CN201117377Y - 薄膜型负温度系数热敏电阻器 - Google Patents
薄膜型负温度系数热敏电阻器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开一种薄膜型负温度系数热敏电阻器，属于热敏电阻技术领域。其主要由负温度系数热敏芯片(1)和敷设在负温度系数热敏芯片(1)两侧的一对电极层(2)以及固设在一对电极层(2)上的引出线(3)组成，负温度系数热敏芯片(1)外面增设有绝缘层(4)。本实用新型的厚度为0.45～0.55mm，宽度为4.5～5.5mm，长度为24～26mm。本实用新型可安装在比较狭窄的空间使用且灵敏度高，主要应用于电脑、液晶显示屏等电器设备。
Description
技术领域
本实用新型属于热敏电阻技术领域，具体涉及一种薄膜型负温度系数热敏电阻器。
背景技术
负温度系数热敏电阻器是一种以高纯度过渡金属氧化物为主要材料制造的半导体陶瓷元件，它是以锰、钴、镍和铁等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。因此它具有电阻值随温度的变化而相应变化的特性，即在一定测量功率下，电阻值随温度的上升而下降的特性。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在100～1000000欧姆，温度系数-2％～-6.5％。利用这一特性，NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。
电脑CPU长时间运转会产生大量热量，使用热敏电阻作为测温元件，根据CPU的温度调节风扇的转速，达到智能控温的作用。但常规热敏电阻的感温头太大(1.5mm以上)，无法放置入风扇和散热片之间。
发明内容
为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是要提供一种薄膜型负温度系数热敏电阻器，可安装在比较狭窄的空间使用且灵敏度高。
本实用新型采用的技术方案如下：一种薄膜型负温度系数热敏电阻器，由负温度系数热敏芯片和敷设在负温度系数热敏芯片两侧的一对电极层以及固设在一对电极层上的引出线组成，所述负温度系数热敏芯片外面增设有绝缘层，所述薄膜型负温度系数热敏电阻器为薄膜状。
所述薄膜型负温度系数热敏电阻器的厚度为0.45～0.55mm，宽度为4.5～5.5mm，长度为24～26mm。薄膜型负温度系数热敏电阻器引出线的厚度为0.17±0.02mm，宽度为0.5±0.035mm，两根引出线(3)的中心距离为1.8±0.1mm。
所述负温度系数热敏芯片采用锰、钴、镍或铁的氧化物粉末制作而成，所述电极层的材料为银，所述的引出线采用金属导电材料制作而成，所述的绝缘层采用聚酰亚铵薄膜制作而成。
本实用新型的有益效果是：当使用本薄膜型负温度系数热敏电阻器时，因其厚度只有0.5mm左右，可以安装在比较狭窄的空间。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的俯视图；
图3是本实用新型的放大右视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步描述。
如图1至3所示为本实用新型的一个优选实施例。本实用新型主要由负温度系数热敏芯片1和敷设在负温度系数热敏芯片1两侧的一对电极层2以及固设在一对电极层2上的引出线3组成，负温度系数热敏芯片1外面增设有绝缘层4。
负温度系数热敏芯片1采用锰、钴、镍或铁的氧化物粉末制作而成，电极层2的材料为银，引出线3采用金属导电材料，将焊有引出线3的负温度系数热敏芯片1敷上绝缘层4。
薄膜型负温度系数热敏电阻器的厚度为0.5±0.05mm，宽度为5.0±0.5mm，长度为25±1mm。引出线的厚度为0.17±0.02mm，宽度为0.5±0.035mm，两根引出线的中心距离为1.8±0.1mm。
本实用新型主要应用于电脑、液晶显示屏等电器设备。
Claims (9)
1.一种薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：它是由负温度系数热敏芯片(1)和敷设在负温度系数热敏芯片(1)两侧的一对电极层(2)以及固设在一对电极层(2)上的引出线(3)组成，所述负温度系数热敏芯片(1)外面增设有绝缘层(4)，所述薄膜型负温度系数热敏电阻器为薄膜状。
2.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述薄膜型负温度系数热敏电阻器的厚度为0.45～0.55mm。
3.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述薄膜型负温度系数热敏电阻器的宽度为4.5～5.5mm。
4.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述薄膜型负温度系数热敏电阻器的长度为24～26mm。
5.根据权利要求1所述的薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述薄膜型负温度系数热敏电阻器引出线(3)的厚度为0.17±0.02mm，宽度为0.5±0.035mm，两根引出线(3)的中心距离为1.8±0.1mm。
6.根据权利要求1至5所述的任一项薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述负温度系数热敏芯片(1)采用锰、钴、镍或铁的氧化物制作而成。
7.根据权利要求1至5所述的任一项薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述电极层(2)的材料为银。
8.根据权利要求1至5所述的任一项薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述的引出线(3)采用金属导电材料制作而成。
9.根据权利要求1至5所述的任一项薄膜型负温度系数热敏电阻器，其特征在于：所述的绝缘层(4)采用聚酰亚铵薄膜制作而成。
Priority Applications (1)
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| CNU2007200574213U CN201117377Y (zh) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 薄膜型负温度系数热敏电阻器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108917970A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-30 | 江苏华宁电子系统工程有限公司 | 一种温度信号的薄膜化采集传输装置及方法 |
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2007
- 2007-09-25 CN CNU2007200574213U patent/CN201117377Y/zh not_active Expired - Fee Related
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