CN202049973U - 一种选择性发射极晶体硅太阳电池 - Google Patents

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 Download PDF

Info

Publication number
CN202049973U
CN202049973U CN2011201657188U CN201120165718U CN202049973U CN 202049973 U CN202049973 U CN 202049973U CN 2011201657188 U CN2011201657188 U CN 2011201657188U CN 201120165718 U CN201120165718 U CN 201120165718U CN 202049973 U CN202049973 U CN 202049973U
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
emitter
type
crystalline silicon
silicon solar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2011201657188U
Other languages
English (en)
Inventor
闻震利
张辉
窦永铭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
XIAMEN SUONA NEW ENERGY CO Ltd
Original Assignee
XIAMEN SUONA NEW ENERGY CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by XIAMEN SUONA NEW ENERGY CO Ltd filed Critical XIAMEN SUONA NEW ENERGY CO Ltd
Priority to CN2011201657188U priority Critical patent/CN202049973U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202049973U publication Critical patent/CN202049973U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池，包括：一P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极N++和N型浅发射极N+；所述N型深发射极N++上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。本实用新型的太阳电池结构可提高光生载流子的收集率，提高太阳电池的短路电流和开路电压；降低太阳电池的串联电阻，减少光生载流子的表面复合；提高了太阳电池的转换效率。

Description

一种选择性发射极晶体硅太阳电池
技术领域
本实用新型涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种具有选择性发射极的晶体硅太阳电池。 
背景技术
太阳电池可以将太阳能转化为电能，在提供电力的同时不产生任何有害物质，是解决能源与环境问题、实现可持续发展的有效途径。随着人们对再生绿色能源需求量的增长，晶体硅太阳电池技术得到了快速发展。现有的晶体硅太阳电池的光电转换效率一般在16%左右，随着太阳电池的广泛应用，人们对太阳电池的转换效率提出更高的要求，并要求能简化工艺，降低成本。
所谓选择性发射极（SE-selective emitter）晶体硅太阳电池，即在金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。 
发明内容
本实用新型的目的是提供一种选择性发射极晶体硅太阳电池。
为达到上述目的，本实用新型所提出的技术方案为：一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：一P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极N++和N型浅发射极N+；所述N型深发射极N++上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。
进一步的，所述N型深发射极N++宽度为200~300μm，结深为0.5~2μm，其方块电阻为40~50Ω/sqr；所述N型浅发射极N+结深0.2~0.3μm，其方块电阻为80~200Ω/sqr。
进一步的，所述P型晶体硅衬底厚度为80~300μm，为单晶硅片或多晶硅片。
进一步的，所述正电极的银栅线间距为1.5~3.0mm，银栅线宽度为20~100μm。
本实用新型的有益效果：提高光生载流子的收集率，提高太阳电池的短路电流和开路电压；降低太阳电池的串联电阻，减少光生载流子的表面复合；提高了太阳电池的转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的实施例示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本实用新型做进一步说明。
如图1所示，为本实用新型的一种选择性发射极晶体硅太阳电池，包括：一P型晶体硅衬底1，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极（N++）3和N型浅发射极（N+ ）2；所述N型深发射极（N++）3上制有一银主栅线正电极5，N型浅发射极（N+ ）2上镀有一层氮化硅抗反射膜4；衬底1下表面印制有铝背场6及铝或银背电极7。
P型晶体硅衬底1可为单晶硅片，也可为多晶硅片，其厚度为80~300μm。采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散方法在衬底1上获得N型浅发射极（N+）2，通过激光辐照在磷硅玻璃上实现重掺杂，即在激光辐照区域获得了N型深发射极（N++）3，氮化硅抗反射膜4由PECVD工艺获得，用丝网印刷工艺制作正电极5和背电极7。
本实施例中的P型晶体硅衬底1厚度为80~300μm，氮化硅抗反射膜4的厚度为65~85nm，正电极5的银栅线间距为1.5~3.0mm，银栅线宽度为20~100μm；正电极5底下的N型深发射极（N++）3宽度为200~300μm，结深为0.5~2μm，其方块电阻为40~50Ω/sqr；N型浅发射极（N+）2结深为0.2~0.3μm，其方块电阻为80~200Ω/sqr。 
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上对本实用新型做出的各种变化，均为本实用新型的保护范围。 

Claims (4)

1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：一P型晶体硅衬底，上表面制有绒面，其上分布有N型深发射极N++和N型浅发射极N+；所述N型深发射极N++上制有一银主栅线正电极，N型浅发射极上镀有一层氮化硅抗反射膜；衬底下表面印制有铝背场及铝或银背电极。
2.如权利要求1所述一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于：所述N型深发射极N++宽度为200~300μm，结深为0.5~2μm；所述N型浅发射极N+结深0.2~0.3μm。
3.如权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于：所述P型晶体硅衬底厚度为80~300μm，为单晶硅片或多晶硅片。
4.如权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于：所述正电极的银栅线间距为1.5~3.0mm，银栅线宽度为20~100μm。
CN2011201657188U 2011-05-23 2011-05-23 一种选择性发射极晶体硅太阳电池 Expired - Fee Related CN202049973U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011201657188U CN202049973U (zh) 2011-05-23 2011-05-23 一种选择性发射极晶体硅太阳电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011201657188U CN202049973U (zh) 2011-05-23 2011-05-23 一种选择性发射极晶体硅太阳电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202049973U true CN202049973U (zh) 2011-11-23

Family

ID=44990272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011201657188U Expired - Fee Related CN202049973U (zh) 2011-05-23 2011-05-23 一种选择性发射极晶体硅太阳电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202049973U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014172926A1 (zh) * 2013-04-23 2014-10-30 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件
CN111883610A (zh) * 2020-06-09 2020-11-03 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性发射极p型单晶硅片的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014172926A1 (zh) * 2013-04-23 2014-10-30 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种有效提高输出功率的太阳能光伏组件
CN111883610A (zh) * 2020-06-09 2020-11-03 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性发射极p型单晶硅片的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109244194B (zh) 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法
CN202094163U (zh) 在正面和背面上具有成形导电层的正面接触太阳能电池
CN103489934A (zh) 一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法
CN107275432B (zh) 一种晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN102683493A (zh) N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法
CN110459638A (zh) 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法
KR101612133B1 (ko) Ｍｗｔ형 태양전지 및 그 제조방법
CN111613688A (zh) 一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法
CN102709389B (zh) 一种双面背接触太阳能电池的制备方法
CN103187482A (zh) 一种晶硅太阳能mwt电池的制造方法及其制造的电池
CN102629641B (zh) 一种背接触硅太阳能电池的制备方法
CN202189800U (zh) 一种选择性发射极的晶体硅太阳能电池
CN104362200A (zh) 一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法
CN103594532B (zh) 一种n型晶体硅太阳能电池的制备方法
CN202049973U (zh) 一种选择性发射极晶体硅太阳电池
CN103489938A (zh) 一种渐变结构的选择性发射极太阳电池及其制作方法
CN205564764U (zh) 一种背面钝化接触电池结构
CN102280501B (zh) 一种硅基埋栅薄膜太阳能电池
CN102709391B (zh) 一种选择性发射极太阳电池的制备方法
US20110232741A1 (en) Silicon solar cell
CN104009121A (zh) P型晶体硅双面刻槽埋栅电池制备方法
CN103700715A (zh) 晶体硅太阳电池背接触电池及其制备方法
CN102769072A (zh) N型晶硅太阳能电池及其制备方法
CN102403379B (zh) 具有背面浮动结的太阳能电池结构及其制作方法
CN102683484B (zh) 背接触硅太阳能电池的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111123

Termination date: 20140523