CN103280465B - 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 - Google Patents
一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103280465B CN103280465B CN201310140711.4A CN201310140711A CN103280465B CN 103280465 B CN103280465 B CN 103280465B CN 201310140711 A CN201310140711 A CN 201310140711A CN 103280465 B CN103280465 B CN 103280465B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grid line
- main gate
- gate line
- solar photovoltaic
- photovoltaic assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 201000003373 familial cold autoinflammatory syndrome 3 Diseases 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000032953 Device battery issue Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，包括一系列串联在一起的太阳能电池片，每个电池片的正面具有至少2个独立的金属接触栅线单元，这些金属接触栅线单元之间以并联的方式连接。本发明太阳能光伏组件可最大限度消除现有技术中有问题的电池片对整个组件的影响，在保证与电池表面的金属栅线形成良好的电极接触与连接的前提下，可使太阳能组件的输出功率最大化，实现太阳能的最大转换以及最好的电力输出。
Description
技术领域
本发明属于太阳能光伏发电领域，具体涉及一种太阳能光伏组件。
背景技术
光伏技术是使用大面积的PN结来将太阳光转化为电的技术，因此这种PN结也称为太阳能电池。当这种太阳能电池被太阳照射时，太阳光中的光子的能量高过半导体的禁带宽度时，将在太阳能电池中产生电子-空穴对，PN结的非对称性确定了光生载流子的运动方向，从而产生电流，像普通电池一样从电池的终端引出。
实际有很多因素制约着太阳能电池组件的转换效率，譬如反射率、电极的遮挡、串联电阻、光伏载流子不能完全收集、在非活性区域的吸收、非辐射复合等。这其中，在太阳能电池正电极和背电极以及电池之间连接的欧姆电阻将明显损耗能量，可能导致光伏转换效率的明显下降，这将导致发电量少于预期。
正面栅线的设计对太阳能电池的转换效率非常关键。一般用来表征扩散后的硅片表面的电阻率，则两根栅线之间的横向电阻的功率损失由下面的公式给出
(1)
其中S是两条栅线之间的间距，J o 是电流密度，这公式是在当栅线之间的间距大于栅线宽度时成立的。
正面栅线的电阻也会严重影响光伏转换效率，电阻是的矩形栅线的电阻损失是与它的长度和通过它们的电量的比值成比例关系（H.B. Serreze, Proc. 13th IEEEPhotovoltaic Spec. Conf. (IEEE, New York, 1978), p.609）：
(2)
这里W 是矩形电池的宽度，L 是电池片的栅线长度，D 是栅线宽度。
正面栅线的遮光损失与正面栅线几何参数有关，并与最大工作电压成正比：
(3)
通过使P m 和 P s之和最小化，可得到最优的栅线宽度：
(4)
同时，可以得到总体功率损失：
(5)
这些能量损失原则上不能被消除，但是可以最小化。太阳能电池正面（受光面）接触结构已经发展成为很多细栅线和几根主栅线组成的正面金属栅格结构（图1），以减小遮光损失，同时获得较低的串联电阻。主栅线汇集所有细栅线上的电流，并为电流导出至外部电路提供途径。主栅线的数量取决于电池尺寸，历史的演变过程是从一条到两条到目前六寸直角硅片上广泛应用的三条。在未来，随着单体电池尺寸越来越大，四条、五条主栅可能成为必须。
PN结的特征规定了太阳能电池的电流方向。为了方便太阳能电池的运输和安装，现有技术采用在电池片主栅线上焊接焊带的方式将多个电池连接成串，并制成组件（图2），获得较高的电压输出。由于组件中所有的电池采用串联的方式，如果其中一个电池由于遮蔽、破裂、连接不良等原因，但不仅限于这些原因，可能不能像其它电池一样产生同样的电流，太阳能电池组件的功率输出将显著降低，有时会由于不良电池两端加载的反向电压使电池完全损坏，从而达到组件失效的程度。通过在每个电池或少量电池上连接独立的相反极性的旁路二极管可以解决上述问题。(M.A. Green, in Modern Semiconductor Device Physics, ed. S.M. Sze, J. Wiley & Sons, New York, 1998, Chpt.13)。然而，因为涉及到将大量电池装配成面板的生产流程、相关材料、生产成本等各种因素的制约，在所有电池上并联二极管变得不可能。
发明内容
为了尽可能消除现有技术中有问题的电池片对整个组件的影响，本发明的目的是提供一种新型设计的太阳能光伏组件，该太阳能光伏组件在保证与电池表面的金属栅线形成良好的电极接触与连接的前提下，可使太阳能组件的输出功率最大化，实现太阳能的最大转换以及最好的电力输出。
本发明的目的通过采取以下技术方案予以实现：
一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，包括一系列串联在一起的太阳能电池片，每个电池片包含一个半导体材料的基底，导电类型为N型或者P型；基底材料的正面存在一个发射极结构，这个发射极结构包括一个使用与基底材料相反的导电类型掺杂剂得到的掺杂薄层，以及在掺杂薄层之上的减反射层；基底材料的背面存在一个铝背场结构，这个结构包含一个使用与基底材料相同导电类型掺杂剂得到的重掺杂薄层，一个与重掺杂薄层形成欧姆接触的金属传导电极；其特征在于：所述的每个电池片的正面具有至少2个独立的金属接触栅线单元，这些金属接触栅线单元之间以并联的方式连接。
本发明所述的金属接触栅线单元由细栅线和主栅线组成，细栅线通过与主栅线的连接相互联系在一起，每条细栅线与主栅线的连接角度在45度和90度之间；所述的金属接触栅线单元以矩阵形式分布，矩阵包含一系列NxM的小方格，其中N指与主栅线平行方向的子集个数，M指与主栅线垂直方向的子集个数，这里的N是1，2，3，4和5；M是2、3、4和5。
本发明所述的主栅线根数为1～3根，以硅片中心为中心对称分布；所述的细栅线根数为70～120根，细栅线平行等距分布；所述的细栅线通过一个直线或者曲线的边框联系在一起；所述的主栅线采用分段式设计，段数为3～12段，各分段之间以细线相连；所述的细栅线的宽度在20微米至100微米之间，细栅线的高度在5微米到30微米之间；所述的主栅线的宽度在0.5毫米至2毫米之间，主栅线的高度在5微米至30微米之间。
本发明的有益效果是可将有问题的电池片对整个太阳能光伏组件的影响降到最低，从而达到降低由于电阻的变化导致的功率输出的损失，使太阳能光伏组件的输出功率最大化。
附图说明
图1是一般太阳能电池的正面栅线设计示意图；
图2 是一般太阳能组件的结构图，其中（a）是电池片连接的横截面示意图，（b）是10个电池组成组件的方法示意图，（c）是其等价的二极管示意图；
图3 是本发明的三种典型的太阳能电池表面金属接触栅线单元的示意图，其中（a）是细栅线通过一个直线边框连接形成大方格，细栅线垂直于主栅线且平行等距分布，（b）是细栅线之间通过间隔连接的方式形成多个小长方格，细栅线垂直于主栅线且平行等距分布，（c）是细栅线之间通过首尾连接的方式形成折线，细栅线垂直于主栅线且平行等距分布；
图4是本发明的具有三个金属接触栅线单元的太阳能电池的示意图，这三个金属接触栅线单元基本上形成了三个独立并行的子电池；
图5是本发明提供的三种细栅线的连接方式，同时为了组装时便于焊接而设计的具有两个分段接触的主栅线的太阳能电池示意图，其中（a）是细栅线通过一个直线边框连接形成大方格，细栅线垂直于主栅线且平行等距分布，（b）是细栅线之间通过间隔连接的方式形成多个小长方格，细栅线垂直于主栅线且平行等距分布，（c）是细栅线之间通过首尾连接的方式形成折线，细栅线垂直于主栅线且平行等距分布；
图6是本发明的具有9个金属接触栅线单元的太阳能电池，它等同于9个独立并行的子电池相互连接；
图7 是本发明的具有9个金属接触栅线单元的太阳能电池等价的二极管回路并联示意图；
图8是本发明的金属焊带与分段式主栅线的接触示意图；
图9是本发明提供的光通过反射和散射到达被焊带所覆盖的区域的原理示意图；
以上图中，1、细栅线，2、主栅线，3、电池片，4、焊带，5、二极管，6、金属接触栅线单元，7、焊点，8、空隙区域，9、光伏玻璃，10、热熔胶，11、电池引出线，12电池基底。
具体实施方式
本发明提供的一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，包括一系列串联在一起的太阳能电池片，每个电池片包含一个半导体材料的基底，导电类型为N型或者P型；基底材料的正面存在一个发射极结构，这个发射极结构包括一个使用与基底材料相反的导电类型掺杂剂得到的掺杂薄层，以及在掺杂薄层之上的减反射层；基底材料的背面存在一个铝背场结构，这个结构包含一个使用与基底材料相同导电类型掺杂剂得到的重掺杂薄层，一个与重掺杂薄层形成欧姆接触的金属传导电极；每个电池片的正面具有至少2个独立的金属接触栅线单元，这些金属接触栅线单元之间以并联的方式连接。
本发明金属接触栅线单元6由细栅线1和主栅线2组成，细栅线1通过与主栅线2的连接相互联系在一起，每条细栅线1与主栅线2的连接角度在45度和90度之间；金属接触栅线单元6以矩阵形式分布，矩阵包含一系列NxM的小方格，其中N指与主栅线2平行方向的子集个数，M指与主栅线2垂直方向的子集个数，这里的N是1，2，3，4和5；M是2、3、4和5。图4是1×3的设计，图6是3×3的设计。
本发明主栅线2根数为1～3根，以硅片中心为中心对称分布；细栅线1根数为70～120根，细栅线1平行等距分布；细栅线1通过一个直线或者曲线的边框联系在一起；主栅线2采用分段式设计，段数为3～12段，各分段之间以细线相连；细栅线1的宽度在20微米至100微米之间，细栅线1的高度在5微米到30微米之间；主栅线2的宽度在0.5毫米至2毫米之间，主栅线2的高度在5微米至30微米之间。
依据上面所列的技术方案，下面结合附图对本发明作出进一步详细的说明。
为了能够减少由于单个电池片引起的功率损耗，在本发明太阳能电池组件中，采用多个电极引出方式，而不是如图1所示的单个网格结构。目前本发明并不仅限于改变前表面的金属电极接触，也包含背接触电池的设计，如图3中所示的一种图形，是基于在上述背景中所讨论的金属化原则以及在不牺牲转换效率的前提下获得的最小的遮光面积和最大的功率输出所采用的三种细栅线1和主栅线2的连接设计。
如图4所示，前表面具有三个独立的金属接触栅线单元6，彼此互不影响。因此，一个电池片3实际上是被分成三个互不干涉的子电池,产生的光生电子在直接从一个电极流向相反的电极。在这种三个金属接触栅线单元6的电池片3配置中，当多个电池片3结合在一起，它们的整体效率是通过三个平行的电极所提供，也即每个电池片3的一个电极只占了整个电池片的三分之一的电流。也就是说,如果一个电池片3的一个电极由于某种原因产生故障而不能发电，它也不会降低整个电池片3的功率，即使最糟糕的情况，也只是损耗一个电池片3三分之一的功率。因此,功率损耗与电池片3损坏度的相关性可能大大减少。
本发明的金属接触栅线单元6结构有很多种设计模式，比如细栅线1可以直接与主栅线2相垂直连接，也可以以一定的角度与主栅线2相连接，但是前提是最大化的收集电流和降低金属接触电阻。一个太阳能电池组件可以是一个线性阵列(N×2)或者二维阵列(N×M,N≠1，M≠1)所组成的金属接触栅线单元（对于整个金属接触栅线单元而言，其金属电极彼此是相互独立的部分）。
前表面的主栅线2也可以是分段设计的，如图5所示，每个子电池包括多条细栅线1和具有2个或多个焊点8的分段式主栅线2，其中细栅线可以是多种设计，包括但不限于，细栅线1与主栅线2成垂直或倾斜角度（角度大于等于45度，小于90度）。
图6所示为一个3×3系列共有九个金属接触栅线单元6的太阳能电池片7。其等效并联二极管5连接电路图如图7所示。这个前表面设计主要由九个子电池所组成。在太阳光照射下，每个电池片贡献总体电流的九分之一，这九个部分共同组成了一个太阳能电池片7。类似的例子在前面论述中也说过，如果某些电池片由于某些原因而导致失效，由于并联电路的特性，该电池片所产生的反向偏压将会被局限于此电池片中，剩下的一部分电池片仍可以继续运行并将太阳光转换成电能。因此，功率损耗与电池片损坏度的相关性可能大大减少。
由于这些子单元电池采用并联的连接方式，如果其中某个子单元由于一些原因失效，在内置的反向偏压下，这个损坏的电池的不利影响也会局限在一定程度之内；剩余的电池单元仍然可以持续的将阳光转换为电能。因此，由于单个的电池失效所导致的整体风险就被大大降低了。
此外，本发明的另一新颖之处在于主栅线2使用了间断的接触点设计即分段式设计而不是连续主栅焊接，减少了栅线的遮光损失。如图8所示，即使电池焊接后，在电池片和焊带4之间仍然存在一个开放的空隙区域8，可以有效地利用入射的光能，因此这个设计特点是非常有用的。EVA（热熔胶）10和光伏玻璃9的折射率都远大于空气，组件中一部分反射和散射的太阳光并不会被电池立即吸收利用，依据斯涅尔定律，这部分太阳光会在组件内部的EVA 10和光伏玻璃9之间进行多次随机性的反射。如图9所示，这些光线中的一部分可能会到达焊带4下面的空隙区域8之内，从而光电转换获得额外的电流增益，而在常规设计中这个开放区域是会被金属主栅线所遮挡的。
在技术领域中，改进是随时可能发生的。因此，本发明并不局限于此处所描述的这些特定细节。只要不背离本发明设计的范围，各种结构和细节上的改进都是允许的。例如，前表面金属接触栅线单元的多种结构，可以被应用于不同的场合和制品上。
Claims (7)
1.一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，包括一系列串联在一起的太阳能电池片，每个电池片包含一个半导体材料的基底，导电类型为N型或者P型；基底材料的正面存在一个发射极结构，这个发射极结构包括一个使用与基底材料相反的导电类型掺杂剂得到的掺杂薄层，以及在掺杂薄层之上的减反射层；基底材料的背面存在一个铝背场结构，这个结构包含一个使用与基底材料相同导电类型掺杂剂得到的重掺杂薄层，一个与重掺杂薄层形成欧姆接触的金属传导电极；其特征在于：所述的每个电池片的正面具有至少3个独立的金属接触栅线单元，这些金属接触栅线单元之间以并联的方式连接，所述的金属接触栅线单元以矩阵形式分布，矩阵包含一系列NxM的小方格，其中N指与主栅线平行方向的子集个数，M指与主栅线垂直方向的子集个数，这里的N是1，2，3，4和5；M是3、4和5。
2.根据权利要求1所述的一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，其特征在于：所述的金属接触栅线单元由细栅线和主栅线组成，细栅线通过与主栅线的连接相互联系在一起，每条细栅线与主栅线的连接角度在45度和90度之间。
3.根据权利要求2所述的一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，其特征在于：所述的主栅线根数为1～3根，以硅片中心为中心对称分布；所述的细栅线根数为70～120根，细栅线平行等距分布。
4.根据权利要求2或3所述的一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，其特征在于：所述的细栅线通过一个直线或者曲线的边框联系在一起。
5.根据权利要求2或3所述的一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，其特征在于：所述的主栅线采用分段式设计，段数为3～12段，各分段之间以细线相连。
6.根据权利要求2或3所述的一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，其特征在于：所述的细栅线的宽度在20微米至100微米之间，细栅线的高度在5微米到30微米之间。
7.根据权利要求2或3所述的一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件，其特征在于：所述的主栅线的宽度在0.5毫米至2毫米之间，主栅线的高度在5微米至30微米之间。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310140711.4A CN103280465B (zh) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 |
| PCT/CN2013/075545 WO2014172926A1 (zh) | 2013-04-23 | 2013-05-13 | 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310140711.4A CN103280465B (zh) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103280465A CN103280465A (zh) | 2013-09-04 |
| CN103280465B true CN103280465B (zh) | 2016-12-28 |
Family
ID=49062949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310140711.4A Active CN103280465B (zh) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103280465B (zh) |
| WO (1) | WO2014172926A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014083846A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| KR20160038694A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
| CN104409527A (zh) * | 2014-11-06 | 2015-03-11 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 太阳能电池正面栅线结构、太阳能电池片及太阳能电池组件 |
| US10535790B2 (en) * | 2015-06-25 | 2020-01-14 | Sunpower Corporation | One-dimensional metallization for solar cells |
| CN106364140B (zh) * | 2016-10-25 | 2018-06-15 | 昆山良品丝印器材有限公司 | 太阳能晶体硅电池片用菲林结构及其印刷网版 |
| CN108229007B (zh) * | 2017-12-29 | 2021-06-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 多主栅光伏组件模拟方法及光伏组件 |
| CN108447921B (zh) * | 2018-04-24 | 2024-02-02 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种p型ibc太阳能电池电极结构 |
| CN111883658B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-10-20 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种钙钛矿太阳能电池模块及其制备方法 |
| CN112599642A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-02 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种电池片的焊接方法以及光伏组件 |
| CN113725307B (zh) | 2021-08-27 | 2024-02-06 | 上海晶科绿能企业管理有限公司 | 光伏电池片、电池组件及制备工艺 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201838602U (zh) * | 2010-10-19 | 2011-05-18 | 温州昌隆光伏科技有限公司 | 一种分段栅线晶体硅太阳能电池 |
| CN102157573A (zh) * | 2011-02-22 | 2011-08-17 | 江门尚日新能源有限公司 | 一种太阳能电池正电极印刷图形 |
| CN202183399U (zh) * | 2011-08-29 | 2012-04-04 | 江苏东鋆光伏科技有限公司 | 太阳能电池组件 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4121928B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| CN101950761A (zh) * | 2010-09-29 | 2011-01-19 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种新型太阳能电池及由其组成的太阳能光伏组件 |
| CN202049973U (zh) * | 2011-05-23 | 2011-11-23 | 厦门索纳新能源有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池 |
| CN102738257A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种低成本高效率太阳能电池的电极栅线结构 |
| CN102983179B (zh) * | 2012-12-10 | 2016-02-10 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池片的上下式电极结构 |
-
2013
- 2013-04-23 CN CN201310140711.4A patent/CN103280465B/zh active Active
- 2013-05-13 WO PCT/CN2013/075545 patent/WO2014172926A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201838602U (zh) * | 2010-10-19 | 2011-05-18 | 温州昌隆光伏科技有限公司 | 一种分段栅线晶体硅太阳能电池 |
| CN102157573A (zh) * | 2011-02-22 | 2011-08-17 | 江门尚日新能源有限公司 | 一种太阳能电池正电极印刷图形 |
| CN202183399U (zh) * | 2011-08-29 | 2012-04-04 | 江苏东鋆光伏科技有限公司 | 太阳能电池组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103280465A (zh) | 2013-09-04 |
| WO2014172926A1 (zh) | 2014-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103280465B (zh) | 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件 | |
| US11056598B2 (en) | Solar cell | |
| KR101699299B1 (ko) | 양면 수광형 태양전지 | |
| KR20100102254A (ko) | 태양 전지 및 태양 전지 모듈 | |
| KR20100123164A (ko) | 태양 전지 | |
| TW201530793A (zh) | 太陽能電池及其模組 | |
| CN105637651B (zh) | 太阳能电池模块 | |
| TW201312766A (zh) | 太陽能電池模組 | |
| KR101642158B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| KR101125435B1 (ko) | Ｍｗｔ형 태양전지 | |
| KR101729745B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조 방법 | |
| US20150129022A1 (en) | Back contact solar cell | |
| KR20130016848A (ko) | Ｈｉｔ 태양전지 | |
| KR20120116120A (ko) | 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터 | |
| KR102065170B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| KR101794948B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| JP2015005718A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| TWI506801B (zh) | 太陽能電池組 | |
| JP7284865B1 (ja) | 太陽電池および光起電力モジュール | |
| JP6706779B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
| JP2024082215A (ja) | 太陽電池及び光起電力モジュール | |
| KR101819731B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| KR101898996B1 (ko) | 전하 선택 접합 실리콘 태양 전지 | |
| US20110259411A1 (en) | Packaging structure and process of solar cell | |
| JP2020509606A (ja) | 太陽光の吸収に有効なｐ型ｐｅｒｃ両面太陽電池及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |