CN203489898U - 多参量硅压阻差压传感器一体化基座 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开多参量硅压阻差压传感器一体化基座，包括壳体(1)，壳体(1)沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体的引线脚(7)，壳体(1)的顶部沿轴向分别设有充油孔(2)与芯片安装孔(3)，充油孔(2)内沿轴向设有正压腔充油管(5)，芯片安装孔(3)内沿轴向设有负压腔充油管(6)；壳体(1)沿径向设有贯通壳体的导油孔(4)，导油孔(4)与芯片安装孔(3)相连通；充油孔(2)与正压腔充油管(5)形成正压力传导腔；导油孔(4)、芯片安装孔(3)与负压腔充油管(6)形成了负压力传导腔，使固定在芯片安装孔(3)上方的硅压阻传感器芯片感应到压力差，从而测量出多参量的信号，且该基座壳体(1)采用一体化成型，密封性好，整体性能高。
Description
技术领域
本实用新型涉及传感器领域，具体是一种多参量硅压阻差压传感器一体化基座。
背景技术
公知的差压传感器被广泛应用于工业自动化领域，用来检测工业现场的各种参数，为了提高效率节省成本，很多企业都更愿意采用多参量差压传感器，多参量差压传感器可同时测量表压、绝压与温度等现场信号，给现场使用与维护带来很大便利，而目前的多参量差压传感器基本是电容式，这种多参量差压传感器制造工艺复杂价格昂贵，随着科技发展，多参量硅压阻差压传感器已越来越被用户所认可，这种多参量差压传感器采用硅压阻传感器芯片，集成一体化的差压、绝压、温度测量模块，具有精度高、工作可靠、结构简单，适合大批量生产，但是目前还没有一种与多参量硅压阻传感器芯片相配合的基座。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多参量硅压阻差压传感器一体化基座，该一体化基座能够与多参量硅压阻传感器芯片相配合，实现多参量的信号检测，且一体化成型，密封效果好整体性能高。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
多参量硅压阻差压传感器一体化基座，包括壳体，壳体沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体的引线脚，壳体的顶部沿轴向分别设有充油孔与芯片安装孔，所述充油孔内沿轴向设有正压腔充油管，芯片安装孔内沿轴向设有负压腔充油管；所述壳体沿径向设有贯通壳体的导油孔，导油孔与芯片安装孔相连通。
进一步地，所述壳体的底部设有凹槽。
本实用新型的有益效果是，壳体中的充油孔与正压腔充油管构成了正压力传导腔，导油孔、芯片安装孔与负压腔充油管共同形成了负压力传导腔，使固定在芯片安装孔上方的硅压阻传感器芯片感应到压力差，从而测量出多参量的信号，并通过引线脚向外部传递，且该基座壳体采用一体化成型，密封性好，整体性能高。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：
图1是本实用新型的俯视图；
图2是图1的A-A剖视图；
图3是图1的B-B剖视图；
1.壳体；2.充油孔；3.芯片安装孔；4. 导油孔；5.正压腔充油管；6.负压腔充油管；7.引线脚；8.凹槽。
具体实施方式
结合图1、图2及图3所示，圆柱形的壳体1底部设有凹槽10，壳体1的顶部沿轴向分别设有充油孔2与芯片安装孔3，充油孔2内沿轴向设有正压腔充油管5，正压腔充油管5延伸出壳体1；芯片安装孔3内沿轴向设有负压腔充油管6，负压腔充油管6延伸出壳体1；所述壳体1沿径向设有贯通壳体1的导油孔4，导油孔4与芯片安装孔3相连通；所述壳体1沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体1的引线脚7；充油孔2与正压腔充油管5形成了正压力传导腔；导油孔4、芯片安装孔3与负压腔充油管6共同形成了负压力传导腔。
使用时，多参量硅压阻传感器芯片通过芯片安装孔3固定在壳体1顶部，芯片的引脚与引线脚7的一端相接，之后进行封装，而壳体1顶部呈上细下粗的梯形柱状，便于封装；通过正压腔充油管5与导油孔4对壳体1内充灌硅油，然后进行油孔封堵工序；壳体1底部的凹槽8用来配合安装传感器的线路板，引线脚7的另一端与传感器内线路板电联接，起到信号传递的作用；当压力传递到芯片正表面后，使其产生形变，同时在芯片背面产生负压，从而形成了压力差，再通过芯片的智能处理得到多参量的检测信号；通过设置的正压腔充油管5与负压腔充油管6与壳体1内形成的压力传导腔连通，给传感器后续充油等工序提供了方便；且壳体1采用一体化成型，密封性好，整体性能高。
Claims (2)
1.多参量硅压阻差压传感器一体化基座，包括壳体(1)，壳体(1)沿轴向的圆周设有一组贯穿壳体(1)的引线脚(7)，其特征在于，所述壳体(1)的顶部沿轴向分别设有充油孔(2)与芯片安装孔(3)；所述充油孔(2)内沿轴向设有正压腔充油管(5)，芯片安装孔(3)内沿轴向设有负压腔充油管(6)；所述壳体(1)沿径向设有贯通壳体(1)的导油孔(4)，导油孔(4)与芯片安装孔(3)相连通。
2.根据权利要求1所述的多参量硅压阻差压传感器一体化基座，其特征在于，所述壳体(1)的底部设有凹槽(8)。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201320568527.5U CN203489898U (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 多参量硅压阻差压传感器一体化基座 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201320568527.5U CN203489898U (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 多参量硅压阻差压传感器一体化基座 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN203489898U true CN203489898U (zh) | 2014-03-19 |
Family
ID=50260721
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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Cited By (1)
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| CN103438919A (zh) * | 2013-09-13 | 2013-12-11 | 蚌埠市创业电子有限责任公司 | 多参量硅压阻差压传感器一体化基座 |
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2013
- 2013-09-13 CN CN201320568527.5U patent/CN203489898U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN103438919A (zh) * | 2013-09-13 | 2013-12-11 | 蚌埠市创业电子有限责任公司 | 多参量硅压阻差压传感器一体化基座 |
| CN103438919B (zh) * | 2013-09-13 | 2016-01-20 | 蚌埠市创业电子有限责任公司 | 多参量硅压阻差压传感器一体化基座 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20140319 Effective date of abandoning: 20160120 |
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| AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20140319 Effective date of abandoning: 20160120 |
|
| C25 | Abandonment of patent right or utility model to avoid double patenting |