936A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热25~35分钟。采用100℃恒温加热,将硅料可能包含的水分在不污染硅料的前提下,将其迅速排出,达到提升少子寿命和硅锭成品率的功效:少子寿命提升0.8个单位以上,由原来的4.5us提升到现在的5.3us以上;硅锭成品率提升1%点以上,由原来的67%提升到现在的68%以上。

Description

铸锭炉恒温加热工艺
技术领域
本发明涉及硅料加工技术领域,尤其是一种铸锭炉恒温加热工艺。
背景技术
铸锭炉主要采用热交换法与布里曼法相结合方式来实现多晶硅料的熔化与晶体生长,在加热铸锭炉过程中,保温层和底部的隔热层闭合严密,保证了加热时内部热量不会大量外泄,保证了加热的有效性及温场的均匀性;结晶过程中,在保护气体的作用下,装有熔融硅液的坩埚不动,保温层缓慢向上移动,坩埚底部的热量通过保温层与隔热层之间的间隙发散出去,通过气体与炉壁的热量置换,逐渐降低定向块与坩埚底板的温度。在此过程中,结晶完的晶体逐步离开加热区,而熔融的硅液仍然处在加热区内。这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度,有利于晶体的生长。
通常的生产工艺为:加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,每个步骤包含各工艺参数控制,实现生长可调速功能。其中加热阶段为功率控制模式,而其它阶段为温度控制模式。加热阶段的前期,在功率模式控制下,温度不在受控范围内,导致温度上升速度较快,使硅料表面水分无法及时排出,导致硅料表面与水蒸汽发生反应形成氧化硅(Si+H2O=SiO+H2),氧化硅与热场(石墨组件)在高温下发生反应形成碳化硅(即SiO+C=SiC+O),在此连续反应的情况下,会出现如下情况:
A.硅锭内部出现新杂质,此杂质会将硅片击穿,导致少子寿命偏低、硅锭成品率下降、硅锭转换效率下降等缺陷;
B.一旦氧化硅形成过程中产生的氢气无法及时排空,容易发生事故。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提出一种铸锭炉恒温加热工艺,能提升少子寿命和硅锭成品率。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热25~35分钟。
进一步地,所述加热阶段为100℃恒温下加热30分钟。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:采用100℃恒温加热,将硅料可能包含的水分在不污染硅料的前提下,将其迅速排出,达到提升少子寿命和硅锭成品率的功效:少子寿命提升0.8个单位以上,由原来的4.5us提升到现在的5.3us以上;硅锭成品率提升1%点以上,由原来的67%提升到现在的68%以上。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。
实施例1
一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热30分钟。
实施例2
一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热25分钟。
实施例3
一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热35分钟。
实施例4
一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热27分钟。
实施例5
一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热32分钟。
实施例6
一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,所述加热阶段为100℃恒温下加热31分钟。
将传统加热阶段使用温度控制模式,将硅料可能包含的水分在不污染硅料的前提下,将其迅速排出,为了防止水分导致的硅料的二次污染。在实际操作中,加热阶段设为恒温加热阶段,用热电偶将温度控制在100度,恒温30分钟,由于在此温度内,水和硅料是不发生反应的,并且水会迅速汽化,在高真空的作用下,水蒸气会被迅速排至炉腔外。
试验例
试验数据如下:
                                                 
Figure 263958DEST_PATH_IMAGE002
硅锭编号为1-n(n为1至6)的为传统工艺,硅锭编号为2-n(n为1至6)的分别对应上述实施例所制得的产品。
由上述表格可知:
1.少子寿命提升0.8个单位以上,由原来的4.5us提升到现在的5.3us以上;
2.硅锭成品率提升1%点以上,由原来的67%提升到现在的68%以上。

Claims (2)

1.一种铸锭炉恒温加热工艺,包括加热阶段、融化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段,其特征在于:所述加热阶段为100℃恒温下加热25~35分钟。
2.如权利要求1所述铸锭炉恒温加热工艺,其特征在于:所述加热阶段为100℃恒温下加热30分钟。
CN201310408364.9A 2013-09-10 2013-09-10 铸锭炉恒温加热工艺 Pending CN103484936A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310408364.9A CN103484936A (zh) 2013-09-10 2013-09-10 铸锭炉恒温加热工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310408364.9A CN103484936A (zh) 2013-09-10 2013-09-10 铸锭炉恒温加热工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103484936A true CN103484936A (zh) 2014-01-01

Family

ID=49825513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310408364.9A Pending CN103484936A (zh) 2013-09-10 2013-09-10 铸锭炉恒温加热工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103484936A (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5340553A (en) * 1993-03-22 1994-08-23 Rockwell International Corporation Method of removing oxygen from a controlled atmosphere
CN101319366A (zh) * 2008-05-19 2008-12-10 北京京运通科技有限公司 多晶硅铸锭炉自动控制系统及方法
JP2011105551A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Mitsubishi Materials Techno Corp 単結晶半導体の製造方法及び製造装置
JP2012101972A (ja) * 2010-11-09 2012-05-31 Mitsubishi Materials Techno Corp 結晶半導体の製造方法及び製造装置
US20120255484A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Meng Zhu System and methods for growing high-resistance single crystals
CN102776563A (zh) * 2012-08-22 2012-11-14 天津英利新能源有限公司 一种用于铸锭炉的排杂方法
CN102936747A (zh) * 2012-12-07 2013-02-20 天威新能源控股有限公司 一种采用大尺寸坩埚铸锭类单晶的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5340553A (en) * 1993-03-22 1994-08-23 Rockwell International Corporation Method of removing oxygen from a controlled atmosphere
CN101319366A (zh) * 2008-05-19 2008-12-10 北京京运通科技有限公司 多晶硅铸锭炉自动控制系统及方法
JP2011105551A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Mitsubishi Materials Techno Corp 単結晶半導体の製造方法及び製造装置
JP2012101972A (ja) * 2010-11-09 2012-05-31 Mitsubishi Materials Techno Corp 結晶半導体の製造方法及び製造装置
US20120255484A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Meng Zhu System and methods for growing high-resistance single crystals
CN102776563A (zh) * 2012-08-22 2012-11-14 天津英利新能源有限公司 一种用于铸锭炉的排杂方法
CN102936747A (zh) * 2012-12-07 2013-02-20 天威新能源控股有限公司 一种采用大尺寸坩埚铸锭类单晶的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
毛文行,等: "太阳能多晶硅锭中硬质夹杂及其形成", 《南昌大学学报(理科版)》, vol. 32, no. 1, 15 February 2008 (2008-02-15), pages 34 - 37 *
王鹏选: "太阳能电池多晶硅铸锭的凝固原理和方法浅谈", 《电子工业专用设备》, no. 163, 20 August 2008 (2008-08-20), pages 15 - 19 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103541008B (zh) 一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置
CN102162125B (zh) 多晶硅铸锭炉热场结构
CN102877117A (zh) 基于多加热器的铸锭炉热场结构及运行方法
CN102296368B (zh) 一种减少晶体热应力的方法
CN102108544A (zh) 一种控制长晶界面的多晶炉热场结构
CN101591808A (zh) 掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法
CN103789835A (zh) 一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法
CN103215633A (zh) 一种多晶硅的铸锭方法
CN103451726A (zh) 一种水致冷铸锭炉及其铸锭工艺
CN202989351U (zh) 基于多加热器的铸锭炉热场结构
CN102268729A (zh) 一种450型铸锭炉及其铸锭工艺
CN101597787B (zh) 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法
CN101591807A (zh) 掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法
CN103526290A (zh) 多晶硅铸锭的制备方法
CN108103575A (zh) 一种低应力碳化硅单晶的制备方法及其装置
CN104264213A (zh) 一种大尺寸掺杂蓝宝石晶体的efg生长装置及其生长工艺
CN108754602B (zh) 一种多晶硅半熔铸锭用坩埚及其喷涂工艺和应用
CN103255469A (zh) 石墨加热器、石墨电极和降低硅片中碳含量的方法
CN101597788B (zh) 在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法
TWI726505B (zh) 一種晶體生長爐的導流筒和晶體生長爐
CN102787349B (zh) 一种铸锭坩埚及铸锭装置
CN103882518B (zh) 一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺
TW201816202A (zh) 單晶生長爐熱屏及其製造方法
CN103484936A (zh) 铸锭炉恒温加热工艺
CN105586636A (zh) 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭制造工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140101