CN112327545B - 一种显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置，属于显示技术领域。本发明提供的一种显示装置，包括阵列排布的多个子像素，相对设置的阵列基板和对置基板，以及设置在二者之间的液晶层。阵列基板包括第一基底，以及多个子像素中的每个的第一电极和第二电极。其中，第一电极和第二电极设置在第一基底靠近液晶层的一侧。对置基板包括第二基底，以及多个子像素中的每个的干扰电极；其中，干扰电极设置在第二基底靠近液晶层的一侧，且每个子像素的干扰电极与其第二电极在基底上的正投影至少部分重叠。

Description

一种显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示装置。
背景技术
目前，日常使用显示装置时，或在会议场景下处理机密的文件时，需要对显示装置进行防窥处理。而相关技术中，同层采用防窥膜贴附在显示装置的显示区，以进行防窥，但防窥膜会增加显示装置的厚度，且在各个视角都会降低显示装置的对比度，影响显示效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示装置，其能够实现防窥效果，且不影响显示装置的对比度和厚度。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括阵列排布的多个子像素；其中，所述显示装置包括：相对设置的阵列基板和对置基板，以及设置在二者之间的液晶层；
所述阵列基板包括：第一基底，以及所述多个子像素中的每个的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一基底靠近所述液晶层的一侧；
所述对置基板包括：第二基底，以及所述多个子像素中的每个的干扰电极；其中，所述干扰电极设置在所述第二基底靠近所述液晶层的一侧，且每个所述子像素的干扰电极与其第二电极在所述基底上的正投影至少部分重叠。
本发明提供的显示装置，在第一电极与第二电极之间的电场控制整个液晶层的透光率的基础下，由于设置了干扰电极，因此干扰电极与第二电极之间的电场能够控制液晶层的局部的透光率，使干扰电极与第二电极之间的液晶分子近似垂直，从而有效降低侧视角下显示装置的透光率以达到防窥效果；并且由于干扰电极设置在第二基底靠近阵列基板一侧，因此不会增加显示装置的厚度。
在一些示例中，所述子像素中的第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极；且所述第一电极和所述第二电极在沿背离所述第一基底的方向上依次设置；所述狭缝电极包括主体部和开口部；其中，
所述子像素中的所述干扰电极在所述第一基底上的正投影，与所述狭缝电极的主体部在所述第一基底上的正投影至少部分重叠，与所述狭缝电极的开口部在所述第一基底上的正投影无重叠。
在一些示例中，每个所述子像素中的所述主体部包括多个子主体部、第一连接部和第二连接部；所述多个子主体部间隔设置，且所述多个子主体部的第一端通过所述第一连接部相连，所述多个子主体部的第二端通过所述第二连接部相连；
每个所述子像素中的所述干扰电极包括多个子干扰电极；其中，
所述子干扰电极与所述子主体部一一对应设置。
在一些示例中，每个所述子像素中的所述主体部包括多个子主体部、第一连接部和第二连接部；所述多个子主体部间隔设置，且所述多个子主体部的第一端通过所述第一连接部相连，所述多个子主体部的第二端通过所述第二连接部相连；
每个所述子像素中的所述干扰电极包括多个子干扰电极；其中，
一个所述子干扰电极与一个所述子主体部对应设置，且任意两个所述子干扰电极在所述第一基底上的正投影之间，设置有一个所述子主体部。
在一些示例中，每个所述子像素中的所述主体部包括多个子主体部、第一连接部和第二连接部；所述多个子主体部间隔设置，且所述多个子主体部的第一端通过所述第一连接部相连，所述多个子主体部的第二端通过所述第二连接部相连；
每个所述子像素中的所述干扰电极包括一个子干扰电极；其中，
所述子干扰电极与所述多个子主体部中位于中间的子主体部对应设置。
在一些示例中，所述子主体部所述第一基底上的正投影，位于与之对应的所述子干扰电极在所述第一基底上的正投影内。
在一些示例中，所述子主体部为条形电极；所述子干扰电极为条形电极，且所述子主体部的延伸方向，与所述子干扰电极的延伸方向相同。
在一些示例中，还包括至少一个支撑结构，所述支撑结构与所述子干扰电极一一对应设置，所述支撑结构位于所述子干扰电极与所述第二基底之间。
在一些示例中，所述支撑结构与所述子干扰电极一体成型。
在一些示例中，所述对置基板还包括黑矩阵，设置在每个所述子像素之间；
所述支撑结构与所述黑矩阵一体成型。
在一些示例中，所述子像素中的第一电极包括多个子第一电极，所述第二电极包括多个子第二电极；所述子第一电极和所述子第二电极交错设置且同层设置；其中，
所述子像素中的所述干扰电极在所述第一基底上的正投影，与所述子第一电极和/或所述子第二电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠。
附图说明
图1为本实施例提供的显示装置的一种实施例的结构示意图(俯视图)；
图2为本实施例提供的显示装置的一种实施例的剖面图(A-B方向)；
图3为本实施例提供的显示装置的一种实施例的剖面图(C-D方向)；
图4为本实施例提供的显示装置中液晶分子的偏转示意图；
图5为本实施例提供的显示装置的另一种实施例的剖面图之一；
图6为本实施例提供的显示装置的另一种实施例的剖面图之二；
图7为本实施例提供的显示装置的另一种实施例的剖面图之三；
图8为本实施例提供的显示装置的另一种实施例的剖面图之四(支撑结构与干扰电极一体成型)；
图9为本实施例提供的显示装置的另一种实施例的剖面图之五(支撑结构与黑矩阵一体成型)；
图10为本实施例提供的显示装置的另一种实施例的剖面图之六(第一电极和第二电极同层设置)
图11为本实施例提供的显示装置的电压-透过率图；
图12为本实施例提供的显示装置的视角-对比度图；
图13为本实施例提供的显示装置的参数测试表格。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本发明实施例的内容的理解。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要说明的是，在本公开实施例提供的显示装置中，阵列基板与对置基板对盒形成显示装置，阵列基板可以包括多种类型的阵列基板，阵列基板包括多个子像素的驱动电路，若阵列基板为彩膜集成基板(Color Filter on Array，COA)基板，阵列基板还可以包括彩色滤光片。若阵列基板包括驱动电路不包括彩色滤光片，则对置基板可以为彩膜基板，若阵列基板为COA基板，则对置基板可以为封装基板，以下皆以阵列基板包括驱动电路，对置基板为彩膜基板为例进行说明。
需要说明的是，在本公开实施例提供的显示装置中，第一电极与第二电极之间的电场能够控制液晶层的液晶分子的偏转角度，以调节液晶层的透光率进行显示，第一电极和第二电极的设置方式及二者之间的位置关系可以具有多种方式，即本公开实施例可以具有多种驱动模式，例如，第一电极可以设置在第二电极靠近第一基底一侧，第一电极为板状电极，第二电极为狭缝电极，第一电极周围的电场透过狭缝与第二电极的电场相作用，控制位于子像素内的液晶层中位于狭缝附近的液晶分子的偏转方向。又例如，第一电极可以包括多个子第一电极，第二电极可以包括多个子第二电极，子第一电极和子第二电极交错设置且同层设置，子第一电极和子第二电极之间形成的电场控制位于子像素内的液晶层的液晶分子的偏转方向，当然，第一电极和第二电极还可以具有更多种设置方式，在此不做限定。并且，第一电极与第二电极中一者为像素电极，接收数据电压，另一者为公共电极，接收公共电压，以下以第一电极为公共电极，第二电极为像素电极为例进行说明，但不对本发明构成限制，第一电极和第二电极也可以互换。
如图1-图3所示，其中，图2为沿图1的A-B方向剖切的剖面图，图3为沿图1的C-D方向剖切的剖面图。本公开实施例提供一种显示装置，显示装置包括呈阵列排布的多个子像素P。显示装置包括相对设置的阵列基板1和彩膜基板2，以及设置在阵列基板1，彩膜基板2之间的液晶层3及背光模组(图中未示出)。
具体地，阵列基板1包括第一基底11，公共电极层12，多个像素电极13，还包括多条栅线4和多条数据线5和多个薄膜晶体管14。公共电极层12、多个像素电极13、多条栅线4、多条数据线5、多个薄膜晶体管14均设置在第一基底11上，每个子像素P内设置有一个薄膜晶体管14和一个像素电极13，位于同一子像素P中的像素电极13与薄膜晶体管14连接。多条栅线4沿呈阵列排布的多个子像素P的行方向延伸，多条数据线沿呈阵列排布的多个子像素P的列方向延伸，栅线4与数据线5交叉设置，交叉的区域限定出子像素P。每条栅线4对应连接一行子像素P内的薄膜晶体管14，每条数据线5对应连接一列子像素P内的薄膜晶体管14。每条栅线4通过与之相连的一行子像素P内的薄膜晶体管14与像素电极13相连，薄膜晶体管14作为开关器件，响应于栅线4传输的扫描信号打开或关闭，若一个子像素P中的薄膜晶体管14打开，则可将与该薄膜晶体管14相连的数据线5上的数据电压写入与该薄膜晶体管14连接的像素电极13上。公共电极层12设置在第一基底11上，多个像素电极13设置在公共电极层12背离第一基底11一侧，且每个子像素P内具有一个像素电极13，若数据电压写入像素电极13，公共电压输入公共电极层12，背光模组的光透光液晶层3，公共电极层12与像素电极13之间的电场能够控制液晶层3中的液晶分子31的偏转方向，从而能够控制液晶层3的透光率。
进一步地，参见图1-图2、图4，彩膜基板2可以包括第二基底21、彩色滤光片23、黑矩阵24和多个干扰电极22。彩色滤光片23包括多种颜色的滤光片，例如可以包括红、绿、蓝三种颜色的滤光片，相应地，背光模组的光穿过滤光片后过滤为红、绿、蓝色的光，当然，彩色滤光片也可以包括更多种颜色的滤光片，在此不做限定。彩色滤光片23设置在子像素P内，黑矩阵24分布在多个子像素P中的每个子像素P之间，用于分隔相邻的子像素P，避免相邻的子像素P中的光发生串扰。多个干扰电极22设置在第二基底21靠近阵列基板1一侧，具体地，每个子像素P设置有一个干扰电极22，干扰电极22具体可以设置在彩色滤光片23靠近阵列基板1一侧。每个子像素P的干扰电极22在第一基底11上的正投影，与该子像素P的像素电极13在第一基底11上的正投影至少部分重叠，重叠部分称为重叠区域Q1，公共电极12设置在子像素电极131靠近第一基底11一侧，公共电极12与像素电极13之间形成的电场能够控制液晶层3内的液晶分子31的偏转方向，从而控制液晶层3的透过率以正常显示画面，而位于重叠区域Q1内的干扰电极22与像素电极13之间的电场，能够控制液晶层3位于重叠区域Q1内的液晶分子31的偏转方向，使液晶层3位于重叠区域Q1之内的液晶分子31的长轴方向与第一基底11大致垂直(包括垂直或近似垂直)，从而使液晶层3位于重叠区域Q1内的部分的透光率减小，从而由侧视角观察显示装置时，显示装置的透光率大大减小，导致对比度减小，因此无法看清显示装置的显示画面，从而达到防窥效果。
具体地，参见图4，干扰电极22与像素电极13之间的电场能够调节液晶层3位于干扰电极22与像素电极13的重叠区域Q1范围内的液晶分子31的偏转方向，使这部分液晶分子31的长轴与第一基底11大致垂直，从而干扰电极22与像素电极13之间的电场能够调节液晶层3位于重叠区域Q1的部分的透光率，从而在显示装置进行显示时，背光模组的光透光液晶层3，液晶层3在重叠区域Q1以外的部分的液晶分子31按照像素电极13和公共电极12之间的电场偏转达到正常显示效果，而液晶层3在重叠区域Q1的部分的液晶分子31按照干扰电极22与像素电极13之间的电场偏转至近似垂直的状态，从而透光率下降，液晶层3在重叠区域Q1的部分的液晶分子31在垂直于第一基底11的方向上形成低透光率的排列，从而若由与显示装置的显示面形成侧视角的方向观察显示装置，视线会经过重叠区域Q1内的液晶分子31，而重叠区域Q1内的液晶分子31形成的低透光率的排列有效阻挡了视线，从而达到防窥效果，且不影响正视角观察显示装置的显示效果。并且，由于干扰电极22设置在第二基底21靠近阵列基板1一侧，也即设置在彩膜基板2的内侧，因此不会额外增加彩膜基板2的厚度，从而避免增加显示装置的厚度。
进一步地，参见图3，图3为沿图1的C-D方向剖切的剖面图，需要说明的是，图3中剖切口不经过像素电极13，但为示出像素电极13在剖面图的位置，因此图3中示出了像素电极13。本实施例提供的显示装置在第一基底11靠近像素电极13一侧设置有缓冲层01,薄膜晶体管14位于缓冲层01靠近像素电极13一侧。薄膜晶体管14可以包括多个膜层，例如包括栅极(Gate Electrode)141，栅极141设置在缓冲层01背离第一基底11一侧，栅极141之上包括有源层(Active area)142，有源层142与栅极1411之间包括栅极绝缘层02，有源层142背离栅极绝缘层02一侧设置有漏极(Drain Electrode)143和源极(Source Electrode)144，漏极143和源极144同层设置，漏极143和有源层142之间包括层间绝缘层03。其中，有源层142由半导体材料构成，例如可以为非晶硅、多晶硅、有机半导体材料等，在此不做限定。
进一步地，参见图1、图3，像素电极13通过设置在层间绝缘层03之中的第一过孔001连接在薄膜晶体管14的漏极143之上，数据线5通过设置在层间绝缘层03之间的第二过孔002连接在薄膜晶体管14的源极141之上，栅线4(图3中未示出)连接薄膜晶体管13的栅极61，且与栅极61同层设置。公共电极12可以与有源层142同层设置。需要说明的是，本实施例提供的显示装置中，数据线5、栅线4可以设置在阵列基板中的任意两个膜层之间，在此不做限定。
可选地，薄膜晶体管14中源极144和漏极143可以包括各类金属材料，例如银(Ag)，铜(Cu)，铝(Al)中的任一种。像素电极13的材料可以包括各类型的透明半导体材料，例如可以是氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。当然，源极144和漏极143和像素电极13的材料也可以为其他材料，在此不做限定。
需要说明的是，本实施例提供的显示装置中，薄膜晶体管14的结构可以包括多种类型，图中仅为了便于描述所举的例子，并不对本实施例进行限制。
进一步地，在本实施例提供的显示装置中，参见图2、图3-图9，以公共电极12和像素电极13设置在不同层为例进行说明，每个子像素P中的公共电极12可以为板状电极，像素电极13可以为狭缝电极，且公共电极12和像素电极13在沿背离第一基底11的方向上依次设置，即公共电极12设置在像素电极13背离液晶层3一侧。狭缝电极(即像素电极13)包括主体部和开口部013，开口部013即为狭缝电极的狭缝，主体部即为狭缝电极非镂空的部，为板状电极的公共电极12的电场透过开口部013与主体部的电场相作用，以调节液晶层3对应子像素P的部分的液晶分子31的偏转方向，以进行显示。其中，每个子像素P中的干扰电极22在第一基底11上的正投影，与该子像素P的狭缝电极(即像素电极13)的主体部在第一基底11上的正投影至少部分重叠，重叠部分称为重叠区域Q1，且干扰电极22在第一基底11上的正投影与狭缝电极的开口部013在第一基底11上的正投影无重叠。从而液晶层3在重叠区域Q1的部分的液晶分子31按照干扰电极22与像素电极13之间的电场偏转至近似垂直的状态，从而透光率下降，液晶层3在重叠区域Q1的部分的液晶分子31在垂直于第一基底11的方向上形成低透光率的排列，从而若由与显示装置的显示面形成侧视角的方向观察显示装置，视线会经过重叠区域Q1内的液晶分子31，而重叠区域Q1内的液晶分子31形成的低透光率的排列有效阻挡了视线，从而达到防窥效果，并且，干扰电极22在第一基底11上的正投影与狭缝电极(即像素电极13)的开口部013在第一基底11上的正投影无重叠，从而干扰电极22的电场不会影响公共电极12与狭缝电极(即像素电极13)之间的电场，也即不影响正视角观察显示装置的显示效果。
进一步地，参见图1，若像素电极13为狭缝电极，则为狭缝电极的像素电极13可以包括主体部和开口部013，每个狭缝电极的主体部可以包括多个子主体部131、第一连接部132和第二连接部133。多个子主体部131间隔设置，相邻的两个子主体部131之间的间隔限定出开口部013，多个子主体部131可以朝同一方向延伸，第一连接部132、第二连接部133可以朝另一方向延伸，多个子主体部131的延伸方向与第一连接部132(以及第二连接部133)的延伸方向相较，多个子主体部131的第一端可以通过第一连接部132连接，多个子主体部131的另一端可以通过第二连接部133连接，栅线4和数据线5可以搭接在第一连接部132和第二连接部133中的任一者，以给像素电极13的主体部传输像素电压。
本公开实施例提供的显示装置中，为狭缝电极的像素电极13、干扰电极22的设置方式可以包括多种实施例，干扰电极22在子像素P的区域内的面积占比越大，防窥效果越好，但对比度可能下降，可以根据对显示装置的对比度和防窥需求来设置干扰电极22和像素电极13。以下举例说明。
实施例1
参见图2、图5，本公开实施例提供的显示装置中，阵列基板1上的每个像素电极13为狭缝电极，包括主体部和开口部013,主体部包括多个子主体部131，多个子主体部131间隔设置，相邻的两个子主体部131之间限定出开口部013，多个子主体部131的第一端通过第一连接部132相连，多个子主体部131的第二端通过第二连接部132相连。
进一步地，彩膜基板2上的每个干扰电极22可以包括多个子干扰电极221，也即一个子像素P内具有多个子主体部131和多个子干扰电极221。
其中，一个子干扰电极221与一个子主体部131对应设置，一个子干扰电极221与一个子主体部131对应，也即该子干扰电极221在第一基底11上的正投影，与该一个子主体部131在第一基底11上的正投影具有重叠区域。并且，子干扰电极221间隔一个子主体部131设置在第二基底21靠近阵列基板1一侧，也就是说，每个子像素P中的多个子干扰电极221中，任意两个子干扰电极221在第一基底11上的正投影之间，设置有一个子主体部131，将该子主体部131称为中间子主体部，则相邻的两个子干扰电极221在第一基底11上的正投影，分别与位于中间子主体部两侧的子主体部131在第一基底11上的正投影具有重叠区域，则液晶层3位于重叠区域内的液晶分子31按照子干扰电极221与子干扰电极221下方的子主体部131之间的电场偏转至近似垂直的状态，从而透光率下降，达到防窥效果，并且由于子干扰电极221设置在第二基底21靠近阵列基板1一侧，因此不会额外增加彩膜基板2的厚度，从而避免增加显示装置的厚度。
实施例2
参见图6，本公开实施例提供的显示装置中，阵列基板1上的每个像素电极13为狭缝电极，包括主体部和开口部013,主体部包括多个子主体部131，多个子主体部131间隔设置，相邻的两个子主体部131之间限定出开口部013，多个子主体部131的第一端通过第一连接部132相连，多个子主体部131的第二端通过第二连接部132相连。
进一步地，彩膜基板2上的每个干扰电极22可以包括多个子干扰电极221，也即一个子像素P内具有多个子主体部131和多个子干扰电极221。
其中，子干扰电极221与子主体部131一一对应设置，即每个子干扰电极221在第一基底11上的正投影，均与一个子主体部131在第一基底11上的正投影具有重叠区域，每个子像素P内子干扰电极221的数量与子主体部131的数量相同，也就是说每个子主体部131上方都设置了干扰电极221，则液晶层3位于每个子主体部131和与该子主体部131对应的干扰电极221之间的液晶分子31按照子干扰电极221与子主体部131之间的电场偏转至近似垂直的状态，从而透光率下降，达到防窥效果，并且由于子干扰电极221设置在第二基底21靠近阵列基板1一侧，因此不会额外增加彩膜基板2的厚度，从而避免增加显示装置的厚度。
实施例3
参见图7，本公开实施例提供的显示装置中，阵列基板1上的每个像素电极13为狭缝电极，包括主体部和开口部013,主体部包括多个子主体部131，多个子主体部131间隔设置，相邻的两个子主体部131之间限定出开口部013，多个子主体部131的第一端通过第一连接部132相连，多个子主体部131的第二端通过第二连接部132相连。
进一步地，彩膜基板2上的每个干扰电极22仅包括一个子干扰电极221，也即一个子像素P内具有多个子主体部131，且仅设置一个子干扰电极221。该子干扰电极221可以设置在像素电极13的多个子主体部131中的任一子主体部131的上方，例如，该子干扰电极221可以与多个子主体部131中位于中间的子主体部131对应设置。以阵列基板1上的每个像素电极13包括三个子主体部131为例，三个子主体部131依次间隔设置，三个子主体部131分别为第一子主体部、第二子主体部和第三子主体部，第二子主体部位于第一子主体部和第三子主体部之间，则第二子主体部为位于中间的子主体部，子干扰电极221可以与第二子主体部相对设置，即第二子主体部在第一基底11上的正投影与子干扰电极221在第一基底11上的正投影具有重叠区域，而第一子主体部在第一基底11上的正投影、第二子主体部在第一基底11上的正投影均与子干扰电极221在第一基底11上的正投影无重合区域。则液晶层3在第二子主体部与子干扰电极221之间的液晶分子31按照第二子主体部与子干扰电极221之间的电场偏转至近似垂直的状态，从而透光率下降，达到防窥效果，并且由于子干扰电极221设置在第二基底21靠近阵列基板1一侧，因此不会额外增加彩膜基板2的厚度，从而避免增加显示装置的厚度。
需要说明的是，以上实施例仅为示例性的显示装置，本公开实施例提供的显示装置中的干扰电极22与像素电极13还可以包括其他设置方式，在此不做限定。
在一些示例中，子干扰电极221在第一基底11上的正投影，和与该子干扰电极221对应的子主体部131在第一基底11上的正投影完全重合。
在一些示例中，参见图1-图9，在本公开实施例提供的显示装置中，干扰电极22的面积可以等于或略大于像素电极13的面积，也即像素电极13在第一基底11上的正投影，位于与该像素电极13相对设置的干扰电极22在第一基底11上的正投影内，若像素电极13包括多个子主体部131，干扰电极22包括多个子干扰电极221，则子主体部131第一基底11上的正投影，位于与该子主体部131对应的子干扰电极221在第一基底11上的正投影内，从而能够保证子主体部131与子干扰电极221相重叠的面积足够大，进而能够保证液晶层3在子主体部131与子干扰电极221之间的液晶分子31能够被有效控制偏转。
在一些示例中，如图1所示，像素电极13可以包括多个子主体部131，干扰电极22可以包括多个子干扰电极221，子主体部131的形状可以包括多种形式，例如条状电极、板状电极、梳状电极等，子干扰电极221的形状也可以包括多种形式，例如条状电极、板状电极、梳状电极等，子干扰电极221可以与子主体部131的形状、延伸方向均相同，在此以子主体部131为条形电极，子干扰电极221为条形电极为例，也就是说，子主体部131的延伸方向，可以与子干扰电极221的延伸方向相同，例如，如图1所示，子主体部131沿列方向延伸，则子干扰电极221也沿列方向延伸。
在一些示例中，参见图8-图9，本公开实施例提供的显示装置还可以包括至少一个支撑结构25，若干扰电极22仅包括一个子干扰电极221，则该子干扰电极221对应一个支撑结构25设置，也就是说，子干扰电极221在第二基底21上的正投影，和与该子干扰电极221对应的支撑结构25在第二基底21上的正投影相重合；若干扰电极22包括多个子干扰电极221，则支撑结构25与子干扰电极221一一对应设置，也即每个子干扰电极221在第二基底21上的正投影，和与该子干扰电极22对应的支撑结构25在第二基底21上的正投影相重合，每个子像素P的子干扰电极221的数量与支撑结构25的数量相同。支撑结构25设置在第二基底21与子干扰电极221之间，由于子干扰电极221设置在子像素P内，子像素P内设置有彩色滤光片23，因此具体地支撑结构25设置在彩色滤光片23与子干扰电极221之间，支撑结构23能够支撑起子干扰电极221，增高子干扰电极221的高度，使子干扰电极221与像素电极13的子主体部131之间的距离减少，从而子干扰电极221与子主体部131之间的电场增强，对液晶分子31的控制准确度增强。
在一些示例中，参见图8，支撑结构25的设置方式可以包括多种方式，支撑结构25的材料可以为多种材料，例如，支撑结构25可以与子干扰电极221一体成型，也即在制作干扰电极22(子干扰电极221)时增加干扰电极22(子干扰电极221)的膜层厚度，使干扰电极22(子干扰电极221)与像素电极13(子主体部131)之间距离减小。
在一些示例中，干扰电极22可以采用多种材料，例如可以采用ITO，因此支撑结构25也可以采用ITO制成。
在一些示例中，参见图9，支撑结构25的设置方式其他设置方式，例如，支撑结构25可以与设置在多个子像素P之间的黑矩阵24一体成型，即制作黑矩阵24时增加黑矩阵24的膜层厚度，再对黑矩阵24进行图形化，使黑矩阵24在子像素P内形成多个支撑结构25，再将干扰电极221设置在支撑结构25上，使干扰电极22(子干扰电极221)与像素电极13(子主体部131)之间距离减小。
在一些示例中，支撑结构25的宽度D2可以小于黑矩阵24的宽度D2，也就是说支撑结构25可以比位于子像素P周边的黑矩阵24窄，从而减少支撑结构25对子像素P的透过率的影响，使支撑结构25尽可能不影响子像素P的出光。
在一些示例中，公共电极12的设置位置和形状可以包括多种方式，例如公共电极12可以为多个板状电极，每个子像素P设置一个为板状电极，每个板状电极在第一基底11上的正投影，覆盖该子像素P内的像素电极13在第一基底11上的正投影，多个子像素P的板状电极(即公共电极12)通过公共电极线相连，公共电极线将公共电压Vcom传输至多个为板状电极的公共电极12，使多个公共电极12共电位，或者，或者公共电极12也可以为多个条形电极，与为条形电极的多个子像素电极131同层设置且交错设置，多个子像素P的条形电极(即公共电极12)通过公共电极线相连，公共电极线将公共电压Vcom传输至多个为条形电极的公共电极12，使多个公共电极12共电位，或者，公共电极12可以为面电极，且公共电极12在第一基底11上的正投影，覆盖多个像素电极13在第一基底11上的正投影，公共电极线与为面电极的公共电极12搭接，将公共电压Vcom传输给为面电极的公共电极12。具体的可以根据需要设置，在此不做限定。
在一些示例中，公共电极12可以包括多种材料，例如可以采用ITO，当然，也可以采用其他材料在此不做限定。
在一些示例中，参见图10，在本公开实施例提供的显示装置中，以第一电极为公共电极12，第二电极为像素电极13为例，公共电极12和像素电极13也可以同层设置。具体地，每个子像素P包括一个公共电极12和一个像素电极13，公共电极12可以包括多个子公共电极121，多个子公共电极121可以为条形电极，像素电极13可以包括多个子像素电极131ˊ，多个子像素电极131ˊ也可以为条形电极，多个子公共电极121和多个子像素电极131ˊ可以沿同一方向延伸，且子公共电极121和子像素电极131ˊ交错且间隔设置在第一基底11靠近液晶层3一侧，即一个子公共电极121与一个子像素电极131ˊ相邻，且公共电极121和子像素电极131ˊ同层设置。在上述实施例中，彩膜基板2上的干扰电极22在第一基底11上的正投影，可以与交错设置的子公共电极121-子像素电极131ˊ-子公共电极121的排列中的子公共电极121和/或子像素电极131ˊ在第一基底11上的正投影至少部分重叠。
进一步地，与上述实施例1～3同理，在公共电极12和像素电极13同层设置的实施例下，干扰电极22与公共电极12、像素电极13之间的设置方式也可以包括多种。例如，干扰电极22可以包括多个子干扰电极221，每个子像素P内，子干扰电极221间隔一个子公共电极121或子像素电极131ˊ设置。或者，子干扰电极221与子公共电极121一一对应设置，且与子像素电极131ˊ一一对应设置，即每个子公共电极121在第一基底11上的正投影，均与一个子干扰电极221在第一基底11上的正投影具有重叠区域，且每个子像素电极131ˊ在第一基底11上的正投影，均与一个子干扰电极221在第一基底11上的正投影具有重叠区域。又或者，每个子像素P的干扰电极22可以仅具有一个子干扰电极221,该子干扰电极221与阵列基板1上交错设置的子公共电极121和子像素电极131ˊ中位于中间的子公共电极121或子像素电极131ˊ对应设置，即子干扰电极221在第一基底11上的正投影，与位于中间的子公共电极121或子像素电极131ˊ在第一基底11上的正投影具有重叠区域。当然，干扰电极22与公共电极12、像素电极13的设置方式还具有多种方式，在此不做限定。
参见图11，图11为本公开实施例提供的显示装置的两个实施例与一种示例性的实施例的电压-透过率曲线图，其中①为图7对应的实施例，②为图2对应的实施例，③为干扰电极22为面电极，覆盖整个第二基底21的实施例。参见图12，图12为本公开实施例提供的显示装置的两个实施例与两种示例性的实施例的视角-对比度曲线图，其中①为图7对应的实施例，②为图2对应的实施例，③为干扰电极22为面电极，覆盖整个第二基底21的实施例，④为不设置干扰电极22的显示装置的实施例。参见图13，图13为以①、②、③的实施例作为模型进行仿真测试的参数表，结合图11-图13可知，本公开实施例提供的显示装置(以①、②为例)，在正视角下，对比度高、透光率高，能够进行良好的显示，而在侧视角(以45°侧视角为例)下，对比度低、透光率低，从而能够实现良好的防窥效果，而不影响正常显示。需要说明的是，图13中的显示装置的驱动电压仅为示例性驱动电压，显示装置在不小于驱动电压的电压下工作即可。
相应地，本公开实施例还提供一种显示装置的制作方法，以图2所示的显示装置为例，可以包括以下步骤：
S1、制作阵列基板1。
具体地，可以包括在第一基底11上形成薄膜晶体管14的各个膜层，具体包括在第一基底11上依次制备缓冲层01、栅极141、有源层142、栅极绝缘层02、漏极143和源极144、层间绝缘层03、数据线5，其中，在制作有源层142所在膜层时，包括在有源层142所在膜层形成公共电极12；在制作数据线5的膜层时，包括在数据线5所在膜层形成像素电极131。
S2、制作彩膜基板2。
具有地，可以包括在第二基底21上形成黑矩阵24的材料，再经过曝光、显影、刻蚀工艺形成黑矩阵24；在黑矩阵24之间的区域制作彩色滤光片23，包括制作红色(R)滤光片、蓝色(B)滤光片和绿色(G)滤光片；在彩色滤光片23背离第二基底21一侧涂覆光学胶(图中未示出)，以保护彩色滤光片23且形成平坦化层；在光线胶背离第二基底21一侧制作干扰电极22的膜层，再按照干扰电极22的图案进行曝光、显影、刻蚀形成干扰电极22(包括多个子干扰电极221)的图案。在彩膜基板2的周边区域涂覆封框胶(图中未示出)，并在封框胶上流出灌晶口。
进一步地，S2还可以包括在黑矩阵24靠近液晶层3一侧制作多个隔垫物(图中未示出)，以在后续与阵列基板1对盒后支撑起阵列基板1与彩膜基板2之间的空间。
S3、将阵列基板1与彩膜基板2对盒封装，并向二者之间灌入液晶。
将S1制作好的阵列基板1与S2制作好的彩膜基板2对盒，用封框胶对阵列基板1和彩膜基板2进行封装，再通过灌晶口灌入液晶分子31形成液晶层3，之后对灌晶口进行密封，形成显示装置。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种显示装置，其包括阵列排布的多个子像素；其中，所述显示装置包括：相对设置的阵列基板和对置基板，以及设置在二者之间的液晶层；
所述阵列基板包括：第一基底，以及所述多个子像素中的每个的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一基底靠近所述液晶层的一侧；
所述对置基板包括：第二基底，以及所述多个子像素中的每个的干扰电极；其中，所述干扰电极设置在所述第二基底靠近所述液晶层的一侧，且每个所述子像素的干扰电极与其第二电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；
所述子像素中的第一电极包括多个子第一电极，所述第二电极包括多个子第二电极；所述子第一电极和所述子第二电极交错设置且同层设置；其中，
所述子像素中的所述干扰电极在所述第一基底上的正投影，与所述子第二电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；
每个所述子像素中的所述干扰电极包括至少一个子干扰电极；
所述显示装置还包括至少一个支撑结构，所述支撑结构与所述子干扰电极一一对应设置，所述支撑结构位于所述子干扰电极与所述第二基底之间；
所述对置基板还包括黑矩阵，设置在每个所述子像素之间；
所述支撑结构与所述黑矩阵一体成型。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极为狭缝电极；所述狭缝电极包括主体部和开口部；其中，
所述子像素中的所述干扰电极在所述第一基底上的正投影，与所述狭缝电极的主体部在所述第一基底上的正投影至少部分重叠，与所述狭缝电极的开口部在所述第一基底上的正投影无重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，每个所述子像素中的所述主体部包括多个子主体部、第一连接部和第二连接部；所述多个子主体部间隔设置，且所述多个子主体部的第一端通过所述第一连接部相连，所述多个子主体部的第二端通过所述第二连接部相连；
每个所述子像素中的所述干扰电极包括多个子干扰电极；其中，
所述子干扰电极与所述子主体部一一对应设置。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，每个所述子像素中的所述主体部包括多个子主体部、第一连接部和第二连接部；所述多个子主体部间隔设置，且所述多个子主体部的第一端通过所述第一连接部相连，所述多个子主体部的第二端通过所述第二连接部相连；
每个所述子像素中的所述干扰电极包括多个子干扰电极；其中，
一个所述子干扰电极与一个所述子主体部对应设置，且任意两个所述子干扰电极在所述第一基底上的正投影之间，设置有一个所述子主体部。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，每个所述子像素中的所述主体部包括多个子主体部、第一连接部和第二连接部；所述多个子主体部间隔设置，且所述多个子主体部的第一端通过所述第一连接部相连，所述多个子主体部的第二端通过所述第二连接部相连；
每个所述子像素中的所述干扰电极包括一个子干扰电极；其中，
所述子干扰电极与所述多个子主体部中位于中间的子主体部对应设置。
6.据权利要求3-5任一所述的显示装置，其中，所述子主体部在所述第一基底上的正投影，位于与之对应的所述子干扰电极在所述第一基底上的正投影内。
7.根据权利要求3-5任一所述的显示装置，其中，所述子主体部为条形电极；所述子干扰电极为条形电极，且所述子主体部的延伸方向，与所述子干扰电极的延伸方向相同。
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