CN103348489B - 太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 - Google Patents
太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103348489B CN103348489B CN201180066540.4A CN201180066540A CN103348489B CN 103348489 B CN103348489 B CN 103348489B CN 201180066540 A CN201180066540 A CN 201180066540A CN 103348489 B CN103348489 B CN 103348489B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- serigraphy
- cell device
- colelctor electrode
- manufacture method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008719 thickening Effects 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VHFBTKQOIBRGQP-UHFFFAOYSA-N fluoro nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)OF VHFBTKQOIBRGQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl chloride Substances ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41P—INDEXING SCHEME RELATING TO PRINTING, LINING MACHINES, TYPEWRITERS, AND TO STAMPS
- B41P2215/00—Screen printing machines
- B41P2215/50—Screen printing machines for particular purposes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
本发明提供了太阳能电池元件的制造方法，其可谋求提高在丝网印刷工序中形成的集电极的膜厚，且降低其电阻值，并对转换效率的提高做出贡献。当通过导电性糊的丝网印刷形成太阳能电池元件的集电极时，多次重复该丝网印刷处理。此时，使第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度等于或高于第一次丝网印刷时的刮涂速度。在第一次印刷的集电极上重叠进行第二次以后的丝网印刷，因此，刮涂速度越快，糊和基底的印刷板脱离越好，糊的涂布量增大，所形成的集电极的膜厚变厚。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池元件的制造方法及采用该方法所获得的太阳能电池元件。
背景技术
一般来说，以往的太阳能电池元件具有图1中所示的结构。图1中，1为p型半导体衬底，其例如是大小为100～150mm见方、厚度为0.1～0.3mm厚的板状，由多晶或单晶硅等构成，掺杂有硼等p型杂质。在该衬底1上，掺杂磷等n型杂质而形成n型扩散层2，设置SiN（氮化硅）等的减反射膜3。利用丝网印刷法将导电性铝糊印刷在背面后，进行干燥和焙烧，由此同时形成背面电极6和BSF（背表面场）层4，在正面印刷导电性银糊后，进行干燥和焙烧，形成集电极（或正面电极）5，由此制造太阳能电池。另外，以下将成为太阳能电池受光侧的衬底的面设为正面，将与受光侧相反一侧的衬底的面设为背面。
当通过这样的丝网印刷法形成集电极时，在一次印刷处理中相对于100μm线宽30μm的厚度为极限，厚度的变化也大。因此，电阻升高，成为阻碍转换效率提高的主要因素。
为了谋求降低上述那样的集电极的电阻值，研究了在通过多次的丝网印刷形成集电极时，在多次的丝网印刷处理的每一次中，使用不同式样的网孔的方法（参照例如特开2010-103572号公报）。通过这样的方法制造的太阳能电池元件一般具有如图2中所示的结构。由于进行重叠印刷，正面电极的高度变高。另外，在图中，7表示第二层的正面电极。
但是，如果网孔的式样（pattern）不同，通过各自的式样施加印刷压力时的伸展程度等不同，因此，印刷精度受到不良影响。难以正确地重叠集电极。所以，发生集电极的偏离，结果，太阳能电池的转换效率降低，或产生由于集电极局部变厚而造成的外观上的问题。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于上述事情而完成的，其目的是提供太阳能电池元件及其制造方法，其可精度良好地印刷集电极，同时可降低电阻值，具有良好的电特性，而且可缩短制造节拍时间（takttime）。
用于解决课题的手段
本发明人为实现以上目的作了仔细的研究，结果发现当通过多次丝网印刷而形成集电极时，通过使第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度与第一次丝网印刷时的刮涂速度相等或更高可降低集电极的电阻值。由此，不发生由于网孔式样的变化导致的集电极的偏离，且可使制造节拍时间缩短，通过这样的不损害可靠性和外观，而且可缩短制造节拍时间的丝网印刷方法形成集电极对于太阳能电池元件的制造是有利的，从而完成了本发明。
因此，本发明提供了太阳能电池元件的制造方法，所述太阳能电池具有集电极，其特征在于，集电极通过以下方式形成：多次重复进行集电极形成位置的导电性糊的丝网印刷，并且在该导电性糊的多次重复印刷中，使第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度等于或高于第一次丝网印刷时的刮涂速度。本发明还提供通过该方法得到的太阳能电池元件。
在该场合，优选从第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度的值减去第一次丝网印刷时的刮涂速度的值所获得的结果为0mm/秒～300mm/秒。
发明的效果
根据本发明，在对于太阳能电池进行集电极的丝网印刷时，以等于或高于第一次集电极印刷速度的速度进行第二次以后的集电极印刷，由此不仅可改善太阳能电池的电特性而不损害可靠性和外观，而且可缩短太阳能电池元件的制造节拍时间。可广泛用于具有高的电特性的太阳能电池元件的制造方法。
附图说明
图1为表示太阳能电池结构的截面图。
图2为表示通过多次丝网印刷形成正面电极的太阳能电池元件的结构的截面图。
具体实施方式
下面详说明述本发明的实施方案。但是，本发明除了下述说明外，还可以用许多种其它的实施方案来实施，本发明的范围并不限于下述的实施方案，而是权利要求书中所记载的。而且，附图并不是依原尺寸按比例描绘。为了使本发明的说明和理解更清楚，根据关联部件将尺寸进行了扩大，另外，对于一些不重要的部件没有进行图示。
如上所述，图1为表示太阳能电池元件的一般结构的截面图。在图1中，1表示半导体衬底，2表示扩散层（扩散区域），3表示减反射膜兼钝化膜，4表示BSF层，5表示集电极（正面电极），6表示背面电极。
这里，说明图1中所示的太阳能电池元件的制造工序。
首先，准备半导体衬底1。该半导体衬底1由单晶或多晶硅等制成，可为p型和n型的任一种。半导体衬底1多为包含硼等p型半导体杂质、电阻率为0.1～4.0Ω·cm的p型硅衬底。
下面以使用p型硅衬底的太阳能电池元件的制造方法为例进行说明。优选使用大小为100～150mm见方、厚度为0.05～0.30mm的板状衬底。然后，通过例如在酸性溶液中浸渍来除去由于切片等所造成的表面损伤之后，通过进一步在碱性溶液中进行化学刻蚀、清洗和干燥，使成为太阳能电池元件的受光面的p型硅衬底的正面具有称为纹理的凹凸结构。凹凸结构在太阳能电池元件的受光面产生光的多次反射。因此，通过形成凹凸结构，实际有效地降低了反射率，提高了转换效率。
然后，将p型硅衬底置于包含例如POCl3等、约850℃以上的高温气体中，通过热扩散法使磷等n型杂质元素在p型硅衬底的整个表面扩散，在表面上形成薄层电阻为30～300Ω/□程度的n型扩散层2。另外，当通过热扩散法形成n型扩散层时，可在p型硅衬底的两面以及端面也形成n型扩散层，在此情况下，可通过将用耐酸性树脂被覆了所需要的n型扩散层表面的p型硅衬底浸渍在氟硝酸溶液中来除去不需要的n型扩散层。然后，通过浸渍在例如稀释的氢氟酸的溶液等化学药品中来除去扩散时在半导体衬底表面上形成的玻璃层，然后用纯水清洗。
进一步，在上述p型硅衬底的正面一侧形成减反射膜兼钝化膜3。该减反射膜兼钝化膜可例如由SiN等构成，例如通过用N2稀释SiH4和NH3的混合气体，通过辉光放电分解产生等离子体并沉积的等离子CVD法等形成。考虑到与p型硅衬底的折光指数的差异等，该减反射膜兼钝化膜以折光指数成为1.8～2.3程度的方式来形成，并形成为程度的厚度，设置它是为了防止在p型硅衬底的正面上光被反射，有效地将光吸收到p型硅衬底中。另外，该SiN也能够作为在形成时对n型扩散层具有钝化效果的钝化膜而发挥作用，与减反射作用结合，具有提高太阳能电池元件的电特性的效果。
接着，在背面丝网印刷包含例如铝、玻璃料和清漆等的导电性糊且将其干燥。然后，在正面丝网印刷包含例如银、玻璃料和清漆等的导电性糊且将其干燥。此后，在500～950℃程度的温度下将各电极用糊焙烧，由此形成BSF层4、正面电极（即集电极）5和背面电极6。
在以上所述的典型的晶体硅太阳能电池元件的制造方法中，因为集电极的电阻值高，得不到具有高的电特性的太阳能电池元件。根据本发明的太阳能电池元件的制造方法的特征在于，在通过上述丝网印刷法形成集电极的工序之后，再以等于或高于第一次刮涂速度的刮涂速度多次进行在集电极形成位置的导电糊的丝网印刷，由此提高了太阳能电池元件的电特性。通过所述丝网印刷工序提高电特性是由于以下原因。
在典型的丝网印刷法的情况下，利用包含银等的导电性糊第一次形成集电极时的刮涂速度为50～300mm/秒。若低于此范围，产生作为印刷对象物的硅衬底和糊与印刷板脱离差、糊洇渗，或膜厚不均这样的问题。另一方面，高于该范围，可产生与印刷板快速脱离，糊不能充分转印至硅衬底、集电极模糊，或使膜厚变薄这样的问题。但是，当第二次以后进行通过丝网印刷的重复来形成集电极的情况下，因为印刷对象物是第一层的集电极而不是硅衬底，印刷对象物和糊与印刷板脱离的状态与第一次时不同。若与硅衬底表面相比较，第一层的集电极的表面状态粗糙，容易适应糊中所含的清漆等。因此，通过以印刷第一层的集电极时的速度以上的刮涂速度快速印刷，糊和基底与印刷板的脱离良好，增大了糊的涂布量。结果，集电极的膜厚变厚，电阻值降低，可提高太阳能电池元件的电特性。
在该场合，从第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度的值减去第一次丝网印刷时的刮涂速度的值所获得的结果为0mm/秒～300mm/秒，优选10mm/秒～100mm/秒，且更优选40mm/秒～80mm/秒。
另外，进行第三次以后的丝网印刷时，与之前的丝网印刷时的刮涂速度的差也同样，优选10mm/秒～100mm/秒，更优选40mm/秒～80mm/秒。
而且，优选用于丝网印刷的网孔的式样在各次的丝网印刷中相同。
另外，当通过丝网印刷形成集电极时，优选通过各丝网印刷而形成的集电极的厚度形成为5～50μm，特别是8～35μm，另外，优选集电极的总厚度在形成三层的场合为25～70μm，在形成四层的场合为30～90μm。
另外，作为在丝网印刷中使用的油墨可使用公知的导电性银糊等公知的油墨，除了上述刮涂速度按如上所述调整外，可以常用方法进行丝网印刷。
实施例
以下示出实施例和比较例，对本发明进行具体说明，但本发明并不限于下述实施例。
实施例1和比较例1
首先，通过对将掺杂硼的、切割为0.2mm厚度而制作的电阻率为约1Ω·cm的p型单晶硅构成的p型硅衬底进行外径加工，制成15cm见方的正方形的板状。然后，将该p型硅衬底在氟硝酸溶液中浸渍15秒以将损伤刻蚀掉，再在含有2质量%KOH和2质量%IPA的70℃的溶液中进行5分钟化学刻蚀，然后用纯水清洗并干燥，由此在p型硅衬底的正面上形成纹理结构。接着，对于该p型硅衬底，在POCl3气体气氛中、在870℃的温度、以及30分钟的条件下通过热扩散法，在p型硅衬底中形成n型层。在此，n型层的薄层电阻为约40Ω/□，深度为0.4μm。然后，在n型层上形成耐酸性树脂后，通过将p型硅衬底浸渍于氟硝酸溶液中10秒，除去未形成耐酸性树脂部分的n型层。然后，通过除去耐酸性树脂，仅在p型硅衬底的正面形成n型层。接着，通过使用SiH4、NH3和N2的等离子CVD法，在p型硅衬底的形成有n型层的正面上以的厚度形成减反射膜兼钝化膜的SiN。接着，在p型硅衬底的背面印刷导电性铝糊并在150℃进行干燥。
之后，对于p型硅衬底，在正面上，通过丝网印刷法，利用导电性银糊，以150mm/秒的刮涂速度形成20μm厚的集电极，并在150℃进行干燥。进一步，制作以100mm/秒进行集电极的重叠印刷的比较例和以200mm/秒进行集电极的重叠印刷的实施例，分别在150℃进行干燥，得到最终印刷电极厚度30μm。将至此为止的处理过的衬底放入焙烧炉，以最高温度为800℃焙烧导电性糊以形成电极，由此制作了太阳能电池元件。测量这些太阳能电池元件的电特性和印刷节拍时间。
表1中显示了以上述方法分别制作实施例和比较例各10片太阳能电池元件时的太阳能电池元件的电特性和印刷节拍时间的平均值。
表1
如表1所示，确认通过使用根据本发明的丝网印刷法，与比较例相比，太阳能电池的电特性上升（转换效率绝对值为0.3%）。在该场合，仅通过改变刮涂速度就改善了0.3%的转换效率，在通过累加各种条件而带来效率上升的元件转换效率中，可评价为大的贡献，另外，由于没有延长印刷节拍时间，还与制造成本的降低相关。
实施例2和比较例2
与实施例1同样地操作，制备p型硅衬底，通过丝网印刷法，利用导电性银糊在正面上形成集电极。在该场合，以150mm/秒的刮涂速度形成20μm的第一层；以200mm/秒的刮涂速度形成12μm的第二层；以250mm/秒的刮涂速度形成8μm的第三层。使最终的印刷电极厚度为40μm。
表2中显示了所得到的太阳能电池元件的电特性及印刷节拍时间。
另外，为了对比，通过以150mm/秒的刮涂速度印刷第一层；以100mm/秒的刮涂速度印刷第二层；以90mm/秒的刮涂速度印刷第三层，形成总厚度40μm的电极。表2中也显示了所得到的电特性和印刷节拍时间的结果。
表2
Claims (7)
1.一种太阳能电池元件的制造方法，其是具有集电极的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，所述集电极的形成按如下进行，多次重复进行在集电极形成位置的含有玻璃料、清漆以及铝或银的导电性糊的丝网印刷并在500～950℃的温度下焙烧所述导电性糊，并且在该导电性糊的多次重复印刷中，使第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度高于第一次丝网印刷时的刮涂速度。
2.权利要求1的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，从所述第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度的值减去第一次丝网印刷时的刮涂速度的值所获得的结果为10mm/秒～300mm/秒。
3.权利要求2的太阳能电池元件的制造方法，其特征在于，从第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度的值减去第一次丝网印刷时的刮涂速度的值所获得的结果为10mm/秒～100mm/秒。
4.权利要求1的太阳能电池元件的制造方法，其进一步的特征在于，在形成所述集电极之前，在半导体衬底的正面形成减反射膜兼钝化膜，
其中在所述减反射膜兼钝化膜上丝网印刷所述导电性糊以形成所述集电极。
5.权利要求4的太阳能电池元件的制造方法，其中，所述半导体衬底是在正面具有n型扩散层的p型硅衬底。
6.权利要求1的太阳能电池元件的制造方法，其中，第一次丝网印刷时的刮涂速度为50～300mm/秒。
7.一种太阳能电池元件，其通过权利要求1至6任一项所述的制造方法而得到。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-288062 | 2010-12-24 | ||
| JP2010288062 | 2010-12-24 | ||
| PCT/JP2011/079671 WO2012086701A1 (ja) | 2010-12-24 | 2011-12-21 | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103348489A CN103348489A (zh) | 2013-10-09 |
| CN103348489B true CN103348489B (zh) | 2016-05-18 |
Family
ID=46313969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180066540.4A Active CN103348489B (zh) | 2010-12-24 | 2011-12-21 | 太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10439094B2 (zh) |
| EP (1) | EP2657979B1 (zh) |
| JP (1) | JP5482911B2 (zh) |
| KR (1) | KR101849400B1 (zh) |
| CN (1) | CN103348489B (zh) |
| CA (1) | CA2822592A1 (zh) |
| MY (1) | MY166077A (zh) |
| RU (1) | RU2570814C2 (zh) |
| SG (1) | SG191350A1 (zh) |
| TW (1) | TWI532200B (zh) |
| WO (1) | WO2012086701A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5695283B1 (ja) * | 2013-05-17 | 2015-04-01 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
| CN103413867B (zh) * | 2013-08-23 | 2016-06-08 | 英利能源（中国）有限公司 | 太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法 |
| TWI556455B (zh) * | 2014-03-04 | 2016-11-01 | 茂迪股份有限公司 | 太陽能電池、其模組及其製造方法 |
| CN107408583B (zh) * | 2015-02-13 | 2019-09-03 | 株式会社钟化 | 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池组件 |
| FI128685B (en) | 2016-09-27 | 2020-10-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Layered device and its manufacturing method |
| CN115084287B (zh) * | 2022-05-11 | 2024-03-29 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种栅线的制备方法及太阳能电池 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101651167A (zh) * | 2008-07-25 | 2010-02-17 | 三洋电机株式会社 | 太阳电池及其制造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091019A (en) * | 1997-09-26 | 2000-07-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and manufacturing method thereof |
| WO2005109524A1 (ja) | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2006339342A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| US20070158621A1 (en) * | 2005-07-19 | 2007-07-12 | Kyocera Corporation | Conductive Paste, Solar Cell Manufactured Using Conductive Paste, Screen Printing Method and Solar Cell Formed Using Screen Printing Method |
| KR101444980B1 (ko) * | 2008-03-19 | 2014-09-29 | 산요덴키가부시키가이샤 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| JP4754655B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2011-08-24 | 京都エレックス株式会社 | 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法 |
| JP2010090211A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性インク組成物及びこれを用いた電極の形成方法 |
| JP5171653B2 (ja) | 2009-01-07 | 2013-03-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池とその製造方法 |
| JP2010199034A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Dic Corp | 太陽電池用導電性ペースト及びその製造方法 |
| WO2010135496A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of forming a grid electrode on the front-side of a silicon wafer |
| JP2010103572A (ja) | 2010-02-08 | 2010-05-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
| US20110214718A1 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Manufacturing of electrode |
-
2011
- 2011-12-21 SG SG2013048988A patent/SG191350A1/en unknown
- 2011-12-21 WO PCT/JP2011/079671 patent/WO2012086701A1/ja active Application Filing
- 2011-12-21 KR KR1020137019353A patent/KR101849400B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-21 RU RU2013134467/28A patent/RU2570814C2/ru active
- 2011-12-21 MY MYPI2013002331A patent/MY166077A/en unknown
- 2011-12-21 EP EP11850435.6A patent/EP2657979B1/en active Active
- 2011-12-21 US US13/997,341 patent/US10439094B2/en active Active
- 2011-12-21 CA CA2822592A patent/CA2822592A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-21 JP JP2012549852A patent/JP5482911B2/ja active Active
- 2011-12-21 CN CN201180066540.4A patent/CN103348489B/zh active Active
- 2011-12-23 TW TW100148347A patent/TWI532200B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101651167A (zh) * | 2008-07-25 | 2010-02-17 | 三洋电机株式会社 | 太阳电池及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2657979B1 (en) | 2017-08-30 |
| CN103348489A (zh) | 2013-10-09 |
| US10439094B2 (en) | 2019-10-08 |
| JPWO2012086701A1 (ja) | 2014-05-22 |
| WO2012086701A1 (ja) | 2012-06-28 |
| RU2013134467A (ru) | 2015-01-27 |
| KR101849400B1 (ko) | 2018-04-17 |
| RU2570814C2 (ru) | 2015-12-10 |
| JP5482911B2 (ja) | 2014-05-07 |
| EP2657979A4 (en) | 2014-05-07 |
| MY166077A (en) | 2018-05-23 |
| TWI532200B (zh) | 2016-05-01 |
| EP2657979A1 (en) | 2013-10-30 |
| CA2822592A1 (en) | 2012-06-28 |
| SG191350A1 (en) | 2013-08-30 |
| US20130284263A1 (en) | 2013-10-31 |
| KR20140014120A (ko) | 2014-02-05 |
| TW201242040A (en) | 2012-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103348489B (zh) | 太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 | |
| CN109244194B (zh) | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 | |
| JP5628931B2 (ja) | 選択エミッタを含む、ソーラーセルの製造方法 | |
| TWI597856B (zh) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP6815532B2 (ja) | 光電変換効率を向上可能なｐｅｒｃ太陽電池及びその製造方法 | |
| CN101548392A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| CN102484148B (zh) | 太阳能电池单元及其制造方法 | |
| JP2013509695A5 (zh) | ||
| CN109314152A (zh) | 太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块 | |
| KR20130092494A (ko) | 태양 전지의 제조 방법 및 태양 전지 | |
| CN104934500A (zh) | 一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN103022262A (zh) | 一种背面点接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN105981180A (zh) | 光电转换元件和具备该光电转换元件的太阳能电池模块 | |
| CN103560168A (zh) | Perc太阳能电池的制备工艺 | |
| JP2013030665A (ja) | 光電変換装置モジュール、光電変換装置モジュールの製造方法、及び光電変換装置 | |
| CN103314455A (zh) | 太阳能电池单元及其制造方法、以及太阳能电池模块 | |
| CN105470347A (zh) | 一种perc电池的制作方法 | |
| JP2005353851A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2016058720A (ja) | 結晶太陽電池の製造方法 | |
| TWM517422U (zh) | 具有局部鈍化的異質接面太陽能電池結構 | |
| JP2016139762A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| CN102947948B (zh) | 硅晶片、半导体装置、硅晶片的制造方法以及半导体装置的制造方法 | |
| CN107275418A (zh) | 单面polo电池及其制备方法 | |
| JP5375414B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| CN104009119A (zh) | 一种p型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |