CN103364390A - 一种表面增强拉曼基底及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种表面增强拉曼基底的制备方法，该方法包括以下步骤：使硅片在含有氢氟酸的电解液中电解，制得多孔硅基底；在超声条件下，将所述多孔硅基底浸入硝酸银水溶液中进行反应，然后取出，干燥后制得表面增强拉曼基底。本发明还提供了由上述方法制得的表面增强拉曼基底，以及在用表面增强拉曼光谱进行痕量检测中的应用，特别是在TNT检测中的应用。

Description

一种表面增强拉曼基底及其制备方法和应用

技术领域

本发明涉及一种表面增强拉曼基底及其制备方法，本发明还涉及该基底在痕量检测中的应用。

背景技术

自从1974年Fleischmann在实验中实现通过银电极检测吸附于电极上的吡啶分子以后，表面增强拉曼成为了研究热点。

拉曼光谱具有分子指纹峰，且有径带宽度窄等优点。表面增强拉曼光谱信号强度可强于普通拉曼10¹⁴倍，因此，表面增强拉曼光谱被用于无标记检测、超灵敏检测等领域。

目前，最常用的表面增强拉曼基底是胶体金颗粒或胶体银颗粒的团簇。但是，上述胶体粒子不易保存，并且由于表面张力的存在，胶体金颗粒或胶体银颗粒不易通过液体干燥于玻片而得到分布均匀的基底。另外，通过电化学方法得到的基底的稳定性好，但是增强效果不佳。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种稳定的表面增强拉曼基底及其制备方法和应用，特别是在痕量检测中的应用。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的。

本发明涉及一种表面增强拉曼基底的制备方法，该方法包括以下步骤：

(1)使硅片在含有氢氟酸的电解液中电解，制得多孔硅基底；

(2)在超声条件下，将所述多孔硅基底浸入硝酸银水溶液中进行反应，然后取出，干燥后制得表面增强拉曼基底。

在本发明中，“氢氟酸”是指氟化氢的水溶液。

在本发明中，步骤(1)制得的多孔硅基底上含有具有反应活性的Si和SiH键，当所述多孔硅基底浸入硝酸银水溶液中时，发生如式(I)～(III)所示的反应：

(1)氧化反应：

Si_surf+2H₂O→SiO₂+4H⁺+4e^-                        (I)

SiH_surf+2H₂O→SiO₂+5H_eq ⁺+5e^-                    (II)

(2)还原反应：

Ag_eq ⁺+e^-→Ag_surf                                (III)

其中，标注有角标“surf”的原子或基团表示其位于多孔硅基底的表面上；标注有角标“eq”的离子表示其处于溶液中；例如，反应式中“Si_surf”和“SiH_surf”是指多孔硅基底表面上具有反应活性的Si和SiH键。

反应过程中，由于金属与半导体之间的相互作用，银沉积在多孔硅基底表面，银的沉积会导致多孔硅基底上一些孔的封闭，这时，式(I)～(III)所示反应中，电子的传递是可以通过沉积在多孔硅基底表面的银来实现的。

作为对本发明制备方法的进一步揭示，在步骤(1)中，所述多孔硅基底从电解液中取出后，可以采用乙醇进行清洗，并采用高纯氮气吹干。

步骤(2)中制得的表面增强拉曼基底可采用高纯氮气吹干。

本发明对电解液和电解时间无特殊要求，但是电解液浓度与电解时间相互作用，可以影响多孔硅基底的孔径和厚度。

根据本发明提供的制备方法，其中，步骤(1)中所述电解液为乙醇和氢氟酸的混合溶液。

优选地，所述电解液中乙醇的体积百分含量为10～75％。

优选地，所述电解液中氟化氢的浓度为10～50重量％，进一步优选地，浓度为20～40重量％。

根据本发明提供的制备方法，其中，步骤(1)中所述电解的时间为60～600秒。

根据本发明提供的制备方法，其中，步骤(1)中所述电解是在电流密度为50～150mA/cm²的条件下进行的。

在一个具体实施方案中，步骤(1)中所述电解是在恒定电流下进行的，例如，保持恒定电流为100mA，其电压调节范围为20～100V，电流密度为77mA/cm²。

本发明对硅片无特殊要求，但是，不同规格的硅片在相同的电解液浓度和电解时间下得到的多孔硅基底的孔径和厚度是不一样的。

因此，根据本发明提供的制备方法，其中，步骤(1)中所述硅片为硼掺杂P型硅片。

优选地，所述硅片为硼掺杂P型<100>硅片、硼掺杂P型<111>硅片或硼掺杂P型<110>硅片。

本发明对硝酸银水溶液的浓度无特殊要求。但为了使银颗粒在多孔硅基底表面沉积地更加均匀，步骤(2)中所述硝酸银水溶液的浓度为0.1～100mmol/L，优选为0.2～90mmol/L。

虽然浸镀时间对多孔硅基底上银颗粒是否形成无特殊要求，但时间太长或者太短无法得到银颗粒粒径及其间距合适的表面增强拉曼基底。因此，申请人根据所选浸镀溶液中硝酸银的浓度来选择浸镀时间。

根据本发明提供的制备方法，其中，步骤(2)中所述浸镀的时间为2～600秒，优选地，时间为3～300秒。

本发明对所述浸镀反应条件超声环境无特殊要求，但是超声频率太小不利于沉积的银颗粒的分散。

根据本发明提供的制备方法，其中，步骤(2)中所述超声的频率为4～40Hz，进一步优选地，频率为10～40Hz。

根据本发明提供的制备方法，其中，步骤(1)还包括在电解前，使用硫酸和双氧水的混合溶液对所述硅片进行清洗，清洗温度为100～200℃，优选为100～150℃。

优选地，所述硫酸和双氧水的混合溶液中硫酸与双氧水的体积比为3～7∶1。例如，体积比为7∶3，其中，硫酸的浓度为98重量％，双氧水的浓度为30重量％。

优选地，所述硅片的清洗时间为1～10小时。

进一步地，可以采用去离子水将清洗后的硅片冲洗干净，并将其保存在水中。使用时，再用氮气吹干。

本发明还涉及一种由上述制备方法制得的表面增强拉曼基底。

根据本发明提供的表面增强拉曼基底，其中，所述基底包括多孔硅基底和沉积于该多孔硅基底外表面的银颗粒；

所述银颗粒的平均粒径为20～1000nm，优选为20～500nm，更优选为50～300nm；

所述银颗粒的颗粒间距为10～500nm，优选为10～200nm，更优选为10～100nm。

在本发明中，术语“多孔硅基底外表面”是指多孔硅基底的多孔结构中与原硅片平面齐平的部分。

本发明还涉及一种上述表面增强拉曼基底在用表面增强拉曼光谱进行痕量检测中的应用，优选用于TNT检测。

在一种TNT的检测方法中，将TNT样品的溶液滴加在由上述方法制得的表面增强拉曼基底上，然后进行表面增强拉曼散射光谱测试。

本发明提供的制备方法中，通过电化学腐蚀的方法制得了一种表面疏松多孔、具有化学活性的多孔硅基底，然后将该多孔硅基底浸入硝酸银水溶液中，使硝酸银发生还原，还原的银均匀沉积在多孔硅基底的表面，从而得到具有均匀银颗粒的表面增强拉曼基底。该制备方法简便，所用原料易得，利于工业化生产。

本发明提供的表面增强拉曼基底呈固态，性质稳定，该基底表面的银颗粒分布均匀，具有优良的拉曼活性，增强因子高，可用于痕量物质检测，为投入爆炸物和其他物质的检测提供了应用可能性。特别地，由于爆炸物TNT被广泛用于地雷和恐怖袭击中，构建一个简便易得、稳定的表面增强拉曼基底对爆炸物TNT进行检测很有必要。因此，表面增强拉曼基底能够对爆炸物TNT进行痕量检测对安全具有重大意义。

附图说明

以下，结合附图来详细说明本发明的实施方案，其中：

图1是本发明实施例1中多孔硅基底的扫描电镜图片；

图2是本发明实施例1中多孔硅基底断面的扫描电镜图片；

图3是本发明实施例1中表面增强拉曼基底的扫描电镜图片；

图4是本发明实施例1中表面增强拉曼基底断面的扫描电镜图片；

图5是本发明实施例2中表面增强拉曼基底的扫描电镜图片；

图6是本发明实施例2中表面增强拉曼基底断面的扫描电镜图片；

图7是本发明实施例3中表面增强拉曼基底的扫描电镜图片；

图8是本发明实施例3中表面增强拉曼基底断面的扫描电镜图片；

图9是本发明实施例4中表面增强拉曼基底的扫描电镜图片；

图10是本发明实施例4中表面增强拉曼基底断面的扫描电镜图片；

图11是本发明实施例5中表面增强拉曼基底的扫描电镜图片；

图12是本发明实施例5中表面增强拉曼基底断面的扫描电镜图片；

图13是本发明实施例6中表面增强拉曼基底的扫描电镜图片；

图14是采用实施例3中表面增强拉曼基底的TNT拉曼散射光谱。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述，给出的实施例仅为了阐明本发明，而不是为了限制本发明的范围。

实施例1

采用硼掺杂P型<100>硅片(即，P-type B dope<100>)进行电解以及浸镀，具体步骤如下：

(1)硅片的准备：将硅片置于体积比为7∶3的H₂SO₄(98重量％)和H₂O₂(30重量％)混合溶液中，在120℃条件下清洗1小时，然后用去离子水冲洗干净；

(2)多孔硅基底的制备：将上下通口的电解池、O型塑胶垫圈和步骤(1)中准备好的硅片自上而下紧贴，形成以硅片为底的敞口电解池，然后向该敞口电解池中加入电解液，该电解液由乙醇和氢氟酸组成，乙醇和氢氟酸(40重量％的水溶液)体积比为1∶3；

其中，使铝箔紧贴该硅片用于接通电源，作为阳极；铂网作为阴极，放入该敞口电解池中，并没入电解液；

然后通电电解180秒，随即取出得到的多孔硅片基底，乙醇清洗后在高纯氮气下吹干。其中，电解条件为：电流密度为77mA/cm²，恒流为100mA，电压调节范围为20～100V；

(3)在频率为10Hz的超声条件下，将得到的多孔硅基底浸入浓度为100mmol/L的硝酸银水溶液中，反应3秒，取出后用高纯氮气吹干，得到表面增强拉曼基底。

实施例2

采用硼掺杂P型<100>硅片(即，P-type B dope<100>)进行电解以及浸镀，具体步骤如下：

(1)硅片的准备：将硅片置于体积比为7∶3的H₂SO₄(98重量％)和H₂O₂(30重量％)混合溶液中，在120℃条件下清洗1小时，然后用去离子水冲洗干净；

(2)多孔硅基底的制备：将上下通口的电解池、O型塑胶垫圈和步骤(1)中准备好的硅片自上而下紧贴，形成以硅片为底的敞口电解池，然后向该敞口电解池中加入电解液，该电解液由乙醇和氢氟酸组成，乙醇和氢氟酸(40重量％的水溶液)体积比为1∶3；

其中，使铝箔紧贴该硅片用于接通电源，作为阳极；铂网作为阴极，放入该敞口电解池中，并没入电解液；

然后通电电解180秒，随即取出得到的多孔硅片基底，乙醇清洗后在高纯氮气下吹干。其中，电解条件为：电流密度为77mA/cm²，恒流为100mA，电压调节范围为20～100V；

(3)在频率为4Hz的超声条件下，将得到的多孔硅基底浸入浓度为45mmol/L的硝酸银水溶液中，反应10秒，取出后用高纯氮气吹干，得到表面增强拉曼基底。

实施例3

采用硼掺杂P型<100>硅片(即，P-type B dope<100>)进行电解以及浸镀，具体步骤如下：

(1)硅片的准备：将硅片置于体积比为7∶3的H₂SO₄(98重量％)和H₂O₂(30重量％)混合溶液中，在120℃条件下清洗1小时，然后用去离子水冲洗干净；

(2)多孔硅基底的制备：将上下通口的电解池、O型塑胶垫圈和步骤(1)中准备好的硅片自上而下紧贴，形成以硅片为底的敞口电解池，然后向该敞口电解池中加入电解液，该电解液由乙醇和氢氟酸组成，乙醇和氢氟酸(40重量％的水溶液)体积比为1∶3；

其中，使铝箔紧贴该硅片用于接通电源，作为阳极；铂网作为阴极，放入该敞口电解池中，并没入电解液；

然后通电电解180秒，随即取出得到的多孔硅片基底，乙醇清洗后在高纯氮气下吹干。其中，电解条件为：电流密度为77mA/cm²，恒流为100mA，电压调节范围为20～100V；

(3)在频率为40Hz的超声条件下，将得到的多孔硅基底浸入浓度为10mmol/L的硝酸银水溶液中，反应30秒，取出后用高纯氮气吹干，得到表面增强拉曼基底。

实施例4

采用硼掺杂P型<100>硅片(即，P-type B dope<100>)进行电解以及浸镀，具体步骤如下：

(1)硅片的准备：将硅片置于体积比为7∶3的H₂SO₄(98重量％)和H₂O₂(30重量％)混合溶液中，在120℃条件下清洗1小时，然后用去离子水冲洗干净；

(2)多孔硅基底的制备：将上下通口的电解池、O型塑胶垫圈和步骤(1)中准备好的硅片自上而下紧贴，形成以硅片为底的敞口电解池，然后向该敞口电解池中加入电解液，该电解液由乙醇和氢氟酸组成，乙醇和氢氟酸(40重量％的水溶液)体积比为1∶3；

其中，使铝箔紧贴该硅片用于接通电源，作为阳极；铂网作为阴极，放入该敞口电解池中，并没入电解液；

然后通电电解180秒，随即取出得到的多孔硅片基底，乙醇清洗后在高纯氮气下吹干。其中，电解条件为：电流密度为77mA/cm²，恒流为100mA，电压调节范围为20～100V；

(3)在频率为10Hz的超声条件下，将得到的多孔硅基底浸入浓度为10mmol/L的硝酸银水溶液中，反应60秒，取出后用高纯氮气吹干，得到表面增强拉曼基底。

实施例5

采用硼掺杂P型<100>硅片(即，P-type B dope<100>)进行电解以及浸镀，具体步骤如下：

(1)硅片的准备：将硅片置于体积比为7∶3的H₂SO₄(98重量％)和H₂O₂(30重量％)混合溶液中，在120℃条件下清洗1小时，然后用去离子水冲洗干净；

(2)多孔硅基底的制备：将上下通口的电解池、O型塑胶垫圈和步骤(1)中准备好的硅片自上而下紧贴，形成以硅片为底的敞口电解池，然后向该敞口电解池中加入电解液，该电解液由乙醇和氢氟酸组成，乙醇和氢氟酸(40重量％的水溶液)体积比为1∶3；

其中，使铝箔紧贴该硅片用于接通电源，作为阳极；铂网作为阴极，放入该敞口电解池中，并没入电解液；

然后通电电解180秒，随即取出得到的多孔硅片基底，乙醇清洗后在高纯氮气下吹干。其中，电解条件为：电流密度为77mA/cm²，恒流为100mA，电压调节范围为20～100V；

(3)在频率为10Hz的超声条件下，将得到的多孔硅基底浸入浓度为10mmol/L的硝酸银水溶液中，反应90秒，取出后用高纯氮气吹干，得到表面增强拉曼基底。

实施例6

采用硼掺杂P型<100>硅片(即，P-type B dope<100>)进行电解以及浸镀，具体步骤如下：

(1)硅片的准备：将硅片置于体积比为7∶3的H₂SO₄(98重量％)和H₂O₂(30重量％)混合溶液中，在120℃条件下清洗1小时，然后用去离子水冲洗干净；

(2)多孔硅基底的制备：将上下通口的电解池、O型塑胶垫圈和步骤(1)中准备好的硅片自上而下紧贴，形成以硅片为底的敞口电解池，然后向该敞口电解池中加入电解液，该电解液由乙醇和氢氟酸组成，乙醇和氢氟酸(40重量％的水溶液)体积比为1∶3；

其中，使铝箔紧贴该硅片用于接通电源，作为阳极；铂网作为阴极，放入该敞口电解池中，并没入电解液；

然后通电电解180秒，随即取出得到的多孔硅片基底，乙醇清洗后在高纯氮气下吹干。其中，电解条件为：电流密度为77mA/cm²，恒流为100mA，电压调节范围为20～100V；

(3)在频率为10Hz的超声条件下，将得到的多孔硅基底浸入浓度为0.1mmol/L的硝酸银水溶液中，反应600秒，取出后用高纯氮气吹干，得到表面增强拉曼基底。

实施例7

原料及操作与实施例1基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<110>硅片(即，P-type B dope<110>)进行电解以及浸镀。

实施例8

原料及操作与实施例2基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<110>硅片(即，P-type B dope<110>)进行电解以及浸镀。

实施例9

原料及操作与实施例3基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<110>硅片(即，P-type B dope<110>)进行电解以及浸镀。

实施例10

原料及操作与实施例4基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<110>硅片(即，P-type B dope<110>)进行电解以及浸镀。

实施例11

原料及操作与实施例5基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<110>硅片(即，P-type B dope<110>)进行电解以及浸镀。

实施例12

原料及操作与实施例6基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<110>硅片(即，P-type B dope<110>)进行电解以及浸镀。

实施例13

原料及操作与实施例1基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<111>硅片(即，P-type B dope<111>)进行电解以及浸镀。

实施例14

原料及操作与实施例2基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<111>硅片(即，P-type B dope<111>)进行电解以及浸镀。

实施例15

原料及操作与实施例3基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<111>硅片(即，P-type B dope<111>)进行电解以及浸镀。

实施例16

原料及操作与实施例4基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<111>硅片(即，P-type B dope<111>)进行电解以及浸镀。

实施例17

原料及操作与实施例5基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<111>硅片(即，P-type B dope<111>)进行电解以及浸镀。

实施例18

原料及操作与实施例6基本相同，不同的是：采用采用硼掺杂P型<110>硅片(即，P-type B dope<110>)进行电解以及浸镀。

电镜分析

采用扫描电子显微镜(SEM)分别对本发明制得的多孔硅基底和表面增强拉曼基底进行分析。

参照图1和图2，实施例1制得的基底中多孔结构部分的平均孔径为10nm，厚度约为4μm。

参照图3和图4，实施例1制得的表面增强拉曼基底上银颗粒平均粒径为500～1000nm，颗粒间距为100nm以上。

参照图5和图6，实施例2制得的表面增强拉曼基底上银颗粒平均粒径为200～300nm，颗粒间距为50～100nm。

参照图7和图8，实施例3制得的表面增强拉曼基底上银颗粒的平均粒径为100～300nm，颗粒间距为小于50nm。

参照图9和图10，实施例4制得的表面增强拉曼基底上银颗粒平均粒径为50～300nm，颗粒间距为50～200nm。

参照图11和图12，实施例5制得的表面增强拉曼基底上银颗粒的粒径有两个分布段，分别为50～100nm和500～1000nm，颗粒间距为50～100nm。

参照图13，实施例6制得的表面增强拉曼基底上银颗粒平均粒径为20nm，颗粒间距大于20nm。该组样品无断面图，由于银颗粒粒径太小，SEM电镜分辨率下无法观察。

因此，本发明制得的表面增强拉曼基底的外表面上沉积有分布均匀的银颗粒。

TNT检测

分别对实施例1～18制得的表面增强拉曼基底按照如下方法进行测试。在表面增强拉曼基底上滴加TNT的乙醇溶液，然后进行拉散射光谱检测。

其中，图14是采用实施例3表面增强拉曼基底进行测试的拉曼散射光谱谱图。在图14中，标示“TNT晶体硅片表面”的曲线是0.01g的TNT晶体于硅片上进行拉曼散射光谱检测得到的；标示“拉曼增强基底表面”的两条曲线为TNT晶体于实施例3制备的表面增强拉曼基底上进行拉曼散射光谱检测得到的，其中，标示“50pg TNT”的曲线为滴加2μl 25μg/L的TNT晶体的拉曼散射光谱谱图，标示“5pg TNT”的曲线为滴加2μl 2.5μg/L TNT晶体的拉曼散射光谱谱图。

由于银颗粒的粒径在纳米级，具有表面等离子体共振现象(SPR)，能够产生电磁增强。并且，银颗粒沉积物在表面增强拉曼基底呈现紧密排布，能够形成拉曼热点，产生表面增强拉曼散射。从图14中可以看出，在普通硅片基底上测得的TNT晶体普通拉曼信号强度与50pg TNT在本发明所述表面增强拉曼基底上所测得表面增强拉曼信号强度近似，甚至在表面增强拉曼基底中5pg TNT拉曼信号也能被微弱的探测到。

纯TNT晶体在拉曼光谱检测中的激光激发体积约为3.15μm³，而纯TNT晶体的密度为1.654g/cm³，可以算出对拉曼信号有贡献的TNT晶体质量约为5.21mg，经过换算可得到TNT的分子数(N_vol)；激光功率为100％，最强峰位于1350cm^-1，峰强(I_vol)为19625。

采用表面增强拉曼基底时，极少的TNT分布于表面增强拉曼基底上的银颗粒表面以及银颗粒缝隙之间，难以估计其准确体积。拉曼激光激发区域约为1.26μm²，估算检测到的TNT是加入TNT的十分之一。由于加入待检测的TNT量为50pg，即对拉曼信号有贡献的TNT晶体质量约为5pg，经过换算可得到TNT的分子数(N_surf)。激光功率衰减至1％，其余检测条件与检测TNT晶体时相同，最强峰位于1350cm^-1，峰强(I_surf)为22702。

根据式(IV)计算增强因子(EF)，为10⁸。

$\mathrm{EF}=\frac{N_{\mathrm{vol}}{I}_{\mathrm{surf}}}{N_{\mathrm{surf}}{I}_{\mathrm{vol}}}---\left(\mathrm{IV}\right)$

由此可见，本发明所述表面增强拉曼基底有良好的拉曼增强活性，能够用于微量物质的痕量检测。

Claims (10)

1.一种表面增强拉曼基底的制备方法，该方法包括以下步骤：

(1)使硅片在含有氢氟酸的电解液中电解，制得多孔硅基底；

(2)在超声条件下，将所述多孔硅基底浸入硝酸银水溶液中进行反应，然后取出，干燥后制得表面增强拉曼基底。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤(1)中所述电解液为乙醇和氢氟酸的混合溶液；

优选地，所述电解液中乙醇的体积百分含量为10～75％；

优选地，所述电解液中氟化氢的浓度为10～50重量％，进一步优选地，浓度为20～40重量％。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，步骤(1)中所述电解的时间为60～600秒；

优选地，步骤(1)中所述电解是在电流密度为50～150mA/cm²的条件下进行的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其中，步骤(1)中所述硅片为硼掺杂P型硅片；

优选地，所述硅片为硼掺杂P型<100>硅片、硼掺杂P型<111>硅片或硼掺杂P型<110>硅片。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其中，步骤(2)中所述硝酸银水溶液的浓度为0.1～100mmol/L，优选为0.2～90mmol/L；

优选地，步骤(2)中所述反应的时间为2～600秒，进一步优选地，为3～300秒。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其中，步骤(2)中所述超声的频率为4～40Hz，优选为10～40Hz。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其中，步骤(1)还包括在电解前，使用硫酸和双氧水的混合溶液对所述硅片进行清洗，清洗温度为100～200℃，优选为100～150℃；

优选地，所述硫酸和双氧水的混合溶液中硫酸与双氧水的体积比为3～7∶1；

优选地，所述硅片的清洗时间为1～10小时。

8.由权利要求1至7中任一项所述制备方法制得的表面增强拉曼基底。

9.根据权利要求8所述的表面增强拉基底，其中，所述基底包括多孔硅基底和沉积于该多孔硅基底外表面的银颗粒；

所述银颗粒的平均粒径为20～1000nm，优选为20～500nm，更优选为50～300nm；

所述银颗粒的颗粒间距为10～500nm，优选为10～200nm，更优选为10～100nm。

10.权利要求8或9所述的表面增强拉曼基底在用表面增强拉曼光谱进行痕量检测中的应用，优选用于TNT检测。

Images