CN102337592B - SiC晶体生长炉测温窗 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种SiC晶体生长炉测温窗，解决了现有SiC晶体生长炉的观察窗容易被遮蔽的问题。包括炉体（1），与炉体（1）的底座（2）固定连接的法兰（3），在法兰（3）的中央设置有与炉体（1）的内部连通的测温窗孔，在测温窗孔上固定连接有夹层连接管（4），在夹层连接管（4）的外层管壁上连有进气管（5），在夹层连接管（4）的内层管壁（6）上沿内层管壁间隔地并与水平面平行地设置有一圈小进气孔（12），夹层连接管（4）的下端与观察窗玻璃（8）固定连接在一起，在夹层连接管（4）的下端的观察窗玻璃（8）的下方设置有红外测温头（10）。本发明的有益效果是，结构简单，成本低廉。

Description

SiC晶体生长炉测温窗
技术领域
 本发明涉及一种SiC晶体生长炉的测温窗，该装置主要用于SiC晶生长设备中，能够有效提高SiC晶体生长设备的测温精度，改善晶体材料质量。
背景技术
目前，SiC晶体生长设备的使用温度一般都在2200℃左右，在这么高的温度下，一般的接触式测温部件都不能使用，只能依靠光学测温。光学测温是通过在设备上开设玻璃观察窗，通过观察窗透出的光线进行测温的。在现有的SiC晶体生长炉中，由于所用的保温材料非常容易起尘，很容易将晶体生长炉的观察窗遮蔽，影响到了测温的准确性，进而影响到了SiC晶体生长设备的正常使用。
发明内容
本发明提供了一种SiC晶体生长炉测温窗解决了现有SiC晶体生长炉的观察窗容易被遮蔽从而影响到了测温的准确性的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种SiC晶体生长炉测温窗,包括炉体，与炉体的底座固定连接的法兰，在法兰的中央设置有与炉体的内部连通的测温窗孔，在所述的测温窗孔上固定连接有夹层连接管，在夹层连接管的外层管壁上连有进气管，在夹层连接管的内层管壁上沿内层管壁间隔地并与水平面平行地设置有一圈小进气孔，夹层连接管的下端与观察窗玻璃固定连接在一起，夹层连接管的内层管壁与夹层连接管的外层管壁组成一封闭空间，在夹层连接管的下端的观察窗玻璃的下方设置有红外测温头。
夹层连接管的下端与观察窗上法兰固定连接，在观察窗上法兰的下方设置有观察窗下法兰，在观察窗上法兰与观察窗下法兰之间固定设置该观察窗玻璃。
所述的红外测温头是通过架体固定设置在炉体的底部连接法兰的下底面上的。
本发明的有益效果是，结构简单，成本低廉，有效地解决了SiC晶体生长炉测温窗的遮蔽问题。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行说明：
一种SiC晶体生长炉测温窗,包括炉体1，与炉体1的底座2固定连接的法兰3，在法兰3的中央设置有与炉体1的内部连通的测温窗孔，在所述的测温窗孔上固定连接有夹层连接管4，在夹层连接管4的外层管壁上连有进气管5，在夹层连接管4的内层管壁6上沿内层管壁间隔地并与水平面平行地设置有一圈小进气孔12，夹层连接管4的下端与观察窗玻璃8固定连接在一起，夹层连接管4的内层管壁与夹层连接管4的外层管壁组成一封闭空间，在夹层连接管4的下端的观察窗玻璃8的下方设置有红外测温头10。
夹层连接管4的下端与观察窗上法兰7固定连接，在观察窗上法兰7的下方设置有观察窗下法兰9，在观察窗上法兰7与观察窗下法兰9之间固定设置该观察窗玻璃8。
所述的红外测温头10是通过架体11固定设置在炉体1的底部连接法兰3的下底面上的。
通过进气管5向SiC晶体生长炉内充入工艺所需气体，充入的气体首先进入夹层连接管4的内层管壁与夹层连接管4的外层管壁组成的封闭空间内，再通过在夹层连接管4的内层管壁6上设置的一圈小进气孔12进入到SiC晶体生长炉内，充入气体通过夹层连接管4在观察窗玻璃8的上方形成向上的气流，这样使SiC晶体生长炉内所产生的粉尘就会随着上升气流带到炉内其它部位，从而使观察窗玻璃8不被遮蔽。

Claims (1)

1. 一种SiC晶体生长炉测温窗,包括炉体（1），与炉体（1）的底座（2）固定连接的法兰（3），在法兰（3）的中央设置有与炉体（1）的内部连通的测温窗孔，其特征在于，在所述的测温窗孔上固定连接有夹层连接管（4），在夹层连接管（4）的外层管壁上连有进气管（5），在夹层连接管（4）的内层管壁（6）上沿内层管壁间隔地并与水平面平行地设置有一圈小进气孔（12），夹层连接管（4）的下端与观察窗玻璃（8）固定连接在一起，夹层连接管（4）的内层管壁与夹层连接管（4）的外层管壁组成一封闭空间，在夹层连接管（4）的下端的观察窗玻璃（8）的下方设置有红外测温头（10）；夹层连接管（4）的下端与观察窗上法兰（7）固定连接，在观察窗上法兰（7）的下方设置有观察窗下法兰（9），在观察窗上法兰（7）与观察窗下法兰（9）之间固定设置该观察窗玻璃（8）；红外测温头（10）是通过架体（11）固定设置在炉体（1）的底部连接法兰（3）的下底面上的。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103884174A (zh) * 2014-04-21 2014-06-25 上海千山远东制药机械有限公司 真空冷冻干燥机红外线测温系统
CN104776714B (zh) * 2015-04-19 2016-06-22 宁夏昇力恒真空设备有限公司 高温真空烧结炉用红外测温装置及高温真空烧结炉
CN106381524A (zh) * 2016-10-21 2017-02-08 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置
CN106757317A (zh) * 2016-11-25 2017-05-31 中国科学院长春应用化学研究所 稀土晶体生长设备、稀土晶体生长工艺及应用
CN112430846B (zh) * 2020-10-30 2023-03-24 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其观察窗清洁方法
CN113106540B (zh) * 2021-03-08 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备
CN113733386B (zh) * 2021-10-18 2022-09-16 青岛科技大学 一种能够快速检测加工过程中胶料温度的激光测温方法及装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201213200Y (zh) * 2008-06-27 2009-03-25 陕西虹光机电制造有限公司 高压配电柜用红外测温窗口

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201213200Y (zh) * 2008-06-27 2009-03-25 陕西虹光机电制造有限公司 高压配电柜用红外测温窗口

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