CN103307856A

CN103307856A - 真空干燥装置

Info

Publication number: CN103307856A
Application number: CN2012100720319A
Authority: CN
Inventors: 李宁
Original assignee: SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Current assignee: SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Priority date: 2012-03-16
Filing date: 2012-03-16
Publication date: 2013-09-18

Abstract

本发明公开了一种真空干燥装置，其包括：容置槽，用以容置待干燥物；加热装置，用以使所述容置槽的温度升高至预定温度；以及抽气装置，所述抽气装置与所述容置槽相连，以抽出所述容置槽中的部分或全部空气，从而使所述待干燥物上的溶剂挥发。采用本发明的真空干燥装置，干燥效果良好、干燥环境安全性高、干燥效率高，从而提高生产率。

Description

真空干燥装置

技术领域

本发明涉及一种用于干燥半导体产品的装置，尤其涉及一种用于在半导体产品经过清洗液清洗后的干燥工序的真空干燥装置。

背景技术

随着亚微型尺寸的高密度电路的发展，将半导体产品表面上的不必要的污染物去掉显得非常必要，这些半导体产品例如是高密度芯片、晶片或用于磁盘驱动器上的磁头，等等。

其中，随着磁头的加工精度的发展，磁头的空气承载面(ABS)上的图案变得越来越复杂。因此，形成该ABS的蚀刻工艺十分繁复，其采用大量的胶水、冷却剂等。当通过磁头分割工艺生产出单一磁头后，胶水、冷却剂和磨剂的残余物会残余在磁头的ABS上。因此，在磁头分割后的清洗工艺必不可少。传统地，通过将磁头浸渍在清洗液中通过超声波振动进行清洗。通常，在磁头清洗后会在磁头的各表面上残留清洗液。为防止清洗液对磁头造成危害，紧接着清洗工艺的步骤是将磁头进行干燥处理。

一般地，现有的干燥处理方法有以下几种。其一，自然挥发晾干。然而，此种方法所需的挥发时间较长，效率低，而且清洗液在挥发后会在磁头的表面上形成印迹，对产品造成不利影响。其二，加热烘干。通常采用电热丝对容置磁头的容器进行加热，从而使磁头上的清洗液挥发。然而此种方法的温度往往难以控制。其三，利用气枪吹干。具体地，如图1所示，磁头101在清洗后，气枪110对装在清洗盒102中的批量磁头101进行吹气处理，从而使磁头表面的清洗液快速挥发。此种方法较前两种方法佳，但是仍然不够理想。由于气枪所吹出的空气直接处理的面积有限，因此，磁头101的各表面无法被均匀地吹干，而且并不能使每个磁头101都能够均匀地吹干，因此，未被均匀吹干的部分磁头101的表面上仍然有清洗液蒸发后的印迹。

因此，亟待一种改进的干燥装置以克服上述缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有抽气装置的真空干燥装置，其干燥效果良好、干燥环境安全性高、干燥效率高，从而提高生产率。

为实现上述目的，本发明提供了一种真空干燥装置，其包括：容置槽，用以容置待干燥物；加热装置，用以使所述容置槽的温度升高至预定温度；以及抽气装置，所述抽气装置与所述容置槽相连，以抽出所述容置槽中的部分或全部空气，从而使所述待干燥物上的溶剂挥发。

作为一个优选实施例，所述加热装置包括若干加热管以及与所述加热管相连的热水泵。

较佳地，所述加热管设有进水口和出水口，以实现循环。

可选地，所述加热装置设置于所述容置槽之中或外围

较佳地，所述待干燥物上的溶剂包括去离子水，和/或H₂SO₄，和/或H₂O₂，和/或酒精，和/或异丙醇。

较佳地，所述预定温度为30℃～80℃。

较佳地，所述容置槽包括盖体以及密封垫，所述盖体上设有气体通道，所述抽气装置通过所述气体通道与所述容置槽相连通。

较佳地，所述容置槽内的压强范围为0～25KPa。

较佳地，所述待干燥物包括半导体晶片、芯片、磁头或玻璃面。

与现有技术相比，本发明的真空干燥装置一方面对容置槽中磁头进行适当的加热；另一方面同时从容置槽中抽出部分或全部空气，使其内达到局部真空或全真空状态，进而使得磁头各表面上的清洗液沸腾，从而快速挥发，蒸汽随抽气装置排出容置槽之外，从达到瞬间干燥的目的。经过本发明真空干燥装置处理的磁头的表面保持清洁，不会留下清洗液的印迹，从而提高生产率。

通过以下的描述并结合附图，本发明将变得更加清晰，这些附图用于解释本发明的实施例。

附图说明

图1展示了一种磁头的传统的干燥装置。

图2展示了本发明的真空干燥装置的结构框图。

图3为本发明的真空干燥装置的一个实施例的局部立体图。

图4为本发明的真空干燥装置的另一个实施例的局部立体图。

图5为本发明的真空干燥装置的剖视图。

具体实施方式

下面将参考附图阐述本发明几个不同的最佳实施例，其中不同图中相同的标号代表相同的部件。如上所述，本发明的实质在于一种具有抽气装置的真空干燥装置，其干燥效果良好、干燥环境安全性高、干燥效率高，从而提高生产率。

参考图2-3，本发明的真空干燥装置2包括容置槽21、分别与该容置槽21相连的加热装置22和抽气装置23。

如图2-3所示，该容置槽21的本体211呈长方体状，其上设有橡胶垫212、盖体213以及密封垫214，该密封垫214通过固定装置紧固于盖体213和本体211上的橡胶垫212之间。该盖体213上设有气体通道215，抽气装置23通过该气体通道215与容置槽21相连通。

如图5所示，待干燥物24则放置在容置槽21中，本发明中的待干燥物24可为半导体晶片、芯片、磁头或玻璃面等在清洗后需干燥的物品。在本实施例中，该待干燥物24为批量的磁头产品，磁头表面的上的残留溶剂一般包括去离子水，和/或H₂SO₄，和/或H₂O₂，和/或酒精，和/或异丙醇，但并不限于此。

加热装置22包括多个加热管221以及与加热管221相连的热水泵222。在本实施例中，多个加热管221设置于容置槽21的内壁，具体是设置在容置槽21内壁的下方。但加热管221的设置方式并不限于此，其可设置在内壁的上、下方(如图4所示)或其他的设置；同样地，其也可设置在容置槽21的外壁。具体地，加热管221设有进水口(图未示)和出水口(图未示)，以实现热水的循环。该该热水可以是各种液体，在此并不限制。加热装置22可使容置槽21的温度达到30℃～80℃，具体温度并不限制，其因应待干燥物24上的残留溶剂的沸点而改变。

如上所述，该抽气装置23通过气体通道215与容置槽21相连，用以抽出容置槽21中的部分或全部空气，使得容置槽21内形成局部真空或全真空状态。可选地，在抽气装置23抽气后，容置槽21内的压强范围为0～25KPa。基于此种局部真空或全真空环境，磁头表面上的溶剂会发生沸腾，从而瞬间挥发，溶剂蒸汽从气体通道排出容置槽21之外。

综上所述，本发明的真空干燥装置2一方面对容置槽21中的磁头进行适当的加热；另一方面同时从容置槽21中抽出部分或全部空气，使其内达到局部真空或全真空状态，进而使得磁头各表面上的清洗液沸腾，从而快速挥发，蒸汽随抽气装置23排出容置槽21之外，从达到瞬间干燥的目的。经过本发明真空干燥装置2处理的磁头的表面保持清洁，不会留下清洗液的印迹，从而提高生产率。

本发明仅以干燥磁盘驱动器的磁头为例，但干燥领域并不限制于此。

以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims

1.一种真空干燥装置，包括：

容置槽，用以容置待干燥物；

加热装置，用以使所述容置槽的温度升高至预定温度；以及

抽气装置，所述抽气装置与所述容置槽相连，以抽出所述容置槽中的部分或全部空气，从而使所述待干燥物上的溶剂挥发。

2.如权利要求1所述的真空干燥装置，其特征在于：所述加热装置包括若干加热管以及与所述加热管相连的热水泵。

3.如权利要求2所述的真空干燥装置，其特征在于：所述加热管设有进水口和出水口，以实现循环。

4.如权利要求1所述的真空干燥装置，其特征在于：所述加热装置设置于所述容置槽之中或外围。

5.如权利要求1所述的真空干燥装置，其特征在于：所述待干燥物上的溶剂包括去离子水，和/或H₂SO₄，和/或H₂O₂，和/或酒精，和/或异丙醇。

6.如权利要求1所述的真空干燥装置，其特征在于：所述预定温度的范围为30℃～80℃。

7.如权利要求1所述的真空干燥装置，其特征在于：所述容置槽包括盖体以及密封垫，所述盖体上设有气体通道，所述抽气装置通过所述气体通道与所述容置槽相连通。

8.如权利要求1所述的真空干燥装置，其特征在于：所述容置槽内的压强范围为0～25KPa。

9.如权利要求1所述的真空干燥装置，其特征在于：所述待干燥物包括半导体晶片、芯片、磁头或玻璃面。