CN103389766A - 一种亚阀值非带隙基准电压源 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种工作在亚阈值区的低功耗、高阶温度补偿非带隙基准电压源。本发明所述的一种亚阀值非带隙基准电压源，包括线性正温度系数电流源模块、线性负温度系数电流源模块以及基准电压产生模块；其中，线性正温度系数电流源模块产生第一偏置电压并连接到基准电压产生模块的一个输入端；负温度系数电流源模块产生第二偏置电压并连接到基准电压产生模块的另一个输入端；基准电压产生模块通过输出端输出基准电压。本发明的有益效果为，功耗较低，减小了版图面积，降低生产成本，并完全消除了非线性参数对电路的影响，具有较好的温度特性。本发明尤其适用于基准电压源。

Description

一种亚阀值非带隙基准电压源

技术领域

本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种工作在亚阈值区的低功耗、高阶温度补偿非带隙基准电压源。

背景技术

在模拟集成电路或混合信号集成电路设计领域，基准电压源是非常重要且常用的模块，常应用在ADC转换器、DC-DC转换器、以及功率放大器等电路系统中，它的作用是为系统提供一个不随温度及供电电压变化的电压基准。

自带隙基准电压源架构由Widlar提出以来，由于其优越的性能，带隙基准电压源被广泛应用于很多系统之中，且针对该种架构提出了很多改进方案。但随着芯片系统集成度的进一步增加，低电压与低功耗变得越来越重要，带隙基准电压源由于需要大的电流而造成功耗较大，并且在设计过程中需要使用二极管或者BJT晶体管来产生PTAT电压，然而该两种器件均需要大的芯片面积。尽管针对该问题提出过亚阈值区基准电压源，但并没有完全消除电路中的非线性参数，造成输出基准电压的温度系数较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题，就是提供一种工作在亚阈值区的低功耗、高阶温度补偿非带隙基准电压源。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种亚阀值非带隙基准电压源，其特征在于，包括线性正温度系数电流源模块、线性负温度系数电流源模块以及基准电压产生模块；

其中，线性正温度系数电流源模块产生第一偏置电压并连接到基准电压产生模块的一个输入端；

负温度系数电流源模块产生第二偏置电压并连接到基准电压产生模块的另一个输入端；

基准电压产生模块接收线性正温度系数电流源模块和线性负温度系数电流源模块输入的偏置电压并通过输出端输出基准电压。

本发明总的技术方案，通过采用工作于亚阈值区的MOS管的特性产生线性正温度系数电流和线性负温度系数电流，并将两电流进行叠加又转化为电压输出，从而产生一个随温度和输入电压不变的基准输出电压。

具体的，所述线性正温度系数电流源模块包括，第一PMOS管MPS1、第二PMOS管MPS2、第三PMOS管MP1、第四PMOS管MP2、第五PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一电容CS1、第二电容C1和第一电阻R1；

其中，第一PMOS管MPS1的漏极连接第二PMOS管MPS2的栅极和第一电容CS1的一端，第二PMOS管MPS2的漏极连接第二NMOS管MN2的漏极、第四PMOS管MP2的漏极、第一NMOS管MN1的栅极和第二电容C1的一端，第一NMOS管MN1的漏极、第三PMOS管MP1的栅极和漏极、第四PMOS管MP2的栅极、第五PMOS管MP3的栅极连接作为线性正温度系数电流源模块的输出端输出第一偏置电压，第二NMOS管MN2的栅极连接第三NMOS管MN3的栅极和漏极以及第五PMOS管MP3的漏极，第三NMOS管MN3管的源极连接第一电阻R1的一端，第一PMOS管MPS1的源极、第二PMOS管MPS2的源极、第三PMOS管MP1的源极、第四PMOS管MP2的源极和第五PMOS管MP3的源极均连接电源电压，第一PMOS管MPS1的栅极、第一电容C1的另外一端、第一NMOS管MN1的源极、第二NMOS管MN2的源极和第一电阻R1的另一端连接地电位。

具体的，所述线性负温度系数电流源模块包括，第六PMOS管MPS3、第七PMOS管MPS4、第八PMOS管MP4、第九PMOS管MP5、第十PMOS管MP6、第十一PMOS管MP7、第十二PMOS管MP8、第十三PMOS管MP9、第十四PMOS管MP10、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第三电容CS2、第四电容C2、第五电容C3和第二电阻R2；

其中，第六PMOS管MPS3的漏极与第七PMOS管MPS4的栅极和第三电容CS2的一端连接，第七PMOS管MPS4的漏极与第五NMOS管MN5的漏极、第九PMOS管MP5的漏极、第四NMOS管MN4的栅极和第四电容C2的一端连接，第四NMOS管MN4的漏极与第八PMOS管MP4的栅极和漏极、第九PMOS管MP5的栅极、第十PMOS管MP6的栅极、第十一PMOS管MP7的栅极和第十二PMOS管MP8的栅极连接，第六NMOS管MN6的源极与第七NMOS管MN7的漏极连接，第七NMOS管MN7的栅极与第八NMOS管MN8的栅极和漏极连接，第十二PMOS管MP8的漏极与第十NMOS管MN10的栅极、第九NMOS管MN9的漏极和第五电容C3的一端连接，第九NMOS管MN9的栅极与第十三PMOS管MP9的漏极、第五电容C3的另一端和第二电阻R2的一端连接，第十三PMOS管MP9的栅极、第十四PMOS管MP10的栅极和漏极和第十NMOS管MN10的漏极连接作为线性负温度系数电流源模块的输出端输出第二偏置电压，第六PMOS管MPS3的源极、第七PMOS管MPS4的源极、第八PMOS管MP4的源极、第九PMOS管MP5的源极、第十PMOS管MP6的源极、第十一PMOS管MP7的源极、第十二PMOS管MP8的源极、第十三PMOS管MP9的源极和第十四PMOS管MP10的源极均连接电源电压，第六PMOS管MPS3的栅极、第三电容CS2的另一端、第四电容C2的另一端、第四NMOS管MN4的源极、第五NMOS管MN5的源极、第七NMOS管MN7的源极、第八NMOS管MN8的源极、第九NMOS管MN9的源极、第十NMOS管MN10的源极和第二电阻R2的另一端均连接地电位。

具体的，所述基准电压产生模块包括，第十五PMOS管MP11、第十六PMOS管MP12和第三电阻R3；

其中，第十五PMOS管MP11的栅极与线性负温度系数电流源模块输出的第一偏置电压连接、漏极与第十六PMOS管MP12的漏极和第三电阻R3的一端连接作为输出端输出基准电压，第十六PMOS管MP12的栅极连接线性负温度系数电流源模块输出端输出的第二偏置电压，第十五PMOS管MP11的源极和第十六PMOS管MP12的源极连接电源电压，第三电阻R3的另一端接地电位。

本发明的有益效果为，功耗较低，且由于未使用BJT或者二极管，大大减小了版图面积，降低了生产成本，另外最终输出的基准电压为热电压和阈值电压的线性组合，完全消除了非线性参数对电路的影响，具有较好的温度特性。

附图说明

图1为本发明的亚阀值非带隙基准电压源架构示意图；

图2为本发明的线性正温度系数电流源模块电路示意图；

图3为本发明的线性负温度系数电流源模块电路示意图；

图4为基准电压产生模块电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，详细描述本发明的技术方案：

本发明提出了一种工作在亚阈值区的低功耗、高阶温度补偿非带隙基准电压源，具体电路架构如图1所示，包括线性正温度系数电流源模块、线性负温度系数电流源模块以及基准电压产生模块；其中，线性正温度系数电流源模块产生的第一偏置电压VB1连接到基准电压产生模块的一个输入端；线性负温度系数电流源模块产生的第二偏置电压VB2连接到基准电压产生模块的另一个输入端；基准电压产生模块的输出端输出基准电压VREF。

上述线性正温度系数电流源模块如图2所示，包括，第一PMOS管MPS1、第二PMOS管MPS2、第三PMOS管MP1、第四PMOS管MP2、第五PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一电容CS1、第二电容C1和第一电阻R1；

其中，第一NMOS管MN1的漏极、第三PMOS管MP1的栅极和漏极、第四PMOS管MP2的栅极、第五PMOS管MP3的栅极连接作为线性正温度系数电流源模块的输出端输出第一偏置电压，第一PMOS管MPS1的漏极连接第二PMOS管MPS2的栅极和第一电容CS1的一端，第二PMOS管MPS2的漏极与第二NMOS管MN2的漏极、第四PMOS管MP2的漏极、第一NMOS管MN1的栅极和第二电容C1的一端连接，第二NMOS管MN2的栅极连接第三NMOS管MN3的栅极和漏极以及第五PMOS管MP3的漏极，第三NMOS管MN3管的源极连接第一电阻R1的一端，第一PMOS管MPS1的源极、第二PMOS管MPS2的源极、第三PMOS管MP1的源极、第四PMOS管MP2的源极和第五PMOS管MP3的源极均连接电源电压，第一PMOS管MPS1的栅极、第一电容C1的另外一端、第一NMOS管MN1的源极、第二NMOS管MN2的源极和第一电阻R1的另一端连接地电位。

上述线性负温度系数电流源模块如图3所示，包括，第六PMOS管MPS3、第七PMOS管MPS4、第八PMOS管MP4、第九PMOS管MP5、第十PMOS管MP6、第十一PMOS管MP7、第十二PMOS管MP8、第十三PMOS管MP9、第十四PMOS管MP10、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第三电容CS2、第四电容C2、第五电容C3和第二电阻R2；

其中，第十三PMOS管MP9的栅极、第十四PMOS管MP10的栅极和漏极与第十NMOS管MN10的漏极连接作为线性负温度系数电流源模块的输出端输出第二偏置电压，第六PMOS管MPS3的漏极与第七PMOS管MPS4的栅极和第三电容CS2的一端连接，第七PMOS管MPS4的漏极与第五NMOS管MN5的漏极、第九PMOS管MP5的漏极、第四NMOS管MN4的栅极和第四电容C2的一端连接，第四NMOS管MN4的漏极与第八PMOS管MP4的栅极和漏极、第九PMOS管MP5的栅极、第十PMOS管MP6的栅极、第十一PMOS管MP7的栅极和第十二PMOS管MP8的栅极连接，第六NMOS管MN6的源极与第七NMOS管MN7的漏极连接，第七NMOS管MN7的栅极与第八NMOS管MN8的栅极和漏极连接，第十二PMOS管MP8的漏极与第十NMOS管MN10的栅极、第九NMOS管MN9的漏极和第五电容C3的一端连接，第九NMOS管MN9的栅极与第十三PMOS管MP9的漏极、第五电容C3的另一端和第二电阻R2的一端连接，第六PMOS管MPS3的源极、第七PMOS管MPS4的源极、第八PMOS管MP4的源极、第九PMOS管MP5的源极、第十PMOS管MP6的源极、第十一PMOS管MP7的源极、第十二PMOS管MP8的源极、第十三PMOS管MP9的源极和第十四PMOS管MP10的源极均连接电源电压，第六PMOS管MPS3的栅极、第三电容CS2的另一端、第四电容C2的另一端、第四NMOS管MN4的源极、第五NMOS管MN5的源极、第七NMOS管MN7的源极、第八NMOS管MN8的源极、第九NMOS管MN9的源极、第十NMOS管MN10的源极和第二电阻R2的另一端均连接地电位。

上述基准电压产生模块如图4所示，包括，第十五PMOS管MP11、第十六PMOS管MP12和第三电阻R3；

其中，第十五PMOS管MP11的漏极与第十六PMOS管MP12的漏极和第三电阻R3的一端连接作为输出端输出基准电压、栅极与线性负温度系数电流源模块输出的第一偏置电压连接，第十六PMOS管MP12的栅极连接线性负温度系数电流源模块输出端输出的第二偏置电压，第十五PMOS管MP11的源极和第十六PMOS管MP12的源极连接电源电压，第三电阻R3的另一端接地电位。

本发明的工作原理为：

线性正温度系数电流源模块中，第一PMOS管MPS1、第二PMOS管MPS2以及第一电容CS1组成启动电路，其他器件组成该模块的核心电路。由于该模块电路中的MOS管除了启动电路中的第一PMOS管MPS1和第一PMOS管MPS2之外均工作于亚阈值区，所以第三PMOS管MP1的栅源电压差很小，不能采用传统的启动电路方式：通过采样第三MOS管MP1的栅极电压来确定电路是否正常启动。该启动电路的工作原理为：由于第一PMOS管MPS1的栅极电压为地电位，因此第一PMOS管MPS1管工作于线性区作为电阻使用，在电源开始上电时，电流流过第一PMOS管MPS1开始对第一电容CS1进行充电，在该过程中第二PMOS管MPS2管为开启状态，因此第二PMOS管MPS2上的电流对第一NMOS管MN1的栅极电压进行充电，使第三PMOS管MP1管有电流产生，因此可以摆脱零电流的状态；随着第二PMOS管MPS2的栅极电压的不断充电，第二PMOS管MPS2的栅极电压会缓慢升高至电源电压，此时第二PMOS管MPS2管关闭，启动电路对正温度系数电流源模块的核心电路不再有任何作用，完成启动过程。由于第四PMOS管MP2、第五PMOS管MP3管也工作于亚阈值区，由亚阈值区MOS的电压电流特性可知：

$I_{\mathrm{MN}2}={\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{V_T}^{^2}{S}_{\mathrm{MN}2}\exp \left(\frac{V_{\mathrm{GSMN}2}-V_{\mathrm{TH}}}{{\mathrm{nV}}_T}\right);$

$I_{\mathrm{MN}3}={\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{V_T}^{^2}{S}_{\mathrm{MN}3}\exp \left(\frac{V_{\mathrm{GSMN}3}-V_{\mathrm{TH}}}{{\mathrm{nV}}_T}\right);$

其中，μ为沟道载流子迁移率；C_OX为单位面积的栅氧化层电容；V_T＝KT/q，K是波尔兹曼常数，q是单位电荷的电量，T是温度，n为亚阈值斜率；S=W/L为MOS管的宽长比，下标为所指代MOS管编号；V_GS为MOS管的栅源电压差，下标为所指代MOS管编号；V_TH为NMOS管的阈值电压；n为工艺参数，是与温度无关的常系数；设第三PMOS管MP1上电流为I₁，而第三PMOS管MP1、第四PMOS管MP2、第五PMOS管MP3的宽长比相同，所以流过第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2的电流也为I₁，又因V_GSMN2=V_GSMN3+I₁R₁，则可解得第一电阻R₁上电流为：

$I_1=\frac{V}{R_1}=\frac{{\mathrm{nV}}_T}{R_1}\ln \left(\frac{S_{\mathrm{MN}3}}{S_{\mathrm{MN}2}}\right)=K_1\frac{V_T}{R_1}$ 其中， $K_1=n\ln \left(\frac{S_{\mathrm{MN}3}}{S_{\mathrm{MN}2}}\right).$

由于V_T为正温度系数，因此该模块产生线性正温度系数电流。第一NMOS管MN1和第三PMOS管MP1构成反馈环路，其中第一NMOS管MN1的宽长比与第二NMOS管MN2的宽长比相同，因此三NMOS管MN3的V_DSMN3=V_GSMN2，而第二NMOS管MN2管的V_DSMN2=V_GSMN1=V_GSMN2，因此第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3的漏源电压相等，这样就可以消除沟道调制效应对第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3电流的影响，提高电路的精准度；另外第二电容C1的目的是将该模块中主极点位置和次极点位置相距足够远，保证了正温度系数电流源模块的稳定性。

线性负温度系数电流源模块中，第六PMOS管MPS3、第七PMOS管MPS4以及第三电容CS2组成启动电路，其他器件组成负温度系数电流产生模块的核心电路。该模块中的启动电路和正温度系数电流源模块中的启动电路具有相同的功能和原理，这里不再对启动电路的原理重复说明。另外第四NMOS管MN4和第八PMOS管MP4与正温度系数电流源模块中的第一NMOS管MN1和第三PMOS管MP1的作用和功能也相同，用于降低第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6沟道调制效应。为了便于说明，设流过第八PMOS管MP4的电流为I₂，而第八PMOS管MP4、第九PMOS管MP5、第十PMOS管MP6、第十一PMOS管MP7的宽长比相同，因此第九PMOS管MP5、第十PMOS管MP6、第十一PMOS管MP7上电流也为I₂。

由于第九PMOS管MP5、第十PMOS管MP6工作于亚阈值区，由亚阈值区MOS的电压电流特性知：

$I_{\mathrm{MN}5}=I_2{=\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{V_T}^{^2}{S}_{\mathrm{MN}5}\exp \left(\frac{V_{\mathrm{GSMN}5}-V_{\mathrm{TH}}}{{\mathrm{nV}}_T}\right);$

$I_{\mathrm{MN}6}=I_2{=\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{V_T}^{^2}{S}_{\mathrm{MN}6}\exp \left(\frac{V_{\mathrm{GSMN}6}-V_{\mathrm{TH}}}{{\mathrm{nV}}_T}\right);$

则可得：

$V_{\mathrm{DSMN}7}=V_{\mathrm{GSMN}5}-V_{\mathrm{GSMN}6}={\mathrm{nV}}_T\ln \left(\frac{S_{\mathrm{MN}6}}{S_{\mathrm{MN}5}}\right).$

而又因第七NMOS管MN7工作于线性区，则第十二PMOS管MP8工作于饱和区，因此：

$I_{\mathrm{MN}7}=I_2={\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{S}_{\mathrm{MN}7}[(V_{\mathrm{GSMN}7}-V_{\mathrm{TH}})V_{\mathrm{DSMN}7}-\frac{1}{2}{V_{\mathrm{DSMN}7}}^{^2}];$

$I_{\mathrm{MN}8}=I_2=\frac{1}{2}{\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{S}_{\mathrm{MN}8}{(V_{\mathrm{GSMN}8}-V_{\mathrm{TH}})}^{^2};$

因此联立以上式可得：

$I_2={V_{\mathrm{DSMN}7}}^{^2}{\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{S}_{\mathrm{MN}7}{[\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}}\±\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}}-1]}^{^2}.$

由于第七NMOS管MN7工作于线性区，则V_GSMN7-V_TH>V_DSMN7，且S_MN7>S_MN8，将两限制条件代入第七NMOS管MN7的电流公式可知，I₂电流公式中减号不成立，所以：

$I_2={V_{\mathrm{DSMN}7}}^{^2}{\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{S}_{\mathrm{MN}7}{[\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}}+\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}}-1]}^{^2};$

由于第十二PMOS管MP8的电流为第八PMOS管MP4电流的镜像，那么假设第十二PMOS管MP8的宽长比为第八PMOS管MP4宽长比的K₂倍，又第九NMOS管MN9工作于亚阈值区，则：

$I_{\mathrm{MN}9}=K_2{I}_2=K_2{V_{\mathrm{DSMN}7}}^{^2}{\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{S}_{\mathrm{MN}}{[\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}}+\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}-1}]}^{^2}={\mathrm{\μC}}_{\mathrm{OX}}{V_T}^{^2}{S}_{\mathrm{MN}9}\exp \left(\frac{V_{\mathrm{GSMN}9}-V_{\mathrm{TH}}}{{\mathrm{nV}}_T}\right)$

所以可得：

V_GSMN9＝K₃V_T+V_TH；

其中 $K_3=n\ln \left(\frac{n^{^2}\ln {\left(\frac{S_{\mathrm{MN}6}}{S_{\mathrm{MN}5}}\right)}^{^2}{K}_2{S}_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}9}}{[\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}}+\sqrt{\frac{S_{\mathrm{MN}7}}{S_{\mathrm{MN}8}}-1}]}^{^2}\right)$ 为常系数，因此流过第二电阻R₂的电流I₃为：

$I_3=\frac{1}{R_2}(K_3{V}_T+V_{\mathrm{TH}}).$

由于第九NMOS管MN9工作于亚阈值区，因此V_GSMN9小于阈值电压，所以K₃为负值；另外V_TH为线性负温度系数的电压，因此产生的电流I₃为负温度系数的电流源。

该模块中第十NMOS管MN10形成一个反馈环路，用于控制第十三PMOS管MP9上的电流，使第二电阻R2上的压降能够为第九NMOS管MN9提供合适的栅源电压差。另外由于第二电阻R2上端电压在700mV左右，而输出电压也恒定在800mV左右，因此在电源变化时，该电路架构中的第十三PMOS管MP9沟道调制效应与基准电压产生模块中镜像管第十六PMOS管MP12的沟道调整效应近似相等，消除了电流随电源电压变化的因素，也保证了输出基准电压不随电源电压变化。另外第五电容C3为米勒电容，用于控制环路稳定性，使主极点位置和次极点位置相距足够远，保证该模块电路稳定。

基准电压产生模块是将产生的正温度系数电流和负温度系数电流转化成电压信号并进行叠加，从而产生与温度无关的基准输出电压。

由于第十五PMOS管MP11镜像正温度系数电流源，第十六PMOS管MP12的镜像负温度系数电流源，因此流过第十五PMOS管MP11、第十六PMOS管MP12管的电流可分别表示为：

$I_{\mathrm{MP}11}={\mathrm{AI}}_1={\mathrm{AK}}_1\frac{V_T}{R_1}$ 其中，A为常系数；

$I_{\mathrm{MP}12}={\mathrm{BI}}_3=\frac{{\mathrm{BK}}_3{V}_T}{R_2}+\frac{{\mathrm{BV}}_{\mathrm{TH}}}{R_2}$ 其中，B为常系数；

因此输出基准电压：

$\mathrm{VREF}=R_3(I_{\mathrm{MP}11}+I_{\mathrm{MP}12})=({\mathrm{AK}}_1\frac{R_3}{R_1}+{\mathrm{BK}}_3\frac{R_3}{R_2})V_T+B\frac{R_3}{R_2}{V}_{\mathrm{TH}}$

可以看到基准电压公式中V_T为线性正温度系数的电压，V_TH为线性负温度系数的电压；而两项的系数中电阻比例消除了电阻随温度变化的影响；其他系数均为固定常系数，通过调节相应管子宽长比以及镜像比例可以进行调节。因此通过调节第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第九NMOS管MN9、第十五PMOS管MP11、第十六PMOS管MP12的宽长比以及第一电阻R1和第二R2的阻值可以最终使

因此得到随温度无关的基准输出电压。

Claims (4)

1.一种亚阀值非带隙基准电压源，其特征在于，包括线性正温度系数电流源模块、线性负温度系数电流源模块以及基准电压产生模块；

其中，线性正温度系数电流源模块产生第一偏置电压并连接到基准电压产生模块的一个输入端；

负温度系数电流源模块产生第二偏置电压并连接到基准电压产生模块的另一个输入端；

基准电压产生模块接收线性正温度系数电流源模块和线性负温度系数电流源模块输入的偏置电压并通过输出端输出基准电压。

2.根据权利要求1所述的一种亚阀值非带隙基准电压源，其特征在于，所述线性正温度系数电流源模块包括，第一PMOS管MPS1、第二PMOS管MPS2、第三PMOS管MP1、第四PMOS管MP2、第五PMOS管MP3、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一电容CS1、第二电容C1和第一电阻R1；

其中，第一NMOS管MN1的漏极、第三PMOS管MP1的栅极和漏极、第四PMOS管MP2的栅极、第五PMOS管MP3的栅极连接作为线性正温度系数电流源模块的输出端输出第一偏置电压，第一PMOS管MPS1的漏极连接第二PMOS管MPS2的栅极和第一电容CS1的一端，第二PMOS管MPS2的漏极与第二NMOS管MN2的漏极、第四PMOS管MP2的漏极、第一NMOS管MN1的栅极和第二电容C1的一端连接，第二NMOS管MN2的栅极连接第三NMOS管MN3的栅极和漏极以及第五PMOS管MP3的漏极，第三NMOS管MN3管的源极连接第一电阻R1的一端，第一PMOS管MPS1的源极、第二PMOS管MPS2的源极、第三PMOS管MP1的源极、第四PMOS管MP2的源极和第五PMOS管MP3的源极均连接电源电压，第一PMOS管MPS1的栅极、第一电容C1的另外一端、第一NMOS管MN1的源极、第二NMOS管MN2的源极和第一电阻R1的另一端连接地电位。

3.根据权利要求2所述的一种亚阀值非带隙基准电压源，其特征在于，所述线性负温度系数电流源模块包括，第六PMOS管MPS3、第七PMOS管MPS4、第八PMOS管MP4、第九PMOS管MP5、第十PMOS管MP6、第十一PMOS管MP7、第十二PMOS管MP8、第十三PMOS管MP9、第十四PMOS管MP10、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第三电容CS2、第四电容C2、第五电容C3和第二电阻R2；

其中，第十三PMOS管MP9的栅极、第十四PMOS管MP10的栅极和漏极与第十NMOS管MN10的漏极连接作为线性负温度系数电流源模块的输出端输出第二偏置电压，第六PMOS管MPS3的漏极与第七PMOS管MPS4的栅极和第三电容CS2的一端连接，第七PMOS管MPS4的漏极与第五NMOS管MN5的漏极、第九PMOS管MP5的漏极、第四NMOS管MN4的栅极和第四电容C2的一端连接，第四NMOS管MN4的漏极与第八PMOS管MP4的栅极和漏极、第九PMOS管MP5的栅极、第十PMOS管MP6的栅极、第十一PMOS管MP7的栅极和第十二PMOS管MP8的栅极连接，第六NMOS管MN6的源极与第七NMOS管MN7的漏极连接，第七NMOS管MN7的栅极与第八NMOS管MN8的栅极和漏极连接，第十二PMOS管MP8的漏极与第十NMOS管MN10的栅极、第九NMOS管MN9的漏极和第五电容C3的一端连接，第九NMOS管MN9的栅极与第十三PMOS管MP9的漏极、第五电容C3的另一端和第二电阻R2的一端连接，第六PMOS管MPS3的源极、第七PMOS管MPS4的源极、第八PMOS管MP4的源极、第九PMOS管MP5的源极、第十PMOS管MP6的源极、第十一PMOS管MP7的源极、第十二PMOS管MP8的源极、第十三PMOS管MP9的源极和第十四PMOS管MP10的源极均连接电源电压，第六PMOS管MPS3的栅极、第三电容CS2的另一端、第四电容C2的另一端、第四NMOS管MN4的源极、第五NMOS管MN5的源极、第七NMOS管MN7的源极、第八NMOS管MN8的源极、第九NMOS管MN9的源极、第十NMOS管MN10的源极和第二电阻R2的另一端均连接地电位。

4.根据权利要求3所述的一种亚阀值非带隙基准电压源，其特征在于，所述基准电压产生模块包括，第十五PMOS管MP11、第十六PMOS管MP12和第三电阻R3；

其中，第十五PMOS管MP11的漏极与第十六PMOS管MP12的漏极和第三电阻R3的一端连接作为输出端输出基准电压、栅极与线性负温度系数电流源模块输出的第一偏置电压连接，第十六PMOS管MP12的栅极连接线性负温度系数电流源模块输出端输出的第二偏置电压，第十五PMOS管MP11的源极和第十六PMOS管MP12的源极连接电源电压，第三电阻R3的另一端接地电位。

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