CN103422057B - 导电薄膜、其制备方法及应用 - Google Patents
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Abstract
一种导电薄膜，包括层叠的MZO层及Cu1-xNixO层，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO为掺铝的氧化锌、掺镓的氧化锌或掺铟的氧化锌。上述导电薄膜通过在MZO层的表面沉积高功函的Cu1-xNixO层制备双层导电薄膜，既能保持MZO层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
背景技术
导电薄膜电极是有机电致发光器件（OLED）的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，掺铝的氧化锌（AZO）、掺镓的氧化锌（GZO）或掺铟的氧化锌（IZO）是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.5~5.1eV，与一般的有机发光层的HOMO能级（典型的为5.7～6.3eV）还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提高。
发明内容
基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
一种导电薄膜，包括层叠的MZO层及Cu1-xNixO层，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO为掺铝的氧化锌、掺镓的氧化锌或掺铟的氧化锌。
一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
将MZO靶材、Cu1-xNixO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材；
在所述衬底表面溅镀MZO层，溅镀所述MZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；
在所述MZO层表面溅镀Cu1-xNixO层，溅镀所述Cu1-xNixO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；及
剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
在其中一个实施例中，所述MZO层的厚度为50nm~300nm，所述Cu1-xNixO层的厚度为0.5nm~5nm。
在其中一个实施例中，所述MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M2O3粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M2O3的质量百分数为0.5%~10％，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。
在其中一个实施例中，所述Cu1-xNixO靶材由以下步骤得到：根据Cu1-xNixO各元素的化学计量比称取CuO和NiO粉体并混合均匀后在800℃~1200℃下烧结制成靶材。
一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、MZO层及Cu1-xNixO层，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO为掺铝的氧化锌、掺镓的氧化锌或掺铟的氧化锌。
一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤：
将MZO靶材、Cu1-xNixO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材；
在所述衬底表面溅镀MZO层，溅镀所述MZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃；
在所述MZO层表面溅镀Cu1-xNixO层，溅镀所述Cu1-xNixO层的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃。
在其中一个实施例中，所述MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M2O3粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M2O3的质量百分数为0.5%~10%，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。
在其中一个实施例中，所述Cu1-xNixO靶材由以下步骤得到：根据Cu1-xNixO各元素的化学计量比称取CuO和NiO粉体并混合均匀后在800℃~1200℃下烧结制成靶材。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的MZO层及Cu1-xNixO层，其中，0.01≤x≤0.15，所述MZO为掺铝的氧化锌、掺镓的氧化锌或掺铟的氧化锌。
上述导电薄膜通过在MZO层的表面沉积高功函的Cu1-xNixO层制备双层导电薄膜，既能保持MZO层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高，导电薄膜在450~790nm波长范围可见光透过率85%~90%，方块电阻范围15~150Ω/□，表面功函数5.1~5.7eV；上述导电薄膜的制备方法，仅仅使用磁控溅射镀膜设备即可连续制备MZO层及沉积在MZO层表面的Cu1-xNixO层，工艺较为简单；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。
附图说明
图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构示意图；
图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的MZO层10及Cu1-xNixO层30，其中，0.01≤x≤0.15，MZO为掺铝的氧化锌（AZO）、掺镓的氧化锌（GZO）或掺铟的氧化锌（IZO）。优选的，x为0.05。
MZO层10的厚度为50nm~300nm，优选为150nm。
Cu1-xNixO层30的厚度为0.5nm~5nm，优选为2nm。
上述导电薄膜100通过在MZO层10的表面沉积高功函的Cu1-xNixO层制备双层导电薄膜，既能保持MZO层10的良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在450~790nm波长范围可见光透过率85%~90%，方块电阻范围15~150Ω/□，表面功函数5.1~5.7eV。
上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤：
S110、将MZO靶材、Cu1-xNixO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa，0.01≤x≤0.15，MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材。
本实施方式中，MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M2O3粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M2O3的质量百分数为0.5%~10%，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成直径为50mm，厚度为2mm的靶材。优选的，M2O3的质量百分数为0.3%，混合均匀的粉体在1250℃下烧结制成MZO靶材。
Cu1-xNixO靶材由以下步骤得到：根据Cu1-xNixO各元素的化学计量比称取CuO和NiO粉体并混合均匀后在800℃~1200℃下烧结制成直径为50mm，厚度为2mm的靶材。优选的，x为0.05，混合均匀的粉体在1100℃下烧结制成Cu1-xNixO靶材。
衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5×10-4Pa。
步骤S120、在衬底表面溅镀MZO层10，溅镀MZO层10的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃。
优选的，基靶间距为60mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃。
形成的MZO层10的厚度为50nm~300nm，优选为150nm。
步骤S130、在MZO层10表面溅镀Cu1-xNixO层30，溅镀Cu1-xNixO层30的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃。
优选的，基靶间距为60mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃。
形成的Cu1-xNixO层30的厚度为0.5nm~5nm，优选为2nm。
步骤S140、剥离衬底，得到导电薄膜100。
上述导电薄膜的制备方法，仅仅使用磁控溅射镀膜设备即可连续制备MZO层10及沉积在MZO层10表面的Cu1-xNixO层30，工艺较为简单。
请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件的基底200，包括层叠的衬底201、MZO层202及Cu1-xNixO层203，其中，0.01≤x≤0.15，MZO为掺铝的氧化锌（AZO）、掺镓的氧化锌（GZO）或掺铟的氧化锌（IZO）。优选的，x为0.05。
衬底201为玻璃衬底。衬底201的厚度为0.1mm~3.0mm，优选为1mm。
MZO层202的厚度为50nm~300nm，优选为150nm。
Cu1-xNixO层203的厚度为0.5nm~5nm，优选为2nm。
上述有机电致发光器件的基底200通过在MZO层202的表面沉积高功函的P型氧化物薄膜制备双层导电薄膜，既能保持MZO层202的良好的导电性能，又使有机电致发光器件的基底200的功函数得到了显著的提高，有机电致发光器件的基底200在450~790nm波长范围可见光透过率85%~90%，方块电阻范围15~150Ω/□，表面功函数5.1~5.7eV。
上述有机电致发光器件的基底200的制备方法，包括以下步骤：
S210、将MZO靶材、Cu1-xNixO靶材及衬底201装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa，0.01≤x≤0.15，MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材。
本实施方式中，MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M2O3粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M2O3的质量百分数为0.5%~10％，将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成直径为50mm，厚度为2mm的靶材。优选的，M2O3的质量百分数为0.3%，混合均匀的粉体在1250℃下烧结制成MZO靶材。
Cu1-xNixO靶材由以下步骤得到：根据Cu1-xNixO各元素的化学计量比称取CuO和NiO粉体并混合均匀后在800℃~1200℃下烧结制成直径为50mm，厚度为2mm的靶材。优选的，x为0.05，混合均匀的粉体在1100℃下烧结制成Cu1-xNixO靶材。
衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5×10-4Pa。
步骤S220、在衬底表面溅镀MZO层202，溅镀MZO层202的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃。
优选的，基靶间距为60mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃。
形成的MZO层202的厚度为50nm~300nm，优选为150nm。
步骤S203、在MZO层202表面溅镀Cu1-xNixO层30，溅镀Cu1-xNixO层203的工艺参数为：基靶间距为45mm~95mm，溅射功率为30W~150W，磁控溅射工作压强0.2Pa~4Pa，工作气体的流量为10sccm~35sccm，衬底温度为250℃~750℃。
优选的，基靶间距为60mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃。
形成的Cu1-xNixO层203的厚度为0.5nm~5nm，优选为2nm。
上述有机电致发光器件的基底200的制备方法，仅仅使用磁控溅射镀膜设备即可连续在衬底201上制备MZO层202及沉积在MZO层202表面的Cu1-xNixO层203，工艺较为简单。
请参阅图3，一实施方式的有机电致发光器件300包括依次层叠的衬底301、阳极302、发光层303以及阴极304。阳极302由导电薄膜100制成，包括层叠的MZO层及Cu1-xNixO层30，其中，0.01≤x≤0.15，MZO为掺铝的氧化锌（AZO）、掺镓的氧化锌（GZO）或掺铟的氧化锌（IZO）。衬底301为玻璃衬底，可以理解，根据有机电致发光器件300具体结构的不同，衬底301可以省略。发光层303的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（AND）、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝（BALQ）、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTI）、二甲基喹吖啶酮（DMQA）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。阴极304的材质为银（Ag）、金（Au）、铝（Al）、铂（Pt）或镁银合金。
MZO层的厚度为50nm~300nm，优选为150nm。Cu1-xNixO层的厚度为0.5nm~5nm，优选为2nm。
可以理解，上述有机电致发光器件300也可根据使用需求设置其他功能层。
上述有机电致发光器件300，使用导电薄膜100作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数5.1~5.7eV，与一般的有机发光层的HOMO能级（典型的为5.7～6.3eV）之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可提高发光效率。
下面为具体实施例。
实施例1
选用纯度为99.9%的粉体，194g的ZnO和6g的Al2O3经过均匀混合后，在1250℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的AZO陶瓷靶材，190g的CuO和10g的NiO在1100℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0×10-4Pa，氩气的工作气体流量为25sccm，压强调节为2.0Pa，衬底温度为500℃，溅射功率为100W。先后溅射AZO和CuNiO的靶材，分别沉积150和2nm薄膜的薄膜，得到AZO-Cu0.09Ni0.05O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围28Ω/□，表面功函数5.4eV。
请参阅图4，图4所示为得到的透明导电薄膜的透射光谱，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300~900nm。由图4可以看出薄膜在可见光470~790nm波长范围平均透过率已经达到90%。
实施例2
选用纯度为99.9%的粉体，180g的ZnO和20g的Al2O3经过均匀混合后，在900℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的AZO陶瓷靶材，198g的CuO和2g的NiO在800℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-3Pa，氩气的工作气体流量为10sccm，压强调节为0.2Pa，衬底温度为250℃，溅射功率为150W。先后溅射AZO和CuNiO的靶材，分别沉积50和5nm薄膜的薄膜，得到AZO-Cu0.99Ni0.01O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围90Ω/□，表面功函数5.7eV。
实施例3
选用纯度为99.9%的粉体，199g的ZnO和1g的Al2O3经过均匀混合后，在1300℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的AZO陶瓷靶材，170g的CuO和30g的NiO在800℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-5Pa，氩气的工作气体流量为35sccm，压强调节为4.0Pa，衬底温度为750℃。溅射功率为30W。先后溅射AZO和CuNiO的靶材，分别沉积300和0.5nm薄膜的薄膜，得到AZO-Cu0.85Ni0.15O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围20Ω/□，表面功函数5.1eV。
实施例4
选用纯度为99.9%的粉体，194g的ZnO和6g的Ga2O3经过均匀混合后，在1250℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GZO陶瓷靶材，190g的CuO和10g的NiO在1100℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0×10-4Pa，氩气的工作气体流量为25sccm，压强调节为2.0Pa，衬底温度为500℃，溅射功率为100W。先后溅射GZO和CuNiO的靶材，分别沉积150和2nm薄膜的薄膜，得到GZO-Cu0.09Ni0.05O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围26Ω/□，表面功函数5.5eV。
实施例5
选用纯度为99.9%的粉体，180g的ZnO和20g的Ga2O3经过均匀混合后，在900℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GZO陶瓷靶材，198g的CuO和2g的NiO在800℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-3Pa，氩气的工作气体流量为10sccm，压强调节为0.2Pa，衬底温度为250℃，溅射功率为150W。先后溅射GZO和CuNiO的靶材，分别沉积50和5nm薄膜的薄膜，得到GZO-Cu0.99Ni0.01O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围70Ω/□，表面功函数5.7eV。
实施例6
选用纯度为99.9%的粉体，199g的ZnO和1g的Ga2O3经过均匀混合后，在1300℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的AZO陶瓷靶材，170g的CuO和30g的NiO在800℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-5Pa，氩气的工作气体流量为35sccm，压强调节为4.0Pa，衬底温度为750℃。，溅射功率为30W。先后溅射GZO和CuNiO的靶材，分别沉积300和0.5nm薄膜的薄膜，得到GZO-Cu0.85Ni0.15O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围20Ω/□，表面功函数5.1eV。
实施例7
选用纯度为99.9%的粉体，194g的ZnO和6g的In2O3经过均匀混合后，在1250℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的IZO陶瓷靶材，190g的CuO和10g的NiO在1100℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0×10-4Pa，氩气的工作气体流量为25sccm，压强调节为2.0Pa，衬底温度为500℃，溅射功率为100W。先后溅射IZO和CuNiO的靶材，分别沉积150和2nm薄膜的薄膜，得到IZO-Cu0.09Ni0.05O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围28Ω/□，表面功函数5.4eV。
实施例8
选用纯度为99.9%的粉体，180g的ZnO和20g的In2O3经过均匀混合后，在900℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的IZO陶瓷靶材，198g的CuO和2g的NiO在800℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-3Pa，氩气的工作气体流量为10sccm，压强调节为0.2Pa，衬底温度为250℃，溅射功率为150W。先后溅射IZO和CuNiO的靶材，分别沉积50和5nm薄膜的薄膜，得到IZO-Cu0.99Ni0.01O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围90Ω/□，表面功函数5.6eV。
实施例9
选用纯度为99.9%的粉体，199g的ZnO和1g的In2O3经过均匀混合后，在1300℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的IZO陶瓷靶材，170g的CuO和30g的NiO在800℃下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将两个靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-5Pa，氩气的工作气体流量为35sccm，压强调节为4.0Pa，衬底温度为750℃。，溅射功率为30W。先后溅射IZO和CuAlO2的靶材，分别沉积300和0.5nm薄膜的薄膜，得到IZO-Cu0.85Ni0.15O双层的透明导电薄膜，方块电阻范围20Ω/□，表面功函数5.4eV。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将MZO靶材、Cu1-xNixO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材；
在所述衬底表面溅镀MZO层，溅镀所述MZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；
在所述MZO层表面溅镀Cu1-xNixO层，溅镀所述Cu1-xNixO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；及
剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MZO层的厚度为50nm～300nm，所述Cu1-xNixO层的厚度为0.5nm～5nm。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M2O3粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M2O3的质量百分数为0.5％～10％，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。
4.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述Cu1-xNixO靶材由以下步骤得到：根据Cu1-xNixO各元素的化学计量比称取CuO和NiO粉体并混合均匀后在800℃～1200℃下烧结制成靶材。
5.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将MZO靶材、Cu1-xNixO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa，0.01≤x≤0.15，所述MZO靶材为掺铝的氧化锌靶材、掺镓的氧化锌靶材或掺铟的氧化锌靶材；
在所述衬底表面溅镀MZO层，溅镀所述MZO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；
在所述MZO层表面溅镀Cu1-xNixO层，溅镀所述Cu1-xNixO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述MZO靶材由以下步骤得到：将ZnO和M2O3粉体混合均匀，其中，M为Al、Ga或In，M2O3的质量百分数为0.5％～10％，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述Cu1-xNixO靶材由以下步骤得到：根据Cu1-xNixO各元素的化学计量比称取CuO和NiO粉体并混合均匀后在800℃～1200℃下烧结制成靶材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201210148999.5A CN103422057B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 导电薄膜、其制备方法及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108023031A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 具有空穴传输功能的阳极及有机发光显示器件 |
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| CN101165938A (zh) * | 2006-10-19 | 2008-04-23 | 三星Sdi株式会社 | 有机薄膜晶体管、其制法及包括其的平板显示器 |
| CN101587924A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-11-25 | 先进开发光电股份有限公司 | 发出辐射的半导体元件及降低其操作电压的方法 |
| CN101897052A (zh) * | 2007-12-14 | 2010-11-24 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有可调节电荷载流子注入的有机发光装置 |
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-
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|---|---|
| CN103422057A (zh) | 2013-12-04 |
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