CN103378275A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构,包括基板以及设置在基板上的发光二极管晶粒。基板的表面设置有第一电极和第二电极。发光二极管晶粒设置在第一电极之上,且发光二极管晶粒的正负电极分别与第一电极和第二电极电性连接。所述基板由基体材料以及混合在基体材料中的陶瓷纤维组成。在上述发光二极管封装结构中,由于陶瓷纤维与金属之间的接合性能较好,从而使基板与第一电极和第二电极之间结合的更加紧密。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
发光二极管封装结构通常包括基板以及设置在基板上的发光二极管晶粒。基板上设置有电极与发光二极管晶粒的正负电极连接。一般地,基板通常由基体材料以及混合在基体材料中的玻璃纤维组成。然而,由于玻璃纤维分子的排列方向无法控制,其与电极之间的接触性能通常较差。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种基板和电极之间具有较好的接触性能的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构,包括基板以及设置在基板上的发光二极管晶粒。基板的表面设置有第一电极和第二电极。发光二极管晶粒设置在第一电极之上,且发光二极管晶粒的正负电极分别与第一电极和第二电极电性连接。所述基板由基体材料以及混合在基体材料中的陶瓷纤维组成。
在上述发光二极管封装结构中,基板的基体材料中混合有陶瓷纤维,由于陶瓷纤维与金属的结合性较佳,从而使基板与第一电极和第二电极之间结合的更加紧密,有利于提高产品的性能。
附图说明
图1是本发明实施例所提供的发光二极管的结构示意图。
图2是图1中的基板的结构示意图。
图3是采用混合有陶瓷纤维的基板与混合有玻璃纤维的基板的表面粗糙度曲线。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 10
基板 110
第一电极 111
第二电极 112
基体材料 113
陶瓷纤维 114
发光二极管晶粒 120
引线 121、122
反射杯 130
反射腔 131
封装材料 140
荧光粉粒子 141
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下参照图示,对本发明的发光二极管封装结构进行进一步的说明。
请参见图1,本发明实施例提供的发光二极管封装结构10包括基板110、发光二极管晶粒120、反射杯130以及封装材料140。
基板110的表面设置有第一电极111和第二电极112,第一电极111和第二电极112相互绝缘以作为发光二极管封装结构10对外连接的两个电极。在本实施例中,第一电极111从基板110的上表面延伸到基板110的下表面,第二电极112亦从基板110的上表面延伸到基板110的下表面。第一电极111和第二电极112分设于基板110的两侧。第一电极111和第二电极112位于基板110底部的部分暴露在外以与外界电源相连接,从而形成表面贴装的结构。所述第一电极111和第二电极112的材料可以是由金、银、铝、镍、铜或者其合金。请一并参见图2,所述基板110由基体材料113以及混合在基体材料113中的陶瓷纤维114组成。所述基体材料113为热固性树脂,其选自聚邻苯二酰胺(PPA)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、树脂(epoxy)和硅胶(silicone)其中之一或者其混合物。所述陶瓷纤维114的材料可以是钛酸钾(K2Ti6O13)。
发光二极管晶粒120设置在第一电极111之上。所述发光二极管晶粒120具有正极电极和负极电极(图未示),所述正极电极和负极电极通过引线121和引线122分别与第一电极111和第二电极112相连接。所述发光二极管晶粒120的制作材料可以是氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)以及氮化铝镓铟(AlInGaN)等。
反射杯130形成在基板110的表面,其环绕发光二极管晶粒120设置。反射杯130和基板110共同形成一个反射腔131。所述反射腔131的开口沿远离基板110的方向上逐渐增大。根据需要,所述反射杯130可以和基板110一体成型。即,反射杯130亦可以由基体材料113以及混合在基体材料113中的陶瓷纤维114组成。
封装材料140填充在反射杯130和基板110共同组成的反射腔131内部,用以覆盖发光二极管晶粒120。根据需要,所述封装材料140可以填充有荧光粉粒子141。所述荧光粉粒子141吸收发光二极管晶粒120所发出的光线,并将其转换成另一波长的光线。所述荧光粉粒子141的材料选自钇铝石榴石、硫化物、硅酸盐、氮化物和氮氧化物其中之一或其混合物。
在上述发光二极管封装结构10中,基板110的基体材料113中混合有陶瓷纤维114,由于陶瓷纤维114与金属的结合性较佳,从而使基板110与第一电极111和第二电极112之间结合的更加紧密,有利于提高产品的性能。另外,由于用陶瓷纤维取代玻璃纤维,上述的发光二极管封装结构10的耐高温特性变得更好,且其基板110或者反射杯130在高温过程中不易黄化。同时,在制造过程中,陶瓷纤维不易产生浮纤,从而使所得到的发光二极管封装结构的表面较为光滑。
请参见图3,Ta表示混合有陶瓷纤维的基板的表面粗糙度曲线,Tb表示混合有玻璃纤维的基板的表面粗糙度曲线。从图中可见,混合有陶瓷纤维的基板的表面粗糙度数值Ra为0.3,而混合有玻璃纤维的基板的表面粗糙度数值Ra为1.3,其中,Ra代表在一个取样范围内,曲线的纵坐标的绝对值的算术平均值。由此可见,掺入有陶瓷纤维的基板臂掺入有玻璃纤维的基板具有更小的表面粗糙度,其表面光洁度更高。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装结构,包括基板以及设置在基板上的发光二极管晶粒,基板的表面设置有第一电极和第二电极,发光二极管晶粒设置在第一电极之上,且发光二极管晶粒的正负电极分别与第一电极和第二电极电性连接,其特征在于,所述基板由基体材料以及混合在基体材料中的陶瓷纤维组成。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述陶瓷纤维的材料为钛酸钾。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述基体材料为热固性树脂,其选自聚邻苯二酰胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、树脂和硅胶其中之一或者其混合物。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,基板的表面设置有反射杯,所述反射杯环绕发光二极管晶粒设置,反射杯与基板共同形成一个反射腔,所述反射腔的开口沿远离基板的方向上逐渐增大。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述反射杯与基板为一体成型结构。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述反射杯包括基体材料以及混合在基体材料中的陶瓷纤维,所述基体的制作材料选自聚邻苯二酰胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、树脂和硅胶其中之一或者其混合物。
7.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述反射腔内填充有封装材料,所述封装材料覆盖发光二极管晶粒。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述封装材料中填充有荧光粉粒子。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述荧光粉粒子的材料选自钇铝石榴石、硫化物、硅酸盐、氮化物和氮氧化物其中之一或其混合物。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第一电极和第二电极从基板的上表面延伸到基板的底面,且第一电极和第二电极分设于基板的两侧,第一电极和第二电极位于基板底面的部分暴露在外以将发光二极管封装结构与外界电源连接。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105470373B (zh) 2014-09-03 2017-12-26 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式发光二极管封装结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1471178A (zh) * 2002-07-25 2004-01-28 松下电工株式会社 光电元件部件
CN101278416A (zh) * 2005-09-30 2008-10-01 日亚化学工业株式会社 发光装置以及使用该发光装置的背光光源单元
CN101369615A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 广东昭信光电科技有限公司 低热阻大功率发光二极管的封装方法
CN101847626A (zh) * 2009-02-24 2010-09-29 日亚化学工业株式会社 发光装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2454221C2 (de) * 1974-11-15 1985-03-21 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Neue verstärkte Kunststoffe und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4603163A (en) * 1984-11-26 1986-07-29 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Resin composition containing a saponified ethylene-vinyl acetate copolymer
US5407754A (en) * 1991-06-20 1995-04-18 Titan Kogyo Kabushiki Kaisha Potassium hexatitanate fibers for use as reinforcement
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
KR100567559B1 (ko) * 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
JP5106862B2 (ja) * 2007-01-15 2012-12-26 昭和電工株式会社 発光ダイオードパッケージ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1471178A (zh) * 2002-07-25 2004-01-28 松下电工株式会社 光电元件部件
CN101278416A (zh) * 2005-09-30 2008-10-01 日亚化学工业株式会社 发光装置以及使用该发光装置的背光光源单元
CN101369615A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 广东昭信光电科技有限公司 低热阻大功率发光二极管的封装方法
CN101847626A (zh) * 2009-02-24 2010-09-29 日亚化学工业株式会社 发光装置

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