CN103316792B - 制备有机纳米线的气相喷涂装置及Alq3纳米线的制备方法 - Google Patents
制备有机纳米线的气相喷涂装置及Alq3纳米线的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103316792B CN103316792B CN201310259330.8A CN201310259330A CN103316792B CN 103316792 B CN103316792 B CN 103316792B CN 201310259330 A CN201310259330 A CN 201310259330A CN 103316792 B CN103316792 B CN 103316792B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- pipeline
- substrate
- gas pipeline
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种使用简便的制备有机纳米线的气相喷涂装置及使用该装置的Alq3纳米线制备方法。该装置包括气体输送管道、加热装置以及带有冷却装置的基底，气体输送管道的一端为惰性气体的输入端，另一端为惰性气体与有机蒸气的喷射端，该喷射端位于基底的上方并具有与该基底上表面垂直的中心喷口和环形喷口，该气体输送管道包括分别与所述中心喷口和环形喷口导通且彼此独立的第一气体管道和第二气体管道，第一气体管道上设有有机材料存放及气化腔室，第一气体管道和第二气体管道的入口分别通过流量控制器与气体输送管道的输入端导通；加热装用于对第一气体管道和第二气体管道、有机材料存放及气化腔室以及基底上表面的基片容置区域进行加热和保温。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备有机纳米线的气相喷涂装置及Alq3纳米线的制备方法。
背景技术
半导体纳米材料因为规整的晶体结构和独特的电子结构使其在发光显示、光检测、化学传感和纳米电子学等领域具有广阔的应用前景。此外，它们的一维形貌更是为构建实际器件提供了其它纳米结构难以比拟的优势。由于一维纳米材料能够在亚波长的尺度范围内对光进行传导和操纵,并且纳米材料与周围环境之间折光率的差异可以形成一个很好的亚波长尺度的谐振腔,因此有可能用于光泵浦及电泵浦激光器等。纳米和微米尺度的光波导是很重要的连接和传输材料,是纳米光子学技术中必不可少的组成单元。基于一维纳米材料的低维光子学研究逐渐引起广泛关注，目前对此研究主要集中在无机材料和有机高分子材料方面。近年来研究发现,有机小分子结构可设计性强，发光效率高，具有良好的有序自组装性能,有机小分子纳米材料具有很多不同于无机和高分子材料的特殊光电性质，因此有机纳米材料有望成为下一代微型光电器件的组成单元。
传统上采用物理气象沉积的方法制备Alq3纳米线和纳米带,其制备需要在真空环境下以液氮作为冷却源，条件苛刻。因此有必要探索简单、有效并且易控制的制备方法对Alq3纳米结构进行可控制备。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种使用简便的制备有机纳米线的气相喷涂装置及使用该装置的Alq3纳米线制备方法。
本发明的制备有机纳米线的气相喷涂装置，它包括由耐热材料制成的气体输送管道、加热装置以及带有冷却装置的基底，所述气体输送管道的一端为惰性气体的输入端，另一端为惰性气体与有机蒸气的喷射端，该喷射端位于基底的上方并具有与该基底上表面垂直的中心喷口以及围绕该中心喷口的环形喷口，该气体输送管道包括分别与所述中心喷口和环形喷口导通且彼此独立的第一气体管道和第二气体管道，所述第一气体管道上设有有机材料存放及气化腔室，第一气体管道和第二气体管道的入口分别通过单独的流量控制器与气体输送管道的输入端导通；所述加热装置位于气体输送管道的外侧并用于对第一气体管道和第二气体管道、有机材料存放及气化腔室以及基底上表面的基片容置区域进行加热和保温。
作为加热装置的一种具体结构，所述加热装置包括缠绕在气体输送管道上的电热丝以及包裹在气体输送管道和电热丝外部的保温材料。
作为上述技术方案的进一步改进，所述基底的周边安装有至少三根竖直设置并分别与气体输送管道外壁平行接触的绝缘定位棒，所述至少三根绝缘定位棒之间缠有用于对气体输送管道和基片容置区域进行加热的电热丝，各绝缘定位棒的下端安装在固定基座上。
作为气体输送管道及其喷射端的具体结构，第一气体管道包括竖向设置的内管和与之连通的第一横向管道，内管的下端拉伸成细管状的主喷头，主喷头的下端口即为中心喷口；第二气体管道包括竖向设置并同轴套于内管外部的外管以及与外管连通的第二横向管道，外管的下端同样拉伸成细管状的外喷头，外喷头的下端口即构成环形喷口，该环形喷口与中心喷口同轴。
作为上述技术方案的进一步改进，构成中心喷口的管壁与构成环形喷口的管壁均朝气流喷出方向收敛，且构成环形喷口的管壁与铅垂线之间的夹角比构成中心喷口的管壁与铅垂线之间的夹角大5～15°。
作为上述技术方案的进一步改进，所述第一气体管道和第二气体管道的入口分别通过单独的预加热管道与对应的流量控制器连接。
作为上述技术方案的进一步改进，所述有机材料存放及气化腔室为一个与第一气体管道大致上同轴的管形腔体，该管形腔体的直径与连接于所述有机材料存放及气化腔室进气端的第一气体管道的直径之比为2:1～3:1。
本发明的Alq3纳米线的制备方法，使用本发明的上述气相喷涂装置，以单晶硅片或玻璃片为基片，将该基片置于基底的上表面，并将高纯Alq3粉末置于有机材料存放及气化腔室中，然后将中心喷口与基片之间的距离设定为0.01～3mm，分别通过流量控制器将第一气体管道的气流量控制在100～500SCCM，并将第二气体管道的气流量控制在第一气体管道气流量的2～10倍，且第二气体管道的气流量在3000SCCM以内，然后启动加热装置，每隔15分钟升高15～25℃，当温度达到200～350℃时，有机材料存放及气化腔室中的Alq3粉末气化并与惰性气体混合形成的主气流从中心喷口喷出，然后再在由环形喷口喷出的环卫气流（惰性气体）保护下喷涂到基片上沉积形成薄膜，通过基底的冷却装置将基片温度控制在25～250℃之间，使Alq3有机分子沉积后形成纳米线结构。
本发明的气相喷涂装置在使用过程中，惰性气体与有机蒸气混合形成的主气流从中心喷口喷出，有机蒸气遇到基板发生吸附成膜，同时作为环卫气流的惰性气体从环形喷口中喷出，形成一个密封的环境防止外界的气体与中心喷口喷出的有机蒸气接触，同时对主气流形成一定程度的挤压，使其较为准直、细锐。通过控制主气流和环卫气流的温度、流量，基板的温度，基板与中心喷口的相对位置，有机材料蒸气随载气流喷涂至基板上发生冷凝并形成纳米线结构。本发明的气相喷涂装置以及Alq3纳米线的制备方法不需要在真空环境下以液氮作为冷却源，操作简单有效。
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步的说明。本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1为本发明气相喷涂装置的结构示意图。
图2为本发明气相喷涂装置喷口处的局部放大示意图。
图3为系统温度对比测试结果。
图4为本发明实施例1的喷涂薄膜形状。
图5为本发明实施例1的喷涂得到的Alq3薄膜与标准Alq3粉末的PL谱对比。
图6为本发明实施例1的Alq3薄膜在300-4000/cm-1范围内的红外吸收光谱。
图7为标准Alq3粉末与本发明实施例1的Alq3薄膜的红外光谱对比。
图8至11分别为本发明实施例1的Alq3薄膜中心及边缘部位的SEM图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的制备有机纳米线的气相喷涂装置包括由耐热材料制成的气体输送管道、加热装置以及带有冷却装置的基底8，所述气体输送管道的一端为惰性气体的输入端，另一端为惰性气体与有机蒸气的喷射端，该喷射端位于基底8的上方并具有与该基底8上表面垂直的中心喷口20以及围绕该中心喷口20的环形喷口30，该气体输送管道包括分别与所述中心喷口20和环形喷口30导通且彼此独立的第一气体管道和第二气体管道，所述第一气体管道上设有有机材料存放及气化腔室4，第一气体管道和第二气体管道的入口分别通过单独的流量控制器13与气体输送管道的输入端导通；所述加热装置位于气体输送管道的外侧并用于对第一气体管道和第二气体管道、有机材料存放及气化腔室4以及基底8上表面的基片容置区域进行加热和保温。
如图1，该气相喷涂装置在使用过程中，将装有惰性气体的气瓶10先后通过一减压阀11和三通管12分别与第一气体管道入口的流量控制器13以及第二气体管道入口的流量控制器13连接，为第一气体管道和第二气体管道输送惰性气体。启动加热装置使有机材料存放及气化腔室4中的有机材料气化后，第一气体管道中惰性气体与有机蒸气混合形成的主气流从中心喷口喷出，有机蒸气遇到基板发生吸附成膜，同时第二气体管道中作为环卫气流的惰性气体从环形喷口中喷出，形成一个密封的环境防止外界的气体与中心喷口喷出的有机蒸气接触，同时对主气流形成一定程度的挤压，使其较为准直、细锐。通过控制主气流和环卫气流的温度、流量，基板的温度，基板与中心喷口的相对位置，有机材料蒸气随载气流喷涂至基板上发生冷凝并形成纳米线结构。
作为气体输送管道及其喷射端的具体结构，如图1至2所示，第一气体管道包括竖向设置的内管1和与之连通的第一横向管道5，内管1的下端拉伸成细管状的主喷头，主喷头的下端口即为口径10～1000μm的中心喷口20；第二气体管道包括竖向设置并同轴套于内管1外部的外管2以及与外管2连通的第二横向管道3，外管2的下端同样拉伸成细管状的外喷头，外喷头的下端口与主喷头的下端口之间即构成口径0.8～3.0mm的环形喷口30，该环形喷口30与中心喷口20同轴，环形喷口30的口径为中心喷口20口径的2倍以上。有机材料存放及气化腔室4位于第一横向管道5上，该有机材料存放及气化腔室4、内管1、第一横向管道5、外管2以及第二横向管道3均由耐热玻璃如Pyrex玻璃制成，内管1的上部拐角处与外管2进行烧结密封。
如图1，作为加热装置的具体结构，所述加热装置包括缠绕在气体输送管道上的电热丝6以及包裹在气体输送管道和电热丝6外部的保温材料。具体而言，电热丝6应均匀缠绕在气体输送管道上，在电热丝6上最好套有绝缘的陶瓷环（图中没有标示出）以防止电热丝6之间接触而发生短路，最后再用保温材料（如保温棉）包裹起来，保证气体输送管道内部形成均匀的温度场。另外，为了保证中心喷口20垂直于基底8上表面，所述基底8的周边安装有至少三根竖直设置并分别与气体输送管道外壁平行接触的绝缘定位棒7，所述至少三根绝缘定位棒7之间缠有用于对气体输送管道和基片容置区域进行加热的电热丝6，各绝缘定位棒7的下端安装在固定基座9上。利用热电偶以及可编程数字温控仪对温度经行调节，从而控制加热温度、加热时间及保温时间。
如图2，为了通过环卫气流对主气流形成更强程度的挤压，使其更加准直、细锐，构成中心喷口20的管壁与构成环形喷口30的管壁均朝气流喷出方向收敛，且构成环形喷口30的管壁与铅垂线之间的夹角比构成中心喷口20的管壁与铅垂线之间的夹角大5～15°。这样相当于控制环卫气流与主气流的压力差，主气流既能够更加准直、细锐，又不至于使环卫气流的压力过大而影响主气流。另外，如图1所示，所述有机材料存放及气化腔室4为一个与第一气体管道大致上同轴的管形腔体，该管形腔体的直径与连接于所述有机材料存放及气化腔室4进气端的第一气体管道的直径之比为2:1～3:1。这样的尺寸设计可以有效降低惰性气体从入口进入有机材料存放及气化腔室的速度，防止因惰性气体速度突然增加而使有机材料滑出腔室，同时又可以防止蒸发出来的有机蒸气向进气口方向扩散。
此外，所述第一气体管道和第二气体管道的入口分别通过单独的预加热管道（图中未示出）与对应的流量控制器13连接，可使得整个装置内的温度分布均匀性更好。预加热管道用于初始气体的预热，其长度可以是第一横向管道5长度的2～6倍，直径可为第一横向管道5的1.5～4.5倍。例如，试验设定内管1的直径为10mm、长度21cm，第一横向管道5的直径为10mm、长度10cm，外管2的直径为20mm，第二横向管道3的直径为6mm、长度10cm，并将预加热管道的直径设为30mm、长度30cm，设定温度保持为320℃，预加热管道的温度控制在320℃，控制主气流与环卫气流的流量，使FG/FC=0、1、3、5、7、9，其中FG、FC分别是环卫气流和主气流的流量。如图3可见，主气流的喷涂温度可保持在290-300℃之间，而环卫气流的喷涂温度则保持在295-300℃之间，表明温度分布均匀性好。
Alq3纳米线的制备方法，使用上述的气相喷涂装置，以单晶硅片或玻璃片为基片，将该基片置于基底8的上表面，并将高纯Alq3粉末置于有机材料存放及气化腔室4中，然后将中心喷口20与基片之间的距离设定为0.01～3mm，分别通过流量控制器13将第一气体管道的气流量控制在100～500SCCM，并将第二气体管道的气流量控制在第一气体管道气流量的2～10倍，且第二气体管道的气流量在3000SCCM以内，然后启动加热装置，每隔15分钟升高15～25℃，当温度达到200～350℃时，有机材料存放及气化腔室4中的Alq3粉末气化并与惰性气体混合形成的主气流从中心喷口20喷出，然后再在由环形喷口30喷出的环卫气流保护下喷涂到基片上沉积形成薄膜，通过基底8的冷却装置将基片温度控制在25～250℃之间，使Alq3有机分子沉积后形成纳米线结构。其中，第二气体管道的气流量最好为第一气体管道气流量的3～8倍。
实施例1
使用图1所示的气相喷涂装置，其中心喷口20的口径为0.4mm，环形喷口30的口径为1.5mm,构成环形喷口30的管壁与铅垂线之间的夹角比构成中心喷口20的管壁与铅垂线之间的夹角大10°，内管1的直径为10mm、长度21cm，第一横向管道5的直径为10mm、长度10cm，外管2的直径为20mm，第二横向管道3的直径为6mm、长度10cm，有机材料存放及气化腔室4的直径为25mm、长度为8cm，基底8采用循环冷却水进行冷却。
以单晶硅片作为Alq3纳米结构生长的基片，用标准溶液清洗，然后用丙酮和无水乙醇分别超声清洗15分钟，再用去离子水清洗干净、烘干；称量20mg重高纯Alq3粉末作为原料,用洁净的小勺将高纯Alq3粉末置于有机材料存放及气化腔室4,经过清洗处理的基片置于基底8上；设置中心喷口20与基底之间的距离约为0.7mm；打开流量控制器13，将第一气体管道的气流量控制在为150SCCM，将第二气体管道的气流量控制在450SCCM，打开加热电源，并通过温控仪对电热丝6进行控制，每隔15分钟升高20℃；当系统温度达到300℃时可以观察到基片上已经形成了点状的薄膜，Alq3蒸汽随载气流喷涂至基底发生冷凝沉积，得到的薄膜图案如图4所示。
参考图5，实施例1喷涂得到的Alq3薄膜与标准Alq3荧光粉的PL光谱波峰处几乎重合（Alq3薄膜的峰值约为512.9nm/513.4nm，常规Alq3粉末的峰值为514nm），仅有大约1nm的蓝移。
参考图6，利用红外光谱仪测量Alq3薄膜的红外吸收谱，由图可以看出：3449cm-1处的宽峰对应OH-的伸缩振动模式，3126cm-1处的尖峰对应芳香环内C—H键的伸缩振动模式，1603cm-1处的尖峰对应芳香环内—C—C—键的骨架伸缩振动模式，1468cm-1，1498cm-1，1578cm-1对应芳香环骨架的特征振动吸收模式，1328cm-1，1383cm-1处的峰对应—C—N键的伸缩振动模式，1114cm-1处的峰对应—C—O键的伸缩振动模式，600-800cm-1为喹啉环的特征振动吸收带，400-600cm-1的峰处于远红外区，对应金属铝与HQ配位体之间的振动吸收模式。这一结果与标准Alq3粉末的红外吸收光谱一致，从而证明了喷涂得到的有机薄膜仍然为Alq3，其成分与结构没有发生变化。
参考图7，将标准Alq3粉末及Alq3薄膜在特征红外振动区域（400-1000cm-1）的范围内进行进一步对比可以得到：样品中红外吸收峰的位置及强度与标准Alq3相比没有变化，主要红外吸收峰位置分别对应于：420.51、455.78、549.27、648.52、750.01、788.97、804.78及825.26cm-1。这一结果与标准Alq3的红外吸收峰吻合。
参考图8至11，喷涂得到的Alq3薄膜其中心及边缘处的SEM图像，边缘处的薄膜生长较为稀疏，在中心部位，有机分子生长密集，薄膜比较致密。Alq3有机分子生沉积后形成长约1μm，直径约为几十至一百纳米的纳米线结构。其中，图8为Alq3薄膜中心5000倍放大图；图9为Alq3薄膜边缘5000倍放大图；图10为Alq3薄膜中心20000倍放大图；图11为Alq3薄膜边缘20000倍放大图。
实施例2
将第二气体管道的气流量控制在750SCCM，其余与实施例1相同。得到的薄膜图案如图4相似。
实施例3
将第二气体管道的气流量控制在1050SCCM，其余与实施例1相同。得到的薄膜图案如图4相似。
Claims (10)
1.制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：它包括由耐热材料制成的气体输送管道、加热装置以及带有冷却装置的基底(8)，所述气体输送管道的一端为惰性气体的输入端，另一端为惰性气体与有机蒸气的喷射端，该喷射端位于基底(8)的上方并具有与该基底(8)上表面垂直的中心喷口(20)以及围绕该中心喷口(20)的环形喷口(30)，该气体输送管道包括分别与所述中心喷口(20)和环形喷口(30)导通且彼此独立的第一气体管道和第二气体管道，所述第一气体管道上设有有机材料存放及气化腔室(4)，第一气体管道和第二气体管道的入口分别通过单独的流量控制器(13)与气体输送管道的输入端导通；所述加热装置位于气体输送管道的外侧并用于对第一气体管道和第二气体管道、有机材料存放及气化腔室(4)以及基底(8)上表面的基片容置区域进行加热和保温。
2.如权利要求1所述的制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：所述加热装置包括缠绕在气体输送管道上的电热丝(6)以及包裹在气体输送管道和电热丝(6)外部的保温材料。
3.如权利要求1或2所述的制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：所述基底(8)的周边安装有至少三根竖直设置并分别与气体输送管道外壁平行接触的绝缘定位棒(7)，所述至少三根绝缘定位棒(7)之间缠有用于对气体输送管道和基片容置区域进行加热的电热丝，各绝缘定位棒(7)的下端安装在固定基座(9)上。
4.如权利要求1或2所述的制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：第一气体管道包括竖向设置的内管(1)和与之连通的第一横向管道(5)，内管(1)的下端拉伸成细管状的主喷头，主喷头的下端口即为中心喷口(20)；第二气体管道包括竖向设置并同轴套于内管(1)外部的外管(2)以及与外管(2)连通的第二横向管道(3)，外管(2)的下端同样拉伸成细管状的外喷头，外喷头的下端口即构成环形喷口(30)，该环形喷口(30)与中心喷口(20)同轴。
5.如权利要求1或2所述的制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：所述中心喷口(20)的口径为10～1000μm；所述环形喷口(30)的口径为0.8～3.0mm，环形喷口(30)的口径为中心喷口(20)口径的2倍以上。
6.如权利要求1或2所述的制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：构成中心喷口(20)的管壁与构成环形喷口(30)的管壁均朝气流喷出方向收敛，且构成环形喷口(30)的管壁与铅垂线之间的夹角比构成中心喷口(20)的管壁与铅垂线之间的夹角大5～15°。
7.如权利要求1或2所述的制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：所述第一气体管道和第二气体管道的入口分别通过单独的预加热管道与对应的流量控制器(13)连接。
8.如权利要求1或2所述的制备有机纳米线的气相喷涂装置，其特征在于：所述有机材料存放及气化腔室(4)为一个与第一气体管道大致上同轴的管形腔体，该管形腔体的直径与连接于所述有机材料存放及气化腔室(4)进气端的第一气体管道的直径之比为2:1～3:1。
9.Alq3纳米线的制备方法，其特征在于：使用权利要求1～8中任意一项权利要求所述的气相喷涂装置，以单晶硅片或玻璃片为基片，将该基片置于基底(8)的上表面，并将高纯Alq3粉末置于有机材料存放及气化腔室(4)中，然后将中心喷口(20)与基片之间的距离设定为0.01～3mm，分别通过流量控制器(13)将第一气体管道的气流量控制在100～500SCCM，并将第二气体管道的气流量控制在第一气体管道气流量的2～10倍，且第二气体管道的气流量在3000SCCM以内，然后启动加热装置，每隔15分钟升高15～25℃，当温度达到200～350℃时，有机材料存放及气化腔室(4)中的Alq3粉末气化并与惰性气体混合形成的主气流从中心喷口(20)喷出，然后再在由环形喷口(30)喷出的环卫气流保护下喷涂到基片上沉积形成薄膜，通过基底(8)的冷却装置将基片温度控制在25～250℃之间，使Alq3有机分子沉积后形成纳米线结构。
10.如权利要求9所述的Alq3纳米线的制备方法，其特征在于：第二气体管道的气流量为第一气体管道气流量的3～8倍。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310259330.8A CN103316792B (zh) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | 制备有机纳米线的气相喷涂装置及Alq3纳米线的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310259330.8A CN103316792B (zh) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | 制备有机纳米线的气相喷涂装置及Alq3纳米线的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103316792A CN103316792A (zh) | 2013-09-25 |
| CN103316792B true CN103316792B (zh) | 2016-03-02 |
Family
ID=49186004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310259330.8A Expired - Fee Related CN103316792B (zh) | 2013-06-26 | 2013-06-26 | 制备有机纳米线的气相喷涂装置及Alq3纳米线的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103316792B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115627455B (zh) * | 2022-11-04 | 2023-08-08 | 南京工业职业技术大学 | 一种太赫兹光控纳米线生长自主调制装置及工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0028088A1 (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-06 | Sumitomo Light Metal Industries Limited | Method, apparatus and spray nozzle for coating the inner surface of long tubes of small diameter |
| CN2688394Y (zh) * | 2004-01-21 | 2005-03-30 | 中国石油化工集团公司 | 气相介质气化喷嘴 |
| CN101023027A (zh) * | 2004-09-22 | 2007-08-22 | 昭和电工株式会社 | 气相法碳纳米管的制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149265A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 溶射用プラズマト−チ |
-
2013
- 2013-06-26 CN CN201310259330.8A patent/CN103316792B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0028088A1 (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-06 | Sumitomo Light Metal Industries Limited | Method, apparatus and spray nozzle for coating the inner surface of long tubes of small diameter |
| CN2688394Y (zh) * | 2004-01-21 | 2005-03-30 | 中国石油化工集团公司 | 气相介质气化喷嘴 |
| CN101023027A (zh) * | 2004-09-22 | 2007-08-22 | 昭和电工株式会社 | 气相法碳纳米管的制造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 有机气相沉积中薄膜厚度分布的模拟研究;李国栋;《电子器件》;20111020;第34卷(第5期);第503-506页 * |
| 有机气相沉积中薄膜生长的模拟研究;陈文彬;《功能材料》;20120115;第43卷(第1期);第21-23页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103316792A (zh) | 2013-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ely et al. | Handheld and automated ultrasonic spray deposition of conductive PEDOT: PSS films and their application in AC EL devices | |
| CN104164658A (zh) | 一种椭球形高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置 | |
| CN103668126A (zh) | 激光化学气相沉积装置 | |
| CN103316792B (zh) | 制备有机纳米线的气相喷涂装置及Alq3纳米线的制备方法 | |
| WO2015192810A1 (zh) | 晶体结构酞菁钴（j-copc）纳米线及其制备方法 | |
| US9340864B2 (en) | Vacuum evaporation apparatus and evaporation method | |
| WO2014175524A1 (ko) | 탄소나노튜브 섬유제조 장치 | |
| CN102703866A (zh) | 线性蒸发源装置及具有该装置的蒸发速率精控式蒸发设备 | |
| CN102337592B (zh) | SiC晶体生长炉测温窗 | |
| CN206289295U (zh) | 一种线性蒸发源 | |
| CN104843988A (zh) | 多喷灯的疏松体光纤预制棒ovd沉积制备装置 | |
| CN104120404A (zh) | 一种超薄氧化硅膜材料及其制备方法 | |
| TWI402233B (zh) | 玻璃抽拉過程中導電薄膜之形成 | |
| CN205443507U (zh) | 一种准确定位晶圆长晶曲线的mocvd设备 | |
| CN104609892B (zh) | 外表沉积SiBCN涂层的莫来石纤维及其制备方法 | |
| JP2012136777A (ja) | 真空蒸着源のためのインジェクター | |
| US20070157947A1 (en) | Substrate drying apparatus and method of substrate drying using the same | |
| CN104073779A (zh) | 制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置及方法 | |
| CN1194821C (zh) | 大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴 | |
| CN103320753A (zh) | 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法 | |
| KR101694751B1 (ko) | 박막 형성을 위한 전구체 공급 장치 및 이를 포함하는 박막 형성 장치 | |
| CN209373172U (zh) | 一种用于干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的前驱体 | |
| CN106637091A (zh) | 用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉 | |
| TW201142066A (en) | Coating device | |
| CN107214150A (zh) | 一种电热膜元件生产加工用的清理结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160302 Termination date: 20160626 |