CN103390474A - Ntc热敏电阻 - Google Patents

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周兰涛
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Abstract

本发明公开了一种NTC热敏电阻，包括NTC热敏芯片、与该NTC热敏芯片固接的一对电极，所述NTC热敏芯片及电极需绝缘部分的外侧封装有由2层薄膜胶结而成的绝缘层。本发明在NTC热敏芯片及电极需绝缘部分的外侧封装有双层0.04～0.06mm厚的薄膜，构成厚度仅为0.5～0.6mm的薄膜型NTC热敏电阻，可安装于狭窄空隙内，热感应速度快、灵敏度高。

Description

NTC热敏电阻
技术领域
本发明属于热敏电阻技术领域，具体涉及一种薄膜型NTC热敏电阻。
背景技术
NTC(Negative Temperature Coefficient)指负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件。所谓NTC热敏电阻就是负温度系数热敏电阻，是以高纯度过渡金属氧化物，如锰、钴、镍和铁等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的半导体陶瓷元件，这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少，其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，电阻值降低。NTC热敏电阻在室温下的变化范围在100～1000000欧姆，温度系数-2％～-6.5％。NTC热敏电阻可广泛应用于测温、控温、温度补偿等方面。
各类通信设备、电脑CPU等长时间运转会产生大量热量，常使用热敏电阻作为测温元件，然后根据测得温度调节散热系统，实现智能控温。常规的NTC热敏电阻有环氧封装NTC热敏电阻和玻璃封装NTC热敏电阻，厚度在1.5mm以上，无法对于宽度低于1.5mm的狭窄空隙进行测温，限制了热敏电阻的应用范围，且通信设备、电脑CPU等不能得到全面测温，影响设备的温度调节。
发明内容
本发明目的是提供一种NTC热敏电阻，通过结构的改进，可安装于狭窄空隙内，热感应速度快、灵敏度高。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种NTC热敏电阻，包括负温度系数(NTC)热敏芯片、与该NTC热敏芯片固接的一对电极，所述NTC热敏芯片及电极需绝缘部分的外侧封装有绝缘层，所述绝缘层由2层薄膜胶结而成。
上文中，所述薄膜的厚度为0.04～0.06mm，所述NTC热敏电阻的厚度为0.5～0.6mm。通过上述结构，所述NTC热敏电阻为薄膜型热敏电阻，可安装于狭窄空隙内，热感应速度快、灵敏度高。
上述技术方案中，所述NTC热敏电阻的长度为18～75mm，即该NTC热敏电阻可根据使用情况制作成长度为18mm、25mm、50mm或75mm的薄膜型系列化NTC热敏电阻。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1.本发明在NTC热敏芯片及电极需绝缘部分的外侧封装有双层0.04～0.06mm厚的薄膜，构成厚度仅为0.5～0.6mm的薄膜型NTC热敏电阻，可安装于狭窄空隙内，热感应速度快、灵敏度高。
2.本发明可制作成不同长度规格的系列化薄膜型NTC热敏电阻，满足不同客户的使用要求。
附图说明
图1是本发明实施例一的结构示意图；
其中：1、NTC热敏芯片；2、电极；3、绝缘层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例一：参见图1所示，一种NTC热敏电阻，包括NTC热敏芯片1、与该NTC热敏芯片1固接的一对电极2，所述NTC热敏芯片1及电极2需绝缘部分的外侧封装有绝缘层3，所述绝缘层3由2层0.04～0.06mm厚的薄膜胶结而成。
NTC热敏电阻的厚度为0.5～0.6mm，长度为18mm。
所述NTC热敏电阻为薄膜型热敏电阻，可安装于狭窄空隙内，热感应速度快、灵敏度高。

Claims (3)

1.一种NTC热敏电阻，包括负温度系数(NTC)热敏芯片(1)、与该NTC热敏芯片(1)固接的一对电极(2)，其特征在于：所述NTC热敏芯片(1)及电极(2)需绝缘部分的外侧封装有绝缘层(3)，所述绝缘层(3)由2层薄膜胶结而成。
2.根据权利要求1所述的NTC热敏电阻，其特征是：所述薄膜的厚度为0.04～0.06mm，所述NTC热敏电阻的厚度为0.5～0.6mm。
3.根据权利要求1或2所述的NTC热敏电阻，其特征是：所述NTC热敏电阻的长度为18～75mm。
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Citations (3)

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CN1169017A (zh) * 1996-06-19 1997-12-31 洪绢欲 电子元件过热断路装置
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CN202632920U (zh) * 2012-05-07 2012-12-26 苏州市辛涛电子科技有限公司 Ntc热敏电阻

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Title
袁国安 等: "薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制", 《电子元件与材料》 *

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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20131113