CN103456619B - 用于硅片的刻蚀设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于硅片的刻蚀设备，包括：第一磷硅玻璃去除装置，用于去除硅片边缘和下表面处的磷硅玻璃；刻蚀装置，用于对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀；以及第二磷硅玻璃去除装置，用于去除所述硅片的上表面的磷硅玻璃，所述第二磷硅玻璃去除装置包括：第四传输滚轮，所述第四传输滚轮用于传输所述硅片；以及第二风刀，所述第二风刀设置成用于向所述硅片的上表面喷洒第二溶液。

Description

用于硅片的刻蚀设备

技术领域

本发明涉及化学刻蚀技术领域，更具体地，本发明涉及一种用于硅片的刻蚀设备。

背景技术

常规制造晶体硅太阳能电池包括制绒、扩散、清洗刻蚀、PECVD、丝网印刷工序等。其中，在电池片的扩散工序中，通常会产生一层含磷的二氧化硅，俗称磷硅玻璃，并且在硅片边缘也形成一层PN结，边缘的这层PN结会在硅片做成电池片后导通电池片的上下两极而发生漏电现象。而清洗刻蚀工序的主要目的就是去除磷硅玻璃和边缘处的PN结。去除磷硅玻璃所用药液为HF，其化学反应方程式为：

SiO₂+4HF＝SiF₄+2H₂O，

刻蚀时所用药液为HF和HNO₃的混合溶液，涉及化学方程式为：

SiO₂+4HF＝SiF₄+2H₂O，

SiF₄+2HF＝H₂SiF₆，

HNO₃+Si＝SiO₂+NO_x↑+H₂O。

目前常用的硅片的刻蚀方法有如下两种。

第一，先用HF对硅片进行去磷硅玻璃，然后再对硅片进行刻蚀。该工艺的流程及刻蚀设备分别显示在图1(a)、1(b)中。如图1(b)中所示，硅片60A先在HF水刀42A的喷洒下走过，去掉上下表面的磷硅玻璃，再在含有HF、HNO₃的混酸溶液中的滚轮50A上走过。通过酸液的张力作用下，混酸溶液吸附在硅片60A下表面和边缘，从而刻蚀掉硅片60A的下表面和边缘。该刻蚀方法的缺点是刻蚀过程中会产生大量的酸性气体，但是，硅片的上表面此时已经没有磷硅玻璃的保护，从而使方阻上升，这加大了工艺控制的难度。

第二，先对硅片进行刻蚀，然后再去磷硅玻璃。该工艺的流程及刻蚀设备分别显示在图2(a)、2(b)中，硅片60B先在HF、HNO₃混酸槽滚轮50B上走过，在酸液张力作用和二氧化硅的毛细现象作用下，酸液粘附在硅片60B下表面和边缘上，从而对硅片60B下表面和边缘进行刻蚀，刻蚀之后再在HF水刀42B的喷洒下走过，从而去掉上下表面的磷硅玻璃。该刻蚀方法的缺点是由于二氧化硅的亲水性使酸液会浸入硅片从而产生黑边。此外，该工艺过程非常容易导致过刻。

发明内容

本发明旨在至少解决上述技术问题之一。

为此，本发明的一个目的在于提出一种用于硅片刻蚀的设备，由此可以有效地解决硅片刻蚀过程产生的黑边或者方阻上升问题。

根据本发明实施例的用于硅片刻蚀的设备可以包括：第一磷硅玻璃去除装置，用于去除硅片边缘和下表面处的磷硅玻璃；刻蚀装置，用于对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀；以及第二磷硅玻璃去除装置，用于去除所述硅片的上表面的所述磷硅玻璃。

根据本发明实施例的用于硅片刻蚀的设备，首先通过第一磷硅玻璃去除装置去除硅片的下表面和边缘处的磷硅玻璃，使刻蚀装置对硅片进行刻蚀工艺时不会在硅片的边缘产生黑边，同时由于第一磷硅玻璃去除装置并未破坏硅片上表面的磷硅玻璃，从而在刻蚀工艺过程中，硅片上表面的磷硅玻璃可对硅片进行保护，避免刻蚀工艺产生的酸性气体腐蚀硅片，从而有效防止硅片方阻的上升，同时降低了工艺控制的难度，进而提高了生产效率。

可选地，所述第一磷硅玻璃去除装置中设置有含HF的第一溶液，以去除所述硅片的边缘和下表面的磷硅玻璃。

进一步可选地，所述第一溶液为HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液。

具体地，所述第一磷硅玻璃去除装置包括：第一槽体，所述第一槽体中容纳有所述第一溶液；以及第一传输滚轮，所述第一传输滚轮至少部分浸润在所述第一溶液中，且所述硅片在所述第一传输滚轮上传输。

根据本发明的一个实施例，所述用于硅片刻蚀的设备还包括：剩余刻蚀液移除装置，所述剩余刻蚀液移除装置适于移除经过第一磷硅玻璃去除装置处理之后的所述硅片上剩余的第一溶液。

根据本发明的一个实施例，所述剩余刻蚀液移除装置与所述第一磷硅玻璃去除装置相邻设置，且所述剩余刻蚀液移除装置包括：第二槽体，所述第二槽体与所述第一槽体相邻设置；第二传输滚轮，所述第二传输滚轮设置在所述第二槽体中，用于传输所述硅片；以及至少两个吸酸滚轮，所述吸酸滚轮分别设在所述硅片的上表面和下表面处。

由此，吸酸滚轮可吸附硅片上、下表面的残余第一溶液，从而可彻底清除硅片上、下表面的残余第一溶液，保证刻蚀装置对硅片的刻蚀工艺不受影响。

根据本发明的一个实施例，所述剩余刻蚀液移除装置还包括：至少两个第一风刀，所述至少两个第一风刀分别邻近吸酸滚轮设置在所述硅片的上表面和下表面。

根据本发明的另一个实施例，所述剩余刻蚀液移除装置可以包括：第二槽体，所述第二槽体与所述第一槽体相邻设置；第二传输滚轮，所述第二传输滚轮设置在所述第二槽体中，用于传输所述硅片；以及至少两个第一风刀，所述第一风刀分别邻近所述硅片的上表面和下表面设置。

由此，至少两个第一风刀通过吹气可加快硅片上、下表面的残余第一溶液的挥发，从而清除硅片上、下表面的残余第一溶液，保证刻蚀装置对硅片的刻蚀工艺不受影响。

根据本发明的一个实施例，所述第一槽体和所述第二槽体通过设置在第三槽体中的隔板分隔所形成。由此，简化了第一槽体和第二槽体的生产工序，有效降低了生产成本。

根据本发明的一个实施例，所述刻蚀装置可以包括：第三槽体，所述第三槽体内容纳有刻蚀液；第三传输滚轮，所述第四传输滚轮至少部分浸润在所述刻蚀液中，且所述硅片在所述第三传输滚轮上传输。

根据本发明的一个实施例，所述刻蚀液为HF和HNO₃的混合溶液。

根据本发明的一个实施例，所述第二磷硅玻璃去除装置包括：第四传输滚轮，所述第四传输滚轮用于传输所述硅片；以及第二风刀，所述第二风刀设置成用于向所述硅片的上表面喷洒第二溶液。

根据本发明的一个实施例，所述第二溶液为HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液。

通过据本发明实施例的刻蚀设备处理的硅片，在硅片的边缘不会产生黑边，硅片的方阻不会上升，且不易刻蚀过度，同时还大大简化了生产工艺，提高了生产效率，保证了产品的质量，具有显著的实用效果。此外，根据本发明实施例的刻蚀设备只需在现有设备的基础上进行简单的调整和改进，从而大大节省了设备的生产和改装成本。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据现有技术中的一种硅片刻蚀的工艺流程及刻蚀设备示意图,其中图1(a)显示了该硅片刻蚀工艺的流程图，图1(b)显示了该刻蚀设备的示意图；

图2是根据现有技术的另一种硅片刻蚀的工艺流程及刻蚀设备示意图，其中图2(a)显示了该硅片刻蚀工艺的流程图，图2(b)显示了该刻蚀设备的示意图；

图3是根据本发明的一个实施例的用于硅片的刻蚀方法的流程示意图；

图4是根据本发明的一个实施例的用于硅片刻蚀的设备的结构示意图，其中图4(a)是第一槽体与第二槽体的结构示意图，图4(b)是第三槽体与第四槽体的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，一体地连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

首先，参考图3描述本发明所涉及的用于硅片刻蚀的方法的流程，其中硅片60可由扩散工艺处理获得，由扩散工艺处理获得的硅片60在上表面、下表面以及边缘处会形成有磷硅玻璃。

根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的方法，包括以下步骤：去除硅片60的所述边缘和所述下表面处的磷硅玻璃(S101)；对硅片60的边缘和下表面进行刻蚀，以去除硅片60上的PN结(S102)；以及去除硅片60的所述上表面的所述磷硅玻璃(S103)。

具体而言，首先，去除硅片60边缘处和下表面处的磷硅玻璃，即保留硅片60上表面处的磷硅玻璃。由此在对硅片60进行刻蚀时，硅片60上表面处的磷硅玻璃可对硅片60进行有效保护，防止刻蚀工艺过程中产生的大量酸性气体腐蚀硅片60的上表面，从而防止硅片60方阻上升，进而保证了晶体硅太阳能电池的性能。这里，方阻指的是方块电阻，即指一个正方形薄膜导电材料边到边之间的电阻。

然后，对硅片60的边缘以及下表面进行刻蚀，从而去除硅片60边缘处的PN结。通过去除硅片60的PN结，可防止硅片60制成晶体硅太阳能电池后导通电池片的上下两极，造成漏电现象，由此不仅提高了晶体硅太阳能电池的使用安全性，而且还提高了电池的性能。此外，磷硅玻璃中的二氧化硅具有亲水性，因此在对硅片60的边缘和下表面进行刻蚀工艺时，由于硅片60下表面处的磷硅玻璃已在上一步工序时预先去除，因此刻蚀液不会浸入硅片60，从而避免在硅片60的边缘产生黑边，同时还方便了刻蚀工序的控制，不易发生过度刻蚀情况。

最后，去除硅片60上表面处的磷硅玻璃。

根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的方法，由于采用选择性去除磷硅玻璃的方法先去除硅片60需要进行刻蚀区域的磷硅玻璃，即先去除硅片60下表面处的磷硅玻璃，使刻蚀工艺过程中硅片60的边缘不会产生黑边，并且硅片60无需刻蚀区域的磷硅玻璃，即上表面处的磷硅玻璃保护了刻蚀过程中产生的酸性气体对硅片60的腐蚀作用，从而有效防止硅片60方阻的上升，同时降低了工艺控制的难度。

在本发明的一个实施例中，所述步骤(a)中，采用含有HF的第一溶液去除硅片60的边缘和下表面处的磷硅玻璃，这里，HF代表氢氟酸的化学式。当然，本发明并不限于此，在本发明的其它实施例中，所述第一溶液进一步含有硫酸，即第一溶液为HF和硫酸的混合溶液。也就是说，第一溶液没有特殊限制，只要能起到与磷硅玻璃反应并去除磷硅玻璃的效果即可。

关于步骤(a)，需要理解的是，硅片60通过第一溶液的具体操作方法没有特殊限制，只要能去除硅片60的边缘和下表面的磷硅玻璃即可。考虑到液体的张力作用和磷硅玻璃的亲水作用，有利地，其具体操作可以为：将硅片60从第一溶液的表面经过，在第一溶液的张力作用和磷硅玻璃的亲水作用下，即可去除硅片边缘和下表面的磷硅玻璃。

较佳地，在所述步骤(a)之后且在所述步骤(b)之前，除去硅片60上剩余的第一溶液。也就是说，在步骤(a)和步骤(b)之间，去除硅片60上残余的第一溶液，防止残余的第一溶液影响硅片60的刻蚀工艺，从而保证硅片60的刻蚀效果。其中，除去硅片60上剩余的第一溶液可通过多种方式实现。

具体而言，在本发明的一个实施例中，可采用吸酸滚轮21的吸附作用除去至少硅片60的下表面处的剩余的第一溶液，也就是说至少可以在硅片60的下表面处至少设有一个吸酸滚轮。优选地，在硅片60的上表面和下表面处分别至少设有一个吸酸滚轮。

在本发明的另一个实施例中，可用风刀向硅片60的至少其下表面吹风以加快硅片60上残余第一溶液的挥发，从而实现除去硅片60的下表面上的剩余的第一溶液的目的。优选地，在邻近硅片60的上表面和下表面处分别至少设有一个风刀。

在本发明的再一个实施例中，还可同时用风刀和吸酸滚轮21去除硅片60的上表面和下表面上的剩余的第一溶液，也就是说，在硅片60的下表面处至少设置一个吸酸滚轮21，在邻近硅片60的下表面处至少设置一个风刀，同时在硅片60的上表面处至少设置一个吸酸滚轮21，在邻近硅片60的上表面处至少设置一个风刀。由此，吸酸滚轮21可吸附硅片60的上表面和下表面处残余的第一溶液，风刀可加快硅片60的上表面和下表面处残余的第一溶液的挥发，从而彻底去除硅片60上残余的第一溶液，避免第一溶液影响硅片60的刻蚀工艺。

也就是说，对于本领域内的普通技术人员而言，可根据实际生产情况例如设备的布局、空间的限制来灵活选择上述方式，从而达到理想的去除效果。

在去除硅片60上、下表面处的残余第一溶液后，可用刻蚀液对硅片60进行处理以去除硅片60边缘上的PN结，所述刻蚀液可为HF和HNO₃的混合溶液，其中HNO₃表示硝酸的化学式。这里，可以理解的是，硅片60通过所述刻蚀液的处理方法没有特殊限制，只要能对硅片进行60刻蚀并去除硅片60上的PN结即可。考虑到液体的张力作用，有利地，其具体操作可以为：将硅片60从刻蚀液的表面经过，在刻蚀液的张力作用下，刻蚀液吸附在硅片60的边缘和下表面，即可去除硅片60边缘的PN结。

由于硅片60边缘和下表面的磷硅玻璃已经被除去，因此在刻蚀过程中硅片60的边缘不会出现黑边现象，而且硅片60上表面的未被去除的磷硅玻璃可有效防止刻蚀过程产生的酸性气体接触硅片60上表面，避免酸性气体腐蚀硅片60，从而防止硅片60方阻的上升，进而可降低刻蚀工艺控制的难度。

在所述步骤(c)中，用含有HF的第二溶液去除硅片60上表面的磷硅玻璃。当然，第二溶液还可进一步还有硫酸，也就是说，第二溶液为HF和硫酸的混合溶液。

关于步骤(c)，需要说明的是，去除硅片60的上表面的磷硅玻璃的方法没有特殊限制，只要能去除硅片60的上表面的磷硅玻璃即可，考虑到刻蚀设备和成本问题，有利地，可以将硅片60通过喷酸水刀，也就是说喷酸水刀可设置在硅片60的上方并向硅片60的上表面喷洒第二溶液，从而去除硅片60上表面的磷硅玻璃。

根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的方法，解决了硅片60边缘产生黑边、硅片60方阻上升以及过度刻蚀的问题，不仅简化了生产工艺，提高了生产效率，同时还保证了产品的质量，具有显著的实用效果。

下面结合图4(a)和图4(b)描述根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的设备。

根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的设备，包括：第一磷硅玻璃去除装置10、刻蚀装置30和第二磷硅玻璃去除装置40。

第一磷硅玻璃去除装置10用于去除硅片60的边缘和下表面处的磷硅玻璃。刻蚀装置30用于对硅片60的边缘和下表面进行刻蚀以去除硅片60边缘处的PN结。第二磷硅玻璃去除装置40用于去除硅片60的上表面的磷硅玻璃。

根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的设备，首先通过第一磷硅玻璃去除装置10去除硅片60的下表面和边缘处的磷硅玻璃，使刻蚀装置30对硅片60进行刻蚀工艺时不会在硅片60的边缘产生黑边，同时由于第一磷硅玻璃去除装置10并未破坏硅片60上表面的磷硅玻璃，从而在刻蚀工艺过程中，硅片60上表面的磷硅玻璃可对硅片60进行保护，避免刻蚀工艺产生的酸性气体腐蚀硅片60，从而有效防止硅片60方阻的上升，同时降低了工艺控制的难度，进而提高了生产效率。

根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的设备，第一磷硅玻璃去除装置10中设置有含HF的第一溶液，以去除硅片60的边缘和下表面的磷硅玻璃。当然，第一溶液也可以是HF和硫酸的混合溶液。

如图4(a)所示，第一磷硅玻璃去除装置10包括第一槽体101和第一传输滚轮102，其中第一槽体101中容纳有所述第一溶液，第一传输滚轮102至少部分浸润在所述第一溶液中，且硅片60在第一传输滚轮102上传输。也就是说，第一传输滚轮102的一部分浸润在所述第一溶液中，第一传输滚轮102滚动一方面实现硅片60的传输，另一方面将所述第一溶液传递给硅片60的下表面，在第一溶液的张力作用下，第一溶液会吸附在硅片60的下表面和边缘处，从而去除掉硅片60的下表面和边缘的磷硅玻璃。

较佳地，所述用于硅片60刻蚀的设备进一步包括剩余刻蚀液移除装置20，剩余刻蚀液移除装置20适于移除经过第一磷硅玻璃去除装置10处理之后的硅片60上剩余的第一溶液。具体地，如图4(a)所示，剩余刻蚀液移除装置20与第一磷硅玻璃去除装置10相邻设置，剩余刻蚀液移除装置20包括第二槽体201、第二传输滚轮202、吸酸滚轮21和第一风刀22。

如图4(a)所示，第二槽体201与第一槽体101相邻设置，第二传输滚轮202设置在第二槽体202中用于传输硅片60，吸酸滚轮21和第一风刀22设置成用于去除第二传输滚轮202上传输的硅片60上的第一溶液。具体而言，吸酸滚轮21可分别设在硅片60的上表面和下表面处，第一风刀22可分别邻近硅片60的上表面和下表面设置，其中硅片60上表面的吸酸滚轮21和第一风刀22可以分别是一个，且硅片60下表面的吸酸滚轮21和第一风刀22也可以分别为一个。当然，硅片60上表面的吸酸滚轮21和第一风刀22也可分别为多个，且硅片60下表面的吸酸滚轮21和第一风刀22也可分别为多个以进一步提高去除效果，从而彻底清除硅片60上、下表面附着的残余第一溶液，防止残余的第一溶液影响刻蚀装置30的刻蚀工艺。

可选地，该剩余刻蚀液移除装置20也可以仅包括如上所述的第二槽体201、第二传输滚轮202和第一风刀22。

由此，吸酸滚轮21可吸附硅片60的至少其下表面的残余第一溶液，第一风刀22通过吹气可加快硅片60的至少其下表面的残余第一溶液的挥发，从而可彻底清除硅片60的至少其下表面的残余第一溶液，保证刻蚀装置30对硅片60的刻蚀工艺不受影响。

当然，本发明并不限于此，在本发明的其它实施例中，硅片60的上、下表面处也可只设置吸酸滚轮21，或邻近硅片60的上、下表面处也可只设置第一风刀22，或硅片60的上表面处设置吸酸滚轮21而邻近下表面处设置第一风刀22，或硅片60的下表面处设置吸酸滚轮21且邻近上表面处设置第一风刀22。

有利地，第一槽体101和第二槽体201通过设置在第三槽体中的搁板11分隔所形成，此处该第三槽体可以为单独设置的一个槽体，用于在其中设置搁板11来形成第一槽体101和第二槽体201。也就是说，第一槽体101和第二槽体201是由第三槽体通过搁板11分隔形成的两个独立的、互不干扰的槽体，即第一槽体101和第二槽体201一体形成。由此，简化了第一槽体101和第二槽体201的生产工序，有效降低了生产成本。

如图4(b)所示，刻蚀装置30包括第三槽体301和第三传输滚轮302，第三槽体301内容纳有刻蚀液，第三传输滚轮302至少部分浸润在所述刻蚀液中，且硅片60在第三传输滚轮302上传输。也就是说，第三传输滚轮302一部分浸润在刻蚀液中，第三传输滚轮302滚动一方面实现硅片60的传输，另一方面将刻蚀液传递给硅片60的下表面，在刻蚀液的张力作用下，刻蚀液会吸附在硅片60的下表面和边缘处，从而刻蚀掉硅片60边缘的PN结。可选地，刻蚀液可为HF和HNO₃的混合溶液。

如图4(b)所示，第二磷硅玻璃去除装置40包括第四传输滚轮401和第二风刀402，第四传输滚轮401用于传输硅片60，第二风刀402设置成用于向硅片60的上表面喷洒第二溶液，从而去除掉硅片60上表面处的磷硅玻璃。可选地，第二溶液可以是HF溶液，当然也可以是HF和硫酸的混合溶液。

下面参考图4(a)和图4(b)简单描述根据本发明实施例的用于硅片60刻蚀的设备的工作过程，其中为描述方便、清楚，以第一溶液为HF溶液、刻蚀液为HF和HNO₃的混合溶液、第二溶液为HF溶液、剩余刻蚀液移除装置20同时包括吸酸滚轮21和第一风刀22为例进行说明。

首先，硅片60放置在第一传输滚轮102上，第一传输滚轮102滚动以传输硅片60，同时将HF水溶液传递至硅片60的下表面，在HF酸液的张力作用下，HF水溶液会粘附在硅片60的下表面和边缘处并对去除掉硅片60下表面和边缘处的磷硅玻璃。

硅片60随后离开第一传输滚轮102并移动至第二传输滚轮202上，此时硅片60下表面的吸酸滚轮21吸附硅片60下表面残余的HF溶液，同时位于硅片60上、下方的第一风刀22向硅片60的下表面吹风以加快硅片60下表面残余的HF挥发，经过剩余刻蚀液移除装置20处理，可彻底清除硅片60下表面残余的HF，避免影响刻蚀工艺。可选地，硅片60上表面的吸酸滚轮21吸附硅片60上表面残余的HF溶液，同时位于硅片60上方的第一风刀22向硅片60的上表面吹风以加快硅片60上表面残余的HF挥发，经过剩余刻蚀液移除装置20处理，可彻底清除硅片60上表面残余的HF，避免影响刻蚀工艺。

然后，硅片60移动至第三传输滚轮302上，第三传输滚轮302滚动以传输硅片60，同时将HF和HNO₃的混合溶液传递至硅片60的下表面，在HF和HNO₃酸液的张力作用下，HF和HNO₃的混合溶液会粘附在硅片60的下表面和边缘处并去除硅片60的边缘处的PN结。

最后，硅片60离开第三传输滚轮302并移动至第四传输滚轮401，第四传输滚轮401的上方设有第二风刀402用于向硅片60的上表面喷洒HF溶液，从而去除硅片60上表面的磷硅玻璃，最终完成硅片60的全部刻蚀工艺。

通过据本发明实施例的刻蚀设备处理的硅片60，在硅片60的边缘不会产生黑边，硅片60的方阻不会上升，且不易刻蚀过度，同时还大大简化了生产工艺，提高了生产效率，保证了产品的质量，具有显著的实用效果。此外，根据本发明实施例的刻蚀设备只需在现有设备的基础上进行简单的调整和改进，从而大大节省了设备的生产和改装成本。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (12)

1.一种用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，包括：

第一磷硅玻璃去除装置，用于去除硅片边缘和下表面处的磷硅玻璃；

刻蚀装置，用于对所述硅片的边缘和下表面进行刻蚀；以及

第二磷硅玻璃去除装置，用于去除所述硅片的上表面的磷硅玻璃，所述第二磷硅玻璃去除装置包括：

第四传输滚轮，所述第四传输滚轮用于传输所述硅片；以及

第二风刀，所述第二风刀设置成用于向所述硅片的上表面喷洒第二溶液。

2.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一磷硅玻璃去除装置中设置有含HF的第一溶液，以去除所述硅片的边缘和下表面的磷硅玻璃。

3.根据权利要求2所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一溶液为HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液。

4.根据权利要求2所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一磷硅玻璃去除装置包括：

第一槽体，所述第一槽体中容纳有所述第一溶液；以及

第一传输滚轮，所述第一传输滚轮至少部分浸润在所述第一溶液中，且所述硅片在所述第一传输滚轮上传输。

5.根据权利要求4所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述用于硅片的刻蚀设备，还包括：剩余刻蚀液移除装置，所述剩余刻蚀液移除装置用于移除经过第一磷硅玻璃去除装置处理之后的所述硅片上剩余的第一溶液。

6.根据权利要求5所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述剩余刻蚀液移除装置与所述第一磷硅玻璃去除装置相邻设置，并且所述剩余刻蚀液移除装置，包括：

第二槽体，所述第二槽体与所述第一槽体相邻设置；

第二传输滚轮，所述第二传输滚轮设置在所述第二槽体中，用于传输所述硅片；以及

至少两个吸酸滚轮，所述吸酸滚轮分别设在所述硅片的上表面和下表面处。

7.根据权利要求5所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述剩余刻蚀液移除装置，包括：

第二槽体，所述第二槽体与所述第一槽体相邻设置；

第二传输滚轮，所述第二传输滚轮设置在所述第二槽体中，用于传输所述硅片；以及

至少两个第一风刀，所述第一风刀分别邻近所述硅片的上表面和下表面设置。

8.根据权利要求6所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述剩余刻蚀液移除装置，还包括：

至少两个第一风刀，所述至少两个第一风刀分别邻近吸酸滚轮设置在所述硅片的上表面和下表面。

9.根据权利要求6所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第一槽体和所述第二槽体通过设置在第三槽体中的隔板分隔所形成。

10.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述刻蚀装置，包括：

第三槽体，所述第三槽体内容纳有刻蚀液；

第三传输滚轮，所述第三传输滚轮至少部分浸润在所述刻蚀液中，且所述硅片在所述第三传输滚轮上传输。

11.根据权利要求10所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述刻蚀液为HF和HNO₃的混合溶液。

12.根据权利要求1所述的用于硅片的刻蚀设备，其特征在于，所述第二溶液为HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液。