CN103426504B - 导电膜 - Google Patents

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Abstract

一种导电膜,其包括:透明基底,包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面;导电层,设于所述第一表面,所述导电层呈网格状;引线电极,设于所述第一表面,所述引线电极包括引线触头及引线线路,所述引线触头设于所述导电层的网格内部且与所述导电层电连接。上述导电膜具有较高的生产良率。

Description

导电膜
【技术领域】
本发明涉及一种触控导电膜。
【背景技术】
导电膜是触摸屏中接收触摸等输入信号的感应元件。目前,ITO(氧化铟锡)层是导电膜中至关重要的组成部分。虽然触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着,但是以投射式电容屏为例,ITO层的基础制造流程近年来并未发生太大的改变,总是不可避免的需要ITO镀膜,ITO图形化。
铟是一种昂贵的金属材料,因此以ITO作为导电层的材料,很大程度上提升了触摸屏的成本。再者,ITO导电层在图形化工艺中,需将镀好的整面ITO膜进行蚀刻,以形成ITO图案,在此工艺中,大量的ITO被蚀刻掉,造成大量的贵金属浪费及污染。
导电膜中的导电层通过引线电极与电路板电连接。引线电极通常包括引线触头及引线电路,导电层边缘与引线触头电连接。这样,在制备的过程中,对与引线电极的引线触头与导电层边缘对准的精度要求较高,且容易产生脱节,导致生产良率较低。
【发明内容】
鉴于上述状况,有必要提供一种具有较高生产良率的导电膜。
一种导电膜,其包括:
透明基底,包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面;
导电层,设于所述第一表面,所述导电层呈网格状;
引线电极,设于所述第一表面,所述引线电极包括引线触头及引线线路,所述引线触头设于所述导电层的网格内部且与所述导电层电连接。
相较于传统的导电膜,上述导电膜的引线触头设置于导电层的网格内部,在制备的过程中,对于对准的精度要求低,不易因为引线触头与导电层的边缘没有对准而产生不良品,从而具有较高的生产良率。
在其中一个实施例中,所述导电层凸设于所述第一表面。
在其中一个实施例中,所述引线电极凸设于所述第一表面。
在其中一个实施例中,所述第一表面形成有网格凹槽,所述导电层收容于所述网格凹槽。
在其中一个实施例中,所述第一表面形成于引线凹槽,所述引线电极收容于所述引线凹槽内。
在其中一个实施例中,所述导电层的网格为规则网格或随机网格。
在其中一个实施例中,所述网格凹槽的宽度为d1,深度为h,其中,1μm≤d1≤5μm,2μm≤h≤6μm,h/d1>1。
在其中一个实施例中,所述网格凹槽为底部为“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。
在其中一个实施例中,所述微型槽的深度为500nm~1μm。
在其中一个实施例中,所述透明基底的材料为热塑性材料或PET。
在其中一个实施例中,还包括基质层,所述基质层设于所述透明基底的第一表面,所述导电层及所述引线电极设于所述基质层远离透明基底的一侧。
在其中一个实施例中,所述基质层的材料为UV胶、压印胶或聚碳酸酯。
在其中一个实施例中,还包括覆盖所述导电层及所述引线电极表面的透明保护层。
在其中一个实施例中,所述透明保护层的材料为UV胶、压印胶或聚碳酸酯。
在其中一个实施例中,所述导电层及所述引线电极的材料为银、铜、导电聚合物或ITO。
【附图说明】
图1为本发明实施方式的导电膜的结构示意图;
图2为图1中的导电膜的俯视图;
图3(a)至图3(d)为图2所示的导电膜的网格凹槽的底部的不同实施例的结构示意图;
图4(a)至图4(d)为图2所示的导电膜的网格的不同实施例的结构示意图;
图5为另一实施方式的导电膜的分解图;
图6为另一实施方式的导电膜的剖面图;
图7为图1中的导电膜在另一实施例中的剖面图;
图8为图1中的导电膜在另一实施例中的剖面图;
图9(a)至图9(e)为本发明实施方式中在透明基底上形成引线电极步骤的结构示意图。
【具体实施方式】
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1,本发明实施方式的导电膜200包括透明基底210、基质层220及第一导电层230。
透明基底210包括第一表面及与第一表面相对设置的第二表面。透明基底210的形状可以根据导电膜200的形状来设定,例如,透明基底210为矩形。透明基底的材料为热塑性材料、PET或者玻璃。具体的,热塑性材料为PC或PMMA,当然也可以为其他热塑性材料。
基质层220设于透明基底210的第一表面。基质层220开设有网格凹槽221。基质层220的材料为UV胶、压印胶或聚碳酸酯。
请同时参阅图2,网格凹槽221内填充有导电材料以形成相互交叉的导电丝线,相互交叉的导电丝线形成导电层230。导电材料为银、铜、导电聚合物或ITO。优选的,导电层230及网格凹槽221通过压印的方式形成。
进一步地,网格凹槽221为底部为“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。请参阅图3(a)至图3(d),图3(a)所示的网格凹槽221为底部为“V”字形的微型槽,图3(b)所示的网格凹槽221为底部为“W”字形的微型槽,图3(c)所示的网格凹槽221为底部为弧形的微型槽,图3(d)所示的网格凹槽221为底部为波浪形的微型槽。优选地,微型槽的深度为500nm~1μm。
优选地,网格凹槽221的宽度为d1,深度为h,其中,1μm≤d1≤5μm,2μm≤h≤6μm,h/d1>1。
网格凹槽221为底部为“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽,这样网格凹槽221的沟槽内的导电墨水在烘干的时候,导电墨水缩聚不容易出现烘干后的导电材料不会出现断开的现象。
进一步的,请参阅图4(a)至图4(d),导电层230的网格为规则网格或随机网格。如图4(a)中所示的网格为随机网格,图4(b)至图4(d)中所示的网格分别为正六边形网格、菱形网格及正方形网格。
在图1所示的实施方式中,仅仅显示了导电膜的导电层230,导电层230由多个阵列排布的导电条带组成。当然,在具体的应用中,导电膜还包括另一个导电层250。请参阅图5,图示的实施方式中,导电层230的导电条带沿第一维的方向延伸,导电层250的导电条带沿第二维的方向延伸,第一维方向与第二维方向相互垂直。当然,第一维方向与第二维方向也可以斜交。
进一步的,请同时参阅图2及图6,导电膜200还包括引线电极260。引线电极260与导电层230电连接。引线电极260包括引线触头262及引线线路264。引线触头262大体为条状。引线触头262设于导电层230的网格内部。在图示的实施方式中,导电层230由多个阵列排布的导电条带组成,每一个引线触头262沿导电条带的宽度方向延伸,从而引线触头262与导电条带的多条导电丝线相交并电连接。引线线路264的一端与引线触头262电连接并延伸至导电层230外。
需要说明的是,在图6示的实施例中,引线电极260收容于开设于基质层220的引线凹槽223中。当然,在其他实施例中,引线电极260也可以直接凸设于基质层220远离基底210的表面,如在图7所示的实施例中,引线电极260凸设于基质层220远离基底210的表面。引线电极260可以通过丝网印刷、压印或喷墨打印等方式形成。
在本实施例中,引线电极260包括相互交叉的导电引线。引线电极260的网格结构与导电层230的网格结构相同,为规则网格或随机网格,具体可以为图4(a)至图4(d)所示的结构。引线凹槽223的结构及参数与网格凹槽221的结构及参数均相同。当然,在其他的实施例中,引线电极260还可以为凸起线条状时,引线电极260的线宽为50μm~200μm,高度为5μm~10μm。
优选的,引线电极260的材料为银、铜等导电金属。
进一步的,导电膜200还包括覆盖于导电层230表面的透明保护层(图未示)。透明保护层覆盖导电层230及基质层220远离透明基底210的表面。由于导电层230设于基质层220的表面,因此,在导电层230的表面形成透明保护层2以对导电层230及引线电极260形成保护,避免划伤。优选的,透明保护层的材料为UV胶、压印胶或聚碳酸酯。
当然,基质层220可以省略,此时网格凹槽221开设于透明基底210的第一表面,引线凹槽223开设于透明基底210的第一表面,导电层230及引线电极26直接设于透明基底的第一表面即可。
需要说明的是,网格凹槽221可以省略,此时导电层230直接凸设于透明基底210的第一表面即可。请参阅图8,在图示的实施例中,导电层230直接凸设于透明基底210的第一表面。
请参阅图9(a)至图9(e),具体在图示的实施例中,在透明基底210表面形成引线电极260的步骤包括:
如图9(a)所示,在透明基底210的表面形成用于引线电极260的导电材料层300;
如图9(b)所示,在导电材料层300表面设置可形成对应的引线电极260的遮光板400;
如图9(c)所示,对导电材料层300进行光照曝光;
如图9(d)所示,对导电材料层300进行刻蚀形成如图9(e)所示的引线电极260。
相较于传统的导电膜,上述导电膜200至少具有以下优点:
(1)上述导电膜200的引线触头262设置于导电层230的网格内部,在制备的过程中,对于对准的精度要求低,不易因为引线触头262与导电层230的边缘没有对准而产生不良品,从而具有较高的生产良率。
(2)上述导电膜200的导电层230为网格状,以网格结构取代传统ITO工艺结构,从而降低成本,简化制造工艺。
(3)通过在基质层220上形成网格凹槽221,网格凹槽221内填充导电丝线形成导电层230,从而能降低导电膜200的厚度;同时采用这种埋入式设计,对导电膜200的性能得到很好的保护。
(4)通过在导电层230的表面形成透明保护层280,可以保护导电层230避免被划伤,同时可以防止导电材料氧化。
(5)网格凹槽221为底部为“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽,这样网格凹槽221的沟槽内的导电墨水在烘干的时候,导电墨水缩聚不容易出现烘干后的导电材料不会出现断开的现象。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种导电膜,其特征在于,包括:
透明基底,包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面;
导电层,设于所述第一表面,所述导电层包括多个导电条带,所述每一导电条带是由导电丝线相互交叉形成网格状结构;
引线电极,设于所述第一表面,所述引线电极呈网格状,包括引线触头及与所述引线触头相连的引线线路,所述引线触头设于所述导电条带的网格内部且与所述导电层电连接,所述引线触头呈条状,并沿所述导电条带的宽度方向延伸。
2.如权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述导电层的网格为规则网格或随机网格。
3.如权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述第一表面形成有网格凹槽,所述导电丝线收容于所述网格凹槽,所述网格凹槽的宽度为d1,深度为h,其中,1μm≤d1≤5μm,2μm≤h≤6μm,h/d1>1。
4.如权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述第一表面形成有网格凹槽,所述导电丝线收容于所述网格凹槽,所述网格凹槽为底部为“V”字形、弧形、或波浪形的微型槽。
5.如权利要求4所述的导电膜,其特征在于,所述微型槽的深度为500nm~1μm。
6.如权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述透明基底的材料为热塑性材料。
7.如权利要求1所述的导电膜,其特征在于,还包括基质层,所述基质层设于所述透明基底的第一表面,所述导电层及所述引线电极设于所述基质层远离透明基底的一侧。
8.如权利要求7所述的导电膜,其特征在于,所述基质层的材料为UV胶、压印胶或聚碳酸酯。
9.如权利要求1所述的导电膜,其特征在于,还包括覆盖所述导电层及所述引线电极表面的透明保护层。
10.如权利要求9所述的导电膜,其特征在于,所述透明保护层的材料为UV胶、压印胶或聚碳酸酯。
11.如权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述导电层及所述引线电极的材料为银、铜、导电聚合物或ITO。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104375735B (zh) * 2014-12-05 2018-04-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 触控面板及显示装置
CN105856707B (zh) * 2015-01-18 2019-04-16 昇印光电(昆山)股份有限公司 一种可离型印刷薄膜、复合型印刷结构及制作方法
CN104730757B (zh) * 2015-03-27 2017-10-27 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、彩膜基板的制造方法、触摸屏及显示装置
CN105517333A (zh) * 2015-12-29 2016-04-20 广东欧珀移动通信有限公司 柔性电路板及终端
CN110544551B (zh) * 2018-05-29 2021-05-11 昇印光电(昆山)股份有限公司 导电膜及制备方法
CN111180109B (zh) * 2018-11-12 2021-06-25 昇印光电(昆山)股份有限公司 导电膜及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201893132U (zh) * 2010-08-18 2011-07-06 柯建信 具金属导电层的透明导电膜
CN102314254A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 乐金显示有限公司 触摸面板
CN102782624A (zh) * 2010-03-03 2012-11-14 未来奈米科技股份有限公司 静电容式触控面板及其制造方法
CN103151100A (zh) * 2013-02-06 2013-06-12 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏
CN103165226A (zh) * 2013-03-28 2013-06-19 南昌欧菲光科技有限公司 透明导电膜及其制备方法
CN103165227A (zh) * 2013-03-28 2013-06-19 南昌欧菲光科技有限公司 透明导电膜及其连通方法
CN203503319U (zh) * 2013-07-30 2014-03-26 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102782624A (zh) * 2010-03-03 2012-11-14 未来奈米科技股份有限公司 静电容式触控面板及其制造方法
CN102314254A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 乐金显示有限公司 触摸面板
CN201893132U (zh) * 2010-08-18 2011-07-06 柯建信 具金属导电层的透明导电膜
CN103151100A (zh) * 2013-02-06 2013-06-12 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏
CN103165226A (zh) * 2013-03-28 2013-06-19 南昌欧菲光科技有限公司 透明导电膜及其制备方法
CN103165227A (zh) * 2013-03-28 2013-06-19 南昌欧菲光科技有限公司 透明导电膜及其连通方法
CN203503319U (zh) * 2013-07-30 2014-03-26 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜

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