CN103438919A - 多参量硅压阻差压传感器一体化基座 - Google Patents
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Abstract
本发明公开多参量硅压阻差压传感器一体化基座，包括壳体(1)，壳体(1)沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体的引线脚(7)，壳体(1)的顶部沿轴向分别设有充油孔(2)与芯片安装孔(3)，充油孔(2)内沿轴向设有正压腔充油管(5)，芯片安装孔(3)内沿轴向设有负压腔充油管(6)；壳体(1)沿径向设有贯通壳体的导油孔(4)，导油孔(4)与芯片安装孔(3)相连通；充油孔(2)与正压腔充油管(5)形成正压力传导腔；导油孔(4)、芯片安装孔(3)与负压腔充油管(6)形成了负压力传导腔，使固定在芯片安装孔(3)上方的硅压阻传感器芯片感应到压力差，从而测量出多参量的信号，且该基座壳体(1)采用一体化成型，密封性好，整体性能高。
Description
技术领域
本发明涉及传感器领域，具体是一种多参量硅压阻差压传感器一体化基座。
背景技术
公知的差压传感器被广泛应用于工业自动化领域，用来检测工业现场的各种参数，为了提高效率节省成本，很多企业都更愿意采用多参量差压传感器，多参量差压传感器可同时测量表压、绝压与温度等现场信号，给现场使用与维护带来很大便利，而目前的多参量差压传感器基本是电容式，这种多参量差压传感器制造工艺复杂价格昂贵，随着科技发展，多参量硅压阻差压传感器已越来越被用户所认可，这种多参量差压传感器采用硅压阻传感器芯片，集成一体化的差压、绝压、温度测量模块，具有精度高、工作可靠、结构简单，适合大批量生产，但是目前还没有一种与多参量硅压阻传感器芯片相配合的基座。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多参量硅压阻差压传感器一体化基座，该一体化基座能够与多参量硅压阻传感器芯片相配合，实现多参量的信号检测，且一体化成型，密封效果好整体性能高。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
多参量硅压阻差压传感器一体化基座，包括壳体，壳体沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体的引线脚，壳体的顶部沿轴向分别设有充油孔与芯片安装孔，所述充油孔内沿轴向设有正压腔充油管，芯片安装孔内沿轴向设有负压腔充油管；所述壳体沿径向设有贯通壳体的导油孔，导油孔与芯片安装孔相连通。
进一步地，所述壳体的底部设有凹槽。
进一步地，所述壳体的顶部呈上细下粗的梯形柱状。
本发明的有益效果是，壳体中的充油孔与正压腔充油管构成了正压力传导腔，导油孔、芯片安装孔与负压腔充油管共同形成了负压力传导腔，使固定在芯片安装孔上方的硅压阻传感器芯片感应到压力差，从而测量出多参量的信号，并通过引线脚向外部传递，且该基座壳体采用一体化成型，密封性好，整体性能高。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：
图1是本发明的俯视图；
图2是图1的A-A剖视图；
图3是图1的B-B剖视图；
1.壳体；2.充油孔；3.芯片安装孔；4. 导油孔；5.正压腔充油管；6.负压腔充油管；7.引线脚；8.凹槽。
具体实施方式
结合图1、图2及图3所示，圆柱形的壳体1底部设有凹槽10，壳体1的顶部呈上细下粗的梯形柱状；壳体1的顶部沿轴向分别设有充油孔2与芯片安装孔3，充油孔2内沿轴向设有正压腔充油管5，正压腔充油管5延伸出壳体1；芯片安装孔3内沿轴向设有负压腔充油管6，负压腔充油管6延伸出壳体1；所述壳体1沿径向设有贯通壳体1的导油孔4，导油孔4与芯片安装孔3相连通；所述壳体1沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体1的引线脚7；充油孔2与正压腔充油管5形成了正压力传导腔；导油孔4、芯片安装孔3与负压腔充油管6共同形成了负压力传导腔。
使用时，多参量硅压阻传感器芯片通过芯片安装孔3固定在壳体1顶部，芯片的引脚与引线脚7的一端相接，之后进行封装，而壳体1顶部呈上细下粗的梯形柱状，便于封装；通过正压腔充油管5与导油孔4对壳体1内充灌硅油，然后进行油孔封堵工序；壳体1底部的凹槽8用来配合安装传感器的线路板，引线脚7的另一端与传感器内线路板电联接，起到信号传递的作用；当压力传递到芯片正表面后，使其产生形变，同时在芯片背面产生负压，从而形成了压力差，再通过芯片的智能处理得到多参量的检测信号；通过设置的正压腔充油管5与负压腔充油管6与壳体1内形成的压力传导腔连通，给传感器后续充油等工序提供了方便；且壳体1采用一体化成型，密封性好，整体性能高。
Claims (3)
1.多参量硅压阻差压传感器一体化基座，包括壳体(1)，壳体(1)沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体(1)的引线脚(7)，其特征在于，所述壳体(1)的顶部沿轴向分别设有充油孔(2)与芯片安装孔(3)；所述充油孔(2)内沿轴向设有正压腔充油管(5)，芯片安装孔(3)内沿轴向设有负压腔充油管(6)；所述壳体(1)沿径向设有贯通壳体(1)的导油孔(4)，导油孔(4)与芯片安装孔(3)相连通。
2.根据权利要求1所述的多参量硅压阻差压传感器一体化基座，其特征在于，所述壳体(1)的底部设有凹槽(8)。
3.根据权利要求1或2所述的多参量硅压阻差压传感器一体化基座，其特征在于，所述壳体(1)的顶部呈上细下粗的梯形柱状。
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