CN103365002A - 可调整视角的显示装置及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可调整视角的显示装置，包含由第一基板、第二基板与显示介质层所构成的显示面板、第一电极、第二电极以及第三电极。显示面板中定义有多个次像素。第一电极和第二电极设置于次像素的第一基板上，第一电极与第二电极分隔设置。第三电极设置于第二基板上。当显示装置处于一窄视角模式时，第二电极与第三电极之间的电位差不为零，而且次像素在零灰阶下的第一电极与第二电极之间的电位差不为零。在此亦揭示一种可调整视角的显示装置的驱动方法。

Description

可调整视角的显示装置及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种可调整视角的显示装置以及一种可调整视角的显示装置的驱动方法。

背景技术

一般而言，显示器为了使画面能提供给多个观看者，通常具有广视角的显示效果，但在某些时候或场合，例如在阅读机密信息或输入密码时，广视角的显示效果却容易使机密信息被旁人所窥视而造成机密信息外泄。因此，为了满足提供给多个观看者以及在公众场合处理机密信息的两种不同需求，具有可切换广视角显示模式与窄视角显示模式的可调整视角的显示器逐渐成为显示器市场的主流商品之一。

现有显示器的防窥机制大致上可分为下列多种技术：

一、显示器（显示面板）外表面直接加装防窥片：

一般防窥片主要是借由抑制大视角的亮度，使侧视的观看者无法清楚地读取所显示的信息，达到隐私保护的效果。虽然方法简单，材料也容易取得，但因为属于额外加上一片光学膜片，会影响原本正视时显示器的光学特性及显示质量，而且也需要手动切换防窥与否，造成使用者在使用上较不方便。

二、背光源控制：

利用原本出射光具有高度准直性的背光源，搭配一可电压控制的扩散片，例如高分子分散液晶膜（PDLC），借由关电压时可电压控制的扩散片会将准直光扩散，造成在侧视时有光源出射，以提供广视角显示模式；开电压时可电压控制的扩散片不会对原本的准直光造成扩散的作用，以达成窄视角的显示模式。此方法主要是借由控制背光的出射角度，来调整侧视的亮度，使侧视的人无法读取显示信息。在理想上虽可以完美地避免其它人员窥视信息，且切换方便，但实际应用上因为光路控制不易，无法达成完全的准直光，虽然可以降低背光源在大视角的分布，但却无法将大视角的亮度完全降至无法识别，因此在防窥表现上无法得到令人满意的效果。

三、外加视角控制模块单元：

在原本正常显示的显示模块（面板）上，再外加另一片视角控制模块（面板），借由电压控制视角控制模块的开关来切换广视角显示模式与窄视角显示模式。此方法在广视角显示模式时，不会对原本的影像显示造成任何干扰或破坏，能保有原本影像的质量。而在窄视角显示模式下，侧视的亮度会被明显地抑制，而使得侧视的人不易判读影像所显示的信息。但因为是由两片模块所组成，整体重量及厚度皆增加一倍，相对上成本也大幅地提高。

由上述可知，现有显示器的防窥技术在达到防窥效果的同时往往需要牺牲原有的部分特性，如显示质量、光学特性、厚度以及重量等，因此现有防窥技术仍具有改善的空间。

发明内容

本发明揭示一种可调整视角的显示装置，能在不增加成本与制作工程复杂度的前提下，改善显示装置在窄视角模式下的暗态漏光，从而提高显示装置在窄视角模式下的对比。

此可调整视角的显示装置，包含一显示面板，其由第一基板、第二基板与非自发光显示介质层所构成。第二基板与第一基板相对，非自发光显示介质层夹设于第一基板与第二基板之间。显示面板中定义有像素阵列，像素阵列具有至少一第一像素区与至少一第二像素区。第一像素区与第二像素区各自具有至少一第一次像素与至少一第二次像素。显示装置还包含第一电极、第二电极以及第三电极。第一电极设置于这些次像素的第一基板上。第二电极设置于这些次像素的第一基板上，位于这些次像素的第一电极与位于这些次像素的第二电极是分隔设置。第三电极设置于这些次像素的第二基板上。当显示装置处于一窄视角模式时，位于上述这些次像素的第二电极与第三电极之间的电位差不为零，而且这些次像素在零灰阶下的第一电极与第二电极之间的电位差不为零。

根据本发明一实施方式，上述各该次像素中该第一电极与该第二电极其中一者具有多个狭缝。

根据本发明一实施方式，当该显示装置处于该窄视角模式时，位于上述该些像素区中上述该些次像素在零灰阶下的该第一电极的电位大于该第二电极的电位。

根据本发明一实施方式，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约0.04V至约1.04V。

根据本发明一实施方式，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约0.18V至约1.9V。

根据本发明一实施方式，当该显示装置处于该窄视角模式时，位于上述该些像素区中上述该些次像素在零灰阶下的该第一电极的电位小于该第二电极的电位。

根据本发明一实施方式，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约-0.04V至约-1.18V。

根据本发明一实施方式，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约-0.18V至约-2.34V。

根据本发明一实施方式，该第二电极与该第三电极之间的电位差为约2V至约10V。

本发明的另一方式是提供一种可调整视角的显示装置的驱动方法，此方法包含以下步骤。首先，提供上述任一实施方式的显示装置。然后，分别提供第一电位、第二电位与第三电位给上述次像素的第一电极、第二电极与第三电极。当显示装置处于一窄视角模式时，位于上述这些次像素的第二电极与第三电极之间的电位差不为零，而且这些次像素在零灰阶下的第一电极与第二电极之间的电位差不为零。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1示出本发明一实施方式的可调整视角的显示装置的俯视示意图；

图2A示出图1中沿线段2-2’的剖面示意图；

图2B示出可调整视角的显示装置于窄视角模式下液晶配向的示意图；

图2C至图2H示出本发明多个实施方式的第一电极及/或第二电极的俯视示意图；

图3A示出本发明一比较例在窄视角模式下，第一电极边缘附近的等电位曲线图；

图3B示出本发明一比较例的液晶层的穿透率曲线图；

图4示出本发明一比较例的电压对亮度的曲线图；

图5A示出本发明一实施例在窄视角模式下，第一电极边缘附近的等电位曲线图；

图5B示出本发明一实施例的液晶层的穿透率曲线图；

图6A示出本发明一实施例在窄视角模式下，第一电极边缘附近的等电位曲线图；

图6B示出本发明一实施例的液晶层的穿透率曲线图；

图7示出本发明实施例1及实施例2的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图；

图8示出本发明实施例3及实施例4的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图；

图9示出本发明另一实施方式的可调整视角的显示装置的剖面示意图；

图10示出本发明实施例5及实施例6的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图；

图11示出本发明实施例7及实施例8的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图；

图12A及图12B示出本发明再一实施方式的可调整视角的显示装置的剖面示意图；

图13示出本发明再一实施方式的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图；

图14示出本发明一实施方式的可调整视角的显示装置的剖面示意图。

附图标记

100：显示装置              100a：面板

100b：像素阵列             101：第一次像素

102：第二次像素            110：第一基板

111：第一电极              112：第二电极

113：配向层                114、114a、114b：狭缝

116：介电层                120：第二基板

123：第三电极              126：平坦层

128：配向层                130：显示介质层

D1：第一像素区             D2：第二像素区

200：显示装置              300：显示装置

400：显示装置              2-2’：线段

A1：方向                   A2：方向

C、D：路径                 B1、B2：位置

E1、E2：位置

具体实施方式

为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完整，以下针对了本发明的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭示的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其它的实施例，而无须进一步的记载或说明。

在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使技术人员能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地示出于图中。

图1示出本发明一实施方式的可调整视角的显示装置100的俯视示意图。可调整视角的显示装置100包含显示面板100a。显示面板100a上定义有像素阵列100b，像素阵列100b包含至少一个第一像素区D1（zone）以及至少一个第二像素区D2（zone）。在一实施方式中，像素阵列100b包含多个第一像素区D1以及多个第二像素区D2。在一实例中，第一像素区D1和第二像素区D2交替配置在显示面板100a上。第一像素区D1包含至少一个第一次像素101和至少一个第二次像素102。类似地，第二像素区D2也包含至少一个第一次像素101和至少一个第二次像素102。

图2A示出图1中沿线段2-2’的剖面示意图。显示面板100a包含第一基板110、第二基板120以及非自发光显示介质层130。第一基板110与第二基板120相对设置，并且非自发光显示介质层130夹设于第一基板110与第二基板120之间，而形成显示面板100a。非自发光显示介质层130可包含液晶层、电泳层、电湿润层、或其它合适的材料。本发明非自发光显示介质层130包含液晶层为较佳实施例。一般而言，显示面板100a需要一具有多个颜色的彩色滤光层（未示出），此彩色滤光层可设置于第一基板110或第二基板120上。

显示装置100还包含有第一电极111、第二电极112和第三电极123，如图2A所示。举例而言，第一电极111设置在第一基板110上，并且是配置在第一像素区D1及第二像素区D2中的第一次像素101和第二次像素102内。换言之，第一电极111设置在上述（所有/该些）像素区D1与像素区D2中的上述（所有/该些）次像素101和次像素102内。第二电极112设置在第一基板110上，并且是配置在第一像素区D1及第二像素区D2中的第一次像素101和第二次像素102内。换言之，第二电极112设置在上述（所有/该些）像素区D1与像素区D2中的上述（所有/该些）次像素101和次像素102内。再者，位在上述（所有/该些）像素区D1、D2中的上述（所有/该些）次像素101、102的第一电极111与第二电极112是分隔设置。换言之，所有次像素（101与102）内的第一电极111不会接触所有次像素（101与102）内的第二电极112。第三电极123设置在第二基板120上，并且是配置在第一像素区D1及第二像素区D2中的第一次像素101和第二次像素102内，而所有次像素（101与102）内的第三电极也不会接触所有次像素（101与102）内的第一电极111与第二电极112。换言之，第三电极123设置在上述（所有/该些）像素区D1与像素区D2中的上述（所有/该些）次像素101和次像素102内。因此，第三电极123借由非自发光显示介质层130与第一电极111以及第二电极112分隔开来，且第三电极123不接触第一电极111与第二电极112，即非自发光显示介质层130位于第三电极123与第一电极111以及第二电极112之间。

根据本发明的诸多实施方式，第一电极111与第二电极112的其中一者具有多个狭缝。具体而言，可以是第一电极111具有多个狭缝，或是第二电极112具有多个狭缝，或是第一电极111与第二电极112两者都具有多个狭缝，较佳地，第一电极111中的每个狭缝会与第二电极112中的每个狭缝错位排列（或称为错排设置）。在一实例中，如图1所示，第一次像素101中的第一电极111具有多个狭缝（未示出），且狭缝沿方向A1延伸。第二次像素102中的第一电极111也具有多个狭缝图案（未示出），狭缝沿方向A2延伸。其中，方向A1不平行方向A2，即方向A1与方向A2交错。但从图2A中可以得知狭缝位于第一电极111或第二电极112之中。第一电极111和第二电极112可以有许多具体实施方式。图2C至图2G示出本发明多个实施方式的第一电极111及/或第二电极112的俯视示意图。在图2C中，第一电极111及/或第二电极112中的狭缝114朝一预定方向延伸。在图2D中，多个狭缝114形成在第一电极111及/或第二电极112中，且狭缝114的外观呈现类似“V”的形状。在图2E中，多个狭缝114形成在第一电极111及/或第二电极112中，这些狭缝114大致上互相平行，且该些狭缝沿着一具有斜率的预定方向延伸。在图2F中，多个狭缝114a、114b形成在第一电极111及/或第二电极112中，该些狭缝114a与该些狭缝114b分别沿着一具有斜率的预定方向延伸，且该些狭缝114a的延伸方向不同于该些狭缝114b的延伸方向以构成一类似“V”的形状。其中，该些狭缝114a位于一沿着不具有斜率的预定方向延伸的额外狭缝（未示出）的第一侧，该些狭缝114b位于该沿着不具有斜率的预定方向延伸的额外狭缝（未示出）的第二侧，且第一侧与第二侧为相对侧。在图2G中，第一电极111及/或第二电极112轮廓呈现类似“V”的形状，多个狭缝114a、114b形成在第一电极111及/或第二电极112中，狭缝114a的延伸方向不同于狭缝114b的延伸方向以构成一类似“V”的形状。在图2H中，多个第一电极111及/或多个第二电极112轮廓呈现类似“V”的形状，且每个第一电极111及/或每个第二电极112会连接至一汇流电极（未示出）。

显示装置100具有可调整视角的功能。详细而言，当第二电极112与第三电极123之间的电位差约为零时，显示装置100处于广视角模式。当第二电极112与第三电极123之间的电位差不为零时，显示装置100处于窄视角模式。在一实施方式中，第一电极111与第二电极112其中一者为像素电极，而第一电极111与第二电极112其中另一者为可调整电位的电极，如共享电位、接地电位或远小于像素电极的电位。依照上述的实施方式，可有下列的设计方式，举例而言，第一电极111为像素电极，则第二电极112为可调整电位的电极，例如共享电位，此时，可称为共享电极，而第三电极123为预定电位的电极，例如：共享电位，此时，可称为共享电极；或者是，第一电极111为可调整电位的电极，例如共享电位，此时，可称为共享电极，则第二电极112为像素电极，而第三电极123为预定电位的电极，例如：共享电位，此时，可称为共享电极；或者是，第一电极111为像素电极，第二电极112为可调整电位的电极，例如远小于像素电极的电位，此时，可称为另一像素电极；或者是第一电极111为可调整电位的电极，例如远小于像素电极的电位，此时，可称为另一像素电极，则第二电极112为像素电极。其中，决定第一电极111与第二电极112其中一者何者为像素电极，由第一电极111与第二电极112其中一者何者连接用以驱动非自发光显示介质层的最主要晶体管来决定。因此，若第一电极111与第二电极112其中一者为像素电极，而第一电极111与第二电极112其中另一者为可调整电位电极，例如：共享电极，则第一电极111与第二电极112其中一个有连接晶体管，另一个电极就没有连接晶体管；若第一电极111与第二电极112其中一者为像素电极，而第一电极111与第二电极112其中另一者为可调整电位电极，例如：远小于像素电极的电位，可称为另一像素电极，则第一电极111与第二电极112其中一个连接至最主要的晶体管，而另一电极就连接至非主要的晶体管。从以下的诸多实施方式中可理解，本发明的第一、第二、第三电极并不限于上述形态。当欲使显示装置100呈现出广视角的特性时，可提供实质上相同的电位至第二电极112及第三电极123，例如同样约为5伏特或0伏特，此时第二电极112与第三电极123之间的电位差约为零，让显示装置100呈现出广视角的显示模式。当欲使显示装置100呈现出窄视角的显示模式时，可提供不同的电位至第二电极112及第三电极123，例如第三电极123的电位约为5伏特，第二电极112的电位可约为0伏特或10伏特，让第二电极112与第三电极123之间因有电位差而形成电场，使显示装置100操作于窄视角的显示模式。在显示介质层130为液晶分子的实施例中（本发明的显示介质层130不限于液晶分子），当显示装置100处于广视角模式，其中的液晶分子的向位（orientation）大致上如图2A所示。当显示装置100处于窄视角模式，其中的液晶分子的向位（orientation）大致如图2B所示。因此，图2A中广视角模式的液晶分子130从第一基板110至第二基板120的向位及扭转状况完全不同于图2B中窄视角模式的液晶分子130从第一基板110至第二基板120的向位及扭转状况。

根据本发明的实施方式，当显示装置100处于窄视角模式时，次像素的第二电极112与第三电极123之间的电位差不为零，而且在窄视角模式时，次像素在零灰阶L0下，第一电极111与第二电极112之间的电位差也不为零。换言之，在窄视角模式下，次像素在零灰阶L0时，第一电极111与第二电极112之间存在不为零的电位差。其中，零灰阶代表的显示面板显示黑画面时。当显示装置100处于广视角模式时，第二电极112与第三电极123之间的电位差约为零，而且在广视角模式时，次像素在零灰阶L0下，第一电极111与第二电极112之间的电位差约为零。换言之，广视角模式时，次像素在零灰阶L0下，第一电极111、第二电极112及第三电极123的电位是实质上相同的电位，例如都约为0伏特（voltage，V）、3伏特、或5伏特等。在以下诸多实施方式及实施例中将更详细叙述。

第一实施方式

第一实施方式的显示装置100的俯视图及剖面图分别如图1及图2A所示。在此实施方式中，第一电极111和第二电极112配置在第一基板110上。第一电极111与第二电极112其中一者具有多个狭缝。再者，依照上述所述，第一电极111与第二电极112其中一者为像素电极，而第一电极111与第二电极112其中另一者为可调电位的电极，包含共享电位、接地、或远小于像素电极的电位。举例而言，第一电极111为梳状电极，并且作为上述每个次像素的像素电极。第二电极112为共享电极，为整面的电极。于其它实施例中，第一电极111与第二电极皆为梳状电极，且第一电极111与第二电极错排设置（或称为错位排列）。第一电极111和第二电极112上下相间隔，即两者位于不同的水平面上，第一电极111和第二电极112实体上没有接触。介电层116夹设于第一电极111与第二电极112之间。也就是说，第一电极111和第二电极112其中一者位于介电层116上表面，第一电极111和第二电极112其中另一者位于介电层下表面。第三电极123配置在第二基板120上，第三电极113可称为共享电极或对向电极。第三电极123上可选择性配置且覆盖有平坦层126。本实施例，以平坦层126配置且覆盖于第三电极123上为范例。第一电极111是位在第二电极112与第三电极123之间。再者，本实施例的第三电极123是以整片电极设置于所有的次像素101及102中。于其它实施例中，第三电极123可分成第一部分（未示出）位于第一次像素101的第二基板120上以及第二部分（未示出）位于第二次像素102的第二基板120上，且第一部分与第二部分两者相间隔且实体上也没有接触。

在本实施方式中，当显示装置100处于窄视角模式时，次像素在零灰阶L0下，第一电极111的电位实质上大于第二电极112的电位。根据诸多实施例，第一电极111与第二电极112之间的电位差为约0.04V至约1.04V，以下将详述此一特征的技术效果。

一般情况下，显示装置100的次像素欲显示零灰阶（亦即显示数据的最小灰阶）的信息时，次像素的像素电极与共享电极之间的电位差约为0V。但是，在本实施方式的结构中，当显示装置100处于窄视角模式时，如果次像素在零灰阶下第一电极111与第二电极112之间的电位差为零，每个第一电极111的边缘处发生漏光的现象，造成显示装置100的对比明显下降。更具体的说，如果显示装置100在广视角模式时的对比值约为4100，则在窄视角模式时的对比值下降至约1320。其中，对比值为于正视下的亮度值除以正视下的暗态亮度值，单位：无。图3A示出本发明一比较例在窄视角模式下，当第一电极111与第二电极112之间的电位差为零时，第一电极111边缘附近的等电位曲线图。在此比较例中，第三电极123的电位约为5V，第一电极111与第二电极112的电位约为0V。因为第三电极123与第二电极112之间的电位差不为零（约5V），所以显示装置100处于窄视角模式。在图3A中可以发现，纵然第一电极111和第二电极112的电位都约为0V，但是在第一电极111的边缘处的等电位线是崎岖不平的（如图3A示出的E1及E2的位置），也就是说在第一电极111的边缘处的电场分布并不是垂直于第一基板，并因此导致此处的液晶分子的向位与其它地方的液晶分子的向位不同。其中，图3A的Y轴是指从最下层电极，例如第二电极112，开始算至第三电极123的厚度数值（单位:微米（μm））。更具体地说，第一电极111的边缘处的液晶分子呈现转动偏折的现象，而造成次像素在零灰阶时，第一电极111的边缘处发生正视漏光现象，从而造成显示装置100的对比值下降。图3B示出此比较例的第一电极111的边缘处的液晶层的穿透率曲线图。图3B的纵坐标为归一化穿透率（亦即，以最大穿透率定义为1，单位:无），在图3B中可以观察到，在第一电极111边缘处的液晶层的归一化穿透率出现最大值约为0.26×10^-2，所以造成次像素的暗态漏光。

图4示出上述比较例在窄视角模式时的电位对正视亮度的曲线图。图4的纵坐标为归一化正视亮度（normalized brightness，单位:无），横坐标为第一电极111的电位值（第二电极112的电位约为零）。在图4中，令人意外地发现，在第一电极111的电位约为0.2V时，显示装置100呈现出最小的亮度。换言之，如果在零灰阶时，让次像素的第一电极111的电位约为0.2V，则可以改善次像素在零灰阶下的正视漏光现象。

图5A示出本发明一实施例在窄视角模式下，第一电极111边缘附近的等电位曲线图。其中，图5A的Y轴是指从最下层电极，例如第二电极112，开始算至第三电极123的厚度数值（单位:微米（μm））。在此实施例中，第一电极111的电位约为0.2V，第二电极112的电位约为0V，第三电极123的电位约为5V。在图5A中可以发现，虽然第一电极111与第二电极112之间存在电位差约为0.2V，但在第一电极111的边缘处的等电位线是平坦（如图5A所示的E1及E2的位置）。也就是说，在第一电极111的边缘处的电场分布是垂直于第一基板。因此，能够让上述液晶分子在第一电极111边缘处转动偏折的现象获得明显改善。图5B示出此实施例的液晶层的穿透率曲线图。图5B的纵坐标为归一化穿透率（亦即，以最大穿透率定义为1，单位:无），在图5B中可以观察到，在第一电极111的边缘处液晶层的归一化穿透率仅有约0.5×10^-5。换言之，在此实施例中，大幅改善次像素的暗态正视漏光现象。

图6A示出本发明一实施例在窄视角模式下，第一电极111边缘附近的等电位曲线图。在此实施例中，第一电极111的电位约为0.4V，第二电极112的电位约为0V，第三电极123的电位约为5V。在图6A中可以发现，当第一电极111与第二电极112之间存在电位差约为0.4V，第一电极111的边缘处的等电位线是崎岖不平的（如图6A标示的E1及E2的位置）。也就是说，如果在零灰阶时，让次像素的第一电极111的电位约为0.4V，次像素在零灰阶下仍然发生漏光现象。图6B示出此实施例的液晶层的穿透率曲线图。图6B的纵坐标为归一化穿透率（亦即，以最大穿透率定义为1，单位:无），在图6B中可以观察到，在第一电极111的边缘处液晶层的归一化穿透率约为0.26×10^-2。从图3A、图3B、图5A、图5B、图6A及图6B所观察到的现象与图4的结果一致。换言之，在本实施方式中，第一电极111与第二电极112之间的电位差存在一个不为零的最佳值，能够让显示装置100的次像素在零灰阶下呈现最小的正视亮度（亦即，暗态正视亮度漏光最小）。上述第一电极111与第二电极112之间电位差的最佳值，在以下中称为“最佳电位差”。其中，第一电极111当作像素电极，第二电极112当作共享电极为范例。

经观察，在窄视角模式时，第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2会影响“最佳电位差”，ΔV_3-2为第三电极123的电位减第二电极112的电位，单位:伏特（V）。面板100a的次像素的结构参数也会影响“最佳电位差”。在本实施方式中，窄视角模式时，第二电极112与第三电极123之间的电位差为约2V至约10V。

在以下表1中，汇整本实施方式中两个实施例的最佳电位差ΔV^* _1-2，ΔV^* _1-2为第一电极111的电位减去第二电极112的电位，单位:伏特（V）。在实施例1中，举例而言：显示介质层130为厚度约3微米（μm）的液晶层、平坦层126的厚度约为2微米（μm），其介电系数约为4.5（单位：无）、第一基板110上的保护层（未示出）的厚度约为0.6微米（μm），其介电系数约为6.65（单位：无）。在实施例2中，举例而言：显示介质层130为厚度约4μm的液晶层、平坦层126的厚度约为5μm，其介电系数约为2.5、第一基板110上的保护层（未示出）的厚度约为0.2μm，其介电系数约为6.65。实施例1及实施例2的配向层PI的厚度为约0.04μm至约0.1μm，其介电系数约为6。其中，配向膜覆盖于第一基板的第一电极111与第二电极112上与第二基板的第三电极123上。

表1

	实施例1	实施例2
			ΔV32(V)	ΔV* 12(V)	ΔV* 1-2(V)
3	0.04	0.23
			4	0.05	0.34
5	0.06	0.46
			6	0.08	0.58
7	0.10	0.70
			8	0.10	0.82
9	0.12	0.92
			10	0.14	1.04

在实施例1中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2约为3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2约为0.04V。当ΔV_3-2约为10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2约为0.14V。

在实施例2中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2约为3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2约为0.23V。当ΔV_3-2约为10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2约为1.04V。

图7示出实施例1及实施例2的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图。图7中曲线A示出实施例1的结果，曲线B示出实施例2的结果。明显地可以发现，最佳电位差ΔV^* _1-2随着第三电极123与第二电极112之间电位差ΔV_3-2的增加而增加，且大致为线性关系。实施例1和实施例2为两个较常见的次像素结构参数设计。当次像素结构的液晶层的厚度为约3μm至约4μm，平坦层126的厚度为约2μm至约5μm，其介电系数为约2.5至约2.5，第一基板110上的保护层（未示出）的厚度为约0.2μm至约0.6μm，配向层PI的厚度为约0.04μm至约0.1μm，这个次像素的最佳电位差ΔV^* _1-2会介于曲线A和曲线B之间。

换言之，在本实施方式中，当ΔV_3-2为约3V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.04V至约0.23V。当ΔV_3-2为约4V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.05V至约0.34V。当ΔV_3-2为约5V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.06V至约0.46V。当ΔV_3-2为约6V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.08V至约0.58V。当ΔV_3-2为约7V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.1V至约0.7V。当ΔV_3-2为约8V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.1V至约0.82V。当ΔV_3-2为约9V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.12V至约0.92V。当ΔV_3-2为约10V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.14V至约1.04V。

请回到图4，当第一电极111的电位大于约0.2V时，显示装置100的亮度随着第一电极111的电位增加而增加。因此，仍然可以借由提供一个大于约0.2V的电位给第一电极111，而让次像素显示出预设的亮度。具体而言，若非自发光显示介质层130为操作电位约5V的液晶材料，显示装置100在窄视角模式时，次像素在0灰阶L0下，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差为约0.2V；次像素在255灰阶L255下，第一电极111与第二电极112之间的电位差为约5V。

第二实施方式

第二实施方式的显示装置的结构和第一实施方式相似，第二实施方式与第一实施方式不同之处在于，第二实施方式第二基板120上不存在平坦层126（参照图2A），且第一电极111当作像素电极、第二电极112当作共享电极。在本实施方式中，第一电极111与第二电极112之间的电位差为约0.18V至约1.9V。

在以下表2中，汇整本实施方式中两个实施例的最佳电位差（ΔV^* _1-2）。实施例3及实施例4的次像素结构分别和实施例1及实施例2相同，除了实施例3及实施例4的次像素结构不包含平坦层126。其中，ΔV_3-2是指第三电极123的电位减去第二电极112的电位，单位:伏特（V），且ΔV^* _1-2是指第一电极111的电位减去第二电极112的电位，单位:伏特（V）。

表2

	实施例3	实施例4
			ΔV3-2(V)	ΔV* 1-2(V)	ΔV* 1-2(V)
3	0.18	0.46
			4	0.26	0.71
5	0.34	0.94
			6	0.42	1.15
7	0.49	1.35
			8	0.56	1.54
9	0.62	1.73
			10	0.69	1.90

在实施例3中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2为约3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.18V。当ΔV_3-2为约10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.69V。在实施例4中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2为约3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.46V。当ΔV_3-2为约10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约1.90V。比较表1和表2的实施例可发现，在相同的ΔV_3-2的条件下，实施例3及实施例4的最佳电位差ΔV^* _1-2分别大于实施例1及实施例2的最佳电位差ΔV^* _1-2。换言之，当次像素结构不包含平坦层126时，最佳电位差ΔV^* _1-2会增加。

图8示出实施例3及实施例4的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图。图8中曲线A示出实施例3的结果，曲线B示出实施例4的结果。最佳电位差ΔV^* _1-2随着第三电极123与第二电极112之间电位差ΔV_3-2的增加而线性增加。当次像素结构的液晶层的厚度为约3μm至约4μm，第一基板110上的保护层的厚度为约0.2μm至约0.6μm，配向层PI的厚度为约0.04μm至约0.1μm，最佳电位差ΔV^* _1-2介于曲线A和曲线B之间。

换言之，根据不同的次像素的结构设计，会有不同的最佳电位差ΔV^* _1-2。在本实施方式中，当ΔV_3-2为约3V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.18-0.46V。当ΔV_3-2为约4V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.26V至约0.71V。当ΔV_3-2为约5V时，最佳电位差ΔV_1-2为约0.34V至约0.94V。当ΔV_3-2为约6V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.42V至约1.15V。当ΔV_3-2为约7V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.49V至约1.35V。当ΔV_3-2为约8V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.56V至约1.54V。当ΔV_3-2为约9V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.62V至约1.73V。当ΔV_3-2为约10V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约0.69V至约1.9V。

第三实施方式

图9示出第三实施方式的可调整视角的显示装置200的剖面示意图。本实施方式的显示装置200与图2A示出的显示装置100相似，两者不同之处在于，第一电极111和第二电极112的位置及形状。显示装置200的第一电极111当作像素电极，且不具有狭缝。第二电极112当作具有狭缝图案的可调整电位的电极，例如：共享电极。第二电极112配置在第一电极111与第三电极123之间。显示装置200的其它元件和特征与第一实施方式相同。当显示装置200处于广视角模式时，第二电极112与第三电极123之间的电位差约为零，而且在广视角模式时，次像素在零灰阶L0下，第一电极111与第二电极112之间的电位差约为零。当显示装置100处于窄视角模式时，次像素的第二电极112与第三电极123之间的电位差不为零，而且在窄视角模式时，次像素在零灰阶L0下，第一电极111与第二电极112之间的电位差不为零。换言之，在窄视角模式下，次像素在零灰阶时，第一电极111与第二电极112之间存在不为零的电位差。

在本实施方式中，当显示装置200处于该窄视角模式时，次像素在零灰阶下的第一电极111的电位实质上小于第二电极112的电位。具体而言，第一电极111与第二电极112之间的电位差为约-0.04V至约-1.18V。其中ΔV^* _1-2为第一电极111的电位减第二电极112的电位，单位：伏特（V），而ΔV_3-2为第三电极123的电位减第二电极112的电位，单位：伏特（V）。

在以下表3中，汇整本实施方式中两个实施例的最佳电位差ΔV^* _1-2。实施例5的次像素结构与上述实施例1中所述的相同。实施例6的次像素结构与上述实施例2中所述的相同。

表3

	实施例5	实施例6
			ΔV32(V)	ΔV* 1-2(V)	ΔV* 1-2(V)
3	-0.04	-0.26
			4	-0.05	-0.39
5	-0.06	-0.52
			6	-0.08	-0.66
7	-0.10	-0.79
			8	-0.11	-0.92
9	-0.12	-1.05
			10	-0.14	-1.18

在实施例5中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2为约3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.04V。当ΔV_3-2为约10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.14V。在实施例6中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2为约3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.26V。当ΔV_3-2为约10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-1.18V。

在结构上，虽然本实施方式的显示装置200与第一实施方式的显示装置100相似，但是第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2却完全不同。当显示装置200处于该窄视角模式时，次像素在零灰阶下，第一电极111的电位必须小于第二电极112的电位，才能发现最佳电位差ΔV^* _1-2。当次像素为零灰阶时，让第一电极111与第二电极112的电位差为最佳电位差ΔV^* _1-2，使次像素呈现最小的正视亮度（亦即最小的暗态正视漏光）。

图10示出实施例5及实施例6的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图。图10中曲线A示出实施例5的结果，曲线B示出实施例6的结果。如上所述，根据不同的次像素的结构设计，会有不同的最佳电位差ΔV^* _1-2。在本实施方式中，当ΔV_3-2为约3V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.04V至约-0.26V。当ΔV_3-2为约4V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.05V至约-0.39V。当ΔV_3-2为约5V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.06V至约-0.52V。当ΔV_3-2为约6V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.08V至约-0.66V。当ΔV_3-2为约7V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.10V至约-0.79V。当ΔV_3-2为约8V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.11V至约-0.92V。当ΔV_3-2为约9V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.12V至约-1.05V。当ΔV_3-2为约10V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.14V至约-1.18V。

第四实施方式

第四实施方式的显示装置的结构和第三实施方式相似，两者不同之处在于，本实施方式不包含第二基板120上的平坦层126（参照图9）。在本实施方式中，第一电极111与第二电极112之间的电位差为约-0.18V至约-2.34V（第一电极111的电位减第二电极112的电位）。其中，第一电极111当作像素电极，且不具有狭缝。第二电极112当作具有狭缝图案的可调整电位的电极，例如：共享电极。

在以下表4中，汇整本实施方式中两个实施例的最佳电位差ΔV^* _1-2。实施例7及实施例8的次像素结构分别和实施例5及实施例6相同，除了实施例7及实施例8的次像素结构不包含平坦层126。其中，ΔV_3-2是指第三电极123的电位减去第二电极112的电位，单位:伏特（V），且ΔV^* _1-2是指第一电极111的电位减去第二电极112的电位，单位:伏特（V）。

表4

	实施例7	实施例8
			ΔV3-2(V)	ΔV* 1-2(V)	ΔV* 1-2(V)
3	-0.18	-0.64
			4	-0.28	-0.95
5	-0.37	-1.22
			6	-0.45	-1.47
7	-0.52	-1.70
			8	-0.59	-1.92
9	-0.65	-2.13
			10	-0.72	-2.34

在实施例7中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2为约3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.18V。当ΔV_3-2为约10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.72V。在实施例8中，当第三电极123与第二电极112之间的电位差ΔV_3-2为约3V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.64V。当ΔV_3-2为约10V时，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差ΔV^* _1-2为约-2.34V。

图11示出实施例7及实施例8的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图。图11中曲线A示出实施例5的结果，曲线B示出实施例6的结果。如上所述，根据不同的次像素的结构设计，会有不同的最佳电位差ΔV^* _1-2。在本实施方式中，当ΔV_3-2为约3V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.18V至约-0.64V。当ΔV_3-2为约4V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.28V至约-0.95V。当ΔV_3-2为约5V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.37V至约-1.22V。当ΔV_3-2为约6V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.45V至约-1.47V。当ΔV_3-2为约7V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.52V至约-1.70V。当ΔV_3-2为约8V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.59V至约-1.92V。当ΔV_3-2为约9V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.65V至约-2.13V。当ΔV_3-2为约10V时，最佳电位差ΔV^* _1-2为约-0.72V至约-2.34V。

第五实施方式

图12A示出第五实施方式的可调整视角的显示装置300的剖面示意图。本实施方式的显示装置300与图2A示出的显示装置100相似，两者不同之处在于，第一电极111和第二电极112的位置及形状。显示装置300的第一电极111具有狭缝图案，第二电极112也具有狭缝图案。第一电极111与第二电极112错排设置（或称为错位排列）。其中，第一电极111与第二电极112皆设置于介电层116的同一表面上，即第一电极111与第二电极112皆设置于同一水平面上。第一电极111与第二电极112其中一者当作像素电极，第一电极111与第二电极112其中另一者当作可调整电位的电极，例如：共享电位、接地电位、或远小像素电极的电位，本发明的实施例，以第一电极111当作像素电极，第二电极112当作可调整电位的电极，例如：共享电位，可称为共享电极为范例。于其它实施例中，第一电极111可调整电位的电极，例如：共享电位，可称为共享电极，且第二电极112当作像素电极，而其它的设计方式，请查看第一实施方式。本实施方式的显示装置300的其它元件和特征与第一实施方式相同。在非自发光显示介质层130为液晶分子的实施例中（本发明的非自发光显示介质层130不限于液晶分子），当显示装置300处于广视角模式，其中的液晶分子的向位（orientation）大致如图12A所示。当显示装置100处于窄视角模式，其中的液晶分子的向位（orientation）大致如图12B所示。因此，图12A中广视角模式的液晶分子130从第一基板110至第二基板120的向位及扭转状况完全不同于图12B中窄视角模式的液晶分子130从第一基板110至第二基板120的向位及扭转状况。在本实施方式中，第一电极111与第二电极112之间的最佳电位差为约0.22V至约1.2V。

图13示出本实施方式的ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的关系曲线图。在本实施方式中，举例而言：显示介质层130为厚度约3.6微米（μm）的液晶层、平坦层126的厚度为约3μm，其介电系数为约3.5（单位：无）、第一基板110上的保护层（未示出）的厚度为约0.4μm，其介电系数为约6.65（单位：无）。在本实施方式中，当ΔV_3-2为约2V至约9V时，ΔV^* _1-2为约0.22V至约1.2V。

本发明的另一方式是提供一种可调整视角的显示装置的驱动方法，此方法包含以下步骤。

首先，提供上述任一实施方式或实施例的显示装置。具体而言，显示装置包含一显示面板100a，其由第一基板110、第二基板120与非自发光显示介质层130所构成。第二基板120与第一基板110相对，非自发光显示介质层130夹设于第一基板110与第二基板120之间。显示面板100a中定义有像素阵列100b，其中像素阵列100b具有至少一第一像素区D1与至少一第二像素区D2。第一像素区D1与第二像素区D2分别具有至少一第一次像素与至少一第二次像素。显示装置还包含第一电极111、第二电极112以及第三电极123。举例而言，第一电极111设置在第一基板110上，并且是配置在第一像素区D1及第二像素区D2中的第一次像素101和第二次像素102内。换言之，第一电极111设置在上述（所有/该些）像素区D1与像素区D2中的上述（所有/该些）次像素101和次像素102内。第二电极112设置在第一基板110上，并且是配置在第一像素区D1及第二像素区D2中的第一次像素101和第二次像素102内。换言之，第二电极112设置在上述（所有/该些）像素区D1与像素区D2中的上述（所有/该些）次像素101和次像素102内。再者，位在上述（所有/该些）像素区D1、D2中的上述（所有/该些）次像素101、102的第一电极111与第二电极112是分隔设置。换言之，所有次像素（101与102）内的第一电极111不会接触所有次像素（101与102）内的第二电极112。第三电极123设置第二基板120上，并且是配置在第一像素区D1及第二像素区D2中的第一次像素101和第二次像素102内，而所有次像素（101与102）内的第三电极也不会接触所有次像素（101与102）内的第一电极111与第二电极112。换言之，第三电极123设置在上述（所有/该些）像素区D1与像素区D2中的上述（所有/该些）次像素101和次像素102内。因此，第三电极123借由非自发光显示介质层130与第一电极111以及第二电极112分隔开来，且第三电极123不接触第一电极111与第二电极112，即非自发光显示介质层130位于第三电极123与第一电极111以及第二电极112之间。其中，第一电极111与第二电极112其中一者当作像素电极，第一电极111与第二电极112其中另一者当作可调整电位的电极，例如：共享电位、接地电位或远小于像素电极的电位，其相关设置方式，请查看上述的实施方式所描述的内容。

然后，分别提供一第一电位、一第二电位与一第三电位于上述次像素的第一电极111、第二电极112与第三电极123。当显示装置100处于一窄视角模式时，位于上述这些次像素的第二电极112与第三电极123之间的电位差不为零，而且这些次像素在零灰阶下的第一电极111与第二电极112之间的电位差不为零。再者，ΔV_3-2和ΔV^* _1-2的相关描述或曲线，请查看上述各实施例方式所示，再此不再赘述。其中，ΔV_3-2指第三电极123的电位减去第二电极112的电位，ΔV^* _1-2指第一电极111的电位减去第二电极112的电位。

以下提供本发明一实施方式的电性分析模型，以使本发明所属技术领域中具有通常知识的人员能更了解本发明的技术内容。以下揭示的分析方式、物理原理及计算式，不应以任何方式解释为本发明的限制。以下以图14示出的显示装置400作为电性分析的例子。图14示出的显示装置400与显示装置100类似，两者不同之处在于，显示装置400还包含配向层113以及配向层128。配向层113覆盖介电层116以及所有的第一电极111，配向层128覆盖平坦层126。在以下的电性分析中，以第一电极111当作像素电极，以第二电极112当作第一基板110上的共享电极，以第三电极123当作第二基板120上的共享电极为范例。

在图14中标示路径C上，亦即路径C上不存在第一电极111，可以得到以下方程式（1）：

${\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{Tcom}-\mathrm{Bcom}}=I^{*}\·(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{{\mathrm{LC}}^{*}}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}});$

$I^{*}=\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{Tcom}-\mathrm{Bcom}}}{(Z_{\mathrm{oc}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{{\mathrm{LC}}^{*}}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}---\left(1\right)$

其中

ΔV_Tcom-Bcom表示第三电极123的电位V_Tcom减第二电极112的电位V_Bcom，亦即ΔV_Tcom-Bcom＝V_Tcom-V_Bcom，单位：伏特（V）；

I^*表示由第三电极123经过路径C至第二电极112的电流（单位：安培（ampere，A））；

Z_OC表示平坦层126的阻抗（electrical impedance，单位：欧姆（ohmic，Ω））；

Z_{PI_Top}表示配向层128的阻抗；

表示在路径C上显示介质层130的阻抗；

表示路径C上配向层113的阻抗；

Z_PV表示介电层116的阻抗。

在图14中，位置B1是位在配向层113上。相对于介电层116，位置B2与位置B1是位在相同的高度上。当图14中标示位置B1的电位等于图14中标示位置B2的电位时，表示位置B1和位置B2在相同的等电位曲线上，此时可让显示装置400呈现最小的正视暗态漏光，因此得到以下方程式（2）：

V_{PI_Bottom}-V_Bcom＝V^*-V_Bcom            （2）

其中

V_{PI_Bottom}表示图14中标示位置B1的配向层113的电位，单位：伏特（V）；

V_Bcom表示第二电极112的电位；

V^*表示图14中标示位置B2的电位。

方程式（2）中的（V^*-V_Bcom）利用以下方程式（3）来表示：

$V^{*}-V_{\mathrm{Bcom}}=I^{*}\·(Z_{\mathrm{LC}(V^{*}-{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*})}+Z_{\mathrm{PI}\_{\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})---\left(3\right)$

其中

表示位置B2至其下的配向层113之间的液晶层的阻抗。

由方程式（1）、方程式（2）及方程式（3）得到以下方程式（4）:

$V_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}-V_{\mathrm{Bcom}}=V^{*}-V_{\mathrm{Bcom}}=I^{*}\·(Z_{{\mathrm{LC}(V^{*}-\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*})}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})$

$=\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{Tcom}-\mathrm{Bcom}}\·(Z_{{\mathrm{LC}(V^{*}-\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*})}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}{(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{{\mathrm{LC}}^{*}}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}$

$V_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}=V_{\mathrm{Bcom}}+\frac{\mathrm{\Δ}{V}_{\mathrm{Tcom}-\mathrm{Bcom}}\·(Z_{\mathrm{LC}(V^{*}-\mathrm{PI}\_{\mathrm{Bottom}}^{*})}+Z_{{\mathrm{PI}-\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}{(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{{\mathrm{LC}}^{*}}+Z_{\mathrm{PI}\_{\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}---\left(4\right)$

另外，在图14中标示路径D上，得到以下方程式（5）：

ΔV_{Tcom-PI_Bottom}≡V_Tcom-V_{PI_Bottom}＝I·(Z_OC+Z_{PI_Top}+Z_LC)    （5）

其中

V_Tcom表示第三电极123的电位；

V_{PI_Bottom}表示图14中标示位置B1的配向层113的电位，其与方程式（2）相同；

ΔV_{Tcom-PI_Bottom}定义为（V_{Tcom_VPI_Bottom}）；

I表示由第三电极123经过路径D至第一电极111的电流；

Z_LC表示在路径D上显示介质层130的阻抗。

将方程式(4)的V_{PI_Bottom}带入方程式(5)得到以下方程式(6)：

$I=\frac{{\mathrm{\ΔV}}_{\mathrm{Tcom}-\mathrm{Bcom}}}{(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{\mathrm{LC}})}[1-\frac{(Z_{{\mathrm{LC}(V^{*}-\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*})}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}{(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{{\mathrm{LC}}^{*}}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}]---\left(6\right)$

另外，在图14中标示路径D上，还可以得到以下方程式(7)：

△V_Tcom-px≡V_Tcom-V_px=I·(Z_OC+Z_LC+Z_{PI_Top}+Z_{PI_Bottom})  (7)

其中

V_px表示第一电极111的电位；

Z_{PI_Bottom}表示路径D上配向层113的阻抗。

由将方程式(6)代入方程式(7)得到以下方程式(8)：

$V_{\mathrm{px}}=V_{\mathrm{Tcom}}-\frac{(V_{\mathrm{Tcom}}-V_{\mathrm{Bcom}})\·(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{LC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}})}{(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{\mathrm{LC}})}[1-\frac{(Z_{\mathrm{LC}(V^{*}-{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*})}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}{(Z_{\mathrm{OC}}+Z_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}+Z_{{\mathrm{LC}}^{*}}+Z_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}+Z_{\mathrm{PV}})}]---\left(8\right)$

将方程式(8)中各层别的阻抗Z_OC、Z_LC、Z_{PI_Top}、Z_{PI_Bottom}、

而得到以下方程式(9)：

$V_{\mathrm{px}}=V_{\mathrm{Tcom}}-\frac{(V_{\mathrm{Tcom}}-V_{\mathrm{Bcom}})\·(C_{\mathrm{OC}}^{-1}+C_{\mathrm{LC}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{-1})}{(C_{\mathrm{OC}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}^{-1}+C_{\mathrm{LC}}^{-1})}[1-\frac{(C_{\mathrm{LC}(V^{*}-\mathrm{PI}\_{\mathrm{Bottom}}^{*})}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_{\mathrm{Bottom}}^{*}}^{-1}+C_{\mathrm{PV}}^{-1})}{(C_{\mathrm{OC}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}^{-1}+C_{{\mathrm{LC}}^{*}}^{-1}+C_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}^{-1}+C_{\mathrm{PV}}^{-1})}]---\left(9\right)$

方程式(9)可以改写成以下方程式(10)：

V_px＝V_Tcom-△V_Tcom-Bcom×a×b        (10)

其中

$a=\frac{(C_{\mathrm{OC}}^{-1}+C_{\mathrm{LC}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{-1})}{(C_{\mathrm{OC}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}^{-1}+C_{\mathrm{LC}}^{-1})}$

$b=1-\frac{(C_{\mathrm{LC}(V^{*}-{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*})}^{-1}+C_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}^{-1}+C_{\mathrm{PV}}^{-1})}{(C_{\mathrm{OC}}^{-1}+C_{\mathrm{PI}\_\mathrm{Top}}^{-1}+C_{{\mathrm{LC}}^{*}}^{-1}+C_{{\mathrm{PI}\_\mathrm{Bottom}}^{*}}^{-1}+C_{\mathrm{PV}}^{-1})}$

根据方程式(10)，第一电极111的电位V_px与△V_Tcom-Bocm有关，方程式(10)中参数a及b仅和像素的结构有关。由方程式(10)计算得到的V_px与前述第一实施方式至第四实施方式中的实施例1至实施例8的实验结果相符。

本发明上述实施例与实施方式，以像素阵列100b包含至少一个第一像素区D1（zone）以及至少一个第二像素区D2（zone）为实施方式。于其它实施例中，像素阵列100b也可仅包含至少一个第一像素区D1（zone）或至少一个第二像素区D2（zone）。而像素区D1或像素区D2的电极、电位差及狭缝等等的相关描述，可参阅上述，在此不再赘述。

虽然本发明已以实施方式揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的变更与修饰，因此本发明的保护范围应当由所附的权利要求书所界定为准。

Claims (18)

1.一种可调整视角的显示装置，其特征在于，包含：

一第一基板；

一与该第一基板相对的该第二基板；

一非自发光显示介质层夹设于该第一基板与该第二基板之间以构成一显示面板；

一像素阵列定义于该显示面板中，其中该像素阵列至少具有一第一像素区与一第二像素区，该第一与该第二像素区分别至少具有一第一次像素与一第二次像素；

一第一电极，设置于所述该些像素区中所述该些次像素的该第一基板上；

一第二电极，设置于所述该些像素区中所述该些次像素的该第一基板上，其中，位于该些像素区中所述该些次像素的该第一电极与位于该些像素区中所述该些次像素的该第二电极分隔设置；以及

一第三电极，设置于所述该些像素区中所述该些次像素的该第二基板上；其中

当该显示装置处于一窄视角模式时，位于所述该些像素区中所述该些次像素的该第二电极与该第三电极之间的电位差不为零，且位于所述该些像素区中所述该些次像素在零灰阶下的该第一电极与该第二电极之间的电位差不为零。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述各该次像素中该第一电极与该第二电极其中一者具有多个狭缝。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，当该显示装置处于该窄视角模式时，位于所述该些像素区中所述该些次像素在零灰阶下的该第一电极的电位大于该第二电极的电位。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约0.04V至约1.04V。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约0.18V至约1.9V。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，当该显示装置处于该窄视角模式时，位于所述该些像素区中所述该些次像素在零灰阶下的该第一电极的电位小于该第二电极的电位。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约-0.04V至约-1.18V。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极之间的电位差为约-0.18V至约-2.34V。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第二电极与该第三电极之间的电位差为约2V至约10V。

10.一种可调整视角的显示装置的驱动方法，其特征在于，该方法包含：

提供一显示装置，包含：

一第一基板；

一与该第一基板相对的该第二基板；

一非自发光显示介质层夹设于该第一基板与该第二基板之间以构成一显示面板；

一像素阵列定义于该显示面板中，其中该像素阵列至少具有一第一像素区与一第二像素区，该第一与该第二像素区分别至少具有一第一次像素与一第二次像素；

一第一电极，设置于所述该些像素区中所述该些次像素的该第一基板上；

一第二电极，设置于所述该些像素区中所述该些次像素的该第一基板上，其中，位于该些像素区中所述该些次像素的该第一电极与位于该些像素区中所述该些次像素的该第二电极分隔设置；以及

一第三电极，设置于所述该些像素区中所述该些次像素的该第二基板上；以及

分别提供一第一电位、一第二电位与一第三电位于所述该些像素区中所述该些次像素的该第一电极、该第二电极与该第三电极，其中

当该显示装置处于一窄视角模式时，位于所述该些像素区中所述该些次像素的该第二电极与该第三电极之间的电位差不为零，且位于所述该些像素区中所述该些次像素在零灰阶下的该第一电极与该第二电极之间的电位差不为零。

11.根据权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，所述各该次像素中该第一电极与该第二电极其中一者具有多个狭缝。

12.根据权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，当该显示装置处于该窄视角模式时，位于所述该些像素区中所述该些次像素在零灰阶下的该第一电极的电位大于该第二电极的电位。

13.根据权利要求12所述的驱动方法，其特征在于，该第一电位与该第二电位间的电位差为约0.04V至约1.04V。

14.根据权利要求12所述的驱动方法，其特征在于，该第一电位与该第二电位间的电位差为约0.18V至约1.9V。

15.根据权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，当该显示装置处于该窄视角模式时，位于所述该些像素区中所述该些次像素在零灰阶下的该第一电极的电位小于该第二电极的电位。

16.根据权利要求15所述的驱动方法，其特征在于，该第一电位与该第二电位间的电位差为约-0.04V至约-1.18V。

17.根据权利要求15所述的驱动方法，其特征在于，该第一电位与该第二电位间的电位差为约-0.18V至约-2.34V。

18.根据权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，该第二电极与该第三电极之间的电位差为约2V至约10V。

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