CN103377686A - Nand Flash 存储器及实现 Nand Flash 存储器连续读操作的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法，该Nand Flash存储器的Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线；该Nand Flash存储器的奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据送至外部接口；其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。
Description
技术领域
本发明涉及存储器领域，具体而言，涉及一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法。
背景技术
图1为传统Nand Flash存储器读操作原理示意图；如图1所示，虚框内代表Nand Flash存储器，包含Flash Memory Array(Flash存储器单元阵列)和Sense Amplifier(灵敏放大器，其作用是根据读指令及地址信息将存储器阵列中的内容读出来)；虚框外是外部接口部分，Sense Amplifier将读出数据送到外部接口。亦即，Sense Amplifer根据地址信息将Flash Memory Array中的数据读出后送到外部接口。
Nand Flash存储器的读操作以Page为单位，即一条Wordline上的全部cell单元为单位，如图1中的Page M所示。Page M对应一条Wordline，共有2N个存储器cell单元，接到读指令后，Sense Amplifier一次性将整个Page上的所有cell的内容全部读出来，然后送给外部接口。
上述传统Nand Flash存储器存在一个明显的缺点：当读地址是一个Page上靠后的cell单元时，比如图1中Page M的2N-1cell单元，那么当第2N个cell单元的内容送到外部接口后，就无法连续读出下一个Page M+1的内容，这是因为Sense Amplifier读取Flash Memory Array中数据的速度很慢，通常达到几十us甚至数百us，远远慢于将已读出数据送到外部接口的速度，因此读完第2N个cell单元后，要等待很长时间，才能开始读出下一个Page M+1的内容，这就严重限制了存储器的读出速度，无法实现数据的连续读操作。
为了解决上述问题，本发明提出了一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法。
发明内容
本发明提供一种Nand Flash存储器及实现Nand Flash存储器连续读操作的方法，用以实现Nand Flash存储器的连续读操作。
为达到上述目的，本发明提供了一种Nand Flash存储器，其包括：Flash存储器单元阵列、奇灵敏放大器和偶灵敏放大器，其中
Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页(Page)和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线；
奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据送至外部接口；
其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。
较佳的，奇存储页和偶存储页分别由多个存储器单元组成。
为达到上述目的，本发明还提供了一种实现Nand Flash存储器连续读操作的方法，Nand Flash存储器包括Flash存储器单元阵列、奇灵敏放大器和偶灵敏放大器，该方法包括以下步骤：
将Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线；
奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储 页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据先后送至外部接口；
其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。
在上述实施例中，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中的地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，如读地址位属于Page M(M为奇数)，那么在读出Page M的数据时，也同时读出Page M+1的数据，因此存储器至少可以在传送Page M+1的数据到外部接口时，去读下一个Page M+2里的数据，这个时间对于完成一次Page读操作是足够的。也就是说，不管读地址位于何处，存储器都有足够长的时间去读下一个Page的数据，从而实现连续读操作。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为传统Nand Flash存储器读操作原理示意图；
图2为本发明一实施例的实现连续读操作的Nand Flash存储器的读操作原理示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2为本发明一实施例的实现连续读操作的Nand Flash存储器的读操作原理示意图。图2中，虚框内代表Nand Flash存储器，其包含Flash存储器单元阵列、奇灵敏放大器(Odd Sense Amplifier)和偶灵敏放大器(Even Sense Amplifier)，Sense Amplifier的作用是根据读指令及地址信息将存储器阵列中的内容读出来；虚框外是外部接口部分，Sense Amplifier将读出数据送到外部接口。
Nand Flash存储器的读操作是以存储页为单位的，每个Page对应一条字线(Wordline)，如图2所示，Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页(Page)和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线(Odd Wordline)，每一偶存储页对应一偶字线(Even Wordline)，以图2中的Page M(M为奇)为例，Page M对应着一条Odd Wordline，由N(N为自然数)个存储器单元(cell)组成。
奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据送至外部接口。
与传统Nand Flash存储器读操作相比，本实施例中Wordline分成了奇偶两部分，同时Sense Amplifier也分为了“Even(偶)Sense Amplifer”和“Odd(奇)Sense Amplifer”两部分。
例如，当接到读指令后，一次性将Page M和Page M+1上所有cell的内容全部读出来，分别送给Even Sense Amplifer和OddSense Amplifer，然后再送到外部接口。比如说，读地址位属于Page M，那么在读出Page M的数据时，也同时读出Page M+1的数据，因此存储器至少可以在传送Page M+1的 数据到外部接口时，去读下一个Page M+2里的数据，这个时间对于完成一次Page读操作是足够的。也就是说，不管读地址位于何处，存储器都有足够长的时间去读下一个Page的数据，从而实现连续读操作。
本领域普通技术人员可以理解：附图只是一个实施例的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本发明所必须的。
本领域普通技术人员可以理解：实施例中的装置中的模块可以按照实施例描述分布于实施例的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施例的一个或多个装置中。上述实施例的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围。
Claims (7)
1.一种Nand Flash存储器，其特征在于，包括：Flash存储器单元阵列和灵敏放大器模块，其中
所述灵敏放大器模块用于根据读指令中的地址信息从所述Flash存储器单元阵列中读取连续多个存储页的数据，并将读取的所述多个存储页的数据送至外部接口，其中，在将读取的第2个存储页或其后任一存储页的数据送至外部接口的同时，所述灵敏放大器模块根据新的读指令中的地址信息分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续多个存储页的数据。
2.根据权利要求1所述的Nand Flash存储器，其特征在于，所述灵敏放大器模块包括奇灵敏放大器和偶灵敏放大器，其中
所述Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一所述奇存储页对应一奇字线，每一所述偶存储页对应一偶字线；
所述奇灵敏放大器和所述偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的所述奇存储页的数据和所述偶存储页的数据送至外部接口；
其中，在将读取的所述偶存储页的数据送至外部接口的同时，所述奇灵敏放大器和所述偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。
3.根据权利要求1所述的Nand Flash存储器，其特征在于，所述灵敏放大器模块包括n个灵敏放大器，n为大于2的自然数，其中
所述Flash存储器单元阵列中的存储页分为n个类别，每一类别的每一存储页分别对应一条字线；
所述n个灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续n条字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续n个存储页，并将读取的所述n个存储页的数据送至外部接口；
其中，在将读取的第2至第n个存储页中任一存储页的数据送至外部接口的同时，所述n个灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续n条字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续n个存储页。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的Nand Flash存储器，其特征在于，所述奇存储页和所述偶存储页分别由多个存储器单元组成。
5.一种实现Nand Flash存储器连续读操作的方法，其特征在于，所述Nand Flash存储器包括Flash存储器单元阵列和灵敏放大器模块，所述方法包括以下步骤：
所述灵敏放大器模块根据读指令中的地址信息从所述Flash存储器单元阵列中读取连续多个存储页的数据，并将读取的所述多个存储页的数据送至外部接口；
其中，在将读取的第2个存储页或其后任一存储页的数据送至外部接口的同时，所述灵敏放大器模块根据新的读指令中的地址信息分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续多个存储页的数据。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述灵敏放大器模块包括奇灵敏放大器和偶灵敏放大器，步骤所述灵敏放大器模块根据读指令中的地址信息从所述Flash存储器单元阵列中读取连续多个存储页的数据，并将读取的所述多个存储页的数据送至外部接口包括：
将Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一所述奇存储页对应一奇字线，每一所述偶存储页对应一偶字线；
所述奇灵敏放大器和所述偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的所述奇存储页的数据和所述偶存储页的数据先后送至外部接口；
在将读取的所述偶存储页的数据送至外部接口的同时，所述奇灵敏放大器和所述偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述灵敏放大器模块包括n个灵敏放大器，n为大于2的自然数，步骤所述灵敏放大器模块根据读指令中的地址信息从所述Flash存储器单元阵列中读取连续多个存储页的数据，并将读取的所述多个存储页的数据送至外部接口包括：
将所述Flash存储器单元阵列中的存储页分为n个类别，每一类别的每一存储页分别对应一条字线；
所述n个灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续n条字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续n个存储页，并将读取的所述n个存储页的数据送至外部接口；
在将读取的第2至第n个存储页中任一存储页的数据送至外部接口的同时，所述n个灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续n条字线分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续n个存储页。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105224248A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-01-06 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置 |
| CN106486168A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-03-08 | 西安电子科技大学 | Nand闪存上基于索引调制的交叉编写方法 |
| TWI660269B (zh) * | 2018-01-26 | 2019-05-21 | 慧榮科技股份有限公司 | 用來於一記憶裝置中進行寫入管理之方法以及記憶裝置及其控制器 |
| TWI709855B (zh) * | 2018-01-26 | 2020-11-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 用來於一記憶裝置中進行寫入管理之方法以及記憶裝置及其控制器 |
| WO2023071144A1 (zh) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器结构以及存储器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010049767A1 (en) * | 2000-05-02 | 2001-12-06 | Park Yong Ha | Efficient management method of memory cell array |
| CN1506975A (zh) * | 2002-12-09 | 2004-06-23 | ���ǵ�����ʽ���� | 带有含双寄存器的页面缓冲器的存储器件及其使用方法 |
| US20050162942A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device performing reliable data sensing |
| CN1892909A (zh) * | 2005-06-30 | 2007-01-10 | 海力士半导体有限公司 | 非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法 |
-
2012
- 2012-04-24 CN CN201210122417.6A patent/CN103377686B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010049767A1 (en) * | 2000-05-02 | 2001-12-06 | Park Yong Ha | Efficient management method of memory cell array |
| CN1506975A (zh) * | 2002-12-09 | 2004-06-23 | ���ǵ�����ʽ���� | 带有含双寄存器的页面缓冲器的存储器件及其使用方法 |
| US20050162942A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device performing reliable data sensing |
| CN1892909A (zh) * | 2005-06-30 | 2007-01-10 | 海力士半导体有限公司 | 非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105224248A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-01-06 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置 |
| CN105224248B (zh) * | 2015-09-25 | 2019-06-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种存储类型的闪存中的块操作方法和装置 |
| CN106486168A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-03-08 | 西安电子科技大学 | Nand闪存上基于索引调制的交叉编写方法 |
| CN106486168B (zh) * | 2016-09-08 | 2019-05-24 | 西安电子科技大学 | Nand闪存上基于索引调制的交叉编写方法 |
| TWI660269B (zh) * | 2018-01-26 | 2019-05-21 | 慧榮科技股份有限公司 | 用來於一記憶裝置中進行寫入管理之方法以及記憶裝置及其控制器 |
| US10437520B2 (en) | 2018-01-26 | 2019-10-08 | Silicon Motion Inc. | Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof |
| US10754585B2 (en) | 2018-01-26 | 2020-08-25 | Silicon Motion, Inc. | Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof |
| TWI709855B (zh) * | 2018-01-26 | 2020-11-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 用來於一記憶裝置中進行寫入管理之方法以及記憶裝置及其控制器 |
| WO2023071144A1 (zh) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器结构以及存储器 |
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